JP4801518B2 - 荷電粒子線顕微方法および荷電粒子線装置 - Google Patents
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Description
絶対歪み測定は図16のフローに従って行なう。ここでは1次元の周期構造を持つ試料を用いる。試料の周期間隔をaとし、X方向のなす角をβとする。この試料のSTEM像を撮影し、STEM像を小領域に分割する。STEM像における周期構造の間隔cとし、X方向となす角をγとする。まず、各小領域における周期構造の間隔cと方向γをSTEM像のフーリエ変換像から求める。これを走査線の間隔に変換する。X方向の走査線の間隔bxはcx=c・cosγ[画素数]でax=a・cosβ[SI単位]を割ることによって、Y方向の走査線の間隔byはcy=c・sinγ[画素数]でay=a・sinβ[SI単位]を割ることによって計算される。幾何歪みがあるとbxおよびbyはSTEM像内で変化する。各小領域におけるbxが全て等しいとX方向の幾何歪みが、byが全て等しいとY方向の幾何歪みが補正されていると判断される。
さらに、絶対歪み測定の標準試料に格子像を用いることもできる。格子間隔は狭いもので、金単結晶の0.102 nm、広いものではマイカ単結晶の1.0 nm等がある。画像内に複数の周期構造がある点であので、図5(b)に示す様に、周期構造の方向がX方向およびY方向と並行になるように設定すると良い。
その他の工程は、実施例1における幾何歪み補正とほぼ同じである。
その他の工程は、実施例1における幾何歪み補正とほぼ同じである。
41…メニューバー、42…ツールバー、43…フィギャアウィンドウ、44…サブウィンドウ、45…サブメニュー、46…プルダウンメニュー、47…表示ボックス、48…入力ボックス、49…プッシュボタン、50…チェックボタン、51…電子、52…明視野検出器、53…暗視野検出器、54…検出器、55…低角散乱電子、56…高角散乱電子、57…2次電子。
Claims (12)
- 荷電粒子線を試料に照射し、該試料から二次的に発生する荷電粒子線を検出して試料の画像を取得する荷電粒子線顕微方法であって、
(a)構造既知の第1の試料を第1の倍率で撮影し、得られた画像から前記第1の倍率における絶対歪みを測定する工程と、
(b)第2の試料を前記第1の倍率と第2の倍率で共通領域を含む視野を撮影する工程と、
(c)撮影して得られた前記第2の試料の第1の倍率の画像を前記第2の倍率まで等方的に伸縮した伸縮画像を生成する工程と、
(d)前記伸縮画像と前記第2の試料の第2の倍率の画像との間でのパターンマッチング結果に基づいて、前記第2の倍率の前記第1の倍率に対する相対歪みを測定する工程と、
(e)前記第1の倍率の絶対歪みと前記第2の倍率の相対歪みから前記第2の倍率の絶対歪みを求める工程と
(f)当該求められた前記第2の倍率の絶対歪みを補正する工程とを有することを特徴とする荷電粒子線顕微方法。 - 請求項1記載の荷電粒子線顕微方法において、
前記第1の試料は、格子面間隔が既知な格子像であることを特徴とする荷電粒子線顕微方法。 - 請求項1に記載の荷電粒子線顕微方法において、
前記第2の倍率を前記絶対歪み測定済の第1の倍率として上記(b)から(d)工程を繰り返すことによって任意倍率における絶対歪みを求める工程と、
各倍率における絶対歪みを補正する工程とを有することを特徴とする荷電粒子線顕微方法。 - 第1の荷電粒子線を発生する荷電粒子源と、
第1の荷電粒子線を試料へ導く第1の電磁界発生部と、
第1の荷電粒子線に対する試料の位置を設定する試料ステージと、
試料から出射する第2の荷電粒子線を検出器に導く第2の電磁界発生部と、
第2の荷電粒子線を検出する検出器と、
検出器出力に基づいて試料構造の画像を形成する画像形成部と、
構造既知の第1の試料に前記第1の荷電粒子線を照射して前記第1の倍率で撮影した画像を記録して前記第1の倍率における前記第1の試料に対する絶対歪みを測定し、
第2の試料に前記第1の荷電粒子線を照射して前記第1の倍率で撮影した画像と第2の倍率で撮影した画像を記録し、
前記第2の試料の第1の倍率の画像を前記第2の倍率まで等方的に伸縮した伸縮画像を生成し、
前記伸縮画像と前記第2の試料の前記第2の倍率の画像との間のパターンマッチングから前記第2の倍率の画像における前記第1の倍率の画像に対する相対歪みを測定し、
前記第1の試料の第1の倍率における絶対歪みと、前記第2の試料の前記第2の倍率における第1の倍率に対する相対歪みから前記第2の倍率における絶対歪みを求める幾何歪み測定部と、
測定された絶対歪みを補正する補正部とを有することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項4に記載の荷電粒子装置において、
前記補正部を内部に有する計算機を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項5に記載の荷電粒子線装置において、
前記計算機は前記幾何歪み測定部を内部に有することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項4に記載の荷電粒子線装置において、
前記第1の電磁界発生部は偏向器を備え、
前記補正部は前記測定された絶対歪みを基に前記偏向器を制御することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項4に記載の荷電粒子線装置において、
前記第2の電磁界発生部は電磁界レンズを備え、
前記補正部は前記測定された絶対歪みを基に当該電磁界レンズを制御することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項4記載の荷電粒子線装置において、
前記補正部は前記画像形成部で形成された画像から得られた測長結果を補正することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 荷電粒子線を試料に照射する光学系と、
前記試料に前記荷電粒子線を照射して生じる二次的な荷電粒子線を検出する検出器と、
前記検出器の出力に基づいて画像を形成する画像形成部とを有する荷電粒子線装置において、
構造既知の第1の試料に前記荷電粒子線を照射して第1の倍率で撮影した画像を記録するメモリと、前記第1の倍率における前記第1の試料に対する絶対歪みを測定する計算部とを有し、
前記メモリは、第2の試料に前記荷電粒子線を照射して前記第1の倍率で撮影した画像と第2の倍率で撮影した画像を記録し、撮影して得られた前記第2の試料の第1の倍率の画像を前記第2の倍率まで等方的に伸縮した伸縮画像を記録し、
前記計算部は、前記伸縮画像と前記第2の倍率で撮影した画像との間のパターンマッチングから前記第2の倍率の画像における前記第1の倍率の画像に対する相対歪みを測定し、
前記第1の試料の第1の倍率における絶対歪みと、前記第2の試料の第2の倍率における第1の倍率に対する相対歪みから前記第2の倍率における絶対歪みを測定し、前記測定された絶対歪みを補正することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項10に記載の荷電粒子線装置において、
前記光学系は前記荷電粒子線を偏向する偏向器を有し、
前記計算部は前記測定された絶対歪みを補正するように前記偏向器を制御することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項10に記載の荷電粒子線装置において、
前記検出器と前記試料との間に電磁界レンズを有し、
