JP2002251975A - 電子線を用いた検査装置及び電子線を用いた検査方法 - Google Patents
電子線を用いた検査装置及び電子線を用いた検査方法Info
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 125
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 abstract 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 2
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000013481 data capture Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
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- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハ等の試料９の欠陥を電子線画像
を用いて検査する際、走査領域の両端部付近の画質変化
や偏向ひずみなどによる性能低下を防止し、高精度に検
出し、また、検査画像領域をモニタ５０で確認できるよ
うにすること。 【解決手段】 水平及び垂直走査領域の両端部付近を、
それぞれブランキング信号２２０及び垂直同期信号の制
御によって削除（４０１，４０２）した画像信号に基づ
いて、試料９の欠陥を比較検査する手段を備える。
を用いて検査する際、走査領域の両端部付近の画質変化
や偏向ひずみなどによる性能低下を防止し、高精度に検
出し、また、検査画像領域をモニタ５０で確認できるよ
うにすること。 【解決手段】 水平及び垂直走査領域の両端部付近を、
それぞれブランキング信号２２０及び垂直同期信号の制
御によって削除（４０１，４０２）した画像信号に基づ
いて、試料９の欠陥を比較検査する手段を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微細なパターンを
有する半導体装置、基板、ホトマスク（露光マスク）、
液晶等を検査する電子線を用いた検査装置および検査方
法に関する。
有する半導体装置、基板、ホトマスク（露光マスク）、
液晶等を検査する電子線を用いた検査装置および検査方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造過程における異常や不
良発生を、早期に、あるいは、事前に検知するため、各
製造工程の終了時に半導体ウエハ上のパターン検査が行
われる。
良発生を、早期に、あるいは、事前に検知するため、各
製造工程の終了時に半導体ウエハ上のパターン検査が行
われる。
【０００３】この欠陥を検査する方法として、分解能の
高い電子線画像を用いて、パターンを検査する方法およ
び装置が実用化されている。
高い電子線画像を用いて、パターンを検査する方法およ
び装置が実用化されている。
【０００４】ウェハの口径増大と回路パターンの微細化
に追随して高スループット且つ高精度な検査を行うため
には、非常に高速に、高ＳＮな画像を取得する必要があ
る。このため、通常の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の１
０００倍以上（１０ｎＡ以上）の大電流ビームを用いて
照射される電子数を確保し、高ＳＮ比を保持している。
さらに、基板から発生する二次電子、反射電子の高速、
且つ高効率な検出が必須である。また、レジスト等の絶
縁膜を伴った半導体基板が帯電の影響を受けないように
２ｋｅＶ以下の低加速電子線を照射している。
に追随して高スループット且つ高精度な検査を行うため
には、非常に高速に、高ＳＮな画像を取得する必要があ
る。このため、通常の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の１
０００倍以上（１０ｎＡ以上）の大電流ビームを用いて
照射される電子数を確保し、高ＳＮ比を保持している。
さらに、基板から発生する二次電子、反射電子の高速、
且つ高効率な検出が必須である。また、レジスト等の絶
縁膜を伴った半導体基板が帯電の影響を受けないように
２ｋｅＶ以下の低加速電子線を照射している。
【０００５】特開平１０−１２１７０号公報には、走査
速度可変の走査形荷電粒子ビーム装置において、走査速
度が速い場合の像の取り込み開始時点での走査信号の歪
に起因する像の歪を防止するため、ディジタル回路でブ
ランキング信号ＯＦＦと画像データの取り込み開始タイ
ミングを合わせる技術が開示されている。
速度可変の走査形荷電粒子ビーム装置において、走査速
度が速い場合の像の取り込み開始時点での走査信号の歪
に起因する像の歪を防止するため、ディジタル回路でブ
ランキング信号ＯＦＦと画像データの取り込み開始タイ
ミングを合わせる技術が開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＳＥＭ式検査装置にお
いては、所望の画像取得領域を端から１画素ずつビーム
照射して画像信号を形成してゆくため、領域の両端部付
近が領域の中央部と比較してビーム電流量等の条件が異
なり画質が変化する可能性がある。また、ビーム中心を
領域中心に置く必要上、画像取得領域の両端部では、偏
向ひずみが大きく電子光学条件としても好ましくなく、
このような悪条件下の画像を用いて比較検査を行うと、
検査性能の低下を来たすことがある。
いては、所望の画像取得領域を端から１画素ずつビーム
照射して画像信号を形成してゆくため、領域の両端部付
近が領域の中央部と比較してビーム電流量等の条件が異
なり画質が変化する可能性がある。また、ビーム中心を
領域中心に置く必要上、画像取得領域の両端部では、偏
向ひずみが大きく電子光学条件としても好ましくなく、
このような悪条件下の画像を用いて比較検査を行うと、
検査性能の低下を来たすことがある。
【０００７】前記の従来技術を検査ＳＥＭに適用して
も、上記した画像取得領域の両端部での検査性能の低下
を防止することはできない。
も、上記した画像取得領域の両端部での検査性能の低下
を防止することはできない。
【０００８】また、検査中の検出領域に関する画面条件
が、モニタから確認できないという問題があった。
が、モニタから確認できないという問題があった。
【０００９】本発明の目的は、検査中の検出領域に関す
る画面条件が、モニタ画像で確認できる電子線を用いた
検査装置又は方法を提供することである。
る画面条件が、モニタ画像で確認できる電子線を用いた
検査装置又は方法を提供することである。
【００１０】本発明の他の目的は、検査画像の端部の画
質変化や偏向ひずみ、シェーディング現象などによる検
出性能の低下を防止することのできる電子線を用いた検
査装置又は方法を提供することである。
質変化や偏向ひずみ、シェーディング現象などによる検
出性能の低下を防止することのできる電子線を用いた検
査装置又は方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、その一面にお
いて、電子線を走査して発生する二次荷電粒子の検出信
号に基づいて試料の欠陥を検出する際に、走査領域の両
端部分を削除した画像信号に基づいて欠陥を検出するこ
とを特徴とする。
いて、電子線を走査して発生する二次荷電粒子の検出信
号に基づいて試料の欠陥を検出する際に、走査領域の両
