KR20210107694A - 리소그래피 시스템에서 지지 구조물을 세정하기 위한 장치 및 방법 - Google Patents

리소그래피 시스템에서 지지 구조물을 세정하기 위한 장치 및 방법 Download PDF

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KR20210107694A
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에이에스엠엘 홀딩 엔.브이.
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Abstract

EUV 또는 DUV 포토리소그래피 시스템에서 레티클 또는 웨이퍼 스테이지와 같은 리소그래피 지지체의 작업면으로부터 오염물을 제거하는 장치 및 방법으로서, 기판을 지지하는 베이스에는 이 베이스의 중앙부를 향해 더 두껍도록 된 표면 프로파일이 제공되므로 베이스에 의해 지지되는 기판은 작업면과 베이스 사이에서 압축되고 오염물은 작업면으로부터 기판으로 이동된다.

Description

리소그래피 시스템에서 지지 구조물을 세정하기 위한 장치 및 방법
관련 출원의 상호 참조
본 출원은 미국 가특허출원 제 62/786,161 호의 우선권을 주장하며, 이것은 원용에 의해 그 전체가 본원에 포함된다.
본 개시는 포토리소그래피 장치에서 레티클, 마스크, 웨이퍼, 또는 기타 기판을 파지하는 데 사용되는 디바이스의 세정에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 반도체 재료의 웨이퍼와 같은 기판 상에 원하는 패턴을 적용한다. 마스크 또는 레티클과 같은 패터닝 디바이스를 사용하여 웨이퍼의 개별 층 상에 형성되는 회로 패턴을 생성할 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선 감응성 재료(레지스트)의 층 상으로의 이미징에 의해 달성된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 패터닝되는 인접한 목표 부분들을 포함한다.
리소그래피 장치는, 예를 들면, 정전기 또는 다른 클램핑 기술을 사용하여 패터닝 디바이스를 파지하도록 구성된 작업면을 갖는 지지 구조물(예를 들면, 레티클 클램프)을 포함한다. 이 지지 구조물은 웨이퍼의 대응 부분을 지지하도록 구성된 버얼(burl)을 포함할 수 있다. 패터닝 디바이스에 면하는 버얼의 각각의 표면은 나노미터 정도의 치수를 갖는 패터닝된 범프(bump)의 형태를 포함할 수 있다. 이들 범프를 본 명세서에서는 나노범프라 부른다. 나노범프에는 패터닝 디바이스와 버얼 사이의 감소된 접촉면적이 형성되어 있다. 접촉 면적이 감소되면 패터닝 디바이스와 버얼 사이의 점착 효과가 경감되고, 클램핑 프로세스 중의 마찰이 변화된다.
사용 중, 레티클 클램프의 전면 작업면은 입자상 물질로 오염될 수 있다. 이 오염이 처리되지 않으면, 입자가 패터닝 디바이스로 이동하고, 웨이퍼로의 패턴의 전사에 결함이 생기고, 그 결과 얻어진 디바이스에 결함을 초래할 수 있다. 축적된 오염물질은 작업 환경으로부터 작업면을 취출(시프트 아웃)하고, 화학물질을 사용하여 오염물질을 용해함으로써 작업면을 "습식 세정(wet clean)"함으로써 제거될 수 있다. 그러나, 이러한 단계들과 수반되는 다운타임을 피하고, 대신에 인시튜(in-situ)로 작업면을 세정할 수 있는 것이 바람직하다.
다음은 실시형태의 기본적인 이해를 제공하기 위해 하나 이상의 실시형태의 단순화된 요약을 제시한다. 이 요약은 모든 고려된 실시형태의 광범위한 개관이 아니며, 모든 실시형태의 핵심적이거나 중요한 요소를 특정하거나 임의의 실시형태 또는 모든 실시형태의 범위를 기술하는 것을 의도하지 않는다. 이것의 유일한 목적은 후술되는 보다 상세한 설명의 서두로서 간략화된 형태로 하나 이상의 실시형태의 일부의 개념을 제시하는 것이다.
일 실시형태의 일 양태에 따르면, 세정 기판은 상방으로 볼록한 만곡부(중앙이 주변보다 높음)를 구비하므로 세정 기판과 레티클 클램프 사이의 계면에 더 큰 기계적 힘이 가해져서 레티클 클램프의 작업면의 세정을 촉진한다.
본 발명의 추가의 특징 및 장점, 뿐만 아니라 본 발명의 다양한 실시형태의 구조 및 작용을 첨부한 도면을 참조하여 아래에서 상세히 설명한다. 본 발명은 본 명세서에 기재된 특정 실시형태에 제한되지 않음에 주의한다. 이러한 실시형태는 예시의 목적만을 위해 본 명세서에 제공된다. 추가의 실시형태는 본 명세서에 포함된 교시에 기초하여 당업자에게 명백할 것이다.
본 명세서에 포함되고, 본 명세서의 일부를 형성하는 첨부 도면은 본 발명을 예시하고, 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명하고, 당업자가 본 발명을 실시하고 사용하는 것을 가능하게 하는 역할을 한다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 리소그래피 장치를 도시한다.
도 2는 레티클과 레티클 클램프의 비축척도이다.
도 3은 일 실시형태의 일 양태에 따른 레티클과 레티클 클램프의 비축척도이다.
도 4a 및 도 4b는 일 실시형태의 일 양태에 따른 레티클 교환 디바이스용 베이스의 비축척 평면도이다.
도 5는 일 실시형태의 일 양태에 따른 레티클과 레티클 클램프의 비축척도이다.
도 6은 일 실시형태의 일 양태에 따른 레티클과 레티클 클램프의 비축척도이다.
도 7은 일 실시형태의 일 양태에 따른 레티클과 레티클 클램프의 비축척도이다.
도 8a 및 도 8b는 일 실시형태의 일 양태에 따라 작업면으로부터 오염물을 제거하기 위한 세정 기판의 사용을 예시하는 비축척도이다.
도 9는 일 실시형태의 일 양태에 따라 작업면으로부터 오염물을 제거하기 위한 세정 기판의 사용 결과를 예시하는 비축척도이다.
도 10는 일 실시형태의 일 양태에 따라 작업면으로부터 오염물을 제거하기 위한 프로세스를 예시하는 흐름도이다.
