JP5064317B2 - 基板、装置から汚染を除去する方法、および、流体から汚染を除去する方法 - Google Patents

基板、装置から汚染を除去する方法、および、流体から汚染を除去する方法 Download PDF

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Description

[0001] 本発明は、基板および基板を使用する方法に関する。
[0002] リソグラフィ装置は、基板のターゲット部分上に所望のパターンを与える機械装置である。リソグラフィ装置は、たとえば、集積回路（ＩＣ）の製造で使用されることができる。その状況では、あるいは、マスクまたはレチクルと呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層に相当する回路パターンが生成されてもよく、このパターンは、放射感応性材料（レジスト）層を有する基板（たとえば、シリコンウェーハ）上の（たとえば、ダイの一部、１つのダイ、またはいくつかのダイを含む）ターゲット部分上に結像されることができる。一般に、単一基板は、連続して露光される隣接するターゲット部分のネットワークを収容するであろう。知られているリソグラフィ装置は、ターゲット部分上に全体のパターンを一度で露光することによって、それぞれのターゲット部分が照射される、いわゆる、ステッパ、および、ビームを通してパターンを所与の方向（「走査」方向）に走査し、一方、基板を、この方向に対して平行または反平行に同期して走査することによって、それぞれのターゲット部分が照射される、いわゆる、スキャナを含む。
[0003] リソグラフィにおいて遭遇する最も大きな問題の１つは汚染である。たとえば、基板の汚染は、基板上の１つまたは複数のパターン内の欠陥の数を増加させる場合がある。レンズエレメント上の汚染は、基板にパターンを正確に与えることを難しくする場合がある。汚染が問題になる場合のさらなる例は、液浸リソグラフィである。液浸リソグラフィでは、リソグラフィ装置で使用される投影システムの開口数を増加させるのに液浸流体が使用される。したがって、液浸流体は、投影システムの最終エレメントと基板自体との間で使用されてもよい。液浸流体は、基板から、または基板上に堆積された層から分離するレジストまたは他の材料の粒子または薄片(flake)によって汚染される場合がある。こうした汚染は、液浸流体を介して基板上に（パターニングされた）放射ビームを正確に投影することを難しくするか、または、不可能にする可能性がある。
[0004] たとえば、本明細書で確認されようと、他のどこかで確認されようと、従来技術の問題の１つまたは複数を取り除く、または、軽減する、１つまたは複数の基板および１つまたは複数の基板を使用する１つまたは複数の方法を提供することが望ましい。
[0005] 本発明の態様によれば、リソグラフィにおいて使用される装置から汚染を除去する方法が提供され、方法は、剛性支持層および剛性支持層上に設けられた変形可能層を備える基板を装置内に装填すること、基板の変形可能層を、汚染がそこから除去される装置の表面に接触させること、変形可能層と汚染がそこから除去される装置の表面との間の相対運動を導入することであって、それにより、除去のために表面から汚染を分離する、導入すること、および、分離した汚染を除去することを含む。
[0006] 本発明の態様によれば、リソグラフィにおいて使用される装置から汚染を除去するのに適し、リソグラフィ装置が扱うのに適した大きさに作られた基板が提供され、基板は、剛性支持層と、剛性支持層上に設けられた変形可能層とを備える。
[0007] 本発明の態様によれば、リソグラフィにおいて使用される装置によって少なくとも部分的に収容される流体から汚染を除去する方法が提供され、方法は、一連の突出部または凹所を備える基板を装置内に装填することであって、一連の突出部または凹所は、流体から前記クリーニング基板への汚染の移動を促進するために、流体に対して濡れ性があるか、または、濡れ性がなく、基板を、汚染がそこから除去される流体に近接させることであって、それにより、汚染が、流体から除去され、突出部上に、または、凹所内に堆積する、近接させること、および、装置から基板をはずすことを含む。
[0008] 本発明の態様によれば、リソグラフィにおいて使用される装置によって少なくとも部分的に収容される流体から汚染を除去するのに適し、リソグラフィ装置が扱うのに適した大きさに作られた基板が提供され、基板は、一連の突出部または凹所を備え、一連の突出部または凹所は、流体からクリーニング基板への汚染の移動を促進するために、流体に対して濡れ性があるか、または、濡れ性がない。
[0009] 本発明の態様によれば、リソグラフィにおいて使用される装置から汚染を除去する方法が提供され、方法は、基板を前記装置内に装填することであって、それにより、前記基板上に汚染を引き寄せる、装填することを含み、基板は、汚染を引き寄せるように構成された第１領域および第２領域を備え、第２領域は、第１領域に対して異なる極性または電荷を有し、第１領域および第２領域は、それぞれ、極性がありかつ正に帯電している、極性がありかつ負に帯電している、無極性でありかつ正に帯電している、または、無極性でありかつ負に帯電している、のうちの１つであり、装置から基板をはずすことを含む。
[0010] 本発明の態様によれば、リソグラフィにおいて使用される装置から汚染を除去するのに適し、リソグラフィ装置が扱うのに適した大きさに作られた基板が提供され、基板は、汚染を引き寄せるように構成された第１領域および第２領域を備え、第２領域は、第１領域に対して異なる極性または電荷を有し、第１領域および第２領域は、それぞれ、極性がありかつ正に帯電している、極性がありかつ負に帯電している、無極性でありかつ正に帯電している、または、無極性でありかつ負に帯電している、のうちの１つである。
[0011] 本発明の態様によれば、リソグラフィにおいて使用される装置から汚染を除去する方法が提供され、方法は、
第１基板を前記装置内に装填することであって、それにより、第１基板上に汚染を引き寄せる、装填することを含み、第１基板は、汚染を引き寄せるように構成され、かつ、極性がありかつ正に帯電している、極性がありかつ負に帯電している、無極性でありかつ正に帯電している、または、無極性でありかつ負に帯電している、
のうちの１つである領域を備え、装置から第１基板をはずすこと、第２基板を装置内に装填することであって、それにより、第２基板上に汚染を引き寄せる、装填することを含み、第２基板は、汚染を引き寄せるように構成され、かつ、第１基板の領域に対して異なる極性または電荷を有し、かつ、極性がありかつ正に帯電している、極性がありかつ負に帯電している、無極性でありかつ正に帯電している、または、無極性でありかつ負に帯電している、のうちの１つである領域を備え、装置から第２基板をはずすことを含む。
[0012] 本発明の実施形態は、ここで、添付略図を参照して例としてだけ述べられるであろう。図では、対応する参照シンボルは、対応する部品を示す。
[0018] 本明細書において、ＩＣの製造においてリソグラフィ装置の使用が特に参照される場合があるが、本明細書で述べるリソグラフィ装置は、集積化した光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導および検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造などの、他の用途を有してもよいことが理解されるべきである。こうした代替の用途の文脈で、本明細書における、「ウェーハ」または「ダイ」という用語のいずれの使用も、それぞれ、「基板」または「ターゲット部分」というより一般的な用語と同意語であると考えられてもよいことを、当業者は理解するであろう。本明細書で言及される基板は、露光の前または後で、たとえば、トラックツール（通常、レジスト層を基板に与え、露光されたレジストを現像するツール）、または、メトロロジーツール、または、インスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合、本明細書における開示は、こうした、また、他の基板処理ツールに適用されてもよい。さらに、基板は、たとえば、多層ＩＣを作成するために、２回以上処理されてもよく、本明細書で使用される基板という用語は、処理された複数の層を既に含む基板のことを言う場合もある。