端部分を削除した画像信号に基づいて欠陥を検出するこ
とを特徴とする。
【００１２】本発明は、他の一面において、その走査開
始端部及び走査終了端部の所定幅の領域と，その内部の
画像領域とを区別してモニタ表示することを特徴とす
る。
始端部及び走査終了端部の所定幅の領域と，その内部の
画像領域とを区別してモニタ表示することを特徴とす
る。
【００１３】本発明は、更に他の一面において、ブラン
キング又は画像を取り込む同期信号を制御することによ
って、走査領域の両端部を、欠陥検査領域から除外する
ことを特徴とする。
キング又は画像を取り込む同期信号を制御することによ
って、走査領域の両端部を、欠陥検査領域から除外する
ことを特徴とする。
【００１４】本発明の望ましい一実施態様においては、
電子線走査手段が、試料上の第１の方向への高速走査
と、第１の方向とは異なる第２の方向への低速走査とを
同時並存する形で実行し、走査領域のうち画像比較手段
として使用しない両端部領域を、高速走査方向において
はブランキングにより設定し、低速走査方向においては
同期信号の開始と終了によって設定する。
電子線走査手段が、試料上の第１の方向への高速走査
と、第１の方向とは異なる第２の方向への低速走査とを
同時並存する形で実行し、走査領域のうち画像比較手段
として使用しない両端部領域を、高速走査方向において
はブランキングにより設定し、低速走査方向においては
同期信号の開始と終了によって設定する。
【００１５】これらにより、電子線を用いた検査装置に
おいて、１０ｎｓ単位の高精度なタイミング合わせを、
モニタ画像上で確認することができる。また、高速方向
又は低速方向の走査領域の両端部での振り始めと振り終
りの不安定性に伴う検査精度の低下を防止し、より高精
度の検査性能を持つ電子線を用いた検査装置又は方法を
提供できる。
おいて、１０ｎｓ単位の高精度なタイミング合わせを、
モニタ画像上で確認することができる。また、高速方向
又は低速方向の走査領域の両端部での振り始めと振り終
りの不安定性に伴う検査精度の低下を防止し、より高精
度の検査性能を持つ電子線を用いた検査装置又は方法を
提供できる。
【００１６】本発明によるその他の目的及び特徴は以下
の実施例の説明にて明らかにする。
の実施例の説明にて明らかにする。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
面を参照しながら説明する。 （実施例１）図１から図２に本発明の第一の実施例を示
す。
面を参照しながら説明する。 （実施例１）図１から図２に本発明の第一の実施例を示
す。
【００１８】図１は本発明の一実施例による電子線を用
いた検査装置であるＳＥＭ式外観検査装置の全体構成を
示す縦断面図及び制御ブロック図である。ＳＥＭ式外観
検査装置１は、室内が真空排気される検査室２と、検査
室２内に試料基板９を搬送するための予備室（本実施例
では図示せず）、画像処理部５、制御部６、二次電子検
出部７から構成されている。
いた検査装置であるＳＥＭ式外観検査装置の全体構成を
示す縦断面図及び制御ブロック図である。ＳＥＭ式外観
検査装置１は、室内が真空排気される検査室２と、検査
室２内に試料基板９を搬送するための予備室（本実施例
では図示せず）、画像処理部５、制御部６、二次電子検
出部７から構成されている。
【００１９】検査室２内は大別して、電子光学系３、試
料室８、光学顕微鏡部４から構成されている。電子光学
系３は、電子銃１０、電子線の引き出し電極１１、コン
デンサレンズ１２、ブランキング偏向器１３、走査偏向
器１５、絞り１４、対物レンズ（レンズ手段）１６、反
射板１７、Ｅ×Ｂ偏向器１８から構成されている。Ｅ×
Ｂ偏向器１８は、一次電子線に対しては電界と磁界によ
る偏向量が互いに打ち消しあい、二次電子線に対しては
両者の重ね合わせで電子を偏向させる。後述する二次電
子検出部７のうち、二次電子検出器２０が検査室２内の
対物レンズ１６の上方に配置されている。
料室８、光学顕微鏡部４から構成されている。電子光学
系３は、電子銃１０、電子線の引き出し電極１１、コン
デンサレンズ１２、ブランキング偏向器１３、走査偏向
器１５、絞り１４、対物レンズ（レンズ手段）１６、反
射板１７、Ｅ×Ｂ偏向器１８から構成されている。Ｅ×
Ｂ偏向器１８は、一次電子線に対しては電界と磁界によ
る偏向量が互いに打ち消しあい、二次電子線に対しては
両者の重ね合わせで電子を偏向させる。後述する二次電
子検出部７のうち、二次電子検出器２０が検査室２内の
対物レンズ１６の上方に配置されている。
【００２０】試料室８は、試料台３０、Ｘステージ３
１、Ｙステージ３２、位置モニタ用測長器３４、試料高
さ測定器３５から構成されている。光学顕微鏡部４は、
検査室２の室内における電子光学系３の近傍であって、
互いに影響を及ぼさない程度離れた位置に設備されてい
る。そして、Ｘステージ３１またはＹステージ３２が電
子光学系３と光学顕微鏡部４の間を往復移動する。光学
顕微鏡部４は光源４０、光学レンズ４１、ＣＣＤ（電荷
結合ディバイス：Charge Coupled Device）カメラ４２
により構成されている。
１、Ｙステージ３２、位置モニタ用測長器３４、試料高
さ測定器３５から構成されている。光学顕微鏡部４は、
検査室２の室内における電子光学系３の近傍であって、
互いに影響を及ぼさない程度離れた位置に設備されてい
る。そして、Ｘステージ３１またはＹステージ３２が電
子光学系３と光学顕微鏡部４の間を往復移動する。光学
顕微鏡部４は光源４０、光学レンズ４１、ＣＣＤ（電荷
結合ディバイス：Charge Coupled Device）カメラ４２
により構成されている。
【００２１】画像処理部５は、第一画像記憶部４６、第
二画像記憶部４７、演算部４８、欠陥判定部４９より構
成されている。取り込まれた電子線画像あるいは光学画
像はモニタ５０に表示される。
二画像記憶部４７、演算部４８、欠陥判定部４９より構
成されている。取り込まれた電子線画像あるいは光学画
像はモニタ５０に表示される。
【００２２】装置各部の動作命令および動作条件は、制
御部６から入出力される。制御部６には、あらかじめ電
子線発生時の加速電圧、電子線偏向幅、偏向速度、二次
電子検出装置の信号取り込みタイミング、試料台移動速
度等々の条件が、目的に応じて任意にあるいは選択して
設定入力されている。制御部６は、補正制御回路４３を
用いて、位置モニタ用測長器３４、試料高さ測定器３５
の信号から位置や高さのずれをモニタし、その結果によ
り補正信号を生成し、電子線が常に正しい位置に照射さ
れるよう対物レンズ電源４５や走査信号発生器４４に補
正信号を送る。
御部６から入出力される。制御部６には、あらかじめ電
子線発生時の加速電圧、電子線偏向幅、偏向速度、二次
電子検出装置の信号取り込みタイミング、試料台移動速
度等々の条件が、目的に応じて任意にあるいは選択して
設定入力されている。制御部６は、補正制御回路４３を
用いて、位置モニタ用測長器３４、試料高さ測定器３５
の信号から位置や高さのずれをモニタし、その結果によ
り補正信号を生成し、電子線が常に正しい位置に照射さ
れるよう対物レンズ電源４５や走査信号発生器４４に補
正信号を送る。
【００２３】試料９の画像を取得するためには、細く絞
った電子線１９を該試料９に照射し、二次電子５１を発
生させ、これらを電子線１９の走査およびＸステージ３
１、Ｙステージ３２の移動と同期して検出する。
った電子線１９を該試料９に照射し、二次電子５１を発
生させ、これらを電子線１９の走査およびＸステージ３
１、Ｙステージ３２の移動と同期して検出する。