도 11은 일 실시형태의 일 양태에 따라 작업면으로부터 오염물을 제거하기 위한 프로세스를 예시하는 흐름도이다.
본 발명의 특징 및 장점은 도면과 관련하여 아래에서 설명된 상세한 설명으로부터 명백해질 것이며, 도면에서 동일한 참조 문자는 전체에 걸쳐 대응하는 요소를 식별한다. 도면에서 동일한 참조 번호는 일반적으로 동일한, 기능적으로 유사한, 및/또는 구조적으로 유사한 요소를 나타낸다.
본 명세서는 본 발명의 특징을 포함하는 하나 이상의 실시형태를 개시한다. 개시된 실시형태(들)은 본 발명을 단지 예시하는 것이다. 본 발명의 범위는 개시된 실시형태(들)에 한정되지 않는다. 본 발명은 본 명세서에 첨부된 청구범위에 의해 정의된다.
기재된 실시형태(들) 및 본 명세서에서 언급된 "일 실시형태", "실시형태", "예시적 실시형태" 등은 기재된 실시형태(들)이 특정의 특징, 구조, 또는 특성을 포함할 수 있으나 모든 실시형태가 반드시 특정의 특징, 구조, 또는 특성을 포함하는 것은 아닐 수도 있다는 것을 나타낸다. 또한, 이러한 어구가 반드시 동일한 실시형태를 지칭하는 것은 아니다. 또한, 특정의 특징, 구조, 또는 특성이 일 실시형태와 관련하여 설명되는 경우, 명시적으로 설명되어 있는지의 여부에 무관하게 다른 실시형태와 관련하여 이와 같은 특징, 구조 또는 특성을 달성하는 것은 당업자의 지식의 범위 내에 있다는 것이 이해된다.
이하의 설명 및 청구범위에서, "상", "하", "상면", "저면", "수직", "수평" 등의 용어가 사용될 수 있다. 이들 용어는 상대적인 배향을 나타내는 것을 목적으로 할 뿐 중력을 기준으로 하는 배향을 나타내지 않는다. 유사하게, 좌, 우, 전방, 후방 등의 용어는 단지 상대적 배향을 부여하기 위한 것이다.
실시형태를 더 상세히 설명하기 전에, 본 발명의 실시형태가 구현될 수 있는 예시적인 환경을 제시하는 것이 유익하다.
도 1을 참조하면, 포토리소그래피 시스템(100)은 조명 시스템(105)을 포함한다. 이 조명 시스템(105)은 펄스형 광빔(110)을 생성하여 이것을 포토리소그래피 노광 장치 또는 스캐너(115)로 지향시키는 광원을 포함한다. 스캐너(115)는 지지 구조물(117) 상의 패터닝 디바이스(116), 예를 들면, 마스크 또는 레티클을 포함한다. 패터닝 디바이스(116)는 빔(110)에 전송되어 패턴화 빔(119)를 생성하는 패턴을 구비하며, 이 패턴화 빔은 웨이퍼(120) 상에 미세전자 피처를 패터닝한다. 웨이퍼(120)는 이 웨이퍼(120)를 유지하도록 구성된, 그리고 특정 파라미터에 따라 웨이퍼(120)를 정확하게 위치시키도록 구성된 포지셔너(positioner)에 연결된 웨이퍼 테이블(125) 상에 배치된다.
이 포토리소그래피 시스템(100)은 심자외선(DUV) 범위의 파장, 예를 들면, 248 나노미터(nm) 또는 193 nm의 파장을 갖는 광빔(110)을 사용할 수 있다. 웨이퍼(120) 상에 패터닝된 마이크로일렉트로닉 피처의 크기는 광빔(110)의 파장에 의존하며, 파장이 작을수록 최소 피처 크기가 더 작아진다. 대안적으로, 포토리소그래피 시스템(100)은 스펙트럼의 극자외선(EUV) 부분의 파장을 갖는 광빔(110), 예를 들면, 약 50 nm 이하(때때로 소프트 X선이라고도 함)의 파장을 갖는 그리고 약 13.5 nm의 파장의 광을 포함하는 전자기 방사선을 사용할 수 있다. 본 명세서 내의 이 부분 및 다른 부분에서 "광"이라는 용어가 사용되지만, 이 용어를 사용하여 설명되는 방사선이 스펙트럼의 가시 부분 내에 있지 않을 수도 있다는 것이 이해된다. EUV 광을 생성하기 위한 방법은 타겟 재료를 액체 상태로부터 플라즈마 상태로 변환하는 것을 포함한다. 타겟 물질은 바람직하게는 EUV 범위 내에서 하나 이상의 방출선을 갖는 적어도 하나의 원소, 예를 들면, 제논, 리튬 또는 주석을 포함한다. 종종 레이저 생성 플라즈마("LPP")로 지칭되는 이러한 방법 중 하나에서, 필요한 플라즈마는 필요한 선 방출 원소를 갖는 타겟 재료를 조사하는 레이저 빔을 사용함으로써 생성될 수 있다.
스캐너(115)는, 예를 들면, 하나 이상의 컨덴서 렌즈 및 대물렌즈 구성을 갖는 광학 구성을 포함한다. 패터닝 디바이스(116)는 광빔(110)의 광축을 따라 또는 이 광축에 수직인 평면 내에서와 같은 하나 이상의 방향을 따라 이동가능하다. 대물렌즈 구성은 투영 렌즈를 포함하고, 패터닝 디바이스(116)로부터 웨이퍼(120) 상의 포토레지스트에의 이미지 전사를 가능하게 한다. 조명 시스템(105)은 마스크 상에 입사하는 광빔(110)의 각도 범위를 조정한다. 조명 시스템(105)은 또한 마스크의 전체에 걸쳐 광빔(110)의 강도 분포를 균질화(균일하게 만듦)한다.
