JP5322847B2

JP5322847B2 - 加熱処理装置及び熱処理装置

Info

Publication number: JP5322847B2
Application number: JP2009191223A
Authority: JP
Inventors: 義隆松田; 昇中島; 龍生安永; 研二堤
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2009-08-20
Filing date: 2009-08-20
Publication date: 2013-10-23
Anticipated expiration: 2029-08-20
Also published as: JP2011044553A

Description

本発明は、基板を加熱処理する加熱処理装置、及び基板を加熱又は冷却処理する熱処理装置に関する。

半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィ工程では、半導体基板（以下、「基板」又は「ウェハ」という。）の表面に塗布されたレジスト液内の溶剤を蒸発させるための加熱処理（プリベーキング）、パターンの露光後に、ウェハ上のレジスト膜の化学反応を促進させるための加熱処理（ポストエクスポージャーベーキング）、現像処理後の加熱処理（ポストベーキング）、各加熱処理の後にウェハを冷却する冷却処理等の種々の熱処理が行われている。

上述した加熱処理は、通常、熱板を備えたオーブン等の加熱処理装置において、所望の熱処理温度に維持された熱板上にウェハを載置することによって行われている。また、上述した冷却処理は、通常、冷却板を備えた熱処理装置において、冷却板上にウェハを載置することによって行われている。

また、半導体デバイスの製造プロセスにおいては、製造の歩留まりを向上させるため、ウェハへのパーティクルが付着することを極力防止しなくてはならない。ウェハへのパーティクルの付着を防止する方法としては、各処理装置の駆動部からの発塵を極力抑える方法がある。また、各処理装置に排気系を設け、各処理装置の装置内で発生するパーティクルを装置外へ排出する方法がある。また、これらのパーティクルの付着を防止することは、フォトリソグラフィ工程で用いられる各処理装置においても、同様である。

一方、４５ｎｍノードの高解像度を有するフォトリソグラフィ工程を行うために、液浸露光の技術と、レジスト塗布、露光、現像よりなるパターニング処理を２回行って微細パターンを形成するダブルパターニングと称する技術と組合せて行うことが検討されている。このようなダブルパターニングが対象とされるフォトリソグラフィ工程においては、５０ｎｍ以下の微細なパーティクルが付着することが重大な問題となる。しかし、５０ｎｍ以下の微細なパーティクルが移動する場合には、慣性力や重力に起因する移動ではなく、拡散に起因する移動が支配的になる。従って、処理装置に排気系を設けて装置内から装置外へ排気を行っても、処理装置の装置内で発生するパーティクルを装置外へ排出することは困難である。

このような装置内の微細なパーティクルを静電気により捕集する方法がある。例えば絶縁性材料よりなる捕集プレートを処理装置内の洗浄ユニット内において洗浄し、イオナイザにより帯電させ、帯電させた捕集プレートを処理装置内の各処理部に搬入し、各処理部内の塵埃を除去する方法がある（例えば、特許文献１参照）。

特開２００８−２７７４８０号公報

ところが、上記したような加熱処理装置及び熱処理装置において静電気によりパーティクルを捕集する場合、次のような問題がある。

加熱処理装置及び熱処理装置においては、基板の受け渡しの際に動く可動部分の周辺から発生するパーティクルも多い。しかしながら、熱板を有する加熱処理装置において、熱板上に捕集プレートを載置しても、加熱処理装置内のパーティクルを効率よく捕集することができず、パーティクルを除去することができない場合がある。同様に、冷却板を有する熱処理装置において、冷却板上に捕集プレートを載置しても、熱処理装置内のパーティクルを効率よく捕集することができず、パーティクルを除去することができない場合がある。

また、熱板上又は冷却板上に捕集プレートを載置する方式では、熱板又は冷却板上にウェハを載置している間は、パーティクルを捕集することができないため、十分にパーティクルを除去することができない場合がある。

更に、絶縁性材料よりなる捕集プレートを載置してパーティクルを捕集する場合、時間の経過とともに帯電が弱まることがあり、パーティクルを効率的に除去することができない場合がある。

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、熱板又は冷却板を備え、基板の受け渡しの際に動く部分を備える場合において、基板の受け渡しの際に発生するパーティクルを効率よく捕集することができる加熱処理装置及び熱処理装置を提供する。

上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。

本発明に係る加熱処理装置は、基板の表面に塗布膜が形成された基板を加熱処理する加熱処理装置において、載置された前記基板を昇降可能な蓋体で囲い、前記基板を加熱処理する加熱処理部と、少なくとも前記蓋体を昇降させたときに前記加熱処理部の周辺で発生した塵埃を静電吸着する帯電プレートを、前記蓋体の上方の第１の位置において保持する保持台とを備え、前記帯電プレートは、電源に接続された複数の電極端子に対応する導電部材を絶縁部材を介して組み合わされ、前記導電部材に正の電圧が印加されて正に帯電される部位と、前記導電部材に負の電圧が印加されて負に帯電される部位とを有し、前記電圧は、少なくとも前記加熱処理部の処理が完了した後で、前記蓋体が開放されているときに印加される、ことを特徴とする。

また、本発明に係る熱処理装置は、基板の表面に塗布膜が形成された基板を熱処理する熱処理装置において、上記の加熱処理装置と、前記加熱処理部で加熱処理された基板を冷却処理する冷却処理部とを有し、前記冷却処理部は、前記加熱処理部に隣接して設けられ、前記保持台は、前記帯電プレートを、前記第１の位置と前記冷却処理部の上方の第２の位置との間に往復動可能に保持する、ことを特徴とする。

本発明によれば、熱板又は冷却板を備え、基板の受け渡しの際に動く部分を備える加熱処理装置及び熱処理装置において、基板の受け渡しの際に発生するパーティクルを効率よく捕集することができる。