【００２４】このＳＥＭ式外観検査装置では検査速度が
速いことが必須となる。従って、通常のＳＥＭのように
ｐＡオーダーの電子線電流の電子線を低速で走査した
り、多数回の走査および各々の画像の重ね合せは行わな
い。また、絶縁材料への帯電を抑制するためにも、電子
線走査は高速で一回あるいは数回程度にして多数回の走
査は行わない。そこで本実施例では、従来のＳＥＭに比
べて約１０００倍以上の、例えば１００ｎＡの大電流の
電子線を一回のみ走査することにより、画像を形成する
構成とした。
速いことが必須となる。従って、通常のＳＥＭのように
ｐＡオーダーの電子線電流の電子線を低速で走査した
り、多数回の走査および各々の画像の重ね合せは行わな
い。また、絶縁材料への帯電を抑制するためにも、電子
線走査は高速で一回あるいは数回程度にして多数回の走
査は行わない。そこで本実施例では、従来のＳＥＭに比
べて約１０００倍以上の、例えば１００ｎＡの大電流の
電子線を一回のみ走査することにより、画像を形成する
構成とした。
【００２５】電子銃１０には拡散補給型の熱電界放出電
子源が使用されている。この電子銃１０を用いることに
より、例えばタングステンフィラメント電子源や、冷電
界放出型電子源に比べて安定した電子線電流を確保する
ことができる。このため、明るさ変動の少ない電子線画
像が得られる。また、この電子銃１０により電子線電流
を大きく設定することができるため、後述するような高
速検査を実現できる。電子線１９は、電子銃１０と引き
出し電極１１との間に電圧を印加することで、電子銃１
０から引き出される。
子源が使用されている。この電子銃１０を用いることに
より、例えばタングステンフィラメント電子源や、冷電
界放出型電子源に比べて安定した電子線電流を確保する
ことができる。このため、明るさ変動の少ない電子線画
像が得られる。また、この電子銃１０により電子線電流
を大きく設定することができるため、後述するような高
速検査を実現できる。電子線１９は、電子銃１０と引き
出し電極１１との間に電圧を印加することで、電子銃１
０から引き出される。
【００２６】電子線１９は、電子銃１０に高電圧の負の
電位を印加することによって加速される。これにより、
電子線１９はその電位に相当するエネルギーで試料台３
０の方向に進み、コンデンサレンズ１２で収束され、さ
らに対物レンズ１６により細く絞られて試料台３０の上
のＸステージ３１、Ｙステージ３２の上に搭載された試
料９に照射される。試料９は半導体ウエハ、チップある
いは液晶、マスク等の微細回路パターンを有する基板で
ある。ブランキング偏向器１３には、走査信号およびブ
ランキング信号を発生する走査信号発生器４４が接続さ
れ、対物レンズ１６には対物レンズ電源４５が接続され
ている。
電位を印加することによって加速される。これにより、
電子線１９はその電位に相当するエネルギーで試料台３
０の方向に進み、コンデンサレンズ１２で収束され、さ
らに対物レンズ１６により細く絞られて試料台３０の上
のＸステージ３１、Ｙステージ３２の上に搭載された試
料９に照射される。試料９は半導体ウエハ、チップある
いは液晶、マスク等の微細回路パターンを有する基板で
ある。ブランキング偏向器１３には、走査信号およびブ
ランキング信号を発生する走査信号発生器４４が接続さ
れ、対物レンズ１６には対物レンズ電源４５が接続され
ている。
【００２７】試料９には、高圧電源３６により負の電圧
を印加する。この高圧電源３６の電圧を調節することに
より、電子線１９を減速し、電子銃１０の電位を変えず
に試料９への電子線照射エネルギーを最適な値に調節す
ることができる。
を印加する。この高圧電源３６の電圧を調節することに
より、電子線１９を減速し、電子銃１０の電位を変えず
に試料９への電子線照射エネルギーを最適な値に調節す
ることができる。
【００２８】試料９上に電子線１９を照射することによ
って発生した二次電子５１は、試料９に印加された負の
電圧により加速される。試料９の上方に、電界と磁界の
両方によって電子線１９の軌道へは影響を与えずに二次
電子の軌道を曲げるためのＥ×Ｂ偏向器１８が配置さ
れ、これにより加速された二次電子５１は所定の方向へ
偏向される。Ｅ×Ｂ偏向器１８にかける電界と磁界の強
度により、この偏向量を調整することができる。また、
この電界と磁界は、試料９に印加した負の電圧に連動さ
せて可変させることができる。
って発生した二次電子５１は、試料９に印加された負の
電圧により加速される。試料９の上方に、電界と磁界の
両方によって電子線１９の軌道へは影響を与えずに二次
電子の軌道を曲げるためのＥ×Ｂ偏向器１８が配置さ
れ、これにより加速された二次電子５１は所定の方向へ
偏向される。Ｅ×Ｂ偏向器１８にかける電界と磁界の強
度により、この偏向量を調整することができる。また、
この電界と磁界は、試料９に印加した負の電圧に連動さ
せて可変させることができる。
【００２９】Ｅ×Ｂ偏向器１８により偏向された二次電
子５１は、所定の条件で反射板１７に衝突する。この反
射板１７は円錐形状をしており、試料９に照射する電子
線１９をシールドするシールドパイプの機能も有してい
る。この反射板１７に加速された二次電子５１が衝突す
ると、反射板１７からは数ｅＶから５０ｅＶのエネルギ
ーを持つ第二の二次電子５２が発生する。
子５１は、所定の条件で反射板１７に衝突する。この反
射板１７は円錐形状をしており、試料９に照射する電子
線１９をシールドするシールドパイプの機能も有してい
る。この反射板１７に加速された二次電子５１が衝突す
ると、反射板１７からは数ｅＶから５０ｅＶのエネルギ
ーを持つ第二の二次電子５２が発生する。
【００３０】二次電子検出部７としては、真空排気され
た検査室２内に二次電子検出器２０を配置していること
は前述したが、検査室２の外にプリアンプ２１、ＡＤ変
換器２２、光変換手段２３、光伝送手段２４、電気変換
手段２５、プリアンプ駆動電源２７、ＡＤ変換器駆動電
源２８、逆バイアス電源２９が設けられ、高圧電源２６
により正の電位にフローティングされている。反射板１
７に衝突して発生した第二の二次電子５２は、この正の
電位によって作られた吸引電界により二次電子検出器２
０へ導かれる。
た検査室２内に二次電子検出器２０を配置していること
は前述したが、検査室２の外にプリアンプ２１、ＡＤ変
換器２２、光変換手段２３、光伝送手段２４、電気変換
手段２５、プリアンプ駆動電源２７、ＡＤ変換器駆動電
源２８、逆バイアス電源２９が設けられ、高圧電源２６
により正の電位にフローティングされている。反射板１
７に衝突して発生した第二の二次電子５２は、この正の
電位によって作られた吸引電界により二次電子検出器２
０へ導かれる。
【００３１】二次電子検出器２０は、電子線１９の走査
のタイミングと連動して、第二の二次電子５２を検出す
る。例えば制御部６内の水平及び垂直同期信号生成部
（手段）によって作られた水平及び垂直同期信号に合わ
せて二次電子を取り込み、その出力信号は、プリアンプ
２１で増幅され、ＡＤ変換器２２によりデジタルデータ
となり、画像処理部５に伝送される。検出したアナログ
信号を検出直後にデジタル化して伝送するので、高速で
且つＳＮ比の高い信号を得ることができる。
のタイミングと連動して、第二の二次電子５２を検出す
る。例えば制御部６内の水平及び垂直同期信号生成部
（手段）によって作られた水平及び垂直同期信号に合わ
せて二次電子を取り込み、その出力信号は、プリアンプ
２１で増幅され、ＡＤ変換器２２によりデジタルデータ
となり、画像処理部５に伝送される。検出したアナログ