[0019] 本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（たとえば、３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長を有する）、および、極端紫外（ＥＵＶ）放射（たとえば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびに、イオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含む、全てのタイプの電磁放射を包含する。
[0020] 本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを作成するためなどで、放射ビームの断面において放射ビームに、あるパターンを与えるのに使用されることができるデバイスのことを指しているものと、幅広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、基板のターゲット部分の所望のパターンに正確に対応しない場合があることが留意されるべきである。一般に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、ターゲット部分で作成されるデバイスの特定の機能層に相当するであろう。
[0021] パターニングデバイスは、透過式であってよい、または、反射式であってよい。パターニングデバイスの実施例は、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクは、リソグラフィではよく知られており、２値、レベンソン型（alternating）位相シフト、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに、種々のハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの実施例は、小さなミラーのマトリクス機構を採用し、ミラーはそれぞれ、個々に傾斜して、到来する放射ビームを異なる方向へ反射することができる。こうして、反射ビームが、パターニングされる。
[0022] 図１は、リソグラフィ装置を概略的に示す。装置は、
[0023] −放射ビームＰＢ（たとえば、ＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するためのイルミネーションシステム（イルミネータ）ＩＬと、
[0024] −パターニングデバイス（たとえば、マスク）ＭＡを支持するためのものであり、かつ、アイテムＰＬに関してパターニングデバイスを正確に位置決めするために第１ポジショニングデバイスＰＭに接続された支持構造体（たとえば、マスクテーブル）ＭＴと、
[0025] −基板（たとえば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するためのものであり、かつ、アイテムＰＬに関して基板を正確に位置決めするために第２ポジショニングデバイスＰＷに接続された基板テーブル（たとえば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
[0026] −パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＰＢに与えられたパターンを、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（たとえば、１つまたは複数のダイを含む）上に結像するように構成された投影システム（たとえば、屈折投影レンズ）ＰＬと、
[0027] −投影システムＰＬと基板Ｗの一部との間に液浸流体（図示せず）を少なくとも部分的に保持するための液浸フードＩＨ（液浸ヘッドと呼ばれることもある）とを備える。
[0028] 本明細書で示すように、装置は、透過タイプ（たとえば、透過マスクを採用する）である。あるいは、装置は反射タイプ（たとえば、先に参照したタイプのプログラマブルミラーアレイを採用する）であってよい。
[0029] 支持構造体ＭＴは、パターニングデバイスを保持する。支持構造体は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されるか否かなどの他の条件に応じるように、パターニングデバイスを保持する。支持構造体ＭＴは、機械式締付け、真空、または他の締付け技法、たとえば、真空状況下での静電式締付けを使用することができる。支持構造体ＭＴは、たとえば、所望に応じて、固定されるかまたは可動であってよく、また、パターニングデバイスが、たとえば、投影システムに対して所望の位置にあることを確実にしてもよい、フレームまたはテーブルであってよい。本明細書における、「レチクル」または「マスク」という用語の任意の使用は、「パターニングデバイス」という、より一般的な用語と同意語であると考えられてもよい。
[0030] イルミネータＩＬは、放射源ＳＯからの放射ビームを受け取る。たとえば、放射源がエキシマレーザであるとき、放射源およびリソグラフィ装置は、別々の実体であってもよい。こうした場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部(part)を形成するとは考えられず、放射ビームは、たとえば、適した誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムＢＤを使用して、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ通される。他の場合では、たとえば、放射源が水銀ランプであるとき、放射源は、リソグラフィ装置と一体の部分であってよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要である場合、ビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと呼ばれてもよい。
[0031] イルミネータＩＬは、ビームの角度強度分布を調整するための調整手段ＡＭを備えてもよい。一般に、イルミネータの瞳面内の、少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般に、それぞれ、σ−outerおよびσ−innerと呼ぶ）の強度分布を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、一般に、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの種々の他のコンポーネントを備えてもよい。イルミネータは、放射ビームの断面において所望の均一性および強度分布を有する調整された放射ビームＰＢを提供する。
[0032] イルミネーションシステムはまた、放射を誘導し、成形し、制御するための、屈折、反射、および反射屈折光学コンポーネントを含む種々のタイプの光学コンポーネントを包含してもよく、また、こうしたコンポーネントは、以下で、ひとまとめに、または、単数形で「レンズ」と呼ばれてもよい。
[0033] 放射ビームＰＢは、支持構造体ＭＴ上に保持される、パターニングデバイス（たとえば、マスク）ＭＡ上に入射する。パターニングデバイスＭＡを横切って、ビームＰＢはレンズＰＬを通過し、レンズＰＬは、液浸フードＩＨによって保持された液浸流体を介して基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを収束させる。第２ポジショニングデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば、干渉デバイス）を使用して、基板テーブルＷＴは、たとえば、ビームＰＢの経路内で異なるターゲット部分Ｃを位置決めするために、正確に移動することができる。同様に、第１ポジショニングデバイスＰＭおよび別の位置センサ（図１には、明示的には示されない）を使用して、たとえば、マスクライブラリから機械的に取出した後か、または、スキャン中に、ビームＰＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、オブジェクトテーブルＭＴおよびＷＴの移動は、ポジショニングデバイスＰＭおよびＰＷの一部を形成する、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）とショートストロークモジュール（微動位置決め）を使用して実現されるであろう。しかし、（スキャナと対照的に）ステッパの場合、支持構造体ＭＴは、ショートストロークアクチュエータだけに接続されるか、または、固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせされてもよい。