前記計算部は前記測定された絶対歪みを補正するように前記電磁界レンズを制御することを特徴とする荷電粒子線装置。
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GB2488429B (en) * | 2011-02-28 | 2016-09-28 | Agilent Technologies Inc | Ion slicer with acceleration and deceleration optics |
JP5948074B2 (ja) * | 2012-02-13 | 2016-07-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 画像形成装置及び寸法測定装置 |
JP6165444B2 (ja) * | 2013-01-11 | 2017-07-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
EP2966668B1 (en) * | 2014-07-10 | 2016-10-12 | Fei Company | Method of calibrating a scanning transmission charged-particle microscope |
JP2016110767A (ja) * | 2014-12-04 | 2016-06-20 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子ビーム装置および画像取得方法 |
DE102015001292A1 (de) * | 2015-02-02 | 2016-08-04 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlmikroskop und Verfahren zum Betreiben eines Teilchenstrahlmikroskops |
DE102015001297B4 (de) * | 2015-02-02 | 2023-03-30 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlmikroskop und Verfahren zum Betreiben eines Teilchenstrahlmikroskops |
JP7294806B2 (ja) * | 2015-03-23 | 2023-06-20 | テックインサイツ インコーポレイテッド | イメージング装置における歪み補正に関する方法、システム及び装置 |
JP6851262B2 (ja) * | 2017-05-26 | 2021-03-31 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡像の歪み測定方法および電子顕微鏡 |
EP3503157A1 (en) | 2017-12-22 | 2019-06-26 | ASML Netherlands B.V. | Inspection tool and method of determining a distortion of an inspection tool |
CN111024739B (zh) * | 2019-12-31 | 2023-03-21 | 长江存储科技有限责任公司 | 透射电子显微镜图像畸变的表征方法及表征装置 |
CN112986290B (zh) * | 2021-02-23 | 2024-03-01 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种透射电镜的检验方法 |
CN114693528A (zh) * | 2022-04-19 | 2022-07-01 | 浙江大学 | 无人机低空遥感图像拼接质量评估与降冗方法及系统 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2920990B2 (ja) * | 1989-04-19 | 1999-07-19 | 株式会社島津製作所 | 走査型電子顕微鏡、トンネル走査型顕微鏡等の深さ方向および横方向の倍率或は像の寸法の測定用基準格子板 |
JP3463599B2 (ja) | 1998-04-20 | 2003-11-05 | 株式会社日立製作所 | 試料保持機,半導体製造装置,半導体検査装置,回路パターン検査装置,荷電粒子線応用装置,校正用基板,試料の保持方法,回路パターン検査方法、および、荷電粒子線応用方法 |
US6509564B1 (en) | 1998-04-20 | 2003-01-21 | Hitachi, Ltd. | Workpiece holder, semiconductor fabricating apparatus, semiconductor inspecting apparatus, circuit pattern inspecting apparatus, charged particle beam application apparatus, calibrating substrate, workpiece holding method, circuit pattern inspecting method, and charged particle beam application method |
US6570157B1 (en) * | 2000-06-09 | 2003-05-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Multi-pitch and line calibration for mask and wafer CD-SEM system |
JP2002184336A (ja) | 2000-12-12 | 2002-06-28 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線顕微鏡装置、荷電粒子線応用装置、荷電粒子線顕微方法、荷電粒子線検査方法、及び電子顕微鏡装置 |
JP3751841B2 (ja) | 2001-02-26 | 2006-03-01 | 株式会社日立製作所 | 電子線を用いた検査装置及び電子線を用いた検査方法 |
JP3657891B2 (ja) * | 2001-05-29 | 2005-06-08 | 株式会社日立製作所 | 電子顕微鏡の校正方法及び電子顕微鏡校正用標準試料 |
JP2003022773A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Nec Corp | 電子線の偏向歪補正方法、及び歪補正手段を有する電子線露光装置、走査型電子顕微鏡 |
JP4587742B2 (ja) * | 2004-08-23 | 2010-11-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線顕微方法及び荷電粒子線応用装置 |
JP4338627B2 (ja) * | 2004-12-17 | 2009-10-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置と荷電粒子線顕微方法 |
US7361941B1 (en) * | 2004-12-21 | 2008-04-22 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Calibration standards and methods |
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