信号を検出直後にデジタル化して伝送するので、高速で
且つＳＮ比の高い信号を得ることができる。
【００３２】Ｘステージ３１、Ｙステージ３２上には試
料９が搭載されており、検査実行時にＸステージ３１、
Ｙステージ３２を静止させて電子線１９を二次元に走査
する方法と、検査実行時にＸステージ３１、Ｙステージ
３２をＹ方向に連続して一定速度で移動させて電子線１
９をＸ方向に直線的に走査する方法とのいずれかを選択
できる。ある特定の比較的小さい領域を検査する場合に
は前者の試料９を静止させて検査する方法が、比較的広
い領域を検査するときは、試料９を連続的に一定速度で
移動させて検査する方法が有効である。電子線１９のブ
ランキング制御は、ブランキング偏向器１３により電子
線１９が偏向され、電子線が絞り１４を通過しないよう
にして実行される。
料９が搭載されており、検査実行時にＸステージ３１、
Ｙステージ３２を静止させて電子線１９を二次元に走査
する方法と、検査実行時にＸステージ３１、Ｙステージ
３２をＹ方向に連続して一定速度で移動させて電子線１
９をＸ方向に直線的に走査する方法とのいずれかを選択
できる。ある特定の比較的小さい領域を検査する場合に
は前者の試料９を静止させて検査する方法が、比較的広
い領域を検査するときは、試料９を連続的に一定速度で
移動させて検査する方法が有効である。電子線１９のブ
ランキング制御は、ブランキング偏向器１３により電子
線１９が偏向され、電子線が絞り１４を通過しないよう
にして実行される。
【００３３】Ｘステージ３１およびＹステージ３２の位
置をモニタする位置モニタ用測長器３４として、本実施
例ではレーザ干渉による測長計を用いた。Ｘステージ３
１およびＹステージ３２の位置が実時間でモニタでき、
その結果が制御部６に転送されるようになっている。ま
た、Ｘステージ３１、Ｙステージ３２、回転ステージ３
３のモータの回転数等のデータも同様に、各々のドライ
バから制御部６に転送されるように構成されており、制
御部６はこれらのデータに基いて電子線１９が照射され
ている領域や位置が正確に把握できるようになってい
る。したがって、必要に応じて実時間で電子線１９の照
射位置の位置ずれを補正制御回路４３で補正できるよう
になっている。また、試料９毎に、電子線１９を照射し
た領域を記憶できるようになっている。
置をモニタする位置モニタ用測長器３４として、本実施
例ではレーザ干渉による測長計を用いた。Ｘステージ３
１およびＹステージ３２の位置が実時間でモニタでき、
その結果が制御部６に転送されるようになっている。ま
た、Ｘステージ３１、Ｙステージ３２、回転ステージ３
３のモータの回転数等のデータも同様に、各々のドライ
バから制御部６に転送されるように構成されており、制
御部６はこれらのデータに基いて電子線１９が照射され
ている領域や位置が正確に把握できるようになってい
る。したがって、必要に応じて実時間で電子線１９の照
射位置の位置ずれを補正制御回路４３で補正できるよう
になっている。また、試料９毎に、電子線１９を照射し
た領域を記憶できるようになっている。
【００３４】試料高さ測定器３５は、光学式測定器、例
えば、レーザ干渉測定器や反射光の位置で変化を測定す
る反射光式測定器が使用され、Ｘステージ上３１、Ｙス
テージ３２に搭載された試料９の高さを実時間で測定で
きるように構成されている。本実施例では、スリットを
通過した細長い白色光を透明な窓越しに試料９に照射
し、反射光の位置を位置検出モニタにて検出し、位置の
変動から高さの変化量を算出する方式を用いている。こ
の光学式高さ測定器３５の測定データに基いて、対物レ
ンズ１６の焦点距離がダイナミックに補正され、常に被
検査領域に焦点が合った電子線１９を照射できるように
なっている。また、試料９の反りや高さ歪みを電子線照
射前に予め測定しておき、そのデータをもとに対物レン
ズ１６の被検査領域毎の補正条件を設定するように構成
することも可能である。
えば、レーザ干渉測定器や反射光の位置で変化を測定す
る反射光式測定器が使用され、Ｘステージ上３１、Ｙス
テージ３２に搭載された試料９の高さを実時間で測定で
きるように構成されている。本実施例では、スリットを
通過した細長い白色光を透明な窓越しに試料９に照射
し、反射光の位置を位置検出モニタにて検出し、位置の
変動から高さの変化量を算出する方式を用いている。こ
の光学式高さ測定器３５の測定データに基いて、対物レ
ンズ１６の焦点距離がダイナミックに補正され、常に被
検査領域に焦点が合った電子線１９を照射できるように
なっている。また、試料９の反りや高さ歪みを電子線照
射前に予め測定しておき、そのデータをもとに対物レン
ズ１６の被検査領域毎の補正条件を設定するように構成
することも可能である。
【００３５】画像処理部５は第一画像記憶部４６、第二
画像記憶部４７、演算部４８、欠陥判定部４９、モニタ
５０により構成されている。二次電子検出器２０で検出
された試料９の画像信号は、ＡＤ変換器２２でデジタル
化された後に光変換手段２３で光信号に変換され、光伝
送手段２４によって伝送され、電気変換手段２５にて再
び電気信号に変換された後に、第一画像記憶部４６ある
いは第二画像記憶部４７に記憶される。演算部４８は、
第一画像記憶部４６に記憶された画像信号と第二画像記
憶部４７に記憶された画像信号との位置合せ、信号レベ
ルの規格化、ノイズ信号を除去するための各種画像処理
を施し、双方の画像信号を比較演算する。欠陥判定部４
９は、演算部４８にて比較演算された差画像信号の絶対
値を所定のしきい値と比較し、所定のしきい値よりも差
画像信号レベルが大きい場合に、その画素を欠陥候補と
判定し、モニタ５０にその位置や欠陥数等を表示する。
画像記憶部４７、演算部４８、欠陥判定部４９、モニタ
５０により構成されている。二次電子検出器２０で検出
された試料９の画像信号は、ＡＤ変換器２２でデジタル
化された後に光変換手段２３で光信号に変換され、光伝
送手段２４によって伝送され、電気変換手段２５にて再
び電気信号に変換された後に、第一画像記憶部４６ある
いは第二画像記憶部４７に記憶される。演算部４８は、
第一画像記憶部４６に記憶された画像信号と第二画像記
憶部４７に記憶された画像信号との位置合せ、信号レベ
ルの規格化、ノイズ信号を除去するための各種画像処理
を施し、双方の画像信号を比較演算する。欠陥判定部４
９は、演算部４８にて比較演算された差画像信号の絶対
値を所定のしきい値と比較し、所定のしきい値よりも差
画像信号レベルが大きい場合に、その画素を欠陥候補と
判定し、モニタ５０にその位置や欠陥数等を表示する。
【００３６】図２は、画像信号形成のための各種信号の
タイミングシーケンスを示す。すなわち、図１における
走査偏向器１５を駆動させる水平（Ｘ軸方向）偏向信号
２１０と、ブランキング偏向器１３を駆動させるブラン
キング信号２２０と、ＡＤ変換器２２の動作タイミング
を決める水平同期信号２３０の３種類の信号のタイミン
グを表している。前述したように、偏向信号（Ｘ）２１
０とブランキング信号２２０は走査信号発生器４４によ
り生成され、実際に試料９のどの部分に電子線を照射す
るかを決めている。水平同期信号２３０は、偏向信号
（Ｘ）２１０と同期した形で検出信号のどの部分を画像
信号として取り出すかを決めている。
タイミングシーケンスを示す。すなわち、図１における
走査偏向器１５を駆動させる水平（Ｘ軸方向）偏向信号
２１０と、ブランキング偏向器１３を駆動させるブラン
キング信号２２０と、ＡＤ変換器２２の動作タイミング