[0034] 本明細書で使用される「投影システム」という用語は、たとえば、使用される露光放射、あるいは、液浸流体の使用、または、真空の使用などの、他の因子に適切である、屈折光学システム、反射光学システム、および反射屈折光学システムを含む、種々のタイプの投影システムを包含するものと、幅広く解釈されるべきである。本明細書における、「投影レンズ」という用語の任意の使用は、「投影システム」という、より一般的な用語と同意語であると考えられてもよい。
[0035] リソグラフィ装置は、２つ（２重ステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上の支持構造体）を有するタイプであってよい。こうした「複数ステージ」機械装置では、付加的なテーブルおよび／または支持構造体が平行に使用されてもよく、または、１つまたは複数の他のテーブルおよび／または支持構造体が露光のために使用されている間に、準備工程が、１つまたは複数の他のテーブルおよび／または支持構造体上で実施されてもよい。
[0036] リソグラフィ装置はまた、投影システムの最終エレメントと基板との間の空間を充填するために、基板が、比較的高い屈折率を有する液体、たとえば、水の中に浸されるタイプであってもよい。液浸液は、たとえば、マスクと投影システムの第１エレメントとの間で、リソグラフィ装置内の他に空間に適用されてもよい。投影システムの開口数を増加するための液浸技法は、当技術分野でよく知られている。
[0037] 示される装置は、以下のモードのうちの１つまたは複数のモードで使用されることができる。
[0038] １．ステップモードでは、支持構造体ＭＴおよび基板テーブルＷＴは、放射ビームに与えられる全体のパターンが、ターゲット部分Ｃ上に１度で投影される間、実質的に静止状態に保たれる（すなわち、単一静的露光）。基板テーブルＷＴは、その後、異なるターゲット部分Ｃを露光できるようにＸおよび／またはＹ方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズを制限する。
[0039] ２．スキャンモードでは、支持構造体ＭＴおよび基板テーブルＷＴは、ビームＰＢに与えられるパターンが、ターゲット部分Ｃ上に投影される間に、同期して走査される（すなわち、単一動的露光）。支持構造体ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＬの（縮小率）拡大率およびイメージ反転特性によって決められる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一動的露光のターゲット部分（走査しない方向の）幅を制限し、一方、走査運動の長さは、ターゲット部分の（走査方向の）高さを決める。
[0040] ３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持する支持構造体ＭＴは、実質的に静止状態に保たれ、基板テーブルＷＴは、ビームＰＢに与えられるパターンが、ターゲット部分Ｃ上に投影される間、移動する、または、走査される。このモードでは、一般に、パルス放射源が採用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴのそれぞれの移動後か、または、スキャン中における連続放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、先に参照したタイプのプログラマブルミラーアレイなどの、プログラマブルパターニングデバイスを利用するマスク無しリソグラフィに容易に適用されることができる。
[0041] 上述した使用モードに関する組合せ、および／または、変形、あるいは、全く異なる使用モードが採用されてもよい。
[0042] 上述したように、リソグラフィで遭遇する問題は汚染である。リソグラフィ装置の一部の汚染の低減すること、可能である場合、なくすことが望ましい。たとえば、リソグラフィ装置のエレメントの汚染の低減は、基板上に投影された１つまたは複数のパターン内の欠陥の数を低減する場合がある。基板にパターンを与えるのに使用される放射波長が益々減少することは、より小さな寸法を有する汚染が、問題のより大きな部分になることを意味する。本発明の実施形態によれば、リソグラフィ装置の一部の汚染を低減する方法は、リソグラフィ装置から汚染を除去するように、特別に処理された、かつ／または、設計された基板を採用することである。こうしたクリーニング基板は、リソグラフィ装置の汚染を低減するために、リソグラフィ装置（たとえば、基板上に放射を投影する装置、コーティングモジュール、炉、または、リソグラフィプロセスで使用される任意の他の装置）を通過させられてもよい。こうした基板は、汚染が、その上で低減される、かつ／または、除去される表面に物理的に接触してもよく、または、汚染を引き寄せ、それにより、汚染を隣接する環境から抽出してもよい。こうしたクリーニング基板は、液浸流体を採用するリソグラフィ装置の汚染を低減するのに特に有益である場合がある。
[0043] 汚染は、関係するプロセスの性質のために、液浸リソグラフィにおいて頻繁に起こる可能性がある。たとえば、液浸フードＩＨが、投影システムＰＬと基板Ｗとの間で液浸流体を少なくとも部分的に保持することが図１を見てわかる。液浸フードＩＨおよび液浸フードＩＨが保持する液浸流体によって、基板Ｗの上面に圧力が加えられる。この圧力は、基板Ｗ上に堆積されたレジストおよび／または他の層が、緩み、さらに、剥離するようにさせる可能性がある。これは、液浸フードおよび／または液浸流体の汚染をもたらし、おそらく、両者の有効性を減じる可能性がある。
[0044] 図２Ａは、本発明の実施形態によるクリーニング基板ＣＷ１を示す。クリーニング基板ＣＷ１は、剛性支持層の役をする標準的な基板１を備える。基板１は、レジスト層で被覆され、図１のリソグラフィ装置を使用してパターニングされてもよい基板と同じ幅であるため標準的である（たとえば、基板は、たとえば、形状が実質的に円柱の直径が２００ｍｍまたは３００ｍｍのウェーハであってよい）。元の図２Ａを参照すると、基板１は、ブラシ層２を与えられる。ブラシ層２は、複数の個々のブラシ、繊維、ストランドなどから形成されてもよい。たとえば、ブラシ、繊維、またはストランドは、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）スポンジから形成されることができる。ブラシ層２を形成するブラシ、繊維、またはストランドは、非常に密に詰められるため、ブラシ層２は、連続した押しつぶされない層を効率的に形成する。あるいは、図２Ｂに示すように、ブラシ層２は、それほど密に詰められないため、層２２からの繊維は、連続層を形成しない。もちろん、基板表面は、異なるエリア上で密に詰まったブラシ２と密に詰まっていないブラシ２の両方の組合せを有してもよい。
[0045] ブラシ層２は、ブラシ層２が基板１に融着するように、基板１の加熱によって基板１に付着されてもよい。別法として、または、付加的に、ブラシ層２は、任意の適した接着剤を使用して付着されてもよく、たとえば、アクリルベース圧力感応性接着剤が使用されてもよい。こうした接着剤は、たとえば、３Ｍ（米国ミネソタ州(Minnesota, U.S.)）から得られることができる。代表的な例は、３Ｍ ＶＨＢ接着剤である。基板１自体は、シリコン、石英、金属、または任意の適した材料から形成されてもよい。
[0046] 使用時、クリーニング基板ＣＷ１は、汚染された表面にブラシ層２を接触させるように、リソグラフィ装置および／または他のツールを通過してもよい。ブラシ層２をこうした表面に接触させることは、表面および／またはクリーニング基板ＣＷ１の移動によって、あるいは、クリーニング基板ＣＷ１のサイズ、たとえば、基板１および／またはブラシ層２の厚さの適切な設計によって達成されることができる。たとえば、リソグラフィで使用される従来の基板は、約１ｍｍ厚であってよい。リソグラフィ装置は、適切である場合、基板とリソグラフィ装置のエレメントとの間にある程度の隙間を提供するように設計される。ブラシ層２とリソグラフィ装置の１つまたは複数のエレメントとの間に隙間が存在しない（すなわち、ブラシ層２がエレメント（複数可）に接触する）ように、基板１および／またはブラシ層２の組合せた厚さは、０．５ｍｍ〜３．５ｍｍであってよい。
