KR20090005993A - 기판들 및 그 기판들을 이용하는 방법들 - Google Patents
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Abstract
리소그래피에서 사용되는 장치로부터 오염물을 제거하는 방법이 개시된다. 상기 방법은 상기 장치로 기판을 로딩하는 단계- 상기 장치는 단단한 지지층 및 단단한 지지층 상에 제공된 변형가능한 층을 포함함 -, 기판의 변형가능한 층을 오염물이 제거될 상기 장치의 표면과 접촉시키는 단계, 제거를 위한 표면으로부터 오염물을 떼어내기 위해 변형가능한 층과 오염물이 제거될 상기 장치의 표면 간의 상대 이동을 도입하는 단계, 및 떼어진 오염물을 제거하는 단계를 포함한다. 또한, 본 발명의 다른 실시형태들도 설명되고 주장된다.
Description
본 발명은 기판 및 이러한 기판을 이용하는 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층에 대응하는 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있으며, 이 패턴은 방사선-감응재(레지스트)층을 갖는 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상에 이미징(imaging)될 수 있다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 노광되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다.
리소그래피에서 부닥치는 가장 큰 문제들 중 하나는 오염(contamination)이다. 예를 들어, 기판의 오염은 기판 상의 패턴 또는 복수의 패턴들 내의 결점의 개수를 증가시킬 수 있다. 렌즈 요소의 오염은 기판에 패턴을 정확히 적용시키기 어렵게 할 수 있다. 오염이 문제일 수 있는 또 다른 예시는 침지 리소그래피에서이다. 침지 리소그래피에서는, 리소그래피 장치에서 사용되는 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키기 위해 침지 유체가 사용된다. 그러므로, 침지 유체는 투영 시스템의 최종 요소와 기판 자체 사이에서 사용될 수 있다. 침지 유체는 기판으로부터, 또는 기판 상에 증착된 층들로부터 분리되게 되는 레지스트 또는 다른 재료들의 파편들 또는 입자들에 의해 오염될 수 있다. 이러한 오염은 침지 유체를 통해 기판 상에 (패터닝된) 방사선 빔을 정확히 투영하기 어렵거나 불가능하게 할 수 있다.
예를 들어, 본 명세서에서 확인되든지 다른 곳에서 확인되든지, 종래 기술의 문제점들 중 1 이상을 제거하거나 완화하는 1 이상의 기판 및 1 이상의 기판들을 이용하는 1 이상의 방법을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 리소그래피에서 사용되는 장치로부터 오염물을 제거하는 방법이 제공되고, 상기 방법은: 상기 장치로 기판을 로딩(load)하는 단계- 상기 기판은 단단한(rigid) 지지층 및 상기 단단한 지지층 상에 제공된 변형가능한 층을 포함함 -; 기판의 변형가능한 층을 오염물이 제거될 상기 장치의 표면과 접촉시키는 단계; 제거를 위한 표면으로부터 오염물을 떼어내기(dislodge) 위해, 오염물이 제거될 상기 기판의 표면과 변형가능한 층과의 상대 이동을 도입하는 단계; 및 떼어진 오염물을 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 리소그래피에서 사용되는 장치로부터 오염물을 제거하기에 적절한 기판이 제공되고- 상기 기판은 리소그래피 장치에 의해 핸들링(handling)하기에 적절하도록 치수화됨 -, 상기 기판은: 단단한 지지층; 및 단단한 지지층 상에 제공된 변형가능한 층을 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 리소그래피에서 사용되는 장치에 의해 전체 또는 부분적으로 포함된 유체로부터 오염물을 제거하는 방법이 제공되고, 상기 방법은: 상기 장치로 기판을 로딩하는 단계- 상기 기판은 일련의 돌출부(protrusion) 또는 후퇴부(recess)를 포함하고, 상기 일련의 돌출부 또는 후퇴부는 유체로부터 세정 기판(cleaning substrate)으로의 오염물의 전달을 촉진하도록 유체에 대해 웨팅성(wetting)이거나 웨팅-방지성(anti-wetting)임 -; 오염물이 유체로부터 제거되고 돌출부 상에 또는 후퇴부 내에 침전되도록, 기판을 오염물이 제거될 유체와 근접시키는 단계; 및 상기 장치로부터 기판을 언로딩(unload)하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 리소그래피 장치에서 사용되는 장치에 의해 전체 또는 부분적으로 포함된 유체로부터 오염물을 제거하기에 적절한 기판이 제공되고- 상기 기판은 리소그래피 장치에 의해 핸들링하기에 적절하도록 치수화됨 -, 상기 기판은 유체로부터 세정 기판으로의 오염물의 전달을 촉진하도록 유체에 대해 웨팅성이거나 웨팅-방지성인 일련의 돌출부 또는 후퇴부를 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 리소그래피에서 사용되는 장치로부터 오염물을 제거하는 방법이 제공되고, 상기 방법은: 기판 상으로 오염물을 끌어당기기 위해, 상기 장치로 기판을 로딩하는 단계- 상기 기판은 오염물을 끌어당기도록 구성된 제 1 구역 및 제 2 구역을 포함하고, 상기 제 2 구역은 제 1 구역에 대해 상이한 양극성(polarity) 또는 전하(electrical charge)를 가지며, 제 1 및 제 2 구역들은 각각: 극성(polar) 및 양전하, 극성 및 음전하, 무극성(apolar) 및 양전하, 또는 무극성 및 음전하 중 하나임 -; 및 상기 장치로부터 기판을 언로딩하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 리소그래피에서 사용되는 장치로부터 오염물을 제거하기에 적절한 기판이 제공되고- 상기 기판은 리소그래피 장치에 의해 핸들링하기에 적절하도록 치수화됨 -, 상기 기판은: 오염물을 끌어당기도록 구성된 제 1 구역 및 제 2 구역을 포함하고, 상기 제 2 구역은 제 1 구역에 대해 상이한 양극성 또는 전하를 가지며, 제 1 및 제 2 구역들은 각각: 극성 및 양전하, 극성 및 음전하, 무극성 및 양전하, 또는 무극성 및 음전하 중 하나이다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 리소그래피에서 사용되는 장치로부터 오염물을 제거하는 방법이 제공되고, 상기 방법은: 제 1 기판 상으로 오염물을 끌어당기기 위해, 상기 장치로 제 1 기판을 로딩하는 단계- 상기 제 1 기판은 오염물을 끌어당기도록 구성된 구역을 포함하고, 극성 및 양전하, 극성 및 음전하, 무극성 및 양전하, 또는 무극성 및 음전하 중 하나임 -; 상기 장치로부터 제 1 기판을 언로딩하는 단계; 제 2 기판 상으로 오염물을 끌어당기기 위해, 상기 장치로 제 2 기판을 로딩하는 단계- 상기 제 2 기판은 오염물을 끌어당기도록 구성된 구역을 포함하고, 제 1 기판의 구역에 대해 상이한 양극성 또는 전하를 가지며, 극성 및 양전하, 극성 및 음전하, 무극성 및 양전하, 또는 무극성 및 음전하 중 하나임 -; 및 상기 장치로부터 제 2 기판을 언로딩하는 단계를 포함한다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급될 수 있지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의 어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm의 파장을 갖는) 자외(UV)방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV)방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다; 이러한 방식으로, 반사된 빔이 패터닝된다.