を決める水平同期信号２３０の３種類の信号のタイミン
グを表している。前述したように、偏向信号（Ｘ）２１
０とブランキング信号２２０は走査信号発生器４４によ
り生成され、実際に試料９のどの部分に電子線を照射す
るかを決めている。水平同期信号２３０は、偏向信号
（Ｘ）２１０と同期した形で検出信号のどの部分を画像
信号として取り出すかを決めている。
【００３７】第一の実施例である図２は、試料９上を図
の横方向であるＸ軸方向へ電子線を高速走査（３００）
しながら縦方向のＹ軸方向へ低速走査（３１０）で送
り、図中の１ストライプ２００を検査する状況を、横方
向の高速走査（３００）のシーケンスタイミングで図示
している。なおここで、Ｙ軸方向への低速走査（３１
０）は、偏向に加えてステージ移動により電子線走査を
補ってもよいし、偏向に代えてステージ移動のみにより
電子線走査を行うこともできる。
の横方向であるＸ軸方向へ電子線を高速走査（３００）
しながら縦方向のＹ軸方向へ低速走査（３１０）で送
り、図中の１ストライプ２００を検査する状況を、横方
向の高速走査（３００）のシーケンスタイミングで図示
している。なおここで、Ｙ軸方向への低速走査（３１
０）は、偏向に加えてステージ移動により電子線走査を
補ってもよいし、偏向に代えてステージ移動のみにより
電子線走査を行うこともできる。
【００３８】この実施例においては、ブランキング信号
２２０の停止（電子線照射状態）をＸ軸偏向領域（偏向
信号の鋸波部）や水平同期信号のＯＮ幅よりも狭くする
ことにより、画像の左端と右端の信号を削除している。
すなわち、Ｘ軸走査領域の開始端（図の左端）におい
て、水平同期信号２３０の開始後にブランキング信号２
２０を停止し、Ｘ軸走査領域の終端（右端）において、
ブランキング信号２２０の開始後に水平同期信号２３０
を停止している。これにより、電子線１９の振り始め
（左端）と振り終わり（右端）の電子光学的に不安定な
部分を画像信号から除去することができ、検査性能の劣
化を防止することができる。
２２０の停止（電子線照射状態）をＸ軸偏向領域（偏向
信号の鋸波部）や水平同期信号のＯＮ幅よりも狭くする
ことにより、画像の左端と右端の信号を削除している。
すなわち、Ｘ軸走査領域の開始端（図の左端）におい
て、水平同期信号２３０の開始後にブランキング信号２
２０を停止し、Ｘ軸走査領域の終端（右端）において、
ブランキング信号２２０の開始後に水平同期信号２３０
を停止している。これにより、電子線１９の振り始め
（左端）と振り終わり（右端）の電子光学的に不安定な
部分を画像信号から除去することができ、検査性能の劣
化を防止することができる。
【００３９】また、右端から電子線１９を振り戻す際、
既にブランキングＯＮの状態にあるため試料上に破線３
２０で示す余分な電子線を照射することはなく、シェー
ディング現象などによる検査性能劣化も防止できる。さ
らに、試料保護の観点から見ても、余分な電子線照射を
カットするという意味で大きな効果がある。
既にブランキングＯＮの状態にあるため試料上に破線３
２０で示す余分な電子線を照射することはなく、シェー
ディング現象などによる検査性能劣化も防止できる。さ
らに、試料保護の観点から見ても、余分な電子線照射を
カットするという意味で大きな効果がある。
【００４０】本実施例によれば、削除した両端部分はブ
ランキングＯＮのため、画像信号としては無信号状態の
黒色信号となり、モニタ５０の画像の両端に黒い縦帯４
０１，４０２が生じることから、試料９上の走査状態
が、上記のような好条件にあることを視覚的に確認でき
るという効果は大きい。
ランキングＯＮのため、画像信号としては無信号状態の
黒色信号となり、モニタ５０の画像の両端に黒い縦帯４
０１，４０２が生じることから、試料９上の走査状態
が、上記のような好条件にあることを視覚的に確認でき
るという効果は大きい。
【００４１】すなわち、モニタ装置５０は、走査手段４
４，１５の走査領域（Ｘ軸偏向信号２１０の鋸波部）内
において，その走査開始端部及び走査終了端部の所定幅
の領域４０１，４０２と，その内部の画像領域とを区別
して表示する手段を備えて構成している。言い換えれ
ば、所定幅の領域４０１．４０２を、無信号状態の黒色
信号などの所定の画像信号に置き換え表示させる手段を
有する。また、この所定幅の領域４０１．４０２によっ
て、ブランキング信号２２０と水平同期信号２３０との
関係を画面上に表示する表示装置を備えていると言え
る。更に、モニタ５０は、偏向領域（Ｘ軸偏向信号２１
０の鋸波部）とこの偏向領域内の画像領域とを画面上に
表示する表示装置を備えていると言うことができる。 （実施例２）本発明の第二の実施例を図３に示す。図３
は図２と同様の図であり、試料９上を図の横（Ｘ軸）方
向への高速走査タイミングを示したものである。違いは
ブランキング信号２２１と水平同期信号２３１のタイミ
ングが入れ替わっていることだけである。すなわち、水
平同期信号２３１を偏向幅やブランキングＯＦＦの幅よ
りも狭くすることにより、電子線Ｘ軸走査領域の両端の
部分を画像信号から除去している。これは言い換える
と、所望の画像取得領域を水平同期信号の幅とすると、
電子線走査領域を余分に大き目にとることに相当する。
すなわち、Ｘ軸走査領域の開始端（図の左端）におい
て、ブランキング信号２２１の停止後に水平同期信号２
３１を開始し、Ｘ軸走査領域の終端（右端）において、
水平同期信号２３１の停止後にブランキング信号２２１
を開始している。これにより、電子線１９の振り始め
（左端）と振り終わり（右端）の電子光学的に不安定な
部分を画像信号から除去することができ、検査性能の劣
化を防止することができる。 （実施例３）本発明の第三の実施例を図４に示す。図４
は試料９上を図の横（Ｘ軸）方向へ電子線を高速走査
（３００）しながら縦（Ｙ軸）方向へ低速走査（３１
０）で送り、図中の１ストライプ２００を検査しようと
する場合であり、その中のＹ軸方向の低速走査のシーケ
ンスタイミングを図示したものである。なおここで、Ｙ
軸方向への低速走査はステージ移動により電子線走査を
補ってもよい。
４，１５の走査領域（Ｘ軸偏向信号２１０の鋸波部）内
において，その走査開始端部及び走査終了端部の所定幅
の領域４０１，４０２と，その内部の画像領域とを区別
して表示する手段を備えて構成している。言い換えれ
ば、所定幅の領域４０１．４０２を、無信号状態の黒色
信号などの所定の画像信号に置き換え表示させる手段を
有する。また、この所定幅の領域４０１．４０２によっ
て、ブランキング信号２２０と水平同期信号２３０との
関係を画面上に表示する表示装置を備えていると言え
る。更に、モニタ５０は、偏向領域（Ｘ軸偏向信号２１
０の鋸波部）とこの偏向領域内の画像領域とを画面上に
表示する表示装置を備えていると言うことができる。 （実施例２）本発明の第二の実施例を図３に示す。図３
は図２と同様の図であり、試料９上を図の横（Ｘ軸）方
向への高速走査タイミングを示したものである。違いは
ブランキング信号２２１と水平同期信号２３１のタイミ
ングが入れ替わっていることだけである。すなわち、水
平同期信号２３１を偏向幅やブランキングＯＦＦの幅よ
りも狭くすることにより、電子線Ｘ軸走査領域の両端の
部分を画像信号から除去している。これは言い換える
と、所望の画像取得領域を水平同期信号の幅とすると、
電子線走査領域を余分に大き目にとることに相当する。
すなわち、Ｘ軸走査領域の開始端（図の左端）におい
て、ブランキング信号２２１の停止後に水平同期信号２
３１を開始し、Ｘ軸走査領域の終端（右端）において、