[0047] 図２Ｃは、クリーニング基板ＣＷ１の使用の例を示す。液浸フードＩＨは、投影システムＰＬの下に配設されて示される（たとえば、図１の液浸フードＩＨと投影システムＰＬ）。クリーニング基板ＣＷ１は、ブラシ層２が液浸フードＩＨに接触するように位置決めされる。液浸フードＩＨの最も下の表面上の汚染は、液浸フードＩＨに対してクリーニング基板ＣＷ１を移動させることによって、かつ／または、クリーニング基板ＣＷ１に対して液浸フードＩＨを移動させることによって除去されてもよい。
[0048] 汚染は、ブラシ層２を形成する材料によって吸収されてもよく、または、汚染は、層２のブラシ上に、かつ／または、ブラシの間に入り込んでもよい。ブラシ層２は、同様に、または、別法として、液浸フードＩＨの最も下の表面から汚染を分離させてもよい。分離された汚染は、クリーニング基板ＣＷ１と投影システムＰＬとの間の液浸フードＩＨによって保持されてもよい液浸流体によって洗い流されることができる。ブラシ層２は、液浸フードＩＨに損傷を生じないように、望ましくは、変形可能である。
[0049] 液浸フードＩＨの最も下の表面から汚染を除去することによって、この汚染が、分離し、液浸流体を汚染し、および／または、投影システムＰＬによって放射に露光される基盤を汚染する可能性が、減るか、または、なくなる。
[0050] 図３Ａは、図２Ａのクリーニング基板と同様のクリーニング基板を示し、図３Ｂは、図２Ｃに関して示した使用と同様のクリーニング基板の使用を示す。図３Ａは、剛性支持層の役をし、その上にスポンジ層４が設けられる基板３を備えるクリーニング基板ＣＷ２を示す。スポンジ層４は、接着剤（たとえば、図２Ａのクリーニング基板ＣＷ１に関して述べた接着剤）を使用して、かつ／または、スポンジ層４が、基板３上で部分的に溶解し、基板３に結合するように基板３を加熱することによって、基板３に付着されてもよい。
[0051] クリーニング基板ＣＷ２は、リソグラフィで使用される標準的なサイズであってよい。たとえば、クリーニング基板ＣＷ２は、直径が２００ｍｍであるか、直径が３００ｍｍであるか、または、任意の他のサイズ、リソグラフィ装置で使用されるウェーハであってよく、また、形状が実質的に円柱であってよい。これは、クリーニング基板ＣＷ２が、レジスト層を備えた基板がそうであるのと同じ方法で、リソグラフィ装置内に装填され、リソグラフィ装置の周りで移動することができるようなものである。基板３は、任意の適した材料、たとえば、シリコン、石英、金属などから形成されてもよい。スポンジ層４は、任意の適した材料から形成されてもよい。特に良好な材料は、ＰＶＡスポンジである。この種類のスポンジは、濡れると非常に柔軟になることがわかっており、表面から汚染を除去するのが得意である。スポンジ層４のための代替の、または、付加的な材料はポリウレタンである。
[0052] 使用時、クリーニング基板ＣＷ２は、汚染された表面にスポンジ層４を接触させるように、リソグラフィ装置および／または他のツールを通過してもよい。スポンジ層４をこうした表面に接触させることは、表面および／またはクリーニング基板ＣＷ２の移動によって、あるいは、クリーニング基板ＣＷ１のサイズ、たとえば、基板３および／またはスポンジ層４の厚さの適切な設計によって達成されることができる。たとえば、リソグラフィで使用される従来の基板は、約１ｍｍ厚であってよい。リソグラフィ装置は、適切である場合、基板とリソグラフィ装置のエレメントとの間にある程度の隙間を提供するように設計される。スポンジ層４とリソグラフィ装置の１つまたは複数のエレメントとの間に隙間が存在しない（すなわち、スポンジ層４がエレメント（複数可）に接触する）ように、基板３および／またはスポンジ層４の組合せた厚さは、０．５ｍｍ〜３．５ｍｍであってよい。
[0053] 図３Ｂは、図３Ａのクリーニング基板ＣＷ２の使用を示す。図３Ｂでは、クリーニング基板ＣＷ２が、たとえば、図１のリソグラフィ装置内に装填されていることが見てわかる。クリーニング基板ＣＷ２の位置は、スポンジ層４が、液浸フードＩＨの最も下の表面に接触するようなものである。液浸フードＩＨに対するクリーニング基板ＣＷ２の移動（またはその逆）は、スポンジ層４が、液浸フードＩＨの最も下の表面をこすり、汚染をそこから除去するようにさせる。汚染（たとえば、薄片または粒子）は、スポンジ層４の表面に付着するか、スポンジ層４の表面または本体の孔内に入り込む場合がある。別法として、または、付加的に、スポンジ層４は、液浸フードＩＨの最も下の表面から汚染を分離させてもよい。スポンジ層４が液浸フードＩＨ上で使用されると同時に、液浸流体が液浸フードＩＨによって保持される場合、液浸流体は、分離された汚染を洗い流してもよい。スポンジ層４は、液浸フードＩＨに損傷を生じないように、望ましくは、変形可能である。
[0054] 図２Ａおよび３Ａのクリーニング基板ＣＷ１、ＣＷ２の一方または両方は、液浸フードＩＨを清浄にするために使用されたとき、後のステージで同じ液浸フードＩＨを清浄にするか、または別の液浸フード（または他の装置）を清浄にするのに再使用されることができる。再使用される前に、液浸フードＩＨから除去され、ブラシ層２またはスポンジ層４上に堆積した汚染は、除去されるべきである。これは、層２，４をすすぐことによって、または、別のプロセスによって、行われることができる。あるいは、層２，４は、層２，４を支持するそれぞれの基板から剥離され、別の清浄な層と置換えられることができる。あるいは、新しい置換クリーニング基板が使用されることができる。あるいは、新しい層２、４が、汚染した層の上に重ねられることができる。
[0055] 図２Ａおよび３Ａのクリーニング基板ＣＷ１、ＣＷ２の一方または両方が、液浸フードＩＨを清浄にするために使用される前に、ブラシ層２またはスポンジ層４は、たとえば、超純水または同様なもので濡らされてもよい。層２、４を濡らすことは、表面（たとえば、液浸フードＩＨの最も下の表面）から汚染を除去するときに、層２、４をより変形可能にし、かつ／または、より有用にする場合がある。
[0056] 図２Ａおよび３Ａのクリーニング基板ＣＷ１、ＣＷ２は、使用時に、液浸フードＩＨを清浄にするものとして述べられたが、その一方または両方は、代わりに、または、それに加えて、別の表面を清浄にするのに使用されてもよい。別の表面を清浄にすることは、液浸フードＩＨを清浄にすることとほとんど同じ方法で達成されてもよい。すなわち、クリーニング基板ＣＷ１、ＣＷ２は、ある位置に移動し、それにより、層が表面をこすり、その表面から汚染を除去するように、ブラシ層２またはスポンジ層４が表面に接触する。
[0057] ブラシ層２またはスポンジ層４を備える図２Ａおよび３Ａのクリーニング基板ＣＷ１、ＣＷ２の代わりに、または、それに加えて、任意の適した（変形可能な）層または他の１つの構造（または複数の構造）が使用されてもよい。
[0058] 図４Ａは、パターニングされた上部面を備えた基板１０を備えるクリーニング基板ＣＷ３を示す。パターンは、一連の突出部１１および凹所１２を備える。基板１０は、たとえば、図１のリソグラフィ装置で使用される液浸流体に対して濡れ性のない材料から形成されるか、または、突出部１１および凹所１２が、液浸流体に対して濡れ性のないように処理される。
[0059] 図４Ｂは、さらなる実施形態を示す。図４Ｂは、クリーニング基板ＣＷ４を示す。この実施形態では、基板２０は、一連の突出部２１および凹所２２を与えられた。この実施形態では、一連の突出部２１および凹所２２は、使用される液浸流体に対して濡れ性のない層２３に関して提供される。たとえば、層２３は、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）層であってよい。
[0060] 図４Ｃは、さらなる実施形態を示す。図４Ｃは、クリーニング基板ＣＷ５を示す。この実施形態では、基板３０は、液浸流体に対して濡れ性のない層３１を備えた。層３１は、一連の突出部３２および凹所３３を与えられる。層３１は、たとえば、ＨＭＤＳ層であってよい。
[0061] 図４Ａ〜４Ｃのクリーニング基板は、リソグラフィで使用される標準的なサイズであってよい。たとえば、クリーニング基板は、直径が２００ｍｍであるか、直径が３００ｍｍであるか、または、任意の他のサイズ、リソグラフィ装置で使用されるウェーハであってよく、また、形状が実質的に円柱であってよい。これは、クリーニング基板が、レジスト層を備えた基板がそうであるのと同じように、リソグラフィ装置内に装填され、リソグラフィ装置のあちこちを移動することができるようにするためである。