스캐너(115)는, 몇 가지 특징 중 특히, 리소그래피 제어기(130), 공조 장치, 다양한 전기적 구성요소를 위한 전원을 포함할 수 있다. 리소그래피 제어기(130)는 웨이퍼(120) 상에 층이 인쇄되는 방법을 제어한다. 리소그래피 제어기(130)는 프로세스 레시피(process recipe)와 같은 정보를 저장하는 메모리를 포함한다. 프로세스 프로그램 또는 레시피는 웨이퍼(120) 상의 노광의 길이, 사용되는 레티클, 뿐만 아니라 노광에 영향을 미치는 기타 인자를 결정한다. 리소그래피 중에, 광빔(110)의 복수의 펄스가 웨이퍼(120)의 동일한 영역을 조면하여 조명 선량을 구성한다.
포토리소그래피 시스템(100)는 또한 바람직하게는 제어 시스템(135)을 포함한다. 일반적으로, 제어 시스템(135)은 디지털 전자 회로, 컴퓨터 하드웨어, 펌웨어, 및 소프트웨어 중 하나 이상을 포함한다. 제어 시스템(135)은 또한 리드 온리 메모리 및/또는 랜덤 액세스 메모리일 수 있는 메모리를 포함한다. 컴퓨터 프로그램 명령 및 데이터를 유형적으로 구현하기에 적합한 기억 장치는, 일례로서, 반도체 메모리 디바이스(예를 들면, EPROM, EEPROM, 및 플래시 메모리 디바이스); 자기 디스크(예를 들면, 내장 하드 디스크 및 제거가능한 디스크); 자기 광 디스크; 및 CD-ROM 디스크를 포함하는 모든 형태의 비휘발성 메모리를 포함한다.
지지 구조물(117)은 패터닝 디바이스의 배향, 리소그래피 장치의 설계, 및, 예를 들면, 패터닝 디바이스가 진공 환경에 유지되어 있는지의 여부와 같은 기타 조건에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스(116)를 파지한다. 지지 구조물(117)은 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적 클램핑, 진공 클램핑, 정전기 클램핑, 또는 기타 클램핑 기술을 사용할 수 있다. 지지 구조물(117)은, 예를 들면, 필요에 따라 고정되거나 이동가능한 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조물(117)은 패터닝 디바이스가, 예를 들면, 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있도록 보장할 수 있다.
"패터닝 디바이스"라는 용어는 예를 들면, 기판의 타겟 부분에서 패턴을 생성하도록 그 횡단면에 패턴을 갖는 방사 빔을 부여하는데 사용될 수 있는 임의의 디바이스를 지칭하는 것으로 넓게 해석되어야 한다. 방사 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟 부분에 생성되는 디바이스의 특정 기능층에 대응할 수 있다.
패터닝 디바이스는 투과성 또는 반사성일 수 있다. 본 명세서에 설명되어 있는 바와 같이, 패터닝 디바이스(116)는 투과형(예를 들면, 투과형 마스크를 사용하는 것)이다. 패터닝 디바이스의 일례는 마스크, 프로그램가능한 미러 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 바이너리, 교번 위상 시프트, 및 감쇄 위상 시프트와 같은 마스크 유형뿐만 아니라 다양한 하이브리드 마스크 유형을 포함한다. 프로그램가능한 미러 어레이의 일 실시례는 소형 미러의 매트릭스 배열을 사용하며, 각각의 미러는 입사 방사 빔을 상이한 방향으로 반사하도록 개별적으로 틸팅될 수 있다. 틸팅된 미러는 방사 빔에 패턴을 부여하며, 이것은 미러 매트릭스에 의해 반사된다.
조명 시스템과 마찬가지로 투영 시스템은 사용되는 노광 방사선에 따라 또는 진공의 사용과 같은 기타 요인에 따라 굴절, 반사, 전자기, 정전기 또는 기타 유형의 광학 부품, 또는 이들의 임의의 조합과 같은 다양한 유형의 광학 부품을 포함할 수 있다. EUV 방사선의 경우에 가스는 방사선을 너무 많이 흡수할 수 있으므로 진공을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 따라서 진공 벽 및 진공 펌프를 사용하여 전체 빔 경로에 진공 환경이 제공될 수 있다.
패터닝 디바이스의 일례로서 레티클을 사용하는 경우, 스캐너(115)에서 레티클은 2016년 2월 23일에 발행된 미국 특허 제 9,268,241 B2 호의 "리소그래피 레티클을 위한 신속 교환 디바이스"(이것의 전체는 참조에 의해 본원에 포함됨)에 개시된 레티클 교환 디바이스에 의해 수송된다. 이러한 디바이스는 레티클 및 레티클 클램프의 계면에 200 N의 힘을 가할 능력이 있다. 이들 레티클 교환 디바이스는 팟(pod)이라고 부르는 레티클을 수송하기 위한 모듈을 포함할 수 있다. 이 팟은 레티클을 지지하는 베이스 플레이트를 포함할 수 있다. 레티클이 레티클 정전기 클램프 상에 로드하기 위한 위치에 도달하면, 이 클램프는 급전되어 정전기력에 의해 레티클이 클램프에 고정된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 레티클(300)은, 이것이 팟 베이스 플레이트(310) 상에 놓여 있을 때, 베이스 플레이트의 모서리에서 주변 돌출부(320)에 의해 지지된다. 레티클 교환 디바이스는 레티클(300)을 레티클 클램프(330)의 작업면에 면하는 위치로 수송한다. 레티클 클램프(330)의 작업면에는 규칙적 또는 불규칙적(랜덤한) 버얼(340)의 어레이가 제공될 수 있고, 각각의 버얼의 상면(즉, 패터닝 디바이스와 접촉하게 될 표면)에는 나노스케일의 구조물, 즉 나노미터 또는 수십 나노미터 정도의 피처 크기를 갖는 구조물이 제공될 수 있다. 레티클(300)이 그 주변에서 지지되는 방법에 의해 이 레티클(300)은 도 2에 도시된 바와 같이 그 중앙이 아래로 처질 수 있게 된다. 이 처짐은 약 200 마이크론 정도이고, 통상적으로 50 nm 미만인 레티클 클램프(330)의 PV(peak-to-valley) 평탄도의 크기보다 훨씬 더 크다
또한 입자(350)로서 묘사된 오염물을 도 2에서 볼 수 있다. 이 입자(350)는, 예를 들면, 레티클로부터 이송된 후에 나노범프 표면에 부착된, 예를 들면, 크로뮴으로 만들어질 수 있다. 입자(350)는 전형적으로 약 5 마이크론 이하의 크기를 갖는다. 이 입자는 본 명세서에서 일반적으로 세정 레티클 또는 세정 기판이라고 부르는 세정 전용 기판을 클램핑 힘을 가하여 클램프 표면에 대해 눌러줌으로써 클램프의 전방면으로부터 제거될 수 있다. 입자는 클램프 표면으로부터 세정 레티클로 이동되고, 클램핑 힘이 제거되고 세정 레티클이 클램프로부터 이탈되었을 때 세정 레티클 상에 잔류한다.