第１の実施の形態に係る加熱処理装置を含む熱処理装置を具備するレジスト塗布現像処理システムを示す概略平面図である。第１の実施の形態に係る加熱処理装置を含む熱処理装置を具備するレジスト塗布現像処理システムの概略正面図である。第１の実施の形態に係る加熱処理装置を含む熱処理装置を具備するレジスト塗布現像処理システムの概略背面図である。第１の実施の形態に係る加熱処理装置を含む熱処理装置を示す概略正面図である。第１の実施の形態に係る加熱処理装置を含む熱処理装置を示す概略平面図である。図５において、保持台に帯電プレートが保持されていない状態を示す図である。第１の実施の形態に係る熱処理方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。第１の実施の形態に係る熱処理方法の各ステップにおける熱処理装置の状態を模式的に示す断面図（その１）である。第１の実施の形態に係る熱処理方法の各ステップにおける熱処理装置の状態を模式的に示す断面図（その２）である。第１の実施の形態に係る熱処理方法の各ステップにおける熱処理装置の状態を模式的に示す断面図（その３）である。第１の実施の形態に係る熱処理方法の各ステップにおける熱処理装置の状態を模式的に示す断面図（その４）である。第１の実施の形態に係る熱処理方法の各ステップにおける熱処理装置の状態を模式的に示す断面図（その５）である。第１の実施の形態に係る熱処理方法の各ステップにおける熱処理装置の状態を模式的に示す断面図（その６）である。第１の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムにおける帯電プレートの洗浄モジュールを示す概略構成図である。第２の実施の形態に係る加熱処理装置を含む熱処理装置を示す概略正面図である。第２の実施の形態に係る熱処理方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。

次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。
（第１の実施の形態）
始めに、図１から図９を参照し、第１の実施の形態に係る加熱処理装置、及び加熱処理装置を含む熱処理装置について説明する。

最初に、本実施の形態に係る加熱処理装置を含む熱処理装置をレジスト塗布現像処理システムにおける熱処理装置に適用した場合について説明する。

図１は、本実施の形態に係る加熱処理装置を含む熱処理装置を具備するレジスト塗布現像処理システムを示す概略平面図、図２は、レジスト塗布現像処理システムの概略正面図、図３は、レジスト塗布現像処理システムの概略背面図である。

レジスト塗布現像処理システム１は、図１に示すように、例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部からレジスト塗布現像処理システム１に対して搬入出すると共に、カセットＣに対してウェハＷを搬入出するカセットステーション２と、このカセットステーション２に隣接して設けられ、塗布現像工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理ユニットを多段配置してなる処理ステーション３と、この処理ステーション３に隣接して設けられている露光装置（図示せず）との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェース部４とを一体に接続した構成を有している。

カセットステーション２は、カセット載置台５上の所定の位置に、複数のカセットＣを水平のＸ方向に一列に載置可能となっている。また、カセットステーション２には、搬送路６上をＸ方向に沿って移動可能なウェハ搬送アーム７が設けられている。ウェハ搬送アーム７は、カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり、Ｘ方向に配列された各カセットＣ内のウェハＷに対して選択的にアクセスできるように構成されている。

また、ウェハ搬送アーム７は、Ｚ軸を中心としてθ方向に回転可能に構成されており、後述するように処理ステーション３側の第３の処理ユニット群Ｇ３に属するトランジション装置（ＴＲＳ）３１に対してもアクセスできるように構成されている。

処理ステーション３は、複数の処理ユニットが多段に配置された、例えば５つの処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。図１に示すように、処理ステーション３の正面側には、カセットステーション２側から第１の処理ユニット群Ｇ１、第２の処理ユニット群Ｇ２が順に配置されている。また、処理ステーション３の背面側には、カセットステーション２側から第３の処理ユニット群Ｇ３、第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５が順に配置されている。第３の処理ユニット群Ｇ３と第４の処理ユニット群Ｇ４との間には、第１の搬送機構１１０が設けられている。第１の搬送機構１１０は、第１の処理ユニット群Ｇ１、第３の処理ユニット群Ｇ３及び第４の処理ユニット群Ｇ４に選択的にアクセスしてウェハＷを搬送するように構成されている。第４の処理ユニット群Ｇ４と第５の処理ユニット群Ｇ５との間には、第２の搬送機構１２０が設けられている。第２の搬送機構１２０は、第２の処理ユニット群Ｇ２、第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５に選択的にアクセスしてウェハＷを搬送するように構成されている。

第１の処理ユニット群Ｇ１には、図２に示すように、ウェハＷに所定の処理液を供給して処理を行う液処理ユニット、例えばウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）１０、１１、１２、露光時の光の反射を防止するための反射防止膜を形成するボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）１３、１４が下から順に５段に重ねられている。第２の処理ユニット群Ｇ２には、液処理ユニット、例えばウェハＷに現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥＶ）２０〜２４が下から順に５段に重ねられている。また、第１の処理ユニット群Ｇ１及び第２の処理ユニット群Ｇ２の最下段には、各処理ユニット群Ｇ１及びＧ２内の前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室（ＣＨＭ）２５、２６がそれぞれ設けられている。

一方、第３の処理ユニット群Ｇ３には、図３に示すように、下から順に、温調ユニット（ＴＣＰ）３０、ウェハＷの受け渡しを行うためのトランジション装置（ＴＲＳ）３１及び精度の高い温度管理下でウェハＷを加熱処理する熱処理ユニット（ＵＬＨＰ）３２〜３８が９段に重ねられている。

第４の処理ユニット群Ｇ４では、例えば高精度温調ユニット（ＣＰＬ）４０、レジスト塗布処理後のウェハＷを加熱処理するプリベーキングユニット（ＰＡＢ）４１〜４４及び現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキングユニット（ＰＯＳＴ）４５〜４９が下から順に１０段に重ねられている。

第５の処理ユニット群Ｇ５では、ウェハＷを熱処理する複数の熱処理ユニット、例えば高精度温調ユニット（ＣＰＬ）５０〜５３、露光後のウェハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）５４〜５９が下から順に１０段に重ねられている。

また、第１の搬送機構１１０のＸ方向正方向側には、図１に示すように、複数の処理ユニットが配置されており、例えば図３に示すように、ウェハＷを疎水化処理するためのアドヒージョンユニット（ＡＤ）８０、８１、ウェハＷを加熱する加熱ユニット（ＨＰ）８２、８３が下から順に４段に重ねられている。また、第２の搬送機構１２０の背面側には、図１に示すように、例えばウェハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光ユニット（ＷＥＥ）８４が配置されている。