[0062] 図４Ａ〜４Ｃでは、突出部および凹所は、たとえば、エッチング、放射に対する露光、または、使用される材料にとって適切な任意のプロセスを使用して、従来の任意の方法で形成されることができる。現在のところ、図１に示すようなリソグラフィ装置で使用されるのに最も適した液浸流体として、超純水が提案されてきた。水が液浸流体である場合、上述し、また、濡れ性がないものとして参照された表面または構造は、疎水性であろう。もちろん、液浸流体が水でない場合、上述し、また、濡れ性がないものとして参照された表面および構造は、代替の液浸流体に対して濡れ性がないであろう。
[0063] 基板または基板上の層は、内因的に濡れ性がなくてもよく（たとえば、ＨＭＤＳは疎水性である）、または、基板または層は、濡れ性をなくされるように処理されてもよい。たとえば、基板および／または層は、濡れ性をなくされるように、プラズマに露光されてもよい。
[0064] 図４Ｄおよび４Ｅは、図４Ａのクリーニング基板ＣＷ３の使用を示す。しかし、クリーニング基板ＣＷ４およびクリーニング基板ＣＷ５は、同じ方法で使用されてもよいことが理解されるであろう。図４Ｄは、図１の投影システムＰＬおよび液浸フードＩＨを示す。液浸フードＩＨは、投影システムＰＬとクリーニング基板ＣＷ３との間に液浸流体４０を少なくとも部分的に保持する。クリーニング基板ＣＷ３は、液浸フードＩＨに対して静止状態で保たれてもよく、または、より望ましくは、液浸フードＩＨに対して移動してもよい（かつ／または、液浸フードＩＨは、クリーニング基板ＣＷ３に対して移動してもよい）。液浸流体４０内に位置する小さなドットは、汚染４１を表す。クリーニング基板ＣＷ３の突出部１１および凹所１２は、濡れ性がないため、液浸流体４０は、凹所１２内に流れないことが見てわかる。経時的に、汚染４１は、クリーニング基板ＣＷ３の方に流れる、または、降下するであろう。これは、重力、または、ファンデルワールス力などの他の力によってもよい。
[0065] 図４Ｅは、汚染４１が、クリーニング基板ＣＷ３の方に降下するか、または、流れた状況を示す。汚染４１は、クリーニング基板ＣＷ３に付着するか、または、凹所１２内に降下してもよい。クリーニング基板ＣＷ３は、その後、リソグラフィ装置から除去されてもよい。クリーニング基板ＣＷ３は、後で同じ液浸フードＩＨを清浄にするか、または、別の液浸フード（または、他の装置）を清浄にするのに使用されるように、汚染を除去されることができる。たとえば別法として、また、クリーニング基板が構築される仕方に応じて、基板上に堆積される層は、汚染を除去するために剥離されてもよい。層は置換えられ、クリーニング基板は再使用されることができる。
[0066] 図４Ａ〜４Ｃのクリーニング基板は、使用される液浸流体に対して濡れ性がない一連の突出部および凹所を与えられるものとして述べられた。これは、本質的ではない。一実施形態では、突出部は、実際に濡れ性がなく、凹所は、実際に濡れ性があってもよい。別の実施形態では、突出部は、実際に濡れ性があり、凹所は、実際に濡れ性がなくてもよい。別の実施形態では、突出部および凹所は、実際に共に濡れ性があってもよい。要約すると、凹所および／または突出部は、液浸流体からクリーニング基板への汚染の移動を促進させるために、適切に濡れ性があるか、または、濡れ性がないようにされるべきである。
[0067] 図４Ａ〜４Ｃのクリーニング基板は、液浸フードおよび／または液浸流体を清浄にすることに関して述べられたが、他の状況で使用されてもよい。たとえば、クリーニング基板は、任意の流体から汚染が除去される場合に特に使用されてもよい。流体は液体であっても気体であってよい。
[0068] 図５Ａは、クリーニング基板ＣＷ６の平面図を示す。クリーニング基板ＣＷ６は、モザイクパターン５１を有する基板５０を備える。モザイクパターン５１は、基板５０内にまたは基板５０上に直接設けられてもよく、または、基板５０上に堆積された１つまたは複数の層内にまたは１つまたは複数の層上に設けられてもよい。
[0069] クリーニング基板ＣＷ５は、リソグラフィで使用される標準的なサイズであってよい。たとえば、クリーニング基板ＣＷ５は、直径が２００ｍｍであるか、直径が３００ｍｍであるか、または、任意の他のサイズ、リソグラフィ装置で使用されるウェーハであってよく、また、形状が実質的に円柱であってよい。これは、クリーニング基板ＣＷ５が、レジスト層を備えた基板がそうであるのと同じように、リソグラフィ装置内に装填され、リソグラフィ装置のあちこちを移動することができるようにするためである。基板５０は、任意の適した材料、たとえば、シリコン、石英、金属などから形成されてもよい。
[0070] 図５Ｂは、モザイクパターン５１のセクションをより詳細に示す。４つの個々のパターンセクション５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄが示され、これら４つの個々のパターンセクションは、基板５０にわたって繰り返される。それぞれのパターンセクション５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄは、特定の性質の汚染粒子を引き寄せるように設計される。すなわち、第１パターンセクション５１ａは、正電荷の粒子を引き寄せるように構成されてもよい。第２パターンセクション５１ｂは、負電荷の粒子を引き寄せるように構成されてもよい。第３パターンセクション５１ｃは、極性のある性質の粒子を引き寄せるように構成されてもよい。第４パターンセクション５１ｄは、無極性の性質の粒子を引き寄せるように構成されてもよい。パターンセクション５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄは、電荷および極性の組合せのうちの１つを有する汚染を引き寄せるように構成されてもよい。第１パターンセクション５１ａは、正電荷を有する極性のある汚染を引き寄せるように構成されてもよい。第２パターンセクション５１ｂは、負電荷を有する極性のある汚染を引き寄せるように構成されてもよい。第３パターンセクション５１ｃは、正電荷を有する無極性の汚染を引き寄せるように構成されてもよい。第４パターンセクション５１ｄは、負電荷を有する無極性の汚染を引き寄せるように構成されてもよい。パターンセクションは、ゼータ電位効果(zeta potential effect)を利用することによって、中性汚染（すなわち、内因性電荷を持たない）を引き寄せてもよく、ゼータ電位効果では、内因性電荷を持たない汚染は、汚染がその中に浸される流体によって影響を及ぼされる負または正の表面電荷をとることができる。たとえば、水では、イオンタイプおよび濃度、より具体的には、酸性またはアルカリ性の性質（すなわち、ｐＨ値）が、ゼータ電位に影響を及ぼす。
[0071] パターンセクションは、所望の性質の粒子を引き寄せるために、任意の適した材料から形成される（または、任意の適した方法で処理される）ことができる。たとえば、第１パターンセクション５１ａは、ベアシリコン（たとえば、基板５０自体の露出領域）であることができる。このセクションは、負電荷を有し、かつ、極性のある表面であることになる。したがって、このセクションは、正電荷を有する極性のある汚染を引き寄せることになる。第２パターンセクション５１ｂは、アミン官能基化シリコンであることができる。このセクションは、正電荷を有し、かつ、極性のある表面であることになる。したがって、このセクションは、負電荷を有する極性のある汚染を引き寄せることになる。第３パターンセクション５１ｃは、ＨＭＤＳ処理されたシリコンであることができる。したがって、このセクションは、負電荷を有し、かつ、無極性の表面であることになる。したがって、このセクションは、正電荷を有する無極性の汚染を引き寄せることになる。第４セクション５１ｄは、アミン官能基化されたＨＭＤＳ処理されたシリコンを備えることができる。したがって、このセクションは、正に帯電し、かつ、無極性の表面であることになる。したがって、このセクションは、負電荷を有する無極性の汚染を引き寄せることになる。
[0072] 第１、第２、第３、および第４のパターンセクション５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄは、任意の適した方法で、たとえば、モザイク（たとえば、チェッカーボード）パターン、同心リングのアレイ、リング、リングセグメント、基板にわたって延びる直線ストリップのアレイ、または、任意の好都合なパターンで構成されることができる。