도 1은 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는:
- 방사선 빔(PB)(예를 들어, UV 방사선 또는 EUV 방사선)을 컨디셔닝하는 조명 시스템(일루미네이터)(IL);
- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하고, 아이템(PL)에 대해 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키는 제 1 위치설정 디바이스(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하고, 아이템(PL)에 대해 기판을 정확히 위치시키는 제 2 위치설정 디바이스(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT);
- 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(PB)에 부여된 패턴을 이미징하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈)(PL); 및
- 투영 시스템(PL)과 기판(W)의 일부분 사이에 침지 유체(도시되지 않음)를 전체 또는 부분적으로 유지하는 침지 후드(immersion hood: IH)(때로는 침지 헤드라고 칭함)를 포함한다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.
지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스를 유지한다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체(MT)는 기계적 클램핑, 진공, 또는 다른 클램핑 기술들, 예를 들어 진공 조건들 하에서의 정전기 클램핑을 이용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있고, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정 수단(AM)을 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함한다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖는 컨디셔닝된 방사선 빔(PB)을 제공한다.
또한, 조명 시스템은 방사선 빔을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 및 카타디옵트릭(catadioptric) 광학 구성요소를 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있으며, 이러한 구성요소들은 아래에서 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급될 수도 있다.
상기 방사선 빔(PB)은 지지 구조체(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사된다. 상기 패터닝 디바이스(MA)를 가로질렀으면, 상기 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하고, 이는 침지 후드(IH)에 의해 유지된 침지 유체를 통해 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정 디바이스(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 상기 빔(PB)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정 디바이스(PM) 및 또 다른 위치 센서(도 1에 명확히 도시되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 상기 빔(PB)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 대상물 테이블들(MT 및 WT)의 이동은, 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 위치설정 디바이스(PM 및 PW)의 일부분을 형성한다. 하지만, (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 지지 구조체(MT)는 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 유체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절 광학 시스템, 반사 광학 시스템, 및 카타디옵트릭 광학 시스템을 포함하는 다양한 형태의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 지지 구조체)를 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블 및/또는 지지 구조체가 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블 및/또는 지지 구조체가 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블 및/또는 지지 구조체에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물에 침지되는 형태로도 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템의 최종 요소 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 상기 빔(PB)에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서 노광 필드의 최대 크기는, 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 상기 빔(PB)에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PL)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부 의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 상기 빔(PB)에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
앞서 언급된 바와 같이, 리소그래피에서 부닥치게 되는 문제는 오염이다. 리소그래피 장치의 일부분의 오염의 감소, 및 가능하다면 제거가 바람직하다. 예를 들어, 리소그래피 장치의 요소들의 오염의 감소는 기판 상에 투영된 패턴 또는 복수의 패턴들의 결점들의 개수를 감소시킬 수 있다. 기판들에 패턴들을 적용시키는데 사용되는 방사선의 파장들을 감소시키는 것은, 문제점에 있어서 더 작은 치수들을 갖는 오염물이 훨씬 더 많아진다는 것을 의미한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 리소그래피 장치의 일부분의 오염을 감소시키는 방식은 특히 리소그래피 장치로부터 오염물을 제거하도록 처리되고 및/또는 디자인된 기판을 채택하는 것이다. 이러한 세정 기판은 리소그래피 장치의 오염물을 감소시키기 위해 리소그래피 장치(예를 들어, 기판 상에 방사선을 투영하는 장치, 코팅 모듈, 오븐, 또는 리소그래피에서 사용되는 여하한의 다른 적절한 장치)로 통과될 수 있다. 이러한 기판은 오염물이 감소되고 및/또는 제거될 표면을 물리적으로 접촉시키거나 오염물을 끌어당겨서, 당면한 환경으로부터 그것들을 추출할 수 있다. 이러한 세정 기판은 침지 유체를 채택하는 리소그래피 장치에서 오염물을 감소시키는데 특히 유용하다.
오염물은 관련된 공정들의 성질로 인해 침지 리소그래피에서 더 만연할 수 있다. 예를 들어, 침지 후드(IH)가 투영 시스템(PL)과 기판(W) 사이에 전체 또는 부분적으로 침지 유체를 유지하는 도 1로부터 알 수 있다. 침지 후드(IH) 및 그것이 유지하는 침지 유체에 의해 기판(W)의 최상면(즉, 다른 가능한 층들 중에서 레지스트 층이 제공되는 기판(W)의 면) 상에 압력이 가해진다. 이 압력은 레지스트 및/또는 기판(W) 상에 증착된 다른 층으로 하여금 느슨하게(loose) 하고, 심지어 벗겨지게 할 수 있다. 이는 침지 후드 및/또는 침지 유체의 오염을 발생시킬 수 있으며, 가능하게는 둘 모두의 유효성을 감소시킨다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 세정 기판(CW1)을 도시한다. 세정 기판(CW1)은 단단한 지지층 역할을 하는 표준 기판(1)을 포함한다. 상기 기판(1)은 그것이 레지스트 층으로 덮이고, 도 1의 리소그래피 장치를 이용하여 패터닝될 수 있는 그 기판들과 동일한 폭이라는 점에서 표준이 된다(예를 들어, 상기 기판은 예를 들어 200 mm 또는 300 mm 직경의 실질적으로 원통형인 웨이퍼일 수 있다). 도 2a를 다시 참조하면, 기판(1)에는 브러시 층(layer of brushes: 2)이 제공된다. 브 러시 층(2)은 복수의 개별적인 브러시들, 섬유들, 가닥(strand)들 등으로부터 형성될 수 있다. 예를 들어, 브러시들, 섬유들 또는 가닥들은 PVA(polyvinyl alcohol) 스펀지로부터 형성될 수 있다. 브러시 층(2)을 형성하는 브러시들, 섬유들 또는 가닥들은, 브러시 층(2)이 연속적인 온전한 층을 효과적으로 형성하도록 조밀하게 패킹(closely packed)될 수 있다. 대안적으로, 도 2b에 나타낸 바와 같이 브러시 층(2)은 덜 조밀하게 패킹되어, 상기 층(2)으로부터의 섬유들이 연속적인 층을 형성하지 않을 수 있다. 물론, 기판 표면은 상이한 영역들 상에 조밀하고 덜 조밀하게 패킹된 브러시들(2)의 조합을 가질 수도 있다.
브러시 층(2)이 기판(1)에 융합(fuse)하도록, 기판(1)의 가열에 의해 브러시 층(2)이 기판(1)에 부착될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 브러시 층(2)은 여하한의 적절한 접착제를 이용하여 부착될 수 있으며, 예를 들어 아크릴계 감압 접착제(acrylic-based pressure sensitive adhesive)가 사용될 수 있다. 이러한 접착제들은, 예를 들어 3M(Minnesota, U.S.)으로부터 얻어질 수 있다. 전형적인 예시는 3M VHB 접착제이다. 기판(1) 자체는 실리콘, 석영, 금속 또는 여하한의 적절한 재료로부터 형성될 수 있다.
사용시, 세정 기판(CW1)은 브러시 층(2)을 오염되는 표면과 접촉시키는 방식으로, 리소그래피 장치 및/또는 다른 툴을 통과할 수 있다. 브러시 층(2)을 이러한 표면과 접촉시키는 것은 표면 및/또는 세정 기판(CW1)의 이동에 의해, 또는 세정 기판(CW1)의 크기, 예를 들어 기판(1) 및/또는 브러시 층(2)의 두께의 적절한 디자인에 의해 달성될 수 있다. 예를 들어, 리소그래피에서 사용된 종래의 기판은 약 1 mm의 두께일 수 있다. 리소그래피 장치는, 적절하다면 리소그래피 장치의 요소들과 기판 사이에 간극(clearance) 정도를 제공하도록 디자인된다. 기판(1) 및/또는 브러시 층(2)의 조합된 두께는, 브러시 층(2)과 리소그래피 장치의 1 이상의 요소들 사이에 간극이 존재하지 않도록(즉, 브러시 층(2)이 요소(들)에 접촉함) 0.5 mm 내지 3.5 mm일 수 있다.