インターフェース部４は、図１に示すように、処理ステーション３側から順に第１のインターフェース部１００と、第２のインターフェース部１０１とを備えている。第１のインターフェース部１００には、ウェハ搬送アーム１０２が第５の処理ユニット群Ｇ５に対応する位置に配設されている。ウェハ搬送アーム１０２のＸ方向の両側には、例えばバッファカセット１０３（図１の背面側）、１０４（図１の正面側）が各々設置されている。ウェハ搬送アーム１０２は、第５の処理ユニット群Ｇ５内の熱処理装置とバッファカセット１０３、１０４に対してアクセスできる。第２のインターフェース部１０１には、Ｘ方向に向けて設けられた搬送路１０５上を移動するウェハ搬送アーム１０６が設けられている。ウェハ搬送アーム１０６は、Ｚ方向に移動可能で、かつθ方向に回転可能であり、バッファカセット１０４と、第２のインターフェース部１０１に隣接した図示しない露光装置に対してアクセスできるようになっている。したがって、処理ステーション３内のウェハＷは、ウェハ搬送アーム１０２、バッファカセット１０４、ウェハ搬送アーム１０６を介して露光装置に搬送でき、また、露光処理の終了したウェハＷは、ウェハ搬送アーム１０６、バッファカセット１０４、ウェハ搬送アーム１０２を介して処理ステーション３内に搬送できる。

次に、図４から図６を参照し、加熱処理装置及びその加熱処理装置を含む熱処理装置について説明する。

図４は、本実施の形態に係る加熱処理装置を含む熱処理装置を示す概略正面図である。図５は、本実施の形態に係る加熱処理装置を含む熱処理装置を示す概略平面図である。図６は、図５において、保持台に帯電プレートが保持されていない状態を示す図である。

熱処理装置は、加熱処理部と、冷却処理部と、保持台７６とを有する。熱処理装置は、基板の表面に塗布膜が形成された基板を熱処理する。加熱処理部は、本発明における加熱処理装置に相当し、基板の表面に塗布膜が形成された基板を加熱処理する。また、加熱処理部を後述する熱板の符号７０で代表して表し、冷却処理部を後述する冷却板の符号７１で代表して表す場合がある。このとき、熱処理装置は、加熱処理部７０と、冷却処理部７１と、保持台７６とを有する。

加熱処理部７０は、ウェハＷを載置して所定温度例えば１３０℃に加熱する熱板７０を有する。冷却処理部７１は、ウェハＷを載置すると共に、所定温度例えば２３℃に冷却し、かつ熱板７０に対して相対移動可能な載置板である冷却板７１を有する。保持台７６は、加熱処理部７０の周辺で発生した塵埃を静電吸着する帯電プレートを、加熱処理部の上方において保持する。

熱板７０は、図４及び図５に示すように、例えば上下動自在な蓋体７０ａと、蓋体７０ａの下方に位置し当該蓋体７０ａと一体となって熱板７０と共働して加熱処理室７０ｂを形成するサポートリング７０ｃが設けられている。

サポートリング７０ｃは、例えば上下面が開口した略円筒状の形態を有しており、サポートリング７０ｃの内側に熱板７０が収容されている。熱板７０は、例えば厚みのある円盤形状を有し、熱板７０内には、例えばヒータ７０ｄが内蔵されている。このヒータ７０ｄによって熱板７０は、所定の加熱温度例えば１３０℃に昇温できる。

熱板７０の中央付近には、複数例えば３個の貫通孔７０ｅが設けられている。各貫通孔７０ｅには、昇降駆動機構７２により昇降する支持ピン７２ａがそれぞれ貫挿可能に形成されている。この支持ピン７２ａによって、熱板７０上でウェハＷを昇降し、熱板７０と冷却板７１との間でウェハＷの受け渡しを行うことができる。

蓋体７０ａは、上面が閉塞し下面が開口した略円筒形状の形態を有している。蓋体７０ａの中央部には、図示しない気体供給口が設けられており、不活性ガス例えば窒素（Ｎ_２）ガスが図示しない気体供給口から導入され、熱板７０上にウェハＷに向かってＮ_２ガスが放射状に吐出される。このように放射状に吐出されるＮ_２ガスによっても、加熱により発生した触媒等の拡散によるウェハＷへの付着を防止することができる。

また、蓋体７０ａは、図示しない駆動部によって昇降するアーム７０ｉに支持されており、所定のタイミングで上下動し、サポートリング７０ｃと一体となって加熱処理室７０ｂを形成したり、その加熱処理室７０ｂを開放したりできるように構成されている。

冷却板７１は、図４及び図５に示すように、例えば略円形形状に形成されている。冷却板７１内には、例えば冷媒が通流する図示しない冷却管が内蔵されており、この冷却管によって冷却板７１は、所定の冷却温度例えば２３℃に維持される。冷却板７１の側方には、例えば図５に示すように、Ｘ方向に沿ったレール７１ｂが設けられている。冷却板７１は、図示しない駆動手段によってレール７１ｂ上を移動し、熱板７０上に対して相対的に移動するように構成されている。

また、冷却板７１には、図５及び図６に示すように２本のスリット７１ａが形成されている。スリット７１ａは、冷却板７１が熱板７０上に移動した時に後述する支持ピン７２ａに衝突しないように、冷却板７１における熱板７０側の端部から中央部付近に渡って形成されている。

また、冷却板７１には、外周の４箇所に、切り欠き部７１ｃを設けている。切り欠き部７１ｃは、図８Ａ等を用いて後述するウェハ搬送アーム１０６に設けられた４つのウェハ支持部１０６ａと干渉しないようになっている。

なお、冷却板７１がレール７１ｂ上を移動する場合において、熱板７０の上方にあるときの位置及び冷却板７１の上方にあるときの位置は、それぞれ本発明における第１の位置及び第２の位置に相当する。

保持台７６は、保持リング部材７６ａ、垂直支持部材７６ｂ、移動体７６ｃを有する。保持リング部材７６ａは、加熱処理部である熱板７０の上方の位置に、帯電プレート７７を水平に保持するように設けられる。保持リング部材７６ａは、保持リング部材７６ａの外周の一部が垂直支持部材７６ｂに取り付けられ、垂直支持部材７６ｂが移動体７６ｃに取り付けられることによって、移動体７６ｃに固定されている。移動体７６ｃは、例えば、加熱処理部の近傍から冷却処理部の近傍まで敷設されたガイド７６ｄ上を移動可能に設けられている。移動体７６ｃが加熱処理部の近傍にあるとき、保持リング部材７６ａは、保持リング部材７６ａの中心が熱板７０の中心の上方にあるように、設けられる。移動体７６ｃが冷却処理部の近傍にあるとき、保持リング部材７６ａは、保持リング部材７６ａの中心が冷却板７１の略中心の上方にあるように、設けられる。従って、保持台７６は、帯電プレート７７を、加熱処理部７０の上方の位置から冷却処理部７１の上方の位置に移動可能に保持する。また、本実施の形態では、帯電プレート７７を、加熱処理部７０の上方の位置と冷却処理部７１の上方の位置との間を往復動可能に保持する。