[0073] 図５Ｃは、図１のリソグラフィ装置の投影システムＰＬおよび液浸フードＩＨを示す。液浸フードＩＨは、投影システムＰＬとクリーニング基板ＣＷ６との間に液浸流体６０を少なくとも部分的に保持する。液浸流体６０が汚染６１を含むことが見てわかる。クリーニング基板ＣＷ６は、望ましくは、パターン５１の大きな面積を液浸フードＩＨと液浸流体６０に露出させるために、液浸フードＩＨと液浸流体６０に対して移動する（および／またはその逆）。
[0074] 図５Ｄは、液浸流体６０と液浸流体６０が含む汚染６１が、クリーニング基板ＣＷ６の非常に近くにあるとき、経時的に起こることを示す。（図５Ａおよび５Ｂに関して述べた）パターン表面５１の性質のために、汚染が、パターン表面５１に引き寄せられたことが見てわかる。クリーニング基板ＣＷ６は、ある期間後に、液浸流体６０および液浸フードＩＨと近接状態にあることから解除されることができる。クリーニング基板ＣＷ６は、その後、パターン表面５１から汚染６１を除去するために、清浄にされることができる。清浄プロセスは、たとえば、パターン表面から汚染を除去してもよく、または、別法として、パターン表面５１自体を除去してもよい。パターン表面は、適切である場合、基板５０に再適用されることができる、または、別のクリーニング基板が使用されることができるであろう。
[0075] ４つの異なる繰り返しパターンセクションを有することは必須でない。異なる電気特性（たとえば、電荷と極性）を有する２つのパターンセクション、または、さらに３つのパターンセクションが使用されてもよい。パターンセクションの数は、表面から除去されることを意図される汚染、または、リソグラフィ装置（または、他のツール）で使用される流体に依存してもよい。
[0076] 異なる電気特性を有するモザイクパターン５１をクリーニング基板に与える代わりに、複数の基板を使用するが、同じ一般原理が適用されることができる。たとえば、異なる電気特性を有する複数のパターンセクションを単一基板に与える代わりに、基板が、電気特性の単一の組合せを有するセクションを与えられるだけでもよい。複数の基板は、それぞれ、電気特性の異なるセットまたは電気特性のある組合せを有する単一セクションを与えられることができる。これらの基板は、たとえば、液浸フードおよび／または液浸流体を清浄にするために、リソグラフィ装置を連続して通過させられることができる。たとえば、第１基板は、上述したように、ベアシリコン表面を与えられることができる。第２基板は、上述したように、アミン官能基化シリコン表面を与えられることができる。第３基板は、上述したように、ＨＭＤＳ処理されたシリコン層を与えられることができる。第４基板は、上述したように、アミン官能基化されたＨＭＤＳ処理されたシリコン層を与えられることができる。液浸フードおよび／または液浸流体を清浄にするために、複数の基板を使用するプロセスは、うまく働くことになるが、最も効率的な方法ではない。たとえば、異なる基板は、装置を清浄にするために、装置を連続して通過させられる必要があることになり、一方、図５Ａおよび５Ｂに関して述べた基板は、異なる電気特性を有する複数のセクションを与えられるため、１回、装置を通過させられる必要があるだけであってよい。そのため、リソグラフィ装置からの汚染の除去が、それぞれが、異なる性質の汚染を引き寄せるための異なる電気特性を有する、２つ以上のセクションを有する基板を使用して、より迅速に達成されてもよい。
[0077] 上述したクリーニング基板は全て、特にまたもっぱらクリーニング基板として使用されてもよい。しかし、これらの基板は、他の目的および／または機能を有してもよい。たとえば、上述した清浄機能は、チャック温度制御または任意の他の目的のために通常使用される基板内に導入されることができる。たとえば、上述した清浄特性は、リソグラフィ装置の、基板テーブル、支持構造体などを位置合わせするのに使用される基準基板に対して導入されることができる。
[0078] 上述したクリーニング基板は、任意の適切な時間に使用されることができることが理解されるであろう。たとえば、クリーニング基板は、レジストで被覆された基板の各露光でかつ全ての露光の前に使用されることができる。しかし、スループットが悪い影響を及ぼされるため、これは、理想的ではない場合がある。レジストで被覆された多数の基板（たとえば、バッチ）が、放射ビームに露光される前に、上述した基板の１つまたは複数を使用して、清浄プロセスに着手することが、より望ましい場合がある。
[0079] 既に上述したように、クリーニング基板は、たとえば、汚染されたクリーニング基板を層などから剥離することを含んでもよい適切な清浄後に、再使用されてもよい。あるいは、リソグラフィ装置の一部を清浄にするために、クリーニング基板が廃棄され、新しいクリーニング基板が使用されることができる。あるいは、新しい層などが、クリーニング基板上で、既存の汚染された層の上に設けられてもよい。
[0080] 上述した実施形態では、突出部および凹所は、均一であるものとして図に示される。これは、必須ではなく、突出部および凹所は、基板の表面にわたって高さおよび深さが変わってもよい。異なる高さを持つことで、突出部および凹所は、空気または液浸流体の乱流を増加させ、表面または液浸流体からの汚染の除去についての効率の増加をもたらす可能性がある。突出部の高さまたは凹所の深さは、突出部および／または凹所が構造的に不安定になるようなものであるべきではない。一般に、突出部または凹所を形成するのに使用されるフィーチャは、フィーチャの幅の５倍以下であるべきである。突出部および凹所のピッチは、突出部の幅と隣接する凹所の幅を足した値として規定される。ピッチは、５０ｎｍ〜１０００ｎｍまで変わってもよい。ピッチは、凹所内への汚染の堆積（または、換言すれば、収集）に優先的に有利になるように変わってもよい。カラムに似た凹所および突出部の使用は必須ではないことも理解されるであろう。突出部および凹所は、汚染を保持することができる任意のものであってよい。たとえば、突出部および凹所は、たとえば、化学的研磨または機械的研磨を使用して、基板の表面を引っ掻くことによって形成されることができる。パターンは、規則的である必要はなく、不規則パターンは、空気および／または液浸流体の乱れを増加させ、それにより、汚染の除去の効率が増すために望まれる場合がある。
[0081] ある時点で、または、連続して、２つ以上のクリーニング基板が使用されてもよい。たとえば、１つのクリーニング基板は、リソグラフィ装置のある部分で使用されてもよく、そのとき、別の基板は、リソグラフィ装置の別の部分で使用される。たとえば、リソグラフィ装置は、別の基板が、そのトポロジを決定するためにスキャンされる間に、１つの基板を放射に対して露光することによって働いてもよい。クリーニング基板は、これら２つのステージ内の、または、その周りのエリアを清浄にするのに使用されることができる。
[0082] 本明細書で述べるクリーニング基板の１つまたは複数についての１つまたは複数の態様が、単一基板上で組合せて使用されてもよい。たとえば、クリーニング基板は、ブラシ層およびスポンジ層を含んでもよく、または、クリーニング基板は、ブラシ層および上述した突出部と凹所の配置構成を含んでもよい。さらに、本明細書のクリーニング基板は、基板の一方の面上に清浄機能を有するものとして主に述べられた。清浄機能は、基板の１つまたは複数の他の面上に設けられて、さらなる清浄（たとえば、液浸フードＩＨ、および、液浸フードＩＨを清浄にするために、クリーニング基板がその上に支持される基板テーブルＷＴの同時の清浄）が提供されるか、または、他の表面が使用後に汚染したとき、清浄時に使用される「清浄な」表面が提供されることができる。
[0083] 上述したように、述べたクリーニング基板は、リソグラフィ装置の任意の適切な表面を清浄にするのに使用されてもよい。クリーニング基板は、リソグラフィの分野以外でさらに使用されてもよい。しかし、上述したクリーニング基板は、リソグラフィにおいて、特に、液浸フードおよび／または液浸流体の汚染がかなりの問題になり、また、益々減少する露光波長の使用によって、将来、増加する可能性がある液浸リソグラフィにおいて、使用するのに適する。リソグラフィで使用される装置を清浄にするためにクリーニング基板を使用することの重要な利点は、装置が、基板を操作するために既に構成されていることである。これは、普通なら、さらなる汚染が装置に入ることを可能にすると思われる、装置を開ける、または、少なくとも部分的に装置を分解する必要無しで、クリーニング基板によって装置が清浄にされることができることを意味する。
[0084] 本発明の特定の実施形態が先に述べられたが、本発明は、述べた以外の方法で実施されてもよいことが理解されるであろう。説明は、本発明を制限することを意図されない。