도 2c는 세정 기판(CW1)의 사용의 일 예시를 도시한다. 침지 후드(IH)는 투영 시스템(PL) 아래에 배치되는 것으로 도시된다(예를 들어, 도 1의 투영 시스템(PL) 및 침지 후드(IH)). 세정 기판(CW1)은 브러시 층(2)이 침지 후드(IH)와 접촉하도록 위치된다. 침지 후드(IH)에 대해 세정 기판(CW1)을 이동시키고, 및/또는 세정 기판(CW1)에 대해 침지 후드(IH)를 이동시킴으로써 침지 후드(IH)의 최저 표면 상의 오염물이 제거될 수 있다.
오염물은 브러시 층(2)을 형성하는 재료에 의해 흡수될 수 있으며, 또는 오염물이 브러시 층(2) 상에 및/또는 그 사이에 머무르게(lodge) 될 수 있다. 또한, 또는 대안적으로 브러시 층(2)은 침지 후드(IH)의 최저 표면으로부터 오염물을 떼어낼 수 있다. 떼어내진 오염물은 세정 기판(CW1)과 투영 시스템(PL) 사이에서 침지 후드(IH)에 의해 유지될 수 있는 침지 유체에 의해 씻겨질 수 있다. 브러시 층(2)은 침지 후드(IH)에 손상을 야기하지 않도록 변형가능한 것이 바람직하다.
침지 후드(IH)의 최저 표면으로부터 오염물을 제거함으로써, 떼어지고 투영 시스템(PL)을 통해 방사선에 노광될 기판 및/또는 침지 유체를 오염시키게 되는 이 오염물의 가능성이 감소되거나 제거된다.
도 3a는 도 2a의 것과 유사한 세정 기판을 도시하며, 도 3b는 도 2c에 관하여 예시된 사용과 유사한 그 기판의 사용을 도시한다. 도 3a는 그 위에 스펀지 층(4)이 제공되는 단단한 지지층 역할을 하는 기판(3)을 포함한 세정 기판(CW2)을 나타낸다. 스펀지 층(4)은 접착제(예를 들어, 도 2a의 세정 기판(CW1)에 관하여 설명된 접착제)를 이용하여, 및/또는 스펀지 층(4)이 부분적으로 그 위에서 용해(melt)하도록 기판(3)을 가열시킴으로써 기판(3)에 부착될 수 있으며, 기판(3)에 본딩(bond)된다.
세정 기판(CW2)은 리소그래피에서 사용되는 표준 크기로 구성될 수 있다. 예를 들어, 세정 기판(CW2)은 200 mm 직경 또는 300 mm 직경, 또는 여하한의 다른 크기의 리소그래피 장치에서 사용되는 웨이퍼일 수 있으며, 실질적으로 원통형일 수 있다. 이는, 레지스트 층이 제공된 기판과 동일한 방식으로 세정 기판(CW2)이 리소그래피 장치 내로 로딩되고 그 주위에서 이동될 수 있도록 하기 위해서이다. 기판(3)은 여하한의 적절한 재료, 예를 들어 실리콘, 석영, 금속 등으로부터 형성될 수 있다. 스펀지 층(4)은 여하한의 다른 적절한 재료로부터 형성될 수 있다. 특히 우수한 재료는 PVA 스펀지이다. 이 종류의 스펀지는 웨팅(wet)되면 매우 부드럽게 되는 것으로 알려져 있으며, 표면들로부터 오염물을 제거하는데 뛰어나다. 스펀지 층(4)에 대한 대안적이거나 추가적인 재료는 폴리우레탄이다.
사용시, 세정 기판(CW2)은 스펀지 층(4)을 오염되는 표면과 접촉시키는 방식으로, 리소그래피 장치 및/또는 다른 툴을 통과할 수 있다. 스펀지 층(4)을 이러한 표면과 접촉시키는 것은, 표면 및/또는 세정 기판(CW2)의 이동에 의해, 또는 세정 기판(CW2)의 크기, 예를 들어 기판(3) 및/또는 스펀지 층(4)의 두께의 적절한 디자인에 의해 달성될 수 있다. 예를 들어, 리소그래피에서 사용된 종래의 기판은 약 1 mm의 두께일 수 있다. 리소그래피 장치는, 적절하다면 리소그래피 장치의 요소들과 기판 사이에 간극 정도를 제공하도록 디자인된다. 기판(3) 및/또는 스펀지 층(4)의 조합된 두께는, 스펀지 층(4)과 리소그래피 장치의 1 이상의 요소들 사이에 간극이 존재하지 않도록(즉, 스펀지 층(4)이 요소(들)에 접촉함) 0.5 mm 내지 3.5 mm일 수 있다.
도 3b는 도 3a의 세정 기판(CW2)의 사용을 도시한다. 도 3b에서, 세정 기판(CW2)이 예를 들어 도 1의 리소그래피 장치 내로 로딩된 것을 알 수 있다. 세정 기판(CW2)의 위치는 스펀지 층(4)이 침지 후드(IH)의 최저 표면과 접촉하도록 구성된다. 침지 후드(IH)에 대한 세정 기판(CW2)의 이동(또는 그 역)은 스펀지 층(4)으로 하여금 침지 후드(IH)의 최저 표면에 문지르고(rub) 그로부터 오염물을 제거하게 한다. 오염물(예를 들어, 파편 또는 입자)은 스펀지 층(4)의 표면에 부착되게 되거나, 스펀지 층(4)의 표면 또는 물체(body) 내의 기공(pore)들에 머무르게 된다. 대안적으로 또는 추가적으로, 스펀지 층(4)은 침지 후드(IH)의 최저 표면으로부터 오염물을 떼어낼 수 있다. 침지 후드(IH) 상에서 스펀지 층(4)이 사용되는 동시에 침지 후드(IH)에 의해 침지 유체가 유지되는 경우, 침지 유체는 떼어진 오염물을 씻어낼 수 있다. 스펀지 층(4)은 침지 후드(IH)에 손상을 야기하지 않도록 변형가능한 것이 바람직하다.
도 2a 및 도 3a의 세정 기판들(CW1 및 CW2) 중 하나 또는 둘 모두가 침지 후 드(IH)를 세정하는데 사용된 경우, 그것들은 이후 스테이지에서의 동일한 침지 후드(IH) 또는 또 다른 침지 후드(또는 다른 장치)를 세정하는데 재-사용될 수 있다. 재-사용되기 이전에, 침지 후드(IH)로부터 제거되고 브러시 층(2) 또는 스펀지 층(4)에 침전된 오염물은 제거되어야 한다. 이는 상기 층들(2 및 4)을 헹굼(rinse)으로써, 또는 또 다른 공정에 의해 행해질 수 있다. 대안적으로, 상기 층들(2 및 4)은 그것들을 지지하는 각 기판들로부터 없애지고(strip), 또 다른 세정 층으로 교체될 수 있다. 대안적으로, 새로운 교체 세정 기판이 사용될 수 있다. 대안적으로, 새로운 층(2 및 4)이 오염된 층 위에 포개질 수 있다.
도 2a 및 도 3a의 세정 기판들 중 하나 또는 둘 모두가 침지 후드(IH)를세정하는데 사용되기 이전에, 브러시 층(2) 또는 스펀지 층(4)은 예를 들어 초순수(ultra pure water) 등으로 웨팅될 수 있다. 상기 층들(2 및 4)을 웨팅하는 것은 그것들을 더 변형가능하게 하고, 및/또는 표면(침지 후드(IH)의 최저 표면)으로부터 오염물을 제거하는데 더 유용하게 한다.