このように、帯電プレート７７は、加熱処理部７０の上方の位置と冷却処理部７１の上方の位置との間を移動することができるため、加熱処理室７０ｂ上のパーティクルを捕集する動作と、冷却板７１上のパーティクルを捕集する動作をタイミングよく行うことができ、効率よく熱処理装置内のパーティクルを捕集することができる。

例えば、ウェハを加熱処理室７０ｂに入れ替える時及びウェハを冷却板７１にて冷却させる時には、帯電プレート７７は、加熱処理室７０ｂ上に位置しており、蓋体７０ａを上下動させることにより開閉する際に発生したパーティクルを捕集することができる。また、このとき、帯電プレート７７は、加熱処理室７０ｂと冷却板７１の中間の位置の上方に位置してもよい。

一方、ウェハを加熱処理室７０ｂ内でベークしているときは、蓋体７０ａの上下動がないため、加熱処理室７０ｂの上方におけるパーティクルの発生量は少ない。このときは、帯電プレート７７を、冷却板７１上に位置させることができ、冷却板７１上を浮遊しているパーティクルを捕集することができる。

保持リング部材７６ａは、樹脂等の絶縁体よりなる。また、図６に示すように、保持リング部材７６ａの上面には、電極端子７６ｅが設けられている。電極端子７６ｅは、熱処理装置内又は熱処理装置の外部に設けられた電源７６ｆに接続されている。電源７６ｆに接続された電極端子７６ｅは、複数あってもよい。本実施の形態では、２つの電極端子７６ｅを有し、２つの電極端子７６ｅは、それぞれ独立に制御可能な電源７６ｆに接続されている。なお、本実施の形態に係る電極端子７６ｅは、本発明に係る端子に相当する。

保持リング部材７６ａの上に保持される帯電プレート７７は、保持リング部材７６ａに設けられた複数の電極端子７６ｅに対応する複数の導電部材７７ａが絶縁部材７７ｂを介して組み合わされている。図５に示す例では、保持リング部材７６ａの上面に２つの電極端子７６ｅが設けられており、２つの電極端子７６ｅに対応して、円形形状を有する帯電プレート７７が２つの半円形状の部分である導電部材７７ａに分割され、２つの半円形状の部分である導電部材７７ａが、絶縁部材７７ｂを介して組み合わされている。

本実施の形態では、帯電プレート７７は、正の部分と負の部分とに分かれており、正に帯電したパーティクル、負に帯電したパーティクルをともに効率よく捕集することができる。帯電プレート７７の導電部材７７ａの材質は、金属又は導電性樹脂等とすることができる。

本実施の形態では、保持リング部材７６ａ及び帯電プレート７７の直径は、例えばウェハサイズとすることができる。これにより、後述する帯電プレート７７の洗浄ユニットの部品を、ウェハの洗浄ユニットの部品と共通化することができる。

保持リング部材７６ａには、外周の４箇所に、切り欠き部７６ｇを設けている。切り欠き部７６ｇは、図８Ａ等を用いて後述するウェハ搬送アーム１０６に設けられた４つのウェハ支持部１０６ａと干渉しないようになっている。従って、切り欠き部７６ｇが設けられていることにより、帯電プレート７７が洗浄モジュールへ搬送される場合において、ウェハ搬送アーム１０６に設けられた４つのウェハ支持部材１０６ａとの間でウェハＷを受け渡しすることができる。

２つの電極端子７６ｅに対応する導電部材７７ａの形状は、半円形状に限られるものではなく、任意の形状の２つの導電部材を組合せることができる。また、３つ以上の電極端子が設けられている場合には、円形形状を有する帯電プレートを３つの電極端子に対応する３つの部分に分割し、分割された３つの部分が絶縁部材を介して組み合わされてもよい。

上記のような構成にすることにより、保持台７６に保持された帯電プレート７７は、保持リング部材７６ａの上面に設けられた電極端子７６ｅを介して電源７６ｆから電圧が印加される。一例として、正に帯電させる部分には、アースに対して５００Ｖ〜３ｋＶの電圧を印加することができる。また、負に帯電させる部分には、アースに対して−５００Ｖ〜−３ｋＶの電圧を印加することができる。

次に、加熱処理装置及びその加熱処理装置を含む熱処理装置で行われる熱処理方法について、図７及び図８Ａから図８Ｆを参照して説明する。

図７は、本実施の形態に係る熱処理方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。図８Ａから図８Ｆは、本実施の形態に係る熱処理方法の各ステップにおける熱処理装置の状態を模式的に示す断面図である。

予め、未処理のウェハＷが複数枚収容されたカセットＣが載置台５上に載置されると、カセットＣからウェハＷが１枚取り出され、ウェハ搬送アーム７によって第３の処理装置群Ｇ３の温調ユニット（ＴＣＰ）３０に搬送される。温調ユニット（ＴＣＰ）３０に搬送されたウェハＷは、所定温度に温度調節され、その後第１の搬送機構１１０によってボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）１３に搬送されて、表面に反射防止膜が形成される。反射防止膜が形成されたウェハＷは、第１の搬送機構１１０によって熱処理装置３２〜３８（以下に熱処理装置３２で代表する）内に搬送される。

熱処理装置３２によって熱処理されたウェハＷは、第１のウェハ搬送機構１１０によって熱処理装置３２内から取り出された後、レジスト塗布ユニット１０に搬送されて、レジスト塗布処理が施される。レジスト処理が施されたウェハＷは、プリベーキングユニット（ＰＡＢ）４１に搬送されて、加熱処理される。

プリベーキングユニット（ＰＡＢ）４１において加熱処理の終了したウェハＷは、第２の搬送機構１２０によって周辺露光装置８４に搬送され、周辺露光処理された後、高精度温調ユニット（ＣＰＬ）５３に搬送される。その後、ウェハＷは、第１のインターフェース部１００のウェハ搬送体１０２によってバッファカセット１０４に搬送され、次いで第２のインターフェース部１０１のウェハ搬送アーム１０６によって図示しない露光装置に搬送される。露光処理の終了したウェハＷは、ウェハ搬送アーム１０６及びウェハ搬送アーム１０２によってバッファカセット１０４を介してバッファカセット１０３に搬送される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送アーム１０２によって例えば熱処理装置（ＰＥＢ）５４に搬送される。

