JP2011159986A - 基板および装置から汚染を除去する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】剛性支持層および剛性支持層上に設けられた変形可能層を備えるクリーニング基板CW1を装置内に装填すること、クリーニング基板CW1の変形可能層2を汚染がそこから除去される装置の表面に接触させること、変形可能層2と汚染がそこから除去される装置の表面との間の相対運動を導入することにより、液浸フード表面から分離した汚染を除去する。
【選択図】図2C
Description
第1基板を前記装置内に装填することであって、それにより、第1基板上に汚染を引き寄せる、装填することを含み、第1基板は、汚染を引き寄せるように構成され、かつ、極性がありかつ正に帯電している、極性がありかつ負に帯電している、無極性でありかつ正に帯電している、または、無極性でありかつ負に帯電している、
のうちの1つである領域を備え、装置から第1基板をはずすこと、第2基板を装置内に装填することであって、それにより、第2基板上に汚染を引き寄せる、装填することを含み、第2基板は、汚染を引き寄せるように構成され、かつ、第1基板の領域に対して異なる極性または電荷を有し、かつ、極性がありかつ正に帯電している、極性がありかつ負に帯電している、無極性でありかつ正に帯電している、または、無極性でありかつ負に帯電している、のうちの1つである領域を備え、装置から第2基板をはずすことを含む。
Claims (63)
- リソグラフィにおいて使用される装置から汚染を除去する方法であって、
剛性支持層および前記剛性支持層上に設けられた変形可能層を備える基板を前記装置内に装填すること、
前記基板の前記変形可能層を、汚染がそこから除去される前記装置の表面に接触させること、
前記変形可能層と汚染がそこから除去される前記装置の前記表面との間の相対運動を導入することであって、それにより、除去のために前記表面から汚染を分離する、導入すること、および、
前記分離した汚染を除去することを含む方法。 - 前記変形可能層は、前記分離した汚染の少なくとも一部を保持する請求項1に記載の方法。
- 前記基板は、前記分離した汚染の前記一部を除去するために、前記装置からはずされる請求項2に記載の方法。
- 前記分離した汚染の少なくとも一部は、流体を使用して除去される請求項1に記載の方法。
- 前記流体は液浸液である請求項4に記載の方法。
- 前記装置は、リソグラフィ装置の液浸フードである請求項1に記載の方法。
- リソグラフィにおいて使用される装置から汚染を除去するのに適し、前記リソグラフィ装置が扱うのに適した大きさに作られた基板であって、
剛性支持層と、
前記剛性支持層上に設けられた変形可能層とを備える基板。 - 前記変形可能層は複数のブラシを備える請求項7に記載の基板。
- 前記変形可能層は複数の繊維を備える請求項7に記載の基板。
- 前記変形可能層はスポンジを備える請求項7に記載の基板。
- 前記変形可能層はポリビニルアルコールスポンジを備える請求項7に記載の基板。
- 前記変形可能層は、接着剤を使用して前記剛性支持層に付着される請求項7に記載の基板。
- 前記変形可能層は、前記剛性支持層に融着される請求項7に記載の基板。
- 前記基板は、形状が実質的に円柱である請求項7に記載の基板。
- 前記基板は、約200mmの直径、または、約300mmの直径を有する請求項7に記載の基板。
- 前記基板の深さは、約0.5mm〜約3.5mmの範囲から選択される請求項7に記載の基板。
- 前記剛性層は、石英、シリコン、または金属から形成される請求項7に記載の基板。
- リソグラフィにおいて使用される装置によって少なくとも部分的に収容される流体から汚染を除去する方法において、
一連の突出部または凹所を備える基板を前記装置内に装填することであって、前記一連の突出部または凹所は、前記流体から前記クリーニング基板への汚染の移動を促進するために、前記流体に対して濡れ性があるか、または、濡れ性がない、装填すること、
前記基板を、汚染がそこから除去される流体に近接させることであって、それにより、汚染が、前記流体から除去され、前記突出部上に、または、前記凹所内に堆積する、近接させること、および、
前記装置から前記基板をはずすことを含む方法。 - 前記基板と汚染がそこから除去される流体との間に相対運動を導入することをさらに含む請求項18に記載の方法。
- 前記装置は、リソグラフィ装置の液浸フードである請求項18に記載の方法。
- 前記流体は液浸液である請求項18に記載の方法。
- リソグラフィにおいて使用される装置によって少なくとも部分的に収容される流体から汚染を除去するのに適し、前記リソグラフィ装置が扱うのに適した大きさに作られた基板であって、一連の突出部または凹所を備え、前記一連の突出部または凹所は、前記流体から前記クリーニング基板への汚染の移動を促進するために、前記流体に対して濡れ性があるか、または、濡れ性がない基板。
- 前記基板は、濡れ性がない、または、濡れ性がある材料から形成される請求項22に記載の基板。
- 前記突出部または凹所は、濡れ性がない皮膜または濡れ性がある皮膜を備える請求項22に記載の基板。
- 前記基板は、前記一連の突出部または凹所を形成するように処理された濡れ性がない材料または濡れ性がある材料の層を備える請求項22に記載の基板。
- 前記一連の突出部または凹所は、液浸液に対して濡れ性がない、または、濡れ性がある請求項22に記載の基板。
- 前記一連の突出部または凹所は、疎水性であるか、または、親水性である請求項22に記載の基板。
- 前記基板は、一連の凹所および突出部を備え、前記凹所および突出部は、前記流体に対して濡れ性がない請求項22に記載の基板。
- 前記基板は、一連の凹所および突出部を備え、前記凹所および突出部は、前記流体に対して濡れ性がある請求項22に記載の基板。
- 前記基板は、一連の凹所および突出部を備え、前記凹所は、前記流体に対して濡れ性があり、前記突出部は、前記流体に対して濡れ性がない請求項22に記載の基板。
- 前記基板は、一連の凹所および突出部を備え、前記凹所は、前記流体に対して濡れ性がなく、前記突出部は、前記流体に対して濡れ性がある請求項22に記載の基板。
- 前記一連の突出部は、異なる高さの突出部を含む請求項22に記載の基板。
- 前記一連の凹所は、異なる深さの凹所を含む請求項22に記載の基板。