도 2a 및 도 3a의 세정 기판들(CW1 및 CW2)은 사용시 침지 후드(IH)를 세정하는 것으로서 설명되었지만, 그 대신에 또는 추가적으로 그들 중 하나 또는 둘 모두는 또 다른 표면을 세정하는데 사용될 수 있다. 또 다른 표면의 세정은 침지 후드(IH)의 세정과 매우 동일한 방식으로 달성될 수 있다. 즉, 세정 기판(CW1 및 CW2)은 브러시 층(2) 또는 스펀지 층(4)이 표면을 문지르고 그 표면으로부터 오염물을 제거할 수 있도록 표면과 접촉되는 위치로 이동될 수 있다.
브러시 또는 스펀지 층을 포함한 도 2a 및 도 3a의 세정 기판들(CW1 및 CW2) 대신에 또는 그에 추가하여, 여하한의 적절한(변형가능한) 층 또는 다른 구조체(또는 구조체들)가 사용될 수 있다.
도 4a는 패터닝된 최상면이 제공된 기판(10)을 포함하는 세정 기판(CW3)을 도시한다. 패턴은 일련의 돌출부들(11) 및 후퇴부들(12)을 포함한다. 기판(10)은, 예를 들어 도 1의 리소그래피 장치에서 사용되는 침지 유체에 대해 웨팅을 방지(anti-wetting)하는 재료로부터 형성되거나, 돌출부들(11) 및 후퇴부들(12)이 침지 유체에 대해 웨팅을 방지하도록 처리된다.
도 4b는 또 다른 실시예를 도시한다. 도 4b는 세정 기판(CW4)을 나타낸다. 이 실시예에서, 기판(20)에는 일련의 돌출부들(21) 및 후퇴부들(22)이 제공되었다. 이 실시예에서, 일련의 돌출부들(21) 및 후퇴부들(22)에는 사용되는 침지 유체에 대해 웨팅을 방지하는 층(23)이 제공된다. 예를 들어, 상기 층(23)은 HMDS(hexamethyldisilizane) 층일 수 있다.
도 4c는 또 다른 실시예를 도시한다. 도 4c는 세정 기판(CW5)을 도시한다. 이 실시예에서, 기판(30)에는 침지 유체에 대해 웨팅을 방지하는 층(31)이 제공되었다. 상기 층(31)에 일련의 돌출부들(32) 및 후퇴부들(33)이 제공된다. 예를 들어, 상기 층(31)은 HMDS 층일 수 있다.
도 4a 내지 도 4c의 세정 기판들은 리소그래피에서 사용되는 표준 크기로 구성될 수 있다. 예를 들어, 세정 기판들은 200 mm 직경 또는 300 mm 직경, 또는 여하한의 다른 크기의 리소그래피 장치에서 사용되는 웨이퍼일 수 있으며, 실질적으로 원통형일 수 있다. 이는, 레지스트 층이 제공된 기판과 동일한 방식으로 세정 기판이 리소그래피 장치 내로 로딩되고 그 주위에서 이동될 수 있도록 하기 위해서이다.
도 4a 내지 도 4c에서, 돌출부들 및 후퇴부들은 예를 들어 에칭, 방사선으로의 노광, 또는 사용되는 재료에 적절한 여하한의 공정을 이용하는 여하한의 편리한 방식으로 형성될 수 있다. 현재, 도 1에 나타낸 바와 같은 리소그래피 장치에서 사용하기에 가장 적절한 침지 유체로서 초순수가 제안되었다. 물이 침지 유체인 경우, 앞서 설명되고 웨팅을 방지하는 것으로서 언급된 표면 또는 구조체들은 소수성(hydrophobic)일 것이다. 물론, 침지 유체가 물이 아닌 경우, 앞서 언급되고 웨팅을 방지하는 것으로서 언급된 표면 및 구조체는 대안적인 침지 유체에 대해 웨팅을 방지할 것이다.
기판들 또는 기판들 상의 층들은 본질적으로 웨팅을 방지할 수 있으며(예를 들어, HMDS가 소수성임), 또는 기판들 또는 층들이 웨팅을 방지하도록 처리될 수 있다. 예를 들어, 기판들 및/또는 층들은 웨팅을 방지하게 구성되도록 플라즈마에 노출될 수 있다.
도 4d 및 도 4e는 도 4a의 세정 기판(CW3)의 사용을 나타낸다. 하지만, 세정 기판(CW4) 및 세정 기판(CW5)이 동일한 방식으로 사용될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 도 4d는 도 1의 침지 후드(ID) 및 투영 시스템(PL)을 나타낸다. 침지 후드(IH)는 투영 시스템(PL)과 세정 기판(CW3) 사이에 전체 또는 부분적으로 침지 유체(40)를 유지한다. 세정 기판(CW3)은 침지 후드(IH)에 대해 정지 상태로 유지될 수 있으며, 또는 더 바람직하게는 침지 후드(IH)에 대해 이동될 수 있다(및/또는 침지 후드(IH)가 세정 기판(CW3)에 대해 이동됨). 침지 유체(40) 내에 위치된 작은 점들은 오염물(41)을 나타낸다. 세정 기판(CW3)의 돌출부들(11) 및 후퇴부(12)들이 웨팅을 방지하기 때문에, 침지 유체(40)가 후퇴부들(12) 내로 흘러들지 않는다는 것을 알 수 있다. 시간이 경과하면, 오염물(41)이 세정 기판(CW3)을 향해 흐르거나 떨어질 것이다. 이는 중력, 또는 반 데르 발스의 힘(van der Waals forces)과 같은 다른 힘들로 인할 수 있다.
도 4e는 오염물(41)이 세정 기판(CW3)을 향해 떨어지거나 흐른 상황을 도시한다. 오염물(41)은 세정 기판(CW3)에 부착되거나 후퇴부들(12) 내로 떨어지게 될 수 있다. 그 후, 세정 기판(CW3)이 리소그래피 장치로부터 제거될 수 있다. 세정 기판(CW3)이 이후 시간에서의 동일한 침지 후드(IH) 또는 또 다른 침지 후드(또는 다른 장치)를 세정하는데 사용될 수 있도록, 세정 기판(CW3)으로부터 오염물이 세정될 수 있다. 예를 들어 대안적으로, 그리고 세정 기판이 구성되는 방식에 의존하여, 기판 상에 증착된 층들이 오염물을 제거하도록 없애질 수 있다. 상기 층들은 교체될 수 있으며, 세정 기판은 재사용된다.
도 4a 내지 도 4c의 세정 기판들은, 사용되는 침지 유체에 대해 웨팅을 방지하는 일련의 돌출부들 및 후퇴부들이 제공되는 것으로서 설명되었다. 이는 필수적인 것은 아니다. 일 실시예에서, 돌출부들은 웨팅-방지성이고, 후퇴부들은 웨팅성일 수 있다. 또 다른 실시예에서는, 돌출부들이 웨팅성이고, 후퇴부들이 웨팅-방지성일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 돌출부들 및 후퇴부들은 모두 웨팅성일 수 있다. 요약하면, 후퇴부들 및/또는 돌출부들은, 침지 유체로부터 세정 기판으로의 전 달을 촉진하기 위해 적절히 웨팅성이거나 웨팅-방지성이어야 한다.