[0013]リソグラフィ装置を示す図である。 [0014]本発明の実施形態による、基板およびその基板の使用を示す図である。 [0014]本発明の実施形態による、基板およびその基板の使用を示す図である。 [0014]本発明の実施形態による、基板およびその基板の使用を示す図である。 [0015]本発明の実施形態による、基板およびその基板の使用を示す図である。 [0015]本発明の実施形態による、基板およびその基板の使用を示す図である。 [0016]本発明の実施形態による、基板およびその基板の使用を示す図である。 [0016]本発明の実施形態による、基板およびその基板の使用を示す図である。 [0016]本発明の実施形態による、基板およびその基板の使用を示す図である。 [0016]本発明の実施形態による、基板およびその基板の使用を示す図である。 [0016]本発明の実施形態による、基板およびその基板の使用を示す図である。 [0017]本発明の実施形態による、基板およびその基板の使用を示す図である。 [0017]本発明の実施形態による、基板およびその基板の使用を示す図である。 [0017]本発明の実施形態による、基板およびその基板の使用を示す図である。 [0017]本発明の実施形態による、基板およびその基板の使用を示す図である。

Claims (36)

  1. リソグラフィにおいて使用される装置から汚染を除去する方法であって、
    剛性支持層および前記剛性支持層上に設けられた変形可能層を備える基板を前記装置内に装填すること、
    前記基板の前記変形可能層を、汚染がそこから除去される前記装置の表面に接触させること、
    前記変形可能層と汚染がそこから除去される前記装置の前記表面との間の相対運動を導入することであって、それにより、除去のために前記表面から汚染を分離する、導入すること、および、
    前記分離した汚染の少なくとも一部を流体を使用して除去することを含み、
    前記基板は前記分離した汚染の前記一部を前記流体から除去する一連の突出部を備え、前記一連の突出部は異なる高さの突出部を含む方法。
  2. 前記変形可能層は、前記分離した汚染の少なくとも一部を保持する請求項１に記載の方法。
  3. 前記基板は、前記分離した汚染の前記一部を除去するために、前記装置からはずされる請求項２に記載の方法。
  4. 前記流体は液浸液である請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
  5. 前記装置は、リソグラフィ装置の液浸フードである請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法。
  6. リソグラフィにおいて使用される装置から汚染を除去するのに適し、前記リソグラフィ装置が扱うのに適した大きさに作られた基板であって、
    剛性支持層と、
    前記剛性支持層上に設けられた変形可能層と、
    流体から前記汚染を除去する一連の突出部とを備え、
    前記一連の突出部は異なる高さの突出部を含む基板。
  7. 前記変形可能層は複数のブラシを備える請求項６に記載の基板。
  8. 前記変形可能層は複数の繊維を備える請求項６に記載の基板。
  9. 前記変形可能層はスポンジを備える請求項６に記載の基板。
  10. 前記変形可能層はポリビニルアルコールスポンジを備える請求項６に記載の基板。
  11. 前記変形可能層は、接着剤を使用して前記剛性支持層に付着される請求項６に記載の基板。
  12. 前記変形可能層は、前記剛性支持層に融着される請求項６に記載の基板。
  13. 前記基板は、形状が実質的に円柱である請求項６ないし１２のいずれか一項に記載の基板。
  14. 前記基板は、約２００ｍｍの直径、または、約３００ｍｍの直径を有する請求項６ないし１３のいずれか一項に記載の基板。
  15. 前記基板の深さは、約０．５ｍｍ〜約３．５ｍｍの範囲から選択される請求項６ないし１４のいずれか一項に記載の基板。
  16. 前記剛性層は、石英、シリコン、または金属から形成される請求項６ないし１５のいずれか一項に記載の基板。
  17. リソグラフィにおいて使用される装置によって少なくとも部分的に収容される流体から汚染を除去する方法において、
    一連の突出部および凹所を備える基板を前記装置内に装填することであって、前記一連の突出部または凹所は、前記流体から前記クリーニング基板への汚染の移動を促進するために、前記流体に対して濡れ性があるか、または、濡れ性がない、装填すること、
    前記基板を、汚染がそこから除去される流体に近接させることであって、それにより、汚染が、前記流体から除去され、前記突出部上に、または、前記凹所内に堆積する、近接させること、および、
    前記装置から前記基板をはずすことを含み、
    前記一連の突出部は前記流体から前記汚染を除去し、前記一連の突出部は異なる高さの突出部を含む方法。
  18. 前記基板と汚染がそこから除去される流体との間に相対運動を導入することをさらに含む請求項１７に記載の方法。
  19. 前記装置は、リソグラフィ装置の液浸フードである請求項１７または１８に記載の方法。
  20. 前記流体は液浸液である請求項１７ないし１９のいずれか一項に記載の方法。
  21. リソグラフィにおいて使用される装置によって少なくとも部分的に収容される流体から汚染を除去するのに適し、前記リソグラフィ装置が扱うのに適した大きさに作られた基板であって、一連の突出部および凹所を備え、前記一連の突出部または凹所は、前記流体から前記クリーニング基板への汚染の移動を促進するために、前記流体に対して濡れ性があるか、または、濡れ性がなく、前記一連の突出部は前記流体から前記汚染を除去し、前記一連の突出部は異なる高さの突出部を含む基板。
  22. 前記基板は、濡れ性がない、または、濡れ性がある材料から形成される請求項２１に記載の基板。
  23. 前記突出部または凹所は、濡れ性がない皮膜または濡れ性がある皮膜を備える請求項２１に記載の基板。
  24. 前記基板は、前記一連の突出部または凹所を形成するように処理された濡れ性がない材料または濡れ性がある材料の層を備える請求項２１に記載の基板。
  25. 前記一連の突出部または凹所は、液浸液に対して濡れ性がない、または、濡れ性がある請求項２１に記載の基板。
  26. 前記一連の突出部または凹所は、疎水性であるか、または、親水性である請求項２１に記載の基板。
  27. 前記凹所および突出部は、前記流体に対して濡れ性がない請求項２１に記載の基板。
  28. 前記凹所および突出部は、前記流体に対して濡れ性がある請求項２１に記載の基板。
  29. 前記凹所は、前記流体に対して濡れ性があり、前記突出部は、前記流体に対して濡れ性がない請求項２１に記載の基板。
  30. 前記凹所は、前記流体に対して濡れ性がなく、前記突出部は、前記流体に対して濡れ性
    がある請求項２１に記載の基板。
  31. 前記一連の凹所は、異なる深さの凹所を含む請求項２１ないし３０のいずれか一項に記載の基板。
  32. 前記一連の突出部または凹所は、前記基板にわたって規則的なパターンを形成する請求項２１ないし３１のいずれか一項に記載の基板。
  33. 前記一連の突出部または凹所は、前記基板にわたって不規則的なパターンを形成する請求項２１ないし３１のいずれか一項に記載の基板。
  34. 前記基板は、形状が実質的に円柱である請求項２１ないし３３のいずれか一項に記載の基板。
  35. 前記基板は、約２００ｍｍの直径、または、約３００ｍｍの直径を有する請求項２１ないし３４のいずれか一項に記載の基板。
  36. 前記基板の深さは、約０．５ｍｍ〜約３．５ｍｍの範囲から選択される請求項２１ないし３５のいずれか一項に記載の基板。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7723463B2 (en) * 2006-04-12 2010-05-25 Battelle Energy Alliance, Llc Polyphosphazine-based polymer materials
NL1036069A1 (nl) * 2007-10-30 2009-05-07 Asml Netherlands Bv An Immersion Lithography Apparatus.
JP2010103363A (ja) * 2008-10-24 2010-05-06 Nec Electronics Corp 液浸露光装置の洗浄方法、ダミーウェハ、及び液浸露光装置