水平同期信号２３１の停止後にブランキング信号２２１
を開始している。これにより、電子線１９の振り始め
（左端）と振り終わり（右端）の電子光学的に不安定な
部分を画像信号から除去することができ、検査性能の劣
化を防止することができる。 （実施例３）本発明の第三の実施例を図４に示す。図４
は試料９上を図の横（Ｘ軸）方向へ電子線を高速走査
（３００）しながら縦（Ｙ軸）方向へ低速走査（３１
０）で送り、図中の１ストライプ２００を検査しようと
する場合であり、その中のＹ軸方向の低速走査のシーケ
ンスタイミングを図示したものである。なおここで、Ｙ
軸方向への低速走査はステージ移動により電子線走査を
補ってもよい。
【００４２】この場合、ブランキング制御の有無を表す
信号２５０のＯＦＦ（電子線照射状態）をＹ軸偏向幅
（Ｙ軸偏向信号２４０の鋸波部）や垂直同期信号２６０
のＯＮの幅よりも狭くし、電子線の走査領域の開始端に
おいて，垂直同期信号２６０の開始後にブランキング制
御を停止（２５０のＯＦＦ）するステップと、電子線の
走査領域の終端において，ブランキングの開始（２５０
のＯＮ）後に垂直同期信号２６０を停止するステップを
含む方法により、画像の上端と下端の信号を削除してい
る。これにより、電子線の振り始め（上端）と振り終わ
り（下端）の電子光学的に不安定な部分を画像信号から
除去し、検査性能の劣化を防止することができる。言い
換えれば、前述した画像比較手段で使用しない端部領域
を設定する手段を設けている。削除した上下端部分はブ
ランキングＯＮのため、図２と同様に、モニタ５０の画
像上に黒い横帯４１０ができ条件設定を視覚的に確認で
きる。また、本実施例では、試料への余分な電子線照射
をカットしている。 （実施例４）本発明の第四の実施例を図５に示す。図５
は図４と同様の図であり、試料９上を図のＸ軸方向へ電
子線を高速走査しながらＹ軸方向へ低速走査で送り、図
中の１ストライプ２００を検査しようとする場合であ
り、その中のＹ軸方向の低速走査のシーケンスタイミン
グを図示したものである。ここで、Ｙ軸方向への低速走
査はステージ移動により電子線走査を補ってもよい。
信号２５０のＯＦＦ（電子線照射状態）をＹ軸偏向幅
（Ｙ軸偏向信号２４０の鋸波部）や垂直同期信号２６０
のＯＮの幅よりも狭くし、電子線の走査領域の開始端に
おいて，垂直同期信号２６０の開始後にブランキング制
御を停止（２５０のＯＦＦ）するステップと、電子線の
走査領域の終端において，ブランキングの開始（２５０
のＯＮ）後に垂直同期信号２６０を停止するステップを
含む方法により、画像の上端と下端の信号を削除してい
る。これにより、電子線の振り始め（上端）と振り終わ
り（下端）の電子光学的に不安定な部分を画像信号から
除去し、検査性能の劣化を防止することができる。言い
換えれば、前述した画像比較手段で使用しない端部領域
を設定する手段を設けている。削除した上下端部分はブ
ランキングＯＮのため、図２と同様に、モニタ５０の画
像上に黒い横帯４１０ができ条件設定を視覚的に確認で
きる。また、本実施例では、試料への余分な電子線照射
をカットしている。 （実施例４）本発明の第四の実施例を図５に示す。図５
は図４と同様の図であり、試料９上を図のＸ軸方向へ電
子線を高速走査しながらＹ軸方向へ低速走査で送り、図
中の１ストライプ２００を検査しようとする場合であ
り、その中のＹ軸方向の低速走査のシーケンスタイミン
グを図示したものである。ここで、Ｙ軸方向への低速走
査はステージ移動により電子線走査を補ってもよい。
【００４３】違いはブランキング制御の有無（信号２５
１のＯＮ，ＯＦＦ）と垂直同期信号２６１のタイミング
が入れ替わっていることである。すなわち、垂直同期信
号２６１をＹ軸偏向信号２４０（Ｙ）の鋸波部の幅やブ
ランキング制御の幅（信号２５１のＯＦＦ幅）よりも狭
くすることにより、すなわち、電子線の走査領域の開始
端（図の上端）において，ブランキングの停止後に垂直
同期信号２６１を開始するステップと、電子線の走査領
域の終端（図の下端）において，垂直同期信号２５１の
終了後にブランキングを開始するステップを含み、電子
線のＹ軸方向走査（偏向）領域の両端（図の上下端）の
部分を画像信号から除去している。
１のＯＮ，ＯＦＦ）と垂直同期信号２６１のタイミング
が入れ替わっていることである。すなわち、垂直同期信
号２６１をＹ軸偏向信号２４０（Ｙ）の鋸波部の幅やブ
ランキング制御の幅（信号２５１のＯＦＦ幅）よりも狭
くすることにより、すなわち、電子線の走査領域の開始
端（図の上端）において，ブランキングの停止後に垂直
同期信号２６１を開始するステップと、電子線の走査領
域の終端（図の下端）において，垂直同期信号２５１の
終了後にブランキングを開始するステップを含み、電子
線のＹ軸方向走査（偏向）領域の両端（図の上下端）の
部分を画像信号から除去している。
【００４４】言い換えると、所望の画像取得領域を垂直
同期信号の幅とすると、電子線走査領域を余分に大き目
にとることに相当する。これにより、電子線１９の振り
始め（上端）と振り終わり（下端）の電子光学的に不安
定な部分を画像信号から除去することができ、検査性能
の劣化を防止することができる。図５においては、電子
線の走査のうち開始時の一走査幅および終了時の一走査
幅を画像信号から除去した図としているが、実際には１
０走査前後を除去することが望ましい。
同期信号の幅とすると、電子線走査領域を余分に大き目
にとることに相当する。これにより、電子線１９の振り
始め（上端）と振り終わり（下端）の電子光学的に不安
定な部分を画像信号から除去することができ、検査性能
の劣化を防止することができる。図５においては、電子
線の走査のうち開始時の一走査幅および終了時の一走査
幅を画像信号から除去した図としているが、実際には１
０走査前後を除去することが望ましい。
【００４５】ところで、図２，３で示した画像の水平
（Ｘ軸）方向両端部の削除と、図４，５で述べた画像の
垂直（Ｙ軸）方向両端部の削除とは、４通りのいかなる
組合せでも実行できるが、図２と図５の組合せが望まし
い。すなわち、水平方向に関しては、試料９に常時余分
な電子線１９を放射し続ける図３よりも、これをブラン
キングする図２が好ましく、一方、垂直方向に関して
は、１ストライプ２００の最上端と最下端でのみ余分な
水平走査しか生じない図５の方法で、垂直同期信号によ
り確実に、最上端と最下端をカットすることが好ましい
と言える。
（Ｘ軸）方向両端部の削除と、図４，５で述べた画像の
垂直（Ｙ軸）方向両端部の削除とは、４通りのいかなる
組合せでも実行できるが、図２と図５の組合せが望まし
い。すなわち、水平方向に関しては、試料９に常時余分
な電子線１９を放射し続ける図３よりも、これをブラン
キングする図２が好ましく、一方、垂直方向に関して
は、１ストライプ２００の最上端と最下端でのみ余分な
水平走査しか生じない図５の方法で、垂直同期信号によ
り確実に、最上端と最下端をカットすることが好ましい
と言える。
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば、試料の欠陥を電子線を
用いて高精度に検出すると同時に、その際問題となる走
査領域の両端部周辺の画質変化や偏向ひずみ、シェーデ
ィング現象などによる欠陥検出性能の低下を防止するこ
とができる電子線を用いた検査装置および検査方法を提
供することができる。
用いて高精度に検出すると同時に、その際問題となる走
査領域の両端部周辺の画質変化や偏向ひずみ、シェーデ
ィング現象などによる欠陥検出性能の低下を防止するこ