その後の工程は、図７に示すステップＳ１からステップＳ１７までの各ステップが順に行われる。図７は、各ステップにおける、ウェハが載置される位置、ウェハ搬送アームの位置、冷却板の位置、チャンバー（加熱処理室）の蓋体の位置、支持ピンの位置、帯電プレートの位置、帯電プレートの電源の状態を示す。また、図７に示すステップＳ１からステップＳ１７の各ステップが行われるときの熱処理装置の状態は、それぞれ図８Ａ（ａ）から図８Ｆ（ｑ）のそれぞれに示される。

まず、ステップＳ１及びステップＳ２を行うことにより、熱処理装置５４内に搬送されたウェハＷを、ウェハ搬送アーム１０６から冷却板７１に受け渡す。ウェハ搬送アーム１０６は、ウェハＷを載置した状態で、冷却板７１上に進出する（ステップＳ１）。図８Ａ（ａ）に示すように、ステップＳ１が行われた後では、ウェハＷを載置したウェハ搬送アーム１０６は、冷却板７１よりも上方に位置している。次に、ウェハ搬送アーム１０６が冷却板７１よりも下方まで移動することにより、ウェハＷをウェハ搬送アーム１０６から冷却板７１に受け渡す（ステップＳ２）。図８Ａ（ｂ）に示すように、ステップＳ２が行われた後では、ウェハ搬送アーム１０６は、ウェハＷを載置した冷却板７１よりも下方に位置している。また、ウェハＷは、冷却板７１に設けられた４つの切り欠きと、ウェハ搬送アーム１０６に設けられた４つのウェハ支持部材１０６ａにより、ウェハＷを受け渡す。

ステップＳ１及びステップＳ２を行う間、帯電プレート７７は、熱板７０の上方に位置している。また、ステップＳ１及びステップＳ２を行う間、帯電プレート７７には電圧が印加されており、熱板（加熱処理部）７０の周辺で発生した塵埃を静電吸着する。

次に、ステップＳ３からステップＳ８を行うことにより、ウェハＷを、冷却板７１から熱板７０に受け渡す。まず、図８Ａ（ｃ）に示すように、蓋体７０ａが上昇する（ステップＳ３）。次に、図８Ｂ（ｄ）に示すように、冷却板７１の図示しない駆動手段の駆動により、冷却板７１が熱板７０の上方に移動する（ステップＳ４）。次に、熱板７０における支持ピン７２ａが上昇してウェハＷを受け取る（ステップＳ５）。図８Ｂ（ｅ）に示すように、ステップＳ５が行われた後では、支持ピン７２ａが冷却板７１の上方でウェハＷを支持している。次に、図８Ｂ（ｆ）に示すように、冷却板７１が熱板７０から後退（離反）する（ステップＳ６）。次に、図８Ｃ（ｇ）に示すように、支持ピン７２ａが下降して、ウェハＷを熱板７０上に載置する（ステップＳ７）。次に、図８Ｃ（ｈ）に示すように、図示しない駆動部の駆動によって蓋体７０ａが下降する（ステップＳ８）。

ステップＳ３からステップＳ８を行う間、帯電プレート７７は、熱板７０の上方に位置している。また、ステップＳ３からステップＳ８を行う間、帯電プレート７７には電圧が印加されており、熱板（加熱処理部）７０の周辺で発生した塵埃を静電吸着する。

次に、ステップＳ９からステップＳ１０を行うことにより、ウェハＷを加熱処理する。ウェハＷを加熱処理するときは、ウェハＷを加熱処理室７０ｂに置いた状態で、ヒータ７０ｄの熱によりウェハＷを例えば１３０℃に加熱処理する。

加熱処理を行うに際し、保持台７６を熱板７０の上方から冷却板７１の上方に移動することにより、帯電プレート７７が熱板７０の上方から冷却板７１の上方に移動する（ステップＳ９）。図８Ｃ（ｉ）に示すように、ステップＳ９が行われる場合には、ウェハＷを加熱処理する間、帯電プレート７７を保持した保持台７６は、紙面左側の冷却板７１の上方に移動する。また、加熱処理が終了するまで、帯電プレート７７を保持した保持台７６は、冷却板７１の上方に位置していてもよいが、加熱処理が終了する前に冷却板７１の周辺においてパーティクルを捕集する作業が終了した場合には、保持台７６を冷却板７１の上方から熱板７０の上方に戻すことにより、帯電プレート７７が冷却板７１の上方から熱板７０の上方に移動する（ステップＳ１０）。図８Ｄ（ｊ）に示すように、ステップＳ１０が行われる場合には、ウェハＷを加熱処理する間、帯電プレート７７を保持した保持台７６は、紙面右側の熱板７０の上方に移動する。また、ステップＳ９及びステップＳ１０を行う間、帯電プレート７７には電圧が印加されている。帯電プレート７７が冷却板７１の上方にあるときは、冷却板（冷却処理部）７１の周辺で発生した塵埃を静電吸着し、帯電プレート７７が熱板７０の上方にあるときは、熱板（加熱処理部）７０の周辺で発生した塵埃を静電吸着する。

なお、保持台７６を冷却板７１の上方から熱板７０の上方に戻すのは、加熱処理が終了して行うのでもよい。

また、加熱処理中に、図示しないガスノズルからウェハ表面にＮ_２ガスを吐出してもよい。例えばＮ_２ガスがウェハＷの中心部から放射方向に向かって流れることにより、加熱により発生した触媒等の拡散によるウェハＷへの付着を防止することができる。

次に、ステップＳ１１からステップＳ１６を行うことにより、ウェハＷを、熱板７０から冷却板７１に受け渡す。まず、図８Ｄ（ｋ）に示すように、蓋体７０ａが上昇する（ステップＳ１１）。次に、熱板７０における支持ピン７２ａが上昇してウェハＷを受け取る（ステップＳ１２）。図８Ｄ（ｌ）に示すように、ステップＳ１２が行われた後では、支持ピン７２ａが熱板７０の上方でウェハＷを支持している。次に、冷却板７１の図示しない駆動手段の駆動により、冷却板７１が熱板７０の上方に移動する（ステップＳ１３）。図８Ｅ（ｍ）に示すように、ステップＳ１３が行われた後では、冷却板７１は、熱板７０の上方であって、支持ピン７２ａが支持するウェハＷの下方に位置する。次に、図８Ｅ（ｎ）に示すように、支持ピン７２ａが下降して、ウェハＷを冷却板７１上に載置する（ステップＳ１４）。次に、図８Ｅ（ｏ）に示すように、ウェハＷを載置したまま冷却板７１が熱板７０から後退（離反）する（ステップＳ１５）。次に、図８Ｆ（ｐ）に示すように、図示しない駆動部の駆動によって蓋体７０ａが下降する（ステップＳ１６）。ウェハＷを受け取った冷却板７１は熱板７０の上方から後退移動する間、ウェハＷを冷却してウェハＷを例えば約２３℃まで冷却する。また、図８Ｆ（ｐ）に示すように、ウェハ搬送アーム１０６は、ウェハＷを載置した冷却板７１よりも下方に位置する。