- 前記一連の突出部または凹所は、前記基板にわたって規則的なパターンを形成する請求項22に記載の基板。
- 前記一連の突出部または凹所は、前記基板にわたって不規則的なパターンを形成する請求項22に記載の基板。
- 前記基板は、形状が実質的に円柱である請求項22に記載の基板。
- 前記基板は、約200mmの直径、または、約300mmの直径を有する請求項22に記載の基板。
- 前記基板の深さは、約0.5mm〜約3.5mmの範囲から選択される請求項22に記載の基板。
- リソグラフィにおいて使用される装置から汚染を除去する方法において、
基板上に汚染を引き寄せるために、前記基板を前記装置内に装填することであって、装填することを含み、前記基板は、汚染を引き寄せるように構成された第1領域および第2領域を備え、前記第2領域は、前記第1領域に対して異なる極性または電荷を有し、前記第1領域および前記第2領域は、それぞれ、
極性がありかつ正に帯電している、
極性がありかつ負に帯電している、
無極性でありかつ正に帯電している、または、
無極性でありかつ負に帯電している
のうちの1つである、装填すること、および
前記装置から前記基板をはずすことを含む方法。 - 前記汚染は、前記装置によって少なくとも部分的に収容される流体から汚染を除去する請求項39に記載の方法。
- 前記基板を、汚染がそこから除去される流体に近接させるか、または、接触させることを含む請求項40に記載の方法。
- 前記基板と汚染がそこから除去される流体との間に相対運動を導入することをさらに含む請求項41に記載の方法。
- 前記装置は、リソグラフィ装置の液浸フードである請求項39に記載の方法。
- 前記流体は、リソグラフィ装置の液浸液である請求項40に記載の方法。
- リソグラフィにおいて使用される装置から汚染を除去するのに適し、前記リソグラフィ装置が扱うのに適した大きさに作られた基板であって、
汚染を引き寄せるように構成された第1領域および第2領域を備え、前記第2領域は、前記第1領域に対して異なる極性または電荷を有し、前記第1領域および前記第2領域は、それぞれ、
極性がありかつ正に帯電している、
極性がありかつ負に帯電している、
無極性でありかつ正に帯電している、または、
無極性でありかつ負に帯電している
のうちの1つである基板。 - 前記第1領域および前記第2領域は、前記基板にわたって繰り返される請求項45に記載の基板。
- 前記基板は、前記第1領域および前記第2領域に対して異なる極性または電荷を有する第3領域を備え、前記第3領域は、
極性がありかつ正に帯電している、
極性がありかつ負に帯電している、
無極性でありかつ正に帯電している、または、
無極性でありかつ負に帯電している
のうちの1つである請求項45に記載の基板。 - 前記第1領域、前記第2領域、および前記第3領域は、前記基板にわたって繰り返される請求項47に記載の基板。
- 前記基板は、前記第1領域、前記第2領域、および前記32領域に対して異なる極性または電荷を有する第4領域を備え、前記第4領域は、
極性がありかつ正に帯電している、
極性がありかつ負に帯電している、
無極性でありかつ正に帯電している、または、
無極性でありかつ負に帯電している
のうちの1つである請求項45に記載の基板。 - 前記第1領域、前記第2領域、前記第3領域、および前記第4領域は、前記基板にわたって繰り返される請求項49に記載の基板。
- 前記第1領域および前記第2領域は、チェッカーボードパターン、同心リングのアレイ、リングのアレイ、リングセグメントのアレイ、または直線ストリップのアレイのうちの1つを形成する請求項45に記載の基板。
- 極性がありかつ正に帯電している領域は、アミン官能基化シリコン表面(amine functionalized silicon surface)によって設けられる請求項45に記載の基板。
- 極性がありかつ負に帯電している領域は、シリコン表面によって設けられる請求項45に記載の基板。
- 無極性でありかつ正に帯電している領域は、アミン官能基化HMDS(ヘキサメチルジシラザン(hexamethyldisilizane))処理されたシリコン表面によって設けられる請求項45に記載の基板。
- 無極性でありかつ負に帯電している領域は、HMDS(ヘキサメチルジシラザン)処理されたシリコン表面によって設けられる請求項45に記載の基板。
- リソグラフィにおいて使用される装置から汚染を除去する方法において、
第1基板上に汚染を引き寄せるために、前記第1基板を前記装置内に装填することであって、前記第1基板は、汚染を引き寄せるように構成され、かつ、
極性がありかつ正に帯電している、
極性がありかつ負に帯電している、
無極性でありかつ正に帯電している、または、
無極性でありかつ負に帯電している
のうちの1つである領域を備える、装填すること
前記装置から前記第1基板をはずすこと、
第2基板上に汚染を引き寄せるために、前記第2基板を前記装置内に装填することであって、前記第2基板は、汚染を引き寄せるように構成され、かつ、前記第1基板の前記領域に対して異なる極性または電荷を有し、かつ、
極性がありかつ正に帯電している、
極性がありかつ負に帯電している、
無極性でありかつ正に帯電している、または、
無極性でありかつ負に帯電している
のうちの1つである領域を備える、装填すること、および
前記装置から前記第2基板をはずすことを含む方法。 - 第3基板上に汚染を引き寄せるために、前記第3基板を前記装置内に装填することであって、前記基板は、汚染を引き寄せるように構成され、かつ、前記第1基板の前記領域および前記第2基板の前記領域に対して異なる極性または電荷を有する領域を備え、この第3領域は、
極性がありかつ正に帯電している、
極性がありかつ負に帯電している、
無極性でありかつ正に帯電している、または、
無極性でありかつ負に帯電している
のうちの1つである、装填すること、および
前記装置から前記第3基板をはずすことをさらに含む請求項56に記載の方法。 - 第4基板上に汚染を引き寄せるために、前記第4基板を前記装置内に装填することであって、前記基板は、汚染を引き寄せるように構成され、かつ、前記第1基板の前記領域、前記第2基板の前記領域、および前記第3基板の前記領域に対して異なる極性または電荷を有する領域を備え、この第4領域は、
極性がありかつ正に帯電している、
極性がありかつ負に帯電している、