이러한 이동은 가해지는 클램핑 힘의 크기와 함께 향상된다. 그러나, 레티클 클램프의 작업면과 세정 레티클 사이의 계면에서 생성될 수 있는 압축력의 크기에 한계가 있다. 전술한 바와 같이, 레티클, 클램프, 또는 레티클 교환 시스템의 컴포넌트를 손상시킬 수도 있는 크기의 압축력을 피하는 것이 필요하다. 정전기 클램프가 가할 수 있는 힘의 크기는 절연 파괴 전에 인가될 수 있는 최대 전압의 크기의 제한을 포함하는 여러 가지 요인에 의해 제한된다. 그러나, 정전기 클램프는 기계적으로 강하고, 정전기 클램핑 중에 전형적으로 겪게 되는 힘보다 더 큰 힘을 견딜 수 있다. 예를 들면, 다양한 프로시저 중에 진공 댐핑과 관련된 큰 힘에 견딜 수 있다.
압축력을 안전하게 증가시키는 한 가지 가능한 방법은 클램프/세정 레티클 계면에서 도 2에 도시된 세정 레티클(300)의 처짐이 아니라 양의 곡률(주변보다 중앙이 볼록하거나 더 높은 것)을 갖는 형상을 도입하는 것이다. 이는 다수의 방법으로 달성될 수 있다. 예를 들면, 도 3에 도시된 바와 같은 윤곽을 가진 팟 베이스 플레이트를 사용하여 달성될 수 있다. 따라서, 레티클 처짐이 제거되어 압축력이 증가될 수 있다. 베이스는 그 주변뿐만 아니라 그 중앙부 및 이에 근접한 부분에서도 레티클(300)을 지지하도록 구성될 수 있다. 베이스는 또한 중앙부의 지지체가 주변의 지지체보다 높도록 도 3에 도시된 바와 같은 양의 곡률을 갖도록 구성될 수 있다. 따라서, 도 3에 도시된 구성에서 주변의 돌출부(320)보다 높은 베이스의 중앙부의 돌출부(360)가 존재한다. 또한 중앙의 돌출부(360)와 주변의 돌출부(320) 사이에 배치된 돌출부(370)와 같은 중간 크기의 돌출부도 존재할 수 있다. 다른 대안은 베이스의 표면 전체가 양의 곡률을 구비할 수 있는 것이다. 이것은 도 5에 도시되어 있다.
레티클과 레티클 클램프 사이의 압축력을 증가시킬 수 있는 기준을 충족하는 베이스 상의 돌출부의 다양한 구성이 있다. 이러한 구성의 하나가 도 4a에 도시되어 있으며, 여기서 돌출부들은 베이스의 폭 및 길이의 둘 모두에 대해 대칭인 패턴으로 베이스 상에 배치되어 있다. 도 4b는 병진 대칭을 갖는 패턴을 보여준다. 레티클의 중앙을 향해 더 큰 지지를 제공하는 돌출부의 패턴 및 수는 임의적이다. 이들 윤곽 돌출부는 석영 압전 재료로 제조될 수 있으며, 본질적으로 구형 접촉(spherical contact)을 가능하게 하도록 둥근 프로파일을 가질 수 있다. 이 돌출부는 베이스와 일체이거나 베이스 상에 형성될 수 있다.
양의 곡률을 도입하는 다른 방법은 평면이 아니라 양으로 만곡된 하나의 표면 또는 두 표면을 갖는 세정 레티클을 설계하는 것이다. 이것은 도 6에 도시되어 있다.
양의 곡률을 도입하는 다른 방법은 레티클 베이스(310)와 세정 레티클(300) 사이에 삽입체(315)를 배치하는 것이며, 이 삽입체(315)는 평면이 아니라 양으로 만곡된 하나의 표면 또는 두 표면을 갖는다. 이것은 도 6에 도시되어 있다.
이들 특징은 개별적으로 설명되지만 단독으로 또는 조합으로 사용하여 세정 레티클의 상면(즉, 클램프에 면하는 표면)에 양의 순 곡률을 부여한다는 전체적인 원하는 효과를 달성할 수 있다.
사용 시에 클램프를 레티클 위에 롤링시키거나, 또는 동등하게 클램프와 레티클의 조합을 베이스 위에 롤링시킬 수 있다. 클램프의 짧은 스트로크에 의해 클램프는 레티클 위에 롤링될 수 있다. 클램프용 액츄에이터/서보에 의해 6의 자유도를 갖는 이동이 가능하다. 클램프에 의해 레티클 상에 가해지는 힘의 크기는 힘 피드백 루프를 사용하여 제어할 수 있거나, 클램프의 위치를 제어함으로써 제어할 수 있다. 현재의 구성에서, 롤링 또는 틸팅은 수평으로부터 약 ± 6%일 수 있다.
도 8a은 윤곽을 가진 베이스 플레이트를 사용하여 세정 레티클을 지지하기 위하여 세정 레티클을 이용하여 레티클 클램프 표면을 세정하는 작업 방법을 보여준다. 레티클 클램프(330)은 세정 레티클(300)과 접촉된다. 다음에 레티클 클램프(330)의 서보 또는 액츄에이터는 세정 레티클(300)의 표면을 가로질러 레티클 클램프를 "요동(rocking)"시킨다. 도 8a는 도면의 좌측의 레티클 클램프(330)의 부분이 레티클(300)의 좌측을 누르도록 경사진 레티클 클램프(330)를 보여준다. 다음에 세정 레티클(300)은 도 8b에 도시된 위치로 회전된다. 이 프로세스에서, 증가된 압축력이 레티클 클램프(330)와 세정 레티클(300) 사이의 계면에 가해진다. 도 9에 도시된 바와 같이, 이로 인해 입자(350)는 레티클 클램프(330)로부터 세정 레티클(300)로 이동한다.