도 4a 내지 도 4c의 세정 기판들은 침지 후드 및/또는 침지 유체의 세정에 관하여 설명되었지만, 그것들은 다른 상황에서 사용될 수 있다. 예를 들어, 그것들은 특히 오염물이 여하한의 유체로부터 제거될 경우에 사용될 수 있다. 상기 유체는 액체 또는 가스일 수 있다.
도 5a는 세정 기판(CW6)의 평면도를 도시한다. 세정 기판(CW6)은 모자이크 패턴(51)을 갖는 기판(50)을 포함한다. 모자이크 패턴(51)은 기판(50) 내에 또는 기판 상에 바로 제공될 수 있으며, 또는 기판(50) 상에 증착된 1 이상의 층들 내에 또는 그 층들 상에 제공될 수 있다.
세정 기판(CW5)은 리소그래피에서 사용되는 표준 크기로 구성될 수 있다. 예를 들어, 세정 기판(CW5)은 200 mm 직경 또는 300 mm 직경, 또는 여하한의 다른 크기의 리소그래피 장치에서 사용되는 웨이퍼일 수 있으며, 실질적으로 원통형일 수 있다. 이는, 레지스트 층이 제공된 기판과 동일한 방식으로 세정 기판(CW5)이 리소그래피 장치 내로 로딩되고 그 주위에서 이동될 수 있도록 하기 위해서이다. 기판(50)은 여하한의 적절한 재료, 예를 들어 실리콘, 석영, 금속 등으로부터 형성될 수 있다.
도 5b는 모자이크 패턴(51)의 단면을 더 상세히 도시한다. 4 개의 개별적인 패턴부(pattern section: 51a, 51b, 51c 및 51d)가 도시되며, 이 4 개의 패턴부들은 기판(50)에 걸쳐 반복된다. 각각의 패턴부(51a, 51b, 51c 및 51d)는 특정한 성질의 오염 입자들을 끌어당기도록 디자인된다. 즉, 제 1 패턴부(51a)는 양전하의 입자들을 끌어당기도록 배치될 수 있다. 제 2 패턴부(51b)는 음전하의 입자들을 끌어당기도록 배치될 수 있다. 제 3 패턴부(51c)는 극성 성질(polar nature)의 입자들을 끌어당기도록 배치될 수 있다. 제 4 패턴부(51d)는 무극성 성질의 입자들을 끌어당기도록 배치될 수 있다. 패턴부들(51a, 51b, 51c 및 51d)은 전하들 및 양극성들의 조합 중 하나를 갖는 오염물을 끌어당기도록 배치될 수 있다. 제 1 패턴부(51a)는 양전하를 갖는 극성 오염물을 끌어당기도록 배치될 수 있다. 제 2 패턴부(51b)는 음전하를 갖는 극성 오염물을 끌어당기도록 배치될 수 있다. 제 3 패턴부(51c)는 양전하를 갖는 무극성 오염물을 끌어당기도록 배치될 수 있다. 제 4 패턴부(51d)는 음전하를 갖는 무극성 오염물을 끌어당기도록 배치될 수 있다. 패턴부들은 제타 전위 효과(zeta potential effect)의 이점을 취함으로써 중성(neutral)(즉, 고유 전하를 갖지 않음) 오염물을 끌어당길 수 있으며, 이때 고유 전하를 갖지 않는 오염물은 오염물이 침지되어 있는 유체에 의해 영향을 받는(impact) 음 또는 양의 표면 전하를 취할 수 있다. 물에서는, 예를 들어 이온 타입 및 농도, 및 더 특정하게는 산성 또는 알칼라성 성질(즉, pH 값)이 제타 전위에 영향을 끼친다.
패턴부들은 원하는 성질의 입자들을 끌어당기기 위해 여하한의 적절한 재료로부터 형성될 수 있다(또는 여하한의 적절한 방식으로 처리될 수 있다). 예를 들어, 제 1 패턴부(51a)는 배어 실리콘(bare silicon)(예를 들어, 기판(50) 자체의 노출된 구역)일 수 있다. 이 부분은 음전하를 가질 것이며, 극성 표면일 것이다. 그러므로, 그것은 양전하를 갖는 극성 오염물을 끌어당길 것이다. 제 2 패턴 부(51b)는 아민 기능화된 실리콘(amine functionalized silicon)일 수 있다. 이 부분은 양전하를 가질 것이며, 극성 표면일 것이다. 그러므로, 이 부분은 음전하를 갖는 극성 오염물을 끌어당길 것이다. 제 3 패턴부(51c)는 HMDS 처리된 실리콘일 수 있다. 그러므로, 이 부분은 음전하를 가질 것이며, 무극성 표면일 것이다. 그러므로, 이 부분은 양전하를 갖는 무극성 오염물을 끌어당길 것이다. 제 4 패턴부(51d)는 HMDS 처리된 실리콘을 포함할 수 있으며, 이는 아민 기능화되었다. 그러므로, 이 부분은 양전하 및 무극성 표면을 가질 것이다. 그러므로, 이는 음전하를 갖는 무극성 오염물을 끌어당길 것이다.
제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 패턴부들(51a, 51b, 51c 및 51d)은 여하한의 적절한 방식으로, 예를 들어 모자이크(예를 들어, 바둑판) 패턴, 링들, 링 세그먼트(ring segment)들, 동심 링(concentric ring)들의 어레이, 기판(50)에 걸쳐 진행하는 리니어 스트립(linear strip)들의 어레이 또는 여하한의 알맞은 패턴으로 배치될 수 있다.
도 5c는 도 1의 리소그래피 장치의 침지 후드(IH) 및 투영 시스템(PL)을 나타낸다. 침지 후드(IH)는 투영 시스템(PL)과 세정 기판(CW6) 사이에 전체 또는 부분적으로 침지 유체(60)를 유지한다. 침지 유체(60)는 오염물(61)을 포함한다는 것을 알 수 있다. 큰 영역의 패턴(51)을 침지 후드(IH) 및 침지 유체(60)에 노출하기 위해, 세정 기판(CW6)이 침지 후드(IH) 및 침지 유체(60)에 대해 이동되는 것(및/또는 그 역)이 바람직하다.
도 5d는 침지 유체(60) 및 그것이 포함하는 오염물(61)이 세정 기판(CW6)과 인접하여 있는 경우에 시간이 지나 무슨 일이 생기는지를 나타낸다. (도 5a 및 도 5b에 관하여 설명된) 패턴 표면(51)의 성질로 인해 오염물이 패턴 표면(51)으로 끌어 당겨졌다는 것을 알 수 있다. 세정 기판(CW6)은 시간 주기 이후에 침지 유체(60) 및 침지 후드(IH) 부근으로부터 제거될 수 있다. 그 후, 세정 기판(CW6)은 그 패턴 표면(51)으로부터 오염물(61)을 제거하도록 세정될 수 있다. 예를 들어, 세정 공정은 패턴 표면으로부터 오염물을 제거할 수 있으며, 또는 대안적으로 패턴 표면(51) 자체를 제거할 수 있다. 패턴 표면은, 적절하다면 기판(50)에 재적용될 수 있으며, 또는 또 다른 세정 기판이 사용될 수 있다.
반드시 4 개의 상이한 반복 패턴부들을 가질 필요는 없다. 상이한 전기 특성들(예를 들어, 전하 및 양극성)을 갖는 2 개의 패턴부가 사용될 수 있으며, 또는 심지어 3 개의 패턴부가 사용될 수도 있다. 패턴부들의 개수는 리소그래피 장치(또는 다른 툴들)에서 사용되는 유체 또는 표면들로부터 제거되도록 의도되는 오염물에 의존할 수 있다.