NL2003758A (en) * 2008-12-04 2010-06-07 Asml Netherlands Bv A member with a cleaning surface and a method of removing contamination.
US20110199591A1 (en) * 2009-10-14 2011-08-18 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, maintenance method and device fabricating method
NL2009284A (en) * 2011-09-22 2013-10-31 Asml Netherlands Bv A cleaning substrate for a lithography apparatus, a cleaning method for a lithography apparatus and a lithography apparatus.
EP2834709B1 (en) * 2012-04-02 2020-05-27 ASML Netherlands B.V. Particulate contamination measurement method and apparatus
US9846365B2 (en) 2013-08-02 2017-12-19 Asml Netherlands B.V. Component for a radiation source, associated radiation source and lithographic apparatus
WO2018215172A1 (en) 2017-05-25 2018-11-29 Asml Holding N.V. Substrates and methods of using those substrates
CN111771166B (zh) 2018-02-13 2023-12-05 Asml荷兰有限公司 在光刻设备中的原位颗粒移除的设备和方法
US11431494B2 (en) 2018-03-15 2022-08-30 Atakama LLC Passwordless security system for data-at-rest
CN112955822B (zh) * 2018-11-09 2024-10-11 Asml控股股份有限公司 利用具有可控几何形状和组成的清洁衬底进行刻蚀支撑件清洁
US11256181B2 (en) * 2019-07-31 2022-02-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for removing particles in semiconductor manufacturing

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06224105A (ja) * 1993-01-22 1994-08-12 Kawasaki Steel Corp 露光装置のステージのゴミ粒子除去方法
JP2518528B2 (ja) * 1993-07-27 1996-07-24 日本電気株式会社 集塵器
JP3450584B2 (ja) * 1996-04-09 2003-09-29 キヤノン株式会社 半導体露光装置
AU1175799A (en) * 1997-11-21 1999-06-15 Nikon Corporation Projection aligner and projection exposure method
JPH11162831A (ja) * 1997-11-21 1999-06-18 Nikon Corp 投影露光装置及び投影露光方法
JPH11345846A (ja) * 1999-02-19 1999-12-14 Japan Electronic Materials Corp プロ―ブ先端クリ―ニングシ―ト
DE19963124A1 (de) * 1999-12-24 2001-07-12 Roland Man Druckmasch Reinigungsmedium und dessen Verwendung
AU784574B2 (en) * 2000-05-04 2006-05-04 Qunano Ab Nanostructures
US6787339B1 (en) * 2000-10-02 2004-09-07 Motorola, Inc. Microfluidic devices having embedded metal conductors and methods of fabricating said devices
JP3981246B2 (ja) * 2001-05-02 2007-09-26 日東電工株式会社 クリーニングシ―ト、クリーニング機能付き搬送部材、及びこれらを用いた基板処理装置のクリーニング方法
JP2004063669A (ja) * 2002-07-26 2004-02-26 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置クリーニングウエハとその製造方法、およびそれを用いたクリーニング方法
US7135728B2 (en) * 2002-09-30 2006-11-14 Nanosys, Inc. Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
JP4052966B2 (ja) * 2003-03-24 2008-02-27 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 ウェハ検査装置およびその検査方法
KR101508809B1 (ko) * 2003-04-11 2015-04-06 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
JP2005277363A (ja) * 2003-05-23 2005-10-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
TWI424470B (zh) * 2003-05-23 2014-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
JP4305095B2 (ja) * 2003-08-29 2009-07-29 株式会社ニコン 光学部品の洗浄機構を搭載した液浸投影露光装置及び液浸光学部品洗浄方法
EP1680679A2 (en) * 2003-11-06 2006-07-19 SRU Biosystems Inc. High-density amine-functionalized surface
JP3998014B2 (ja) * 2004-09-29 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 半導体装置、実装構造体、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
US7362412B2 (en) * 2004-11-18 2008-04-22 International Business Machines Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate in an immersion lithography system
US7807335B2 (en) * 2005-06-03 2010-10-05 International Business Machines Corporation Immersion lithography contamination gettering layer
US20070004182A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and system for inhibiting immersion lithography defect formation
US7986395B2 (en) * 2005-10-24 2011-07-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography apparatus and methods

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