세정 레티클(300)에 대한 레티클 클램프(330)의 움직임은 본 명세서에서 모두 "요동"이라고 부르는 다양한 패턴에 대해 프로그래밍될 수 있다. 이 움직임은 다수의 방향에서의 단순한 전후 틸팅일 수 있고, 또는 이 움직임은 각도 성분을 수반할 수 있다. 이 프로세스의 일부로서 세정 레티클(300)을 레티클 클램프(330) 상에 클램핑할 수도 있으며, 이 경우 요동은 레티클(300)의 저면과 팟 베이스 사이에서 발생한다.
위의 설명은 주로 입자 형태의 오염물을 제거하는 것이지만 오염은 다른 물리적인 형태를 취할 수도 있다. 예를 들면, 오염은 단일층(오염이 입자로서 간주되는데 충분히 축적되기 전의 오염) 또는 얼룩/잔류물의 형태일 수 있다. 입자는 사용의 부산물이거나 제조로부터의 원하지 않는 잔류물일 수 있다. 본 개시의 교시는 이들 모든 유형의 오염물의 제거를 촉진하는 것에 적용될 수 있다.
전술한 바와 같이, 이 프로세스는 인시튜로, 예를 들면, 툴 내에서 수행될 수 있고, 이 프로세스를 사용하여 레티클 스테이지로부터 크로뮴을 제거할 수 있다. 대안적으로, 이 프로세스는 부품의 초기 시험을 위해 실행할 수 있다.
세정 레티클에 관하여 이것은 세정을 달성하기 위해 특별히 설계된 기판일 수 있고, 일회용(희생적)이거나 재사용가능한 것일 수 있다. 예를 들면, 이것은 알루미늄 산화물의 표면층을 형성하는 알루미늄과 같은 재료로 된 코팅을 가질 수 있다. 작업 시에 입자(350)는 표면층을 침투하여 코팅과 접촉할 수 있다. 표면층을 관통하는 입자(350)의 기계적 작용과 코팅용 재료의 선택의 둘 모두로 인해, 입자(350)는 클램프 표면으로부터 축출되어 기판으로 이동한다. 그러나, 오염물이 표면층을 "펀치 스루(punch through)"할 필요는 없다. 예를 들면, 표면층 아래의 벌크 재료(예를 들면, 알루미늄)는 비교적 전성일 수 있고, 표면층(예를 들면, 알루미늄 산화물)이 오염물에 적응 및 순응하여 오염물을 포획할 수 있다. 따라서 코팅 재료는 입자가 코팅을 투과할 수 있도록 낮은 항복 강도를 나타내는 것이 바람직하며, 항복 강도는 특정한 양의 소성 변형을 생성하는 응력이다.
일부의 용도의 경우에 코팅 재료는 작업면으로부터 분리시키고자 하는 재료에 대해 작업면보다 더 큰 결합 해제 에너지를 갖는 것이 바람직하다. 이는 화학적으로 입자(350)가 작업면보다 코팅 재료에 부착하는 경향이 있음을 의미한다. 일부의 용도의 재료에서 코팅이 높은 하마커 상수(Hamaker constant)를 갖는 것이 또한 바람직하며, 하마커 상수는 2 개의 표면(여기서는 입자의 표면 및 층을 통해 경험되는 코팅의 표면) 사이의 반데르발스 인력의 상대적 강도를 측정하는 재료 상수이다.
도 10은 위에서 설명한 바와 같은 세정 기판을 사용하여 작업면을 세정하는 프로세스를 보여주는 흐름도이다. 단계 S 10에서 레티클이 레티클 클램프의 작업면에 면하도록 배치된다. 단계 S 20에서 레티클 클램프를 레티클과 접촉시킨다. 단계 S 30에서 레티클 클램프의 위치를 제어하는 서보가 레티클에 대해 레티클 클램프를 누른다. 단계 S 40에서 서보가 레티클 클램프를 요동시키고, 레티클 클램프와 레티클 사이의 접촉선을 이 접촉선을 따라 가해지는 대량의 압축력으로 이동시킨다. 전술한 바와 같이, 이 요동 움직임은 다양한 방향에서의 단순한 전후 틸팅일 수 있고, 또는 더 복잡한 것일 수 있다. 단계 S 50에서 레티클 클램프를 레티클과의 접촉으로부터 분리시킨다.
도 11은 레티클이 세정 프로세스의 일부로서 레티클 클램프에 정전기적으로 클램핑되는 프로세스를 보여준다. 흐름도에 도시된 단계들 이전에 레티클은 레티클 클램프와 대면하는 위치로 이동되었다는 것이 이해될 것이다. 다음에 단계 S 100에서 레티클 클램프에 급전하여 레티클을 클램핑한다. 단계 S 110에서, 레티클 클램프의 서보 또는 액츄에이터는 레티클 클램프와 레티클의 조합을 팟의 베이스에 대해 누른다. 단계 S 120에서 레티클 클램프와 레티클의 조합이 베이스에 대해 요동된다. 이로 인해 레티클 클램프와 레티클 사이의 계면에서 압축력이 증가한다. 또한, 이 요동 움직임은 다수의 패턴 중 임의의 하나의 패턴을 취할 수 있다. 단계 S 130에서 압축력을 해제한다. 단계 S 140에서 레티클 클램프를 단전하여 레티클을 해제한다.
요동 단계의 지속시간에 관하여 충분한 세정을 제공하는 것으로 알려져 있는 지속시간 동안 힘이 가해질 수 있다. 대안적으로, 힘을 가하는 동안에 레티클 클램프의 작업면의 상태를 모니터링할 수 있고, 작업면에 충분히 오염이 없다고 판단될 때까지 힘을 계속 가할 수 있다.
이 실시형태들은 다음의 절을 이용하여 더 설명될 수 있다.
1. 포토리소그래피에서 사용하기 위한 방사선을 생성하기 위한 시스템에서 베이스의 제 1 표면 상에 기판을 지지하도록 배치된 상기 베이스를 포함하는 장치로서, 상기 제 1 표면은 상기 제 1 표면의 측방향 주변부에서보다 상기 제 1 표면의 중앙부에서 더 높은 표면 프로파일을 갖도록 구성된, 장치.