세정 기판에 상이한 전기적 특성들을 갖는 모자이크 패턴(51)을 제공하는 대신에, 다수 기판들을 이용하여 동일한 일반적인 원리가 적용될 수 있다. 예를 들어, 단일 기판에 상이한 전기적 특성들을 갖는 복수의 패턴부들이 제공되는 대신에, 기판에는 단지 전기적 특성들의 단일 조합을 갖는 부분만이 제공될 수 있다. 복수의 기판들에는 각각 전기적 특성들의 상이한 세트, 또는 전기적 특성들의 조합을 갖는 단일 부분이 제공될 수 있다. 이 기판들은, 예를 들어 침지 후드 및/또는 침지 유체를 세정하기 위해 리소그래피 장치로 연속하여 통과될 수 있다. 예를 들 어, 제 1 기판에는 앞서 설명된 배어 실리콘 표면이 제공될 수 있다. 제 2 기판에는 앞서 설명된 아민 기능화된 실리콘 표면이 제공될 수 있다. 제 3 기판에는 앞서 설명된 HMDS 처리된 실리콘 층이 제공될 수 있다. 제 4 기판에는 앞서 설명된 아민 기능화된 HMDS 처리된 실리콘 층이 제공될 수 있다. 침지 후드 및/또는 침지 유체를 세정하기 위해 이 복수의 기판들을 이용하는 공정이 수행될 것이지만, 가장 효율적인 방법은 아닐 수 있다. 예를 들어, 상이한 기판들은 상기 장치를 세정하기 위해 연속하여 상기 장치를 통과해야 할 반면, 도 5a 및 도 5b에 관하여 설명된 기판은 상이한 전기적 특성들을 갖는 복수의 부분들이 제공되기 때문에 단지 한 번만 상기 장치를 통과하면 될 수 있다. 따라서, 상이한 성질들의 오염물을 끌어당기기 위해 각각 상이한 전기적 특성들을 갖는 2 이상의 부분들을 갖는 기판을 이용하여, 리소그래피 장치로부터의 오염물의 제거가 더 신속하게 달성될 수 있다.
앞서 언급된 세정 기판들 모두는 세정 기판들로서 특정하게, 그리고 단독으로 사용될 수 있다. 하지만, 이 기판들은 다른 목적들 및/또는 기능들을 가질 수도 있다. 예를 들어, 앞서 설명된 세정 기능은 통상적으로 척(chuck) 온도 제어, 또는 여하한의 다른 목적에 사용되는 기판 내로 도입될 수 있다. 예를 들어, 앞서 설명된 세정 특성들은 리소그래피 장치의 기판 테이블, 지지 구조체 등을 정렬하는데 사용되는 기준 기판에 도입될 수 있다.
앞서 설명된 세정 기판들은 언제라도 적절한 경우에 사용될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 세정 기판들은 레지스트로 덮인 기판의 각각의 노광 및 모든 노광 이전에 사용될 수 있다. 하지만, 이는 스루풋이 악영향을 받을 수 있기 때문에 이상적이지 않을 수 있다. 레지스트로 덮인 기판들의 (예를 들어, 뱃치(batch))의 로트(lot)가 방사선 빔에 노출되기 이전에, 앞서 설명된 기판들 중 1 이상을 이용한 세정 공정을 착수하는 것이 더 바람직하다.
앞서 이미 설명된 바와 같이, 세정 기판들은 예를 들어 오염된 세정 기판의 층들을 없애는 단계 등을 수반할 수 있는 적절한 세정 이후에 재사용될 수 있다. 대안적으로, 세정 기판들은 버려질 수 있으며, 새로운 세정 기판이 리소그래피 장치의 일부분을 세정하는데 사용될 수 있다. 대안적으로, 세정 기판 상의 기존 오염된 층 등의 위에 새로운 층 등이 제공될 수 있다.
앞서 설명된 실시예에서, 돌출부들 및 후퇴부들은 균일한 것으로서 도면들에 도시된다. 이는 필수적이지 않으며, 돌출부들 및 후퇴부들은 기판의 표면에 걸친 높이 및 깊이에 있어서 다양할 수 있다. 상이한 높이의 돌출부들 및 후퇴부들을 갖는 것은 침지 유체 또는 공기의 난류(turbulent flow)를 증가시켜, 침지 유체 또는 표면들로부터의 오염물 제거에 대한 효율성을 증가시킬 수 있다. 돌출부들의 높이 또는 후퇴부들의 깊이는, 돌출부들 및/또는 후퇴부들이 구조적으로 불안정하게 구성되지 않아야 한다. 일반적인 규칙으로서, 돌출부 또는 후퇴부를 형성하는데 사용된 피처는 상기 피처의 폭의 5 배 이상이면 안 된다. 돌출부들 및 후퇴부들의 피치(pitch)는 돌출부의 폭에 인접한 후퇴부의 폭을 더한 것으로서 정의된다. 상기 피치는 50 nm와 1000 nm 사이에서 변할 수 있다. 피치는 후퇴부들 내의 오염물의 침전(또는, 다른 말로 수집)을 우선적으로 돕도록(favour) 변화될 수 있다. 또한, 기둥 모양(column-like)의 후퇴부들 및 돌출부들의 사용이 필수적이지 않다는 것을 이해할 것이다. 돌출부들 및 후퇴부들은 오염물을 유지할 수 있는 어떠한 것이라도 될 수 있다. 예를 들어, 돌출부들 및 후퇴부들은 예를 들어 화학 또는 기계적 연마(polishing)를 이용하여 기판의 표면을 스크래칭(scratch)하는 것으로부터 형성될 수 있다. 패턴이 규칙적일 필요는 없으며, 침지 유체 및/또는 공기의 난류를 증가시켜 오염물 제거의 효율성을 증가시킬 수 있다는 점에서 불규칙한 패턴이 요구될 수 있다.
어느 한 때에, 또는 연속하여 1 이상의 세정 기판이 사용될 수 있다. 예를 들어, 리소그래피 장치의 한 부분에서 하나의 세정 기판이 사용되는 경우에, 리소그래피 장치의 또 다른 부분에서 또 다른 기판이 사용될 수 있다. 예를 들어, 리소그래피 장치가 하나의 기판을 방사선에 노광함으로써 수행될 수 있는 한편, 또 다른 기판이 그 토포그래피를 결정하도록 스캐닝된다. 세정 기판은 이 2 개의 스테이지 내의, 그리고 그 주위의 영역들을 세정하는데 사용될 수 있다.
본 명세서에서 설명된 세정 기판들 중 1 이상의 1 이상의 실시형태는 단일 기판 상에 조합하여 사용될 수 있다. 예를 들어, 세정 기판은 브러시 층 및 스펀지 층을 포함할 수 있으며, 또는 세정 기판은 브러시의 층 및 앞서 설명된 돌출부들 및 후퇴부들의 구성을 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 세정 기판들은 기판의 하나의 면 상에 세정 기능을 갖는 것으로 대부분 도시되었다. 세정 기능은 또 다른 세정(예를 들어, 침지 후드(IH) 및 침지 후드(IH)를 세정하도록 세정 기판이 지지되는 기판 테이블(WT)의 동시 세정)을 제공하기 위해, 또는 사용 이후에 표면이 오염되는 경우 세정하는데 사용될 "오염되지 않은" 다른 표면을 제공하기 위해 기판 의 1 이상의 다른 면들 상에 제공될 수 있다.
