JP2011044553A - 加熱処理装置及び熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板の表面に塗布膜が形成された基板を加熱処理する加熱処理装置において、基板を加熱処理する加熱処理部70と、加熱処理部70の周辺で発生した塵埃を静電吸着する帯電プレート77を、加熱処理部70の上方の第1の位置において保持する保持台76とを有する。
【選択図】図4
Description
(第1の実施の形態)
始めに、図1から図9を参照し、第1の実施の形態に係る加熱処理装置、及び加熱処理装置を含む熱処理装置について説明する。
(第2の実施の形態)
次に、図10及び図11を参照し、第2の実施の形態に係る加熱処理装置、及び加熱処理装置を含む熱処理装置について説明する。
70a 蓋体
70b、170b 加熱処理室
71、171 冷却板
72a、172a 支持ピン
76、176 保持台
76e 電極端子
77、177 帯電プレート
78b、78c 洗浄ノズル
Claims (12)
- 基板の表面に塗布膜が形成された基板を加熱処理する加熱処理装置において、
前記基板を加熱処理する加熱処理部と、
前記加熱処理部の周辺で発生した塵埃を静電吸着する帯電プレートを、前記加熱処理部の上方の第1の位置において保持する保持台と
を有することを特徴とする加熱処理装置。 - 前記保持台は、前記帯電プレートを、前記第1の位置から移動可能に保持することを特徴とする請求項1に記載の加熱処理装置。
- 前記保持台は、電源に接続された端子を有し、
前記帯電プレートは、前記端子を介して電圧が印加されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の加熱処理装置。 - 前記端子は、複数であり、
前記帯電プレートは、前記複数の端子に対応する前記複数の導電部材が、絶縁部材を介して組み合わされ、
一の前記導電部材に正の電圧が印加されるとともに、他の前記導電部材に負の電圧が印加されることを特徴とする請求項3に記載の加熱処理装置。 - 前記加熱処理部は、蓋体を有し、基板の受け渡しの際に前記蓋体を開閉することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の加熱処理装置。
- 前記加熱処理部は、前記基板の受け渡しの際に前記蓋体を上下動させることにより開閉することを特徴とする請求項5に記載の加熱処理装置。
- 基板の表面に塗布膜が形成された基板を熱処理する熱処理装置において、
請求項1から請求項6のいずれかに記載の加熱処理装置と、
前記加熱処理部で加熱処理された基板を冷却処理する冷却処理部と
を有し、
前記保持台は、前記帯電プレートを、前記冷却処理部の上方の第2の位置に移動可能に保持することを特徴とする熱処理装置。 - 前記冷却処理部は、前記加熱処理部に隣接して設けられ、
前記保持台は、前記帯電プレートを、前記第1の位置と前記第2の位置との間を往復動可能に保持することを特徴とする請求項7に記載の熱処理装置。 - 基板の表面に塗布膜が形成された基板を熱処理する熱処理装置において、
加熱処理された前記基板を冷却処理する冷却処理部と、
前記冷却処理部の周辺で発生した塵埃を静電吸着する帯電プレートを、前記冷却処理部の上方の位置において保持する保持台と
を有することを特徴とする熱処理装置。 - 前記保持台は、電源に接続された端子を有し、
前記帯電プレートは、前記端子を介して電圧が印加されることを特徴とする請求項9に記載の熱処理装置。 - 前記端子は、複数であり、
前記帯電プレートは、前記複数の端子に対応する前記複数の導電部材が、絶縁部材を介して組み合わされ、
一の前記導電部材に正の電圧が印加されるとともに、他の前記導電部材に負の電圧が印加されることを特徴とする請求項10に記載の熱処理装置。 - 前記基板を加熱処理する加熱処理部を有することを特徴とする請求項9から請求項11のいずれかに記載の熱処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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JP5322847B2 JP5322847B2 (ja) | 2013-10-23 |
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Country Status (1)
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JP (1) | JP5322847B2 (ja) |
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