2. 제 1 절에 있어서, 상기 베이스는 기판 이송 모듈의 일부인, 장치.
3. 제 1 절에 있어서, 상기 표면 프로파일은 상기 제 1 표면의 중앙부의 제 1 위치에 있는 제 1 돌출부 및 상기 제 1 돌출부와 상기 제 1 표면의 측방향 주변부 사이의 제 2 위치에 있는 제 2 돌출부를 포함하며, 상기 베이스는 상기 제 1 돌출부에서의 제 1 두께 및 상기 제 2 돌출부에서의 제 2 두께를 가지며, 상기 제 1 두께는 상기 제 2 두께보다 두꺼운, 장치.
4. 제 2 절에 있어서, 상기 제 1 돌출부는 상기 기판과의 구형 접촉(spherical contact)을 제공하도록 구성된, 장치.
5. 제 2 절에 있어서, 상기 제 1 돌출부 및 상기 제 2 돌출부는 실질적으로 반구형 단면을 갖는, 장치.
6. 제 1 절에 있어서, 상기 표면 윤곽은 상기 제 1 표면의 중앙부의 제 1 위치에 있는 제 1 돌출부, 상기 제 1 돌출부와 상기 제 1 표면의 측방향 주변부 사이의 제 2 위치에 있는 제 2 돌출부, 및 상기 제 2 돌출부와 상기 제 1 표면의 측방향 주변부 사이의 제 3 위치에 있는 제 3 돌출부를 포함하며, 상기 베이스는 상기 제 1 돌출부에서의 제 1 두께, 상기 제 2 돌출부에서의 제 2 두께, 및 상기 제 3 돌출부에서의 제 3 두께를 가지며, 상기 제 1 두께는 상기 제 2 두께보다 두껍고, 상기 제 2 두께는 상기 제 3 두께보다 두꺼운, 장치.
7. 제 1 절 내지 제 6 절 중 어느 한 절에 있어서, 상기 제 1 돌출부는 상기 베이스와 일체인, 장치.
8. 제 1 절 내지 제 7 절 중 어느 한 절에 있어서, 상기 제 1 돌출부는 상기 베이스 상에 형성된, 장치.
9. 제 1 절 내지 제 8 절 중 어느 한 절에 있어서, 상기 장치는 클램핑 구조물 및 상기 클램핑 구조물에 기계적으로 결합된 액츄에이터를 더 포함하고, 상기 액츄에이터는 상기 베이스에 대하여 상기 클램핑 구조물에 압축력을 가할 수 있도록 그리고 상기 베이스에 대하여 상기 클램핑 구조물을 경사지게 할 수 있도록 구성된, 장치.
10. 제 1 절 내지 제 9 절 중 어느 한 절에 있어서, 상기 작업면은 레티클 스테이지를 포함하고, 상기 세정 기판은 세정 레티클을 포함하는, 장치.
11. 포토리소그래피에서 사용하기 위한 방사선을 생성하기 위한 시스템에서 기판 및 상기 기판을 베이스의 제 1 표면 상에 지지하도록 배치된 상기 베이스를 포함하는 장치로서, 상기 기판은 상기 기판의 상면의 중앙부가 상기 기판의 주변부보다 상기 베이스로부터 수직방향으로 더 멀리까지 연장되도록 지지되는, 장치.
12. 제 11 절에 있어서, 상기 베이스는 양의 곡률을 갖는, 장치.
13. 제 11 절 또는 제 12 절에 있어서, 상기 기판의 적어도 하나의 표면은 양의 곡률을 갖는, 장치.
14. 제 11 절 내지 제 13 절 중 어느 한 절에 있어서, 상기 장치는 상기 기판과 상기 베이스 사이에 설치된 삽입체를 더 포함하고, 상기 삽입체의 적어도 하나의 측방향 표면은 양의 곡률을 갖는, 장치.
15. 포토리소그래피 툴에서 클램핑 구조물의 작업면으로부터 오염물을 제거하는 방법으로서, 상기 방법은:
베이스의 작업면 상에 기판을 지지하는 단계 - 제 1 표면은 상기 제 1 표면의 측방향 주변부에서보다 상기 제 1 표면의 중앙부에서 더 높은 표면 프로파일을 갖도록 구성됨 -;
상기 베이스와 상기 작업면 사이에서 상기 기판을 압축하는 단계;
상기 베이스에 대해 상기 작업면을 요동(rocking)시키는 단계; 및
상기 작업면으로부터 멀어지는 방향으로 상기 기판을 인출하는 단계를 포함하는, 방법.
16. 제 15 절에 있어서, 상기 작업면은 레티클 스테이지를 포함하고, 상기 세정 기판은 세정 레티클을 포함하는, 방법.
17. 제 15 절 또는 제 16 절에 있어서, 상기 베이스는 기판 이송 모듈의 일부인 방법.
18. 제 15 절 내지 제 17 절 중 어느 한 절에 있어서, 상기 클램핑 구조물은 상기 클램핑 구조물에 기계적으로 결합된 액츄에이터에 기계적으로 결합되고;
상기 베이스와 상기 작업면 사이에서 상기 기판을 압축하는 단계는 상기 베이스에 대하여 상기 클램핑 구조물에 압축력을 가하도록 상기 액츄에이터를 기동시키는 것을 포함하고;
상기 베이스에 대하여 상기 작업면을 요동시키는 단계는 상기 베이스에 대하여 상기 클램핑 구조물을 반복적으로 경사지게 하도록 상기 액츄에이터를 기동시키는 것을 포함하는, 방법.
19. 제 15 절 내지 제 18 절 중 어느 한 절에 있어서, 상기 방법은, 상기 압축 단계와 상기 요동 단계 사이에, 상기 기판을 상기 클램프에 고정하기 위해 상기 클램프를 작동시키는 단계를 더 포함하는, 방법.
20. 제 15 절 내지 제 19 절 중 어느 한 절에 있어서, 상기 요동 단계는 충분한 양의 오염물을 제거하는 데 효과적인 것으로 알려진 기간 동안 수행되는, 방법.