ステップＳ１１からステップＳ１６を行う間、帯電プレート７７は、熱板７０の上方に位置している。また、ステップＳ１１からステップＳ１６を行う間、帯電プレート７７には電圧が印加されており、熱板（加熱処理部）７０の周辺で発生した塵埃を静電吸着する。

次に、ステップＳ１７を行うことにより、ウェハＷを、冷却板７１からウェハ搬送アーム１０６に受け渡す。図８Ｆ（ｑ）に示すように、ステップＳ１７が行われた後では、ウェハＷを載置したウェハ搬送アーム１０６は、冷却板７１よりも上方に位置している。

ステップＳ１７を行う間、帯電プレート７７は、熱板７０の上方に位置している。また、ステップＳ１７を行う間、帯電プレート７７には電圧が印加されており、熱板（加熱処理部）７０の周辺で発生した塵埃を静電吸着する。

その後、ウェハＷは、第２の搬送機構１２０によって高精度温調ユニット（ＣＰＬ）５１、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２０、ポストベーキングユニット（ＰＯＳＴ）４５に順次搬送されて、各ユニットで所定の処理が施される。ポストベーキング処理の終了したウェハＷは、第１の搬送機構１１０によりトランジション装置３１に搬送され、その後ウェハ搬送アーム７によりカセットＣに戻される。このようにして、レジスト塗布現像処理システム１における一連のウェハ処理が終了する。レジスト塗布現像処理システム１では、複数枚のウェハＷに対し同時期に上述したようなウェハ処理が連続して行われている。

次に、本実施の形態に係る熱処理装置が、基板の受け渡しの際に発生するパーティクルを効率よく捕集することができることを説明する。

まず、本実施の形態に係る熱処理装置における、保持台を除いた可動部分の動作に伴って発生するパーティクルのうち、いずれの可動部分の動作時に、最もパーティクルの発生が多いかを測定した。具体的には、本実施の形態に係る熱処理装置は、保持台を除いた可動部分の動作として、（１）クールアーム（冷却板）の移動動作、（２）３ピン（支持ピン）の上下動動作、（３）チャンバー上蓋（蓋体）開閉動作、の３つの動作を行った場合における熱処理装置内のパーティクルの発生個数の測定を行った。それと合わせて、（０）何も動作を行わない場合の熱処理装置内のパーティクルの発生個数の測定も行った。それらの測定の結果を表１に示す。

なお、パーティクルの発生個数の測定値は、０．１μｍＵｐ／ｃｆｔ（０．１μｍ以上の粒径を有するパーティクルが１立方フィート当たり何個発生したかを示す数値）についての測定値である。

表１に示すように、（０）動作なし（何も動作を行わない場合）、（１）クールアーム（冷却板）の移動動作、（２）３ピン（支持ピン）の上下動動作、については、それぞれ４、１、１８個であった。一方、（３）チャンバー上蓋（蓋体）開閉動作、については、１４２５個であり、（０）何も動作を行わない場合、（１）クールアーム（冷却板）の移動動作、（２）３ピン（支持ピン）の上下動動作、に比べて略１００倍以上の大きい値であった。従って、発明者らは、蓋体が上下動して開閉するチャンバー（加熱処理室）を有する熱処理装置において、チャンバー（加熱処理室）に基板を受け渡す際の蓋体の開閉時に最も多くなることを見出した。

ここで、パーティクルが発生する要因の一つとして、ウェハを加熱処理する際にウェハ表面の塗布膜等の成分が気化（昇華）した後、再び冷却されて固化（昇華）して昇華物が発生する場合がある。昇華物が発生する場合にも、上記したように、チャンバー（加熱処理室）に基板を受け渡す際の蓋体の開閉時に、パーティクルの発生が最も多くなる。

このような発明者が見出した熱処理装置内のパーティクルの発生個数の分布により、チャンバー（加熱処理室）の上方に帯電プレートを配置してパーティクルを捕集するという本実施の形態に係る熱処理装置は、チャンバー（加熱処理室）の上方以外の位置において帯電プレートを配置したり、あるいは排気等の静電気以外の方法によってパーティクルを捕集する従来の熱処理装置と比較して、効率よく熱処理装置内のパーティクルを捕集することができる。

次に、本実施の形態に係る熱処理装置が、電源により帯電プレートに電圧を印加することによって、パーティクルを効率よく捕集できることを説明する。

本実施の形態に係る熱処理装置では、熱処理装置を用いて基板に熱処理を行う際に、常に帯電プレートに電圧を印加する。従って、時間の経過とともに帯電プレートの帯電が弱まることがなく、パーティクルを吸着する吸着力が持続するとともに、いったん吸着したパーティクルが脱離することがない。従って、電圧を印加しない従来の熱処理装置と比較して、効率よく熱処理装置内のパーティクルを捕集することができる。

ここで、帯電プレートに１ｋＶの電圧を印加する場合、及び印加しない場合において、チャンバー（加熱処理室）を３００回動作させた後における、ウェハ上のパーティクルの増加数の測定を行った。これらの測定結果を表２に示す。

なお、パーティクルの発生個数の測定値は、５０〜５５ｎｍの粒径を有するパーティクルについての測定値である。また、３回の測定を行って、各回の測定値及びそれらの平均値を求めた。

表２に示すように、チャンバー（加熱処理室）を３００回動作させた前後におけるパーティクルの増加数の３回の測定の平均値は、電圧を印加しなかった場合（表２におけるＯＦＦの場合）、７９．０であり、１ｋＶの電圧を印加した場合（表２におけるＯＮの場合）、３８．０であった。すなわち、帯電プレートに電圧を印加することにより、パーティクルの増加数を半減させることができた。

次に、本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムにおける帯電プレートの洗浄モジュールについて、図９を参照して説明する。

図９は、本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムにおける帯電プレートの洗浄モジュールを示す概略構成図である。

帯電プレートに電圧を印加した状態で、連続してウェハの熱処理を行った場合、帯電プレートに徐々にパーティクルが付着するため、定期的に洗浄を行うことにより、パーティクルを捕集する捕集効率を維持することができる。前述したレジスト塗布現像処理システム１内に帯電プレート洗浄モジュールを設け、処理ウェハが所定の処理枚数に達したときに、帯電プレートを自動洗浄する。