앞서 언급된 바와 같이, 설명된 세정 기판들은 리소그래피 장치의 여하한의 적절한 표면을 세정하는데 사용될 수 있다. 세정 기판들은 심지어 리소그래피 분야 이외에도 사용될 수 있다. 하지만, 앞서 언급된 세정 기판들은 리소그래피, 특히 침지 후드 및/또는 침지 유체가 상당한 문제이고, 더 감소하는 노광 파장들의 사용과 함께 앞으로 증가할 문제인 침지 리소그래피에서 사용하기에 적절하다. 리소그래피에서 사용되는 장치를 세정하는데 세정 기판을 이용하는 것의 주목할 만한 장점은, 상기 장치가 이미 기판들을 핸들링하도록 구성되어 있다는 것이다. 이는, 상기 장치를 개방하거나 전체 또는 부분적으로 해체할 필요 없이도 세정 기판에 의해 상기 장치가 세정될 수 있다는 것을 의미하며, 그렇지 않은 경우 이는 상기 장치에 또 다른 오염물이 들어오게 할 수 있다.
이상 본 발명의 특정 실시예들이 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 상기 서술내용은 본 발명을 제한하려는 것이 아니다.
이하 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 및 그 기판의 사용을 도시하는 도면;
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 및 그 기판의 사용을 도시하는 도면;
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판들 및 그 기판들의 사용들을 도시하는 도면; 및
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 및 그 기판의 사용을 도시하는 도면이다.
Claims (63)
- 리소그래피에서 사용되는 장치로부터 오염물(contamination)을 제거하는 방법에 있어서:상기 장치로 기판을 로딩(load)하는 단계- 상기 기판은 단단한(rigid) 지지층 및 상기 단단한 지지층 상에 제공된 변형가능한 층을 포함함 -;상기 기판의 변형가능한 층을 오염물이 제거될 상기 장치의 표면과 접촉시키는 단계;제거를 위한 상기 표면으로부터 오염물을 떼어내기(dislodge) 위해, 오염물이 제거될 상기 기판의 표면과 상기 변형가능한 층 간의 상대 이동을 도입하는 단계; 및상기 떼어진 오염물을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 변형가능한 층은 상기 떼어진 오염물의 전체 또는 일부분을 유지(retain)하는 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 기판은 상기 떼어진 오염물의 일부분을 제거하기 위해 상기 장치로부터 언로딩(unload)되는 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 떼어진 오염물의 전체 또는 일부분은 유체를 이용하여 제거되는 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 유체는 침지 유체인 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 장치는 리소그래피 장치의 침지 후드(immersion hood)인 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
- 리소그래피에서 사용되는 장치로부터 오염물을 제거하기에 적절한 기판에 있어서,상기 기판은 상기 리소그래피 장치에 의해 핸들링(handling)하기에 적절하도록 치수화되고,단단한 지지층; 및상기 단단한 지지층 상에 제공된 변형가능한 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 7 항에 있어서,상기 변형가능한 층은 복수의 브러시(brush)들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 7 항에 있어서,상기 변형가능한 층은 복수의 섬유들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 7 항에 있어서,상기 변형가능한 층은 스펀지(sponge)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 7 항에 있어서,상기 변형가능한 층은 폴리비닐알코올 스펀지(polyvinyl alcohol sponge)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 7 항에 있어서,상기 변형가능한 층은 접착제를 이용하여 상기 단단한 지지층 상에 부착되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 7 항에 있어서,상기 변형가능한 층은 상기 단단한 지지층에 융합(fuse)되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 7 항에 있어서,상기 기판은 실질적으로 원통형인 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 7 항에 있어서,상기 기판은 약 200 mm의 직경 또는 약 300 mm의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 7 항에 있어서,상기 기판의 깊이는 약 0.5 mm 내지 약 3.5 mm의 범위로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 7 항에 있어서,상기 단단한 지지층은 석영, 실리콘 또는 금속으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 리소그래피에서 사용되는 장치에 의해 전체 또는 부분적으로 포함된 유체로부터 오염물을 제거하는 방법에 있어서:상기 장치로 기판을 로딩하는 단계- 상기 기판은 일련의 돌출부(protrusion)들 또는 후퇴부(recess)들을 포함하고, 상기 일련의 돌출부들 또는 후퇴부들은 상기 유체로부터 세정 기판(cleaning substrate)으로의 오염물의 전달을 촉진하도록 상기 유체에 대해 웨팅성(wetting)이거나 웨팅-방지성(anti-wetting)임 -;오염물이 상기 유체로부터 제거되고 상기 돌출부 상에 또는 상기 후퇴부 내에 침전되도록, 상기 기판을 오염물이 제거될 상기 유체와 근접시키는 단계; 및상기 장치로부터 상기 기판을 언로딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 기판과 오염물이 제거될 상기 유체 간의 상대 이동을 도입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 장치는 리소그래피 장치의 침지 후드인 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 유체는 침지 유체인 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
- 리소그래피 장치에서 사용되는 장치에 의해 전체 또는 부분적으로 포함된 유체로부터 오염물을 제거하기에 적절한 기판에 있어서,상기 기판은 상기 리소그래피 장치에 의해 핸들링하기에 적절하도록 치수화되고, 상기 기판은 상기 유체로부터 세정 기판으로의 오염물의 전달을 촉진하도록 상기 유체에 대해 웨팅성이거나 웨팅-방지성인 일련의 돌출부들 또는 후퇴부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 22 항에 있어서,상기 기판은 웨팅-방지성 또는 웨팅성인 재료로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 22 항에 있어서,상기 돌출부들 또는 후퇴부들에는 웨팅-방지성 또는 웨팅성 코팅이 제공되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 22 항에 있어서,상기 기판에는 상기 일련의 돌출부들 또는 후퇴부들을 형성하도록 처리된 웨팅-방지성 또는 웨팅성 재료층이 제공되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 22 항에 있어서,상기 일련의 돌출부들 또는 후퇴부들은 침지 유체에 대해 웨팅-방지성 또는 웨팅성인 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 22 항에 있어서,상기 일련의 돌출부들 또는 후퇴부들은 소수성(hydrophobic) 또는 친수성(hydrophilic)인 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 22 항에 있어서,상기 기판은 일련의 후퇴부들 및 돌출부들을 포함하고, 상기 후퇴부들 및 돌출부들은 상기 유체에 대해 웨팅-방지성인 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 22 항에 있어서,상기 기판은 일련의 후퇴부들 및 돌출부들을 포함하고, 상기 후퇴부들 및 돌출부들은 상기 유체에 대해 웨팅성인 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 22 항에 있어서,상기 기판은 일련의 후퇴부들 및 돌출부들을 포함하고, 상기 후퇴부들은 상기 유체에 대해 웨팅성이며, 상기 돌출부들은 상기 유체에 대해 웨팅-방지성인 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 22 항에 있어서,상기 기판은 일련의 후퇴부들 및 돌출부들을 포함하고, 상기 후퇴부들은 상기 유체에 대해 웨팅-방지성이며, 상기 돌출부들은 상기 유체에 대해 웨팅성인 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 22 항에 있어서,상기 일련의 돌출부들은 상이한 높이들의 돌출부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 22 항에 있어서,상기 일련의 후퇴부들은 상이한 깊이들의 후퇴부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 22 항에 있어서,상기 일련의 돌출부들 또는 후퇴부들은 상기 기판에 걸쳐 규칙적인 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 22 항에 있어서,상기 일련의 돌출부들 또는 후퇴부들은 상기 기판에 걸쳐 불규칙한 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 22 항에 있어서,상기 기판은 실질적으로 원통형인 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 22 항에 있어서,상기 기판은 약 200 mm의 직경 또는 약 300 mm의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 22 항에 있어서,상기 기판의 깊이는 약 0.5 mm 내지 약 3.5 mm의 범위로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 리소그래피에서 사용되는 장치로부터 오염물을 제거하는 방법에 있어서:기판 상으로 오염물을 끌어당기기 위해, 상기 장치로 상기 기판을 로딩하는 단계- 상기 기판은 오염물을 끌어당기도록 구성된 제 1 구역 및 제 2 구역을 포함하고, 상기 제 2 구역은 상기 제 1 구역에 대해 상이한 양극성(polarity) 또는 전하(electrical charge)를 가지며, 상기 제 1 및 제 2 구역들은 각각:극성(polar) 및 양전하,극성 및 음전하,무극성(apolar) 및 양전하, 또는무극성 및 음전하 중 하나임 -; 및상기 장치로부터 상기 기판을 언로딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