21. 제 15 절 내지 제 20 절 중 어느 한 절에 있어서, 상기 작업면은 진공 체임버 내에 배치되고, 상기 방법은:
상기 압축 단계 전에 상기 세정 기판을 상기 작업면에 인접한 위치로 이동시키는 단계, 및
상기 인출 단계 후에 상기 세정 기판을 상기 세정 기판이 언로딩될 수 있는 위치로 재배치하는 단계를 더 포함하는, 방법.
22. 제 15 절 내지 제 21 절 중 어느 한 절에 있어서, 상기 베이스와 상기 작업면 사이에 기판을 압축시키는 단계는 힘 피드백 루프를 사용하여 기판 상에 작용되는 힘의 크기를 제어하는 것을 포함하는, 방법.
23. 제 15 절 내지 제 22 절 중 어느 한 절에 있어서, 상기 베이스와 상기 작업면 사이에 기판을 압축하는 단계는 클램프의 위치를 제어하는 것을 포함하는, 방법.
24. 포토리소그래피 툴에서 클램핑 구조물의 작업면으로부터 오염물을 제거하는 방법으로서, 상기 방법은:
기판과 베이스의 조합의 중앙부가 이 조합의 주변부보다 조합의 중앙부가 더 두껍도록 베이스의 작업면 상에 기판을 지지하는 단계;
상기 베이스와 상기 작업면 사이에서 상기 기판을 압축하는 단계;
상기 베이스에 대해 상기 작업면을 요동(rocking)시키는 단계; 및
상기 작업면으로부터 멀어지는 방향으로 상기 기판을 인출하는 단계를 포함하는, 방법.
25. 제 24 절에 있어서, 상기 베이스는 양의 곡률을 갖는, 장치.
26. 제 24 절에 있어서, 상기 기판의 적어도 하나의 표면은 양의 곡률을 갖는, 방법.
27. 제 24 절에 있어서, 상기 지지 단계는 상기 기판과 상기 베이스 사이에 삽입체를 배치하는 것을 포함하고, 상기 삽입체는 양의 곡률을 구비한 적어도 하나의 표면을 갖는, 방법.
28. 제 24 절 내지 제 27 절 중 어느 한 절에 있어서, 상기 작업면은 레티클 스테이지를 포함하고, 상기 세정 기판은 세정 레티클을 포함하는, 방법.
29. 제 24 절 내지 제 28 절 중 어느 한 정에 있어서, 상기 베이스는 기판 이송 모듈의 일부인 방법.
30. 제 24 절 내지 제 29 절 중 어느 한 절에 있어서, 상기 클램핑 구조물은 상기 클램핑 구조물에 기계적으로 결합된 액츄에이터에 기계적으로 결합되고;
상기 베이스와 상기 작업면 사이에서 상기 기판을 압축하는 단계는 상기 베이스에 대하여 상기 클램핑 구조물에 압축력을 가하도록 상기 액츄에이터를 기동시키는 것을 포함하고;
상기 베이스에 대하여 상기 작업면을 요동시키는 단계는 상기 베이스에 대하여 상기 클램핑 구조물을 반복적으로 경사지게 하도록 상기 액츄에이터를 기동시키는 것을 포함하는, 방법.
31. 제 24 절 내지 제 30 절 중 어느 한 절에 있어서, 상기 방법은, 상기 압축 단계와 상기 요동 단계 사이에, 상기 기판을 상기 클램프에 고정하기 위해 상기 클램프를 작동시키는 단계를 더 포함하는, 방법.
32. 제 24 절 내지 제 31 절 중 어느 한 절에 있어서, 상기 요동 단계는 충분한 양의 오염물을 제거하는 데 효과적인 것으로 알려진 기간 동안 수행되는, 방법
33. 제 24 절 내지 제 32 절 중 어느 한 절에 있어서, 상기 작업면은 진공 체임버 내에 배치되고, 상기 방법은:
상기 압축 단계 전에 상기 세정 기판을 상기 작업면에 인접한 위치로 이동시키는 단계, 및
상기 인출 단계 후에 상기 세정 기판을 상기 세정 기판이 언로딩될 수 있는 위치로 재배치하는 단계를 더 포함하는, 방법.
34. 제 24 절 내지 제 33 절 중 어느 한 절에 있어서, 상기 베이스와 상기 작업면 사이에 기판을 압축시키는 단계는 힘 피드백 루프를 사용하여 기판 상에 작용되는 힘의 크기를 제어하는 것을 포함하는, 방법.
35. 제 24 절 내지 제 35 절 중 어느 한 절에 있어서, 상기 베이스와 상기 작업면 사이에 기판을 압축하는 단계는 클램프의 위치를 제어하는 것을 포함하는, 방법.
본 명세서에서는 IC의 제조에서 리소그래피 장치의 사용에 대하여 구체적으로 언급될 수 있으나 본 명세서에서 설명된 리소그래피 장치는 통합 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등과 같은 다른 용도를 가질 수 있다는 것을 이해해야 한다. 당업자는 이러한 대안적 용도의 관점에서 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어를 사용하는 것은 보다 일반적인 용어인 "기판" 또는 "타겟 부분"과 동의어로 간주될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 본 명세서에 언급된 기판은, 예를 들면, 트랙(전형적으로 레지스트의 층을 기판에 도포하여 노광된 레지스트를 현상하는 도구), 계측 도구 및/또는 검사 도구로 노광 전 또는 후에 처리될 수 있다. 적용가능한 경우, 본 개시는 이러한 기판 처리 도구나 기타 기판 처리 도구에 적용될 수 있다. 또한, 기판은, 예를 들면, 다층 IC를 생성하기 위해 2 회 이상 처리될 수 있으므로 본 명세서에서 사용되는 용어인 기판은 이미 다수회 처리된 층을 포함하는 기판을 지칭할 수도 있다.
개요 및 요약 부분이 아닌 상세한 설명 부분은 청구범위를 해석하기 위해 사용되도록 의도됨을 이해해야 한다. 개요 및 요약란은 본 발명자들이 고려하는 본 발명의 하나 이상의 예시적 실시형태를 기재하지만 모든 예시적 실시형태를 기재하는 것은 아니며, 따라서 본 발명 및 첨부된 청구범위를 결코 제한하려는 의도를 갖지 않는다.