前述したように、保持台７６を冷却板７１上に移動し、保持リング部材７６ａの４箇所の切り欠き部７６ｇを利用して、ウェハ搬送アーム１０６に帯電プレート７７を受け渡しする。帯電プレート７７を受け取ったウェハ搬送アーム１０６は、帯電プレート洗浄モジュール７８に帯電プレート７７を搬送し、図９に示すように、帯電プレート洗浄モジュール７８のメカチャック７８ａに帯電プレート７７を装着する。図９に示すように、帯電プレート洗浄モジュール７８のメカチャック７８ａに帯電プレート７７を装着した状態で、上下両側から洗浄液を吐出する洗浄ノズル７８ｂ、７８ｃを用い、帯電プレート７７の表面、裏面を同時に洗浄する。すなわち、帯電モジュールの洗浄フローは、保持台から搬送アームに帯電プレートを受け渡す→搬送アームから洗浄モジュールのメカチャックに帯電プレートを受け渡す→洗浄ノズルより帯電モジュールを表裏両面から洗浄する→洗浄モジュールのメカチャックから搬送アームにウェハを受け渡す→搬送アームから保持台に帯電プレートを受け渡す、となる。

なお、洗浄モジュールのメカチャックとのウェハの受け渡しは、熱板に設けられた支持ピンと同様の支持ピンを用いて行うことができる。
（第２の実施の形態）
次に、図１０及び図１１を参照し、第２の実施の形態に係る加熱処理装置、及び加熱処理装置を含む熱処理装置について説明する。

初めに、図１０を参照し、加熱処理装置及びその加熱処理装置を含む熱処理装置について説明する。図１０は、本実施の形態に係る加熱処理装置を含む熱処理装置を示す概略正面図である。

本実施の形態に係る加熱処理装置は、チャンバー（加熱処理室）が開閉動作をせず、保持台が固定されている点で、第１の実施の形態に係る加熱処理装置、及び加熱処理装置を含む熱処理装置と相違する。

本実施の形態においても、熱処理装置が、加熱処理部１７０と、冷却処理部１７１と、保持台１７６を有することは、第１の実施の形態と同様である。また、加熱処理部１７０が、本発明における加熱処理装置に相当することも、同様である。また、冷却処理部１７１の冷却板１７１については、図４から図６を用いて説明した第１の実施の形態に係る熱処理装置における冷却板７１と同一であり、ここでは説明を省略する。

一方、本実施の形態に係る加熱処理装置及び熱処理装置において、加熱処理部である熱板１７０は、上下動自在な蓋体を有していない。

熱板１７０は、図１０に示すように、熱板１７０の下方、側方、上方を取り囲む加熱処理室１７０ｂを有する。

加熱処理室１７０ｂは、熱板１７０の下方、上方を取り囲む。また、加熱処理室１７０ｂは、熱板１７０の４方の側方のうち３方を取り囲む。一方、加熱処理室１７０ｂは、熱板１７０の４方の側方のうち一方に開口部１７０ａを有する。従って、熱板１７０は、加熱処理室１７０ｂの内側に収容されている。熱板１７０は、例えば厚みのある円盤形状を有し、熱板１７０内には、例えばヒータ１７０ｄが内蔵されている。このヒータ１７０ｄによって熱板１７０は、所定の加熱温度例えば１３０℃に昇温できる。

あるいは、加熱処理室１７０ｂは、熱板１７０の４方の側方のうち２方に開口部を有し、他の２方を取り囲むのでもよい。

熱板１７０の中央付近には、複数例えば３個の貫通孔１７０ｅが設けられている。各貫通孔１７０ｅには、昇降駆動機構１７２により昇降する支持ピン１７２ａがそれぞれ貫挿可能に形成されている。この支持ピン１７２ａによって、熱板１７０上でウェハＷを昇降し、熱板１７０と冷却板１７１との間でウェハＷの受け渡しを行うことができる。

更に、本実施の形態に係る加熱処理装置及び熱処理装置において、保持台１７６は、帯電プレート１７７を、移動可能に保持していない。すなわち、保持台１７６は、帯電プレート１７７を冷却板１７１の上方の位置において固定して保持し、パーティクルを捕集する。

保持台１７６は、保持リング部材１７６ａ、垂直支持部材１７６ｂを有するものの、移動体を有しておらず、移動可能に設けられていない。保持リング部材１７６ａ、垂直支持部材１７６ｂの構成は、第１の実施の形態と同様にすることができる。また、保持リング部材に設けられる図示しない電極端子の構成、及び電極端子に図示しない電源が接続される構成も、第１の実施の形態と同様にすることができる。

次に、加熱処理装置及びその加熱処理装置を含む熱処理装置で行われる熱処理方法について、図１１を参照して説明する。図１１は、本実施の形態に係る熱処理方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。

本実施の形態に係る熱処理方法の一例では、ウェハをチャンバー（加熱処理室）により加熱処理するときは、帯電プレートの電源をＯＮにし、ウェハを冷却板で冷却するとき、ウェハを搬送アームとの間で受け渡すときは、帯電プレートの電源をＯＦＦにする。

予め、載置台５上に載置されたカセットＣから未処理のウェハＷが取り出され、ウェハ搬送アーム７によって第３の処理装置群Ｇ３の温調ユニット（ＴＣＰ）３０、ボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）１３、熱処理装置３２、レジスト塗布ユニット１０、プリベーキングユニット（ＰＡＢ）４１、周辺露光装置８４、高精度温調ユニット（ＣＰＬ）５３等に順次搬送され、露光処理が終了した後、熱処理装置（ＰＥＢ）５４に搬送されるまでの手順は、第１の実施の形態と同様である。

その後の工程は、図１１に示すステップＳ２１からステップＳ３２までの各ステップが順に行われる。図１１は、各ステップにおけるウェハが載置される位置、ウェハ搬送アームの位置、冷却板の位置、支持ピンの位置、帯電プレートの位置、帯電プレートの電源の状態を示す。

まず、ステップＳ２１及びステップＳ２２を行うことにより、熱処理装置５４内に搬送されたウェハＷを、ウェハ搬送アーム１０６から冷却板１７１に受け渡す。ウェハ搬送アーム１０６は、ウェハＷを載置した状態で、冷却板１７１上に進出し（ステップＳ２１）、次に、ウェハ搬送アーム１０６が冷却板１７１よりも下方まで移動することにより、ウェハＷをウェハ搬送アーム１０６から冷却板１７１に受け渡す（ステップＳ２２）。