無極性でありかつ正に帯電している、または、
無極性でありかつ負に帯電している
のうちの1つである、装填すること、および
前記装置から前記第3基板をはずすことをさらに含む請求項57に記載の方法。 - 前記汚染は、前記装置によって少なくとも部分的に収容された流体から除去される請求項56に記載の方法。
- 前記基板を、汚染がそこから除去される流体に近接させるか、または、接触させることを含む請求項59に記載の方法。
- 前記基板と汚染がそこから除去される流体との間に相対運動を導入することをさらに含む請求項59に記載の方法。
- 前記装置は、リソグラフィ装置の液浸フードである請求項56に記載の方法。
- 前記流体は液浸液である請求項59に記載の方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013070037A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置用の洗浄基板、リソグラフィ装置用の洗浄方法、及びリソグラフィ装置 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7723463B2 (en) * | 2006-04-12 | 2010-05-25 | Battelle Energy Alliance, Llc | Polyphosphazine-based polymer materials |
NL1036069A1 (nl) * | 2007-10-30 | 2009-05-07 | Asml Netherlands Bv | An Immersion Lithography Apparatus. |
JP2010103363A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Nec Electronics Corp | 液浸露光装置の洗浄方法、ダミーウェハ、及び液浸露光装置 |
NL2003758A (en) * | 2008-12-04 | 2010-06-07 | Asml Netherlands Bv | A member with a cleaning surface and a method of removing contamination. |
US20110199591A1 (en) * | 2009-10-14 | 2011-08-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, maintenance method and device fabricating method |
JP6282260B2 (ja) * | 2012-04-02 | 2018-02-21 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 微粒子汚染測定方法及び装置 |
US9846365B2 (en) | 2013-08-02 | 2017-12-19 | Asml Netherlands B.V. | Component for a radiation source, associated radiation source and lithographic apparatus |
WO2018215172A1 (en) | 2017-05-25 | 2018-11-29 | Asml Holding N.V. | Substrates and methods of using those substrates |
NL2022500A (en) | 2018-02-13 | 2019-08-19 | Asml Netherlands Bv | Apparatus for and method of in-situ particle removal in a lithography apparatus |
US11431494B2 (en) * | 2018-03-15 | 2022-08-30 | Atakama LLC | Passwordless security system for data-at-rest |
WO2020094517A1 (en) * | 2018-11-09 | 2020-05-14 | Asml Holding N.V. | Lithography support cleaning with cleaning substrate having controlled geometry and composition |
US11256181B2 (en) * | 2019-07-31 | 2022-02-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for removing particles in semiconductor manufacturing |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06224105A (ja) * | 1993-01-22 | 1994-08-12 | Kawasaki Steel Corp | 露光装置のステージのゴミ粒子除去方法 |
JPH0739787A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-10 | Nec Corp | 集塵器 |
JP2005277363A (ja) * | 2003-05-23 | 2005-10-06 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007123882A (ja) * | 2005-10-24 | 2007-05-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 液浸リソグラフィ装置及び方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3450584B2 (ja) * | 1996-04-09 | 2003-09-29 | キヤノン株式会社 | 半導体露光装置 |
WO1999027568A1 (fr) * | 1997-11-21 | 1999-06-03 | Nikon Corporation | Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection |
JPH11162831A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-18 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JPH11345846A (ja) * | 1999-02-19 | 1999-12-14 | Japan Electronic Materials Corp | プロ―ブ先端クリ―ニングシ―ト |
DE19963124A1 (de) * | 1999-12-24 | 2001-07-12 | Roland Man Druckmasch | Reinigungsmedium und dessen Verwendung |
JP4222757B2 (ja) * | 2000-05-04 | 2009-02-12 | クナノ・アーベー | ナノ構造 |
US6787339B1 (en) * | 2000-10-02 | 2004-09-07 | Motorola, Inc. | Microfluidic devices having embedded metal conductors and methods of fabricating said devices |
JP3981246B2 (ja) * | 2001-05-02 | 2007-09-26 | 日東電工株式会社 | クリーニングシ―ト、クリーニング機能付き搬送部材、及びこれらを用いた基板処理装置のクリーニング方法 |
JP2004063669A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-02-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置クリーニングウエハとその製造方法、およびそれを用いたクリーニング方法 |
US7135728B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-11-14 | Nanosys, Inc. | Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor |
JP4052966B2 (ja) * | 2003-03-24 | 2008-02-27 | Necエレクトロニクス株式会社 | ウェハ検査装置およびその検査方法 |
SG10201803122UA (en) * | 2003-04-11 | 2018-06-28 | Nikon Corp | Immersion lithography apparatus and device manufacturing method |
TWI474380B (zh) * | 2003-05-23 | 2015-02-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
JP4305095B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2009-07-29 | 株式会社ニコン | 光学部品の洗浄機構を搭載した液浸投影露光装置及び液浸光学部品洗浄方法 |
JP2007510928A (ja) * | 2003-11-06 | 2007-04-26 | エス アール ユー バイオシステムズ,インコーポレイテッド | 高密度アミン機能化表面 |
JP3998014B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2007-10-24 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置、実装構造体、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
US7362412B2 (en) * | 2004-11-18 | 2008-04-22 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate in an immersion lithography system |
US7807335B2 (en) * | 2005-06-03 | 2010-10-05 | International Business Machines Corporation | Immersion lithography contamination gettering layer |
US20070004182A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods and system for inhibiting immersion lithography defect formation |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06224105A (ja) * | 1993-01-22 | 1994-08-12 | Kawasaki Steel Corp | 露光装置のステージのゴミ粒子除去方法 |
JPH0739787A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-10 | Nec Corp | 集塵器 |
JP2005277363A (ja) * | 2003-05-23 | 2005-10-06 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007123882A (ja) * | 2005-10-24 | 2007-05-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 液浸リソグラフィ装置及び方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013070037A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置用の洗浄基板、リソグラフィ装置用の洗浄方法、及びリソグラフィ装置 |
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