とができる電子線を用いた検査装置および検査方法を提
供することができる。
【図１】ＳＥＭ式外観検査装置の装置構成を示す縦断面
及びシステム全体ブロック図。
及びシステム全体ブロック図。
【図２】本発明の第一の実施例による高速走査における
シーケンスタイミングを表す波形図と半導体ウエハの平
面図。
シーケンスタイミングを表す波形図と半導体ウエハの平
面図。
【図３】本発明の第二の実施例による高速走査における
シーケンスタイミングを表す波形図。
シーケンスタイミングを表す波形図。
【図４】本発明の第三の実施例による低速走査における
シーケンスタイミングを表す波形図と半導体ウエハの平
面図。
シーケンスタイミングを表す波形図と半導体ウエハの平
面図。
【図５】本発明の第四の実施例による低速走査における
シーケンスタイミングを表す波形図。
シーケンスタイミングを表す波形図。
１…ＳＥＭ式外観検査装置、３…電子光学系、５…画像
処理部、６…制御部、７…二次電子検出部、９…試料、
１０…電子銃、１３…ブランキング偏向器、１５…走査
偏向器、１９…電子線、２０…二次電子検出器、４３…
補正制御回路、４４…走査信号発生器、４６…第一画像
記憶部、４７…第二画像記憶部、４９…欠陥判定部、５
０…モニタ、５１…二次電子、５２…第二の二次電子、
２００…検査ストライプ、２１０…水平偏向信号、２２
０，２２１…水平ブランキング信号、２３０，２３１…
水平同期信号、２４０…垂直偏向信号、２５０，２５１
…垂直ブランキング信号、２６０，２６１…垂直同期信
号、３００…電子線の水平高速走査、３１０…電子線の
垂直低速走査、３２０…電子線の振り戻し、４０１，４
０２，４１０…検出画像上の削除（無信号）部分。
処理部、６…制御部、７…二次電子検出部、９…試料、
１０…電子銃、１３…ブランキング偏向器、１５…走査
偏向器、１９…電子線、２０…二次電子検出器、４３…
補正制御回路、４４…走査信号発生器、４６…第一画像
記憶部、４７…第二画像記憶部、４９…欠陥判定部、５
０…モニタ、５１…二次電子、５２…第二の二次電子、
２００…検査ストライプ、２１０…水平偏向信号、２２
０，２２１…水平ブランキング信号、２３０，２３１…
水平同期信号、２４０…垂直偏向信号、２５０，２５１
…垂直ブランキング信号、２６０，２６１…垂直同期信
号、３００…電子線の水平高速走査、３１０…電子線の
垂直低速走査、３２０…電子線の振り戻し、４０１，４
０２，４１０…検出画像上の削除（無信号）部分。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 37/22 ５０２ Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｊ ５Ｃ０３３ Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｇ０１Ｒ 31/28 Ｌ (72)発明者 亀谷 雅嗣 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 小山 昌宏 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 山本 健次郎 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 Ｆターム(参考） 2F067 AA13 AA54 BB04 CC15 GG06 HH06 HH13 JJ05 KK04 NN05 PP05 PP12 QQ14 RR12 RR24 RR30 RR35 SS13 2G001 AA03 BA07 CA03 EA04 FA06 FA21 FA30 GA03 GA04 GA06 GA08 GA11 HA09 HA13 JA01 JA07 KA03 LA11 MA05 PA07 PA11 2G011 AA01 AE03 2G132 AA00 AF13 AL12 4M106 AA01 BA02 CA38 DB05 DB12 DB14 DB18 DJ01 DJ18 DJ21 DJ23 5C033 UU04 UU05
Claims (10)
- 【請求項１】電子線を発生させる電子源と、この電子線
を集束するレンズ手段と、試料を載置する試料台と、集
束した電子線で試料上を走査する電子線走査手段と、前
記試料から二次的に発生する荷電粒子を検出する手段
と、この検出手段から得られた画像信号に基き前記試料
の表面を検査する手段を備えた検査装置において、前記
検査手段は、前記電子線の走査領域の所定の両端部分を
削除した画像信号に基き試料の表面を検査するように構
成したことを特徴とする電子線を用いた検査装置。 - 【請求項２】電子線を発生させる電子源と、この電子線
を集束するレンズ手段と、試料を載置する試料台と、集
束した電子線で試料上を走査する電子線走査手段と、前
記試料から二次的に発生する荷電粒子を検出する手段と
を備え、この検出手段から得られた信号に基き前記試料
の表面を検査する電子線を用いた検査方法において、前
記電子線走査領域の所定の両端部分を削除した画像信号
を作成するステップと、この画像信号に基き試料の表面
を検査するステップとを含むことを特徴とする電子線を
用いた検査方法。 - 【請求項３】電子線を発生させる電子源と、この電子線
を集束するレンズ手段と、試料を載置する試料台と、集
束した電子線で試料上を走査する電子線走査手段と、前
記試料から二次的に発生する荷電粒子を検出する手段
と、この検出手段からの信号に基く画像信号を基準信号
と比較する手段と、前記画像信号を表示するモニタ装置
を備えた検査装置において、前記モニタ装置は、前記走
査手段の走査領域内において，その走査開始端部及び走
査終了端部の所定幅の領域と，その内部の画像領域とを
区別して表示する手段を備えたことを特徴とする電子線
を用いた検査装置。 - 【請求項４】電子線を発生させる電子源と、この電子線
を集束するレンズ手段と、試料を載置する試料台と、前
記試料上の第１の方向への高速走査と，前記第１の方向
に対してほぼ直角の第２の方向への低速走査を並存して
試料上を走査する電子線走査手段と、前記試料から二次
的に発生する荷電粒子を検出する手段と、この検出手段
からの信号に基く画像信号を基準信号と比較する手段
と、前記画像信号を表示するモニタ装置を備えた検査装
置において、前記低速走査方向の前記走査の領域内であ
って前記画像比較手段で使用しない端部領域を設定する
手段を設けたことを特徴とする電子線を用いた検査装
置。 - 【請求項５】請求項４において、前記電子線をブランキ
ングする手段を備え、このブランキング手段は、前記低
速走査方向の前記端部領域において動作するように設定
したことを特徴とする電子線を用いた検査装置。 - 【請求項６】請求項４において、前記低速走査に基づく
前記検出器信号から所望の画像信号を形成させる垂直同
期信号生成手段を備え、この垂直同期信号生成手段は、
前記低速走査方向の前記端部領域を除く走査領域から画
像信号を抽出するように設定したことを特徴とする電子
線を用いた検査装置。 - 【請求項７】試料に向けて電子線を照射し走査するステ
ップと、前記電子線の前記試料への照射をブランキング
するステップと、試料から二次的に発生する荷電粒子を
検出するステップと、その検出時期を定める水平又は垂
直同期信号を発生するステップと、前記検出した信号に
基づいて試料を検査するステップとを有する電子線を用
いた検査方法であって、前記電子線の走査領域の開始端
において，前記水平又は垂直同期信号の開始後に前記ブ