ステップＳ２１及びステップＳ２２を行う間、帯電プレート１７７は、冷却板１７１の上方にある。また、ステップＳ２１及びステップＳ２２を行う間は、帯電プレート１７７には電圧を印加しなくてもよい。

次に、ステップＳ２３からステップＳ２６を行うことにより、ウェハＷを、冷却板１７１から熱板１７０に受け渡す。まず、冷却板１７１の図示しない駆動手段の駆動により、冷却板１７１が熱板１７０の上方に移動する（ステップＳ２３）。次に、熱板１７０における支持ピン１７２ａが上昇してウェハＷを受け取る（ステップＳ２４）。次に、冷却板１７１が熱板１７０から後退（離反）する（ステップＳ２５）。次に、支持ピン１７２ａが下降して、ウェハＷを熱板１７０上に載置する（ステップＳ２６）。

ステップＳ２３からステップＳ２６を行う間も、帯電プレート１７７は、冷却板１７１の上方にある。また、ステップＳ２４からステップＳ２６を行う間、帯電プレート１７７に電圧を印加し、熱板１７０及び冷却板１７１の周辺で発生するパーティクルを捕集する。

次に、ステップＳ２７を行うことにより、ウェハＷを加熱処理する。ウェハＷを加熱処理するときは、ウェハＷを加熱処理室１７０ｂに置いた状態で、ヒータ１７０ｄの熱によりウェハＷを例えば１３０℃に加熱処理する。

ステップＳ２７を行う間も、帯電プレート１７７の位置は、冷却板１７１の上方にある。また、帯電プレート１７７には電圧を印加し、加熱処理中に熱板１７０及び冷却板１７１の周辺で発生するパーティクルを捕集する。

次に、ステップＳ２８からステップＳ３１を行うことにより、ウェハＷを、熱板１７０から冷却板１７１に受け渡す。まず、熱板１７０における支持ピン１７２ａが上昇してウェハＷを受け取る（ステップＳ２８）。次に、冷却板１７１の図示しない駆動手段の駆動により、冷却板１７１が熱板１７０の上方に移動する（ステップＳ２９）。次に、支持ピン１７２ａが下降して、ウェハＷを冷却板１７１上に受け渡す（ステップＳ３０）。次に、ウェハＷを受け取った冷却板１７１が熱板１７０から後退（離反）する（ステップＳ３１）。

ステップＳ２８からステップＳ３１を行う間も、帯電プレート１７７は、冷却板１７１の上方にある。また、ステップＳ２８及びステップＳ２９を行う間、帯電プレート１７７に電圧を印加し、熱板１７０及び冷却板１７１の周辺で発生するパーティクルを捕集する。また、ステップＳ３０及びステップＳ３１を行う間は、帯電プレート１７７には電圧を印加しなくてもよい。

次に、ステップＳ３２を行うことにより、ウェハＷを、冷却板１７１からウェハ搬送アーム１０６に受け渡す。

また、その後、ウェハＷが、高精度温調ユニット（ＣＰＬ）５１、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２０、ポストベーキングユニット（ＰＯＳＴ）４５で、所定の処理が施されトランジション装置３１に搬送され、その後カセットＣに戻され、レジスト塗布現像処理システム１における一連のウェハ処理が連続して行われるのは、第１の実施の形態と同様である。

本実施の形態に係る熱処理装置の保持台は、冷却処理部のみを有し、加熱処理部を有しない熱処理装置にも適用することができる。この場合の熱処理装置は、他の加熱処理装置で加熱処理された基板を冷却処理する冷却処理部と、冷却処理部の周辺で発生した塵埃を静電吸着する帯電プレートを、冷却処理部の上方の位置において保持する保持台とを有するものでもよい。

また、本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、レジスト塗布現像処理システムにおいて、帯電プレート洗浄モジュールを設け、パーティクルが付着し帯電プレートを帯電プレート洗浄モジュールに搬送し、帯電プレートの上下両側から洗浄ノズルにより洗浄液を吐出し、帯電プレートを表面、裏面を同時に洗浄するようにしてもよい。

以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

また、本発明は、塗布膜形成装置又はレジスト塗布装置のみならず、現像装置、基板洗浄装置、成膜装置、エッチング装置その他の各種装置に適用することが可能である。また、本発明は、半導体基板、ガラス基板その他の各種基板を搬送する工程を含む装置に適用することが可能である。

７０、１７０熱板
７０ａ蓋体
７０ｂ、１７０ｂ加熱処理室
７１、１７１冷却板
７２ａ、１７２ａ支持ピン
７６、１７６保持台
７６ｅ電極端子
７７、１７７帯電プレート
７８ｂ、７８ｃ洗浄ノズル

Claims

基板の表面に塗布膜が形成された基板を加熱処理する加熱処理装置において、
載置された前記基板を昇降可能な蓋体で囲い、前記基板を加熱処理する加熱処理部と、
少なくとも前記蓋体を昇降させたときに前記加熱処理部の周辺で発生した塵埃を静電吸着する帯電プレートを、前記蓋体の上方の第１の位置において保持する保持台と
を備え、
前記帯電プレートは、電源に接続された複数の電極端子に対応する導電部材を絶縁部材を介して組み合わされ、前記導電部材に正の電圧が印加されて正に帯電される部位と、前記導電部材に負の電圧が印加されて負に帯電される部位とを有し、
前記電圧は、少なくとも前記加熱処理部の処理が完了した後で、前記蓋体が開放されているときに印加される、
ことを特徴とする加熱処理装置。
前記加熱処理部は、前記蓋体を上下動させることによって、基板の受け渡しの際に前記蓋体を開閉する、ことを特徴とする、請求項１に記載の加熱処理装置。
前記加熱処理部から基板を受け渡され、且つ、基板を冷却する冷却処理部を更に備え、
前記保持台は、前記帯電プレートを前記第１の位置から前記冷却処理部に移動可能に保持する、
ことを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の加熱処理装置。
基板の表面に塗布膜が形成された基板を熱処理する熱処理装置において、
請求項１又は請求項２に記載の加熱処理装置と、
前記加熱処理部で加熱処理された基板を冷却処理する冷却処理部と
を有し、
前記冷却処理部は、前記加熱処理部に隣接して設けられ、
前記保持台は、前記帯電プレートを、前記第１の位置と前記冷却処理部の上方の第２の位置との間に往復動可能に保持する、
ことを特徴とする熱処理装置。