구체적인 실시형태의 전술한 설명은 본 발명의 일반적인 특성을 충분히 드러낼 것이므로 다른 사람들은 과도한 실험없이 본 발명의 일반적인 개념의 범위 내에서 본 기술의 범위 내의 지식을 가함으로써 이러한 구체적인 실시형태를 용이하게 수정 및/또는 다양한 용도에 적합시킬 수 있다.
따라서, 이러한 적합 및 수정은 본 명세서에 제시된 교시 및 안내에 기초하여 개시된 실시형태의 균등물의 의미 및 범위 내에 있는 것으로 의도된다. 본 명세서의 용어 및 전문용어는 본 명세서의 용어 및 전문용어를 상기 교시 및 안내에 비추어 당업자가 해석하도록 설명의 목적을 위한 것이며 제한하기 위한 것이 아님을 이해해야 한다.

Claims (20)

  1. 포토리소그래피에서 사용하기 위한 방사선을 생성하기 위한 시스템에서 베이스의 제 1 표면 상에 기판을 지지하도록 배치된 상기 베이스를 포함하는 장치로서,
    상기 제 1 표면은 상기 제 1 표면의 측방향 주변부에서보다 상기 제 1 표면의 중앙부에서 더 높은 표면 프로파일을 갖도록 구성된, 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 베이스는 기판 이송 모듈의 일부인, 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 표면 프로파일은 상기 제 1 표면의 중앙부의 제 1 위치에 있는 제 1 돌출부 및 상기 제 1 돌출부와 상기 제 1 표면의 측방향 주변부 사이의 제 2 위치에 있는 제 2 돌출부를 포함하며, 상기 베이스는 상기 제 1 돌출부에서의 제 1 두께 및 상기 제 2 돌출부에서의 제 2 두께를 가지며, 상기 제 1 두께는 상기 제 2 두께보다 두꺼운, 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 돌출부는 기판과의 구형 접촉(spherical contact)을 제공하도록 구성된, 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 돌출부 및 상기 제 2 돌출부는 실질적으로 반구형 단면을 갖는, 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    표면 윤곽은 상기 제 1 표면의 중앙부의 제 1 위치에 있는 제 1 돌출부, 상기 제 1 돌출부와 상기 제 1 표면의 측방향 주변부 사이의 제 2 위치에 있는 제 2 돌출부, 및 상기 제 2 돌출부와 상기 제 1 표면의 측방향 주변부 사이의 제 3 위치에 있는 제 3 돌출부를 포함하며, 상기 베이스는 상기 제 1 돌출부에서의 제 1 두께, 상기 제 2 돌출부에서의 제 2 두께, 및 상기 제 3 돌출부에서의 제 3 두께를 가지며, 상기 제 1 두께는 상기 제 2 두께보다 두껍고, 상기 제 2 두께는 상기 제 3 두께보다 두꺼운, 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 돌출부는 상기 베이스와 일체인, 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 돌출부는 상기 베이스 상에 형성된, 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장치는 클램핑 구조물 및 상기 클램핑 구조물에 기계적으로 결합된 액츄에이터를 더 포함하고, 상기 액츄에이터는 상기 베이스에 대하여 상기 클램핑 구조물에 압축력을 가할 수 있도록 그리고 상기 베이스에 대하여 상기 클램핑 구조물을 경사지게 할 수 있도록 구성된, 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    작업면은 레티클 스테이지를 포함하고, 세정 기판은 세정 레티클을 포함하는, 장치.
  11. 포토리소그래피에서 사용하기 위한 방사선을 생성하기 위한 시스템에서 기판 및 상기 기판을 베이스의 제 1 표면 상에 지지하도록 배치된 상기 베이스를 포함하는 장치로서,
    상기 기판은 상기 기판의 상면의 중앙부가 상기 기판의 주변부보다 상기 베이스로부터 수직방향으로 더 멀리까지 연장되도록 지지되는, 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 베이스는 양의 곡률을 갖는, 장치.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 기판의 적어도 하나의 표면은 양의 곡률을 갖는, 장치.
  14. 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장치는 상기 기판과 상기 베이스 사이에 설치된 삽입체를 더 포함하고, 상기 삽입체의 적어도 하나의 측방향 표면은 양의 곡률을 갖는, 장치.
  15. 포토리소그래피 툴에서 클램핑 구조물의 작업면으로부터 오염물을 제거하는 방법으로서,
    베이스의 작업면 상에 기판을 지지하는 단계 - 제 1 표면은 상기 제 1 표면의 측방향 주변부에서보다 상기 제 1 표면의 중앙부에서 더 높은 표면 프로파일을 갖도록 구성됨 -;
    상기 베이스와 상기 작업면 사이에서 상기 기판을 압축하는 단계;
    상기 베이스에 대해 상기 작업면을 요동(rocking)시키는 단계; 및
    상기 작업면으로부터 멀어지는 방향으로 상기 기판을 인출하는 단계를 포함하는, 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 작업면은 레티클 스테이지를 포함하고, 세정 기판은 세정 레티클을 포함하는, 방법.
  17. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
    베이스는 기판 이송 모듈의 일부인, 방법.
  18. 제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 클램핑 구조물은 상기 클램핑 구조물에 기계적으로 결합된 액츄에이터에 기계적으로 결합되고;
    상기 베이스와 상기 작업면 사이에서 상기 기판을 압축하는 단계는 상기 베이스에 대하여 상기 클램핑 구조물에 압축력을 가하도록 상기 액츄에이터를 기동시키는 것을 포함하고;
    상기 베이스에 대하여 상기 작업면을 요동시키는 단계는 상기 베이스에 대하여 상기 클램핑 구조물을 반복적으로 경사지게 하도록 상기 액츄에이터를 기동시키는 것을 포함하는, 방법.
  19. 제 15 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방법은, 압축 단계와 요동 단계 사이에, 상기 기판을 클램프에 고정하기 위해 상기 클램프를 작동시키는 단계를 더 포함하는, 방법.
  20. 제 15 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서, 요동 단계는 충분한 양의 오염물을 제거하는 데 효과적인 것으로 알려진 기간 동안 수행되는, 방법
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