ランキングを停止するステップと、前記電子線の走査領
域の終端において，前記ブランキングの開始後に前記水
平又は垂直同期信号を停止するステップを含むことを特
徴とする電子線を用いた検査方法。 - 【請求項８】試料に向けて電子線を照射し走査するステ
ップと、前記電子線の前記試料への照射をブランキング
するステップと、試料から二次的に発生する荷電粒子を
検出するステップと、その検出時期を定める水平又は垂
直同期信号を発生するステップと、前記検出した信号に
基づいて試料を検査するステップとを有する電子線を用
いた検査方法であって、前記電子線の走査領域の開始端
において，前記ブランキングの停止後に前記水平又は垂
直同期信号を開始するステップと、前記電子線の走査領
域の終端において，前記水平又は垂直同期信号の終了後
に前記ブランキングを開始するステップを含むことを特
徴とする電子線を用いた検査方法。 - 【請求項９】試料に向けて電子線を照射し走査するステ
ップと、試料から二次的に発生する荷電粒子を検出する
ステップと、その検出時期を定める水平又は垂直同期信
号を発生するステップと、前記検出した信号に基づいて
試料を検査するステップとを有する電子線を用いた検査
方法であって、前記電子線の走査の開始後に前記水平又
は垂直同期信号を開始するステップと、前記電子線の走
査の停止前に前記水平又は垂直同期信号を終了するステ
ップを含むことを特徴とする電子線を用いた検査方法。 - 【請求項１０】試料に向けて電子線を照射し水平及び垂
直方向に走査するステップと、前記電子線の前記試料へ
の照射をブランキングするステップと、試料から二次的
に発生する荷電粒子を検出するステップと、その検出時
期を定める水平又は垂直同期信号を発生するステップ
と、前記検出した信号に基づいて試料を検査するステッ
プとを有する電子線を用いた検査方法であって、前記水
平走査領域の開始端において，前記水平同期信号の開始
後に前記ブランキングを停止するステップと、前記水平
走査領域の終端において，前記ブランキングの開始後に
前記水平同期信号を停止するステップと、前記垂直走査
領域の開始端において，前記ブランキングの停止後に前
記垂直同期信号を開始するステップと、前記垂直走査領
域の終端において，前記垂直同期信号の停止後に前記ブ
ランキングを開始するステップとを含むことを特徴とす
る電子線を用いた検査方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001050485A JP3751841B2 (ja) | 2001-02-26 | 2001-02-26 | 電子線を用いた検査装置及び電子線を用いた検査方法 |
| US09/943,394 US6486472B2 (en) | 2001-02-26 | 2001-08-30 | Inspecting system using electron beam and inspecting method using same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001050485A JP3751841B2 (ja) | 2001-02-26 | 2001-02-26 | 電子線を用いた検査装置及び電子線を用いた検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002251975A true JP2002251975A (ja) | 2002-09-06 |
| JP3751841B2 JP3751841B2 (ja) | 2006-03-01 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001050485A Expired - Fee Related JP3751841B2 (ja) | 2001-02-26 | 2001-02-26 | 電子線を用いた検査装置及び電子線を用いた検査方法 |
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|---|---|
| US (1) | US6486472B2 (ja) |
| JP (1) | JP3751841B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006109358A1 (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-19 | Advantest Corporation | 電子部品ハンドリング装置 |
| JP2009016356A (ja) * | 2008-08-08 | 2009-01-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線を用いた検査方法および検査装置 |
| KR20100034723A (ko) * | 2008-09-24 | 2010-04-01 | 어플라이드 머티리얼즈 이스라엘 리미티드 | 전자 현미경에서의 가변 속도 스캔닝 |
| JP2010135107A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置、及び荷電粒子線評価装置 |
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| CN109827976B (zh) * | 2019-03-14 | 2024-01-05 | 中国科学院上海应用物理研究所 | 一种在线观测和调节x射线光束和样品的光学系统 |
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| JP2000357483A (ja) * | 1999-06-11 | 2000-12-26 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法およびその装置並びに荷電粒子線装置 |
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| JP2000067791A (ja) | 1998-08-27 | 2000-03-03 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
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-
2001
- 2001-02-26 JP JP2001050485A patent/JP3751841B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6486472B2 (en) | 2002-11-26 |
| US20020117619A1 (en) | 2002-08-29 |
| JP3751841B2 (ja) | 2006-03-01 |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101216 Year of fee payment: 5 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101216 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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