- 제 39 항에 있어서,상기 오염물은 상기 장치에 의해 전체 또는 부분적으로 포함된 유체로부터 제거될 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
- 제 40 항에 있어서,상기 기판을 오염물이 제거될 상기 유체와 근접시키거나 접촉시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
- 제 41 항에 있어서,상기 기판과 오염물이 제거될 상기 유체 간의 상대 이동을 도입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
- 제 39 항에 있어서,상기 장치는 리소그래피 장치의 침지 후드인 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
- 제 40 항에 있어서,상기 유체는 침지 유체인 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
- 리소그래피에서 사용되는 장치로부터 오염물을 제거하기에 적절한 기판에 있어서,상기 기판은 상기 리소그래피 장치에 의해 핸들링하기에 적절하도록 치수화되고,오염물을 끌어당기도록 구성된 제 1 구역 및 제 2 구역을 포함하며, 상기 제 2 구역은 상기 제 1 구역에 대해 상이한 양극성 또는 전하를 갖고, 상기 제 1 및 제 2 구역들은 각각:극성 및 양전하,극성 및 음전하,무극성 및 양전하, 또는무극성 및 음전하 중 하나인 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 45 항에 있어서,상기 제 1 구역 및 상기 제 2 구역은 상기 기판에 걸쳐 반복되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 45 항에 있어서,상기 기판은 상기 제 1 구역 및 상기 제 2 구역에 대해 상이한 양극성 또는 전하를 갖는 제 3 구역을 포함하고, 상기 제 3 구역은:극성 및 양전하,극성 및 음전하,무극성 및 양전하, 또는무극성 및 음전하 중 하나인 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 47 항에 있어서,상기 제 1 구역, 상기 제 2 구역 및 상기 제 3 구역은 상기 기판에 걸쳐 반복되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 45 항에 있어서,상기 기판은 상기 제 1 구역, 상기 제 2 구역 및 상기 제 3 구역에 대해 상이한 양극성 또는 전하를 갖는 제 4 구역을 포함하고, 상기 제 4 구역은:극성 및 양전하,극성 및 음전하,무극성 및 양전하, 또는무극성 및 음전하 중 하나인 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 49 항에 있어서,상기 제 1 구역, 상기 제 2 구역, 상기 제 3 구역 및 상기 제 4 구역은 상기 기판에 걸쳐 반복되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 45 항에 있어서,상기 제 1 구역 및 상기 제 2 구역은:바둑판 패턴, 동심 링(concentric ring)들의 어레이, 링들의 어레이, 링 세그먼트(ring segment)들의 어레이, 리니어 스트립(linear strip)들의 어레이 중 하나를 형성하는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 45 항에 있어서,극성 및 양전하 구역은 아민 기능화된 실리콘(amine functionalized silicon) 표면에 의해 제공되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 45 항에 있어서,극성 및 음전하 구역은 실리콘 표면에 의해 제공되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 45 항에 있어서,무극성 및 양전하 구역은 아민 기능화된 HMDS(hexamethyldisilizane) 처리된 실리콘 표면에 의해 제공되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 제 45 항에 있어서,무극성 및 음전하 구역은 HMDS(hexamethyldisilizane) 처리된 실리콘 표면에 의해 제공되는 것을 특징으로 하는 기판.
- 리소그래피에서 사용되는 장치로부터 오염물을 제거하는 방법에 있어서:제 1 기판 상으로 오염물을 끌어당기기 위해, 상기 장치로 상기 제 1 기판을 로딩하는 단계- 상기 제 1 기판은 오염물을 끌어당기도록 구성된 구역을 포함하고,극성 및 양전하,극성 및 음전하,무극성 및 양전하, 또는무극성 및 음전하 중 하나임 -;상기 장치로부터 상기 제 1 기판을 언로딩하는 단계;제 2 기판 상으로 오염물을 끌어당기기 위해, 상기 장치로 상기 제 2 기판을 로딩하는 단계- 상기 제 2 기판은 오염물을 끌어당기도록 구성된 구역을 포함하고, 상기 제 1 기판의 구역에 대해 상이한 양극성 또는 전하를 가지며,극성 및 양전하,극성 및 음전하,무극성 및 양전하, 또는무극성 및 음전하 중 하나임 -; 및상기 장치로부터 상기 제 2 기판을 언로딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
- 제 56 항에 있어서,제 3 기판 상으로 오염물을 끌어당기기 위해, 상기 장치로 상기 제 3 기판을 로딩하는 단계- 상기 기판은 오염물을 끌어당기도록 구성된 구역을 포함하고, 상기 제 1 기판의 구역 및 상기 제 2 기판의 구역에 대해 상이한 양극성 또는 전하를 가지며, 상기 제 3 기판의 구역은극성 및 양전하,극성 및 음전하,무극성 및 양전하, 또는무극성 및 음전하 중 하나임 -; 및상기 장치로부터 상기 제 3 기판을 언로딩하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
- 제 57 항에 있어서,제 4 기판 상으로 오염물을 끌어당기기 위해, 상기 장치로 상기 제 4 기판을 로딩하는 단계- 상기 기판은 오염물을 끌어당기도록 구성된 구역을 포함하고, 상기 제 1 기판의 구역, 상기 제 2 기판의 구역 및 상기 제 3 기판의 구역에 대해 상이한 양극성 또는 전하를 가지며, 상기 제 4 기판의 구역은극성 및 양전하,극성 및 음전하,무극성 및 양전하, 또는무극성 및 음전하 중 하나임 -; 및상기 장치로부터 상기 제 4 기판을 언로딩하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
- 제 56 항에 있어서,상기 오염물은 상기 장치에 의해 전체 또는 부분적으로 포함된 유체로부터 제거될 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
- 제 59 항에 있어서,상기 기판을 오염물이 제거될 상기 유체와 근접시키거나 접촉시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
- 제 59 항에 있어서,상기 기판과 오염물이 제거될 상기 유체 간의 상대 이동을 도입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
- 제 56 항에 있어서,상기 장치는 리소그래피 장치의 침지 후드인 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
- 제 59 항에 있어서,상기 유체는 침지 유체인 것을 특징으로 하는 오염물 제거 방법.
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| DE19963124A1 (de) * | 1999-12-24 | 2001-07-12 | Roland Man Druckmasch | Reinigungsmedium und dessen Verwendung |
| AU784574B2 (en) * | 2000-05-04 | 2006-05-04 | Qunano Ab | Nanostructures |
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| JP3981246B2 (ja) * | 2001-05-02 | 2007-09-26 | 日東電工株式会社 | クリーニングシ―ト、クリーニング機能付き搬送部材、及びこれらを用いた基板処理装置のクリーニング方法 |
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| US7135728B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-11-14 | Nanosys, Inc. | Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor |
| JP4052966B2 (ja) * | 2003-03-24 | 2008-02-27 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | ウェハ検査装置およびその検査方法 |
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