JP5948074B2 - 画像形成装置及び寸法測定装置 - Google Patents

画像形成装置及び寸法測定装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5948074B2
JP5948074B2 JP2012027963A JP2012027963A JP5948074B2 JP 5948074 B2 JP5948074 B2 JP 5948074B2 JP 2012027963 A JP2012027963 A JP 2012027963A JP 2012027963 A JP2012027963 A JP 2012027963A JP 5948074 B2 JP5948074 B2 JP 5948074B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image
signal
matching
unit
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012027963A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013165003A (ja
Inventor
容徳 高杉
容徳 高杉
計 酒井
計 酒井
山口 聡
聡 山口
和之 平尾
和之 平尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Priority to JP2012027963A priority Critical patent/JP5948074B2/ja
Priority to US14/377,382 priority patent/US10197783B2/en
Priority to PCT/JP2013/053170 priority patent/WO2013122019A1/ja
Priority to KR1020147021866A priority patent/KR101624445B1/ko
Publication of JP2013165003A publication Critical patent/JP2013165003A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5948074B2 publication Critical patent/JP5948074B2/ja
Priority to US16/221,739 priority patent/US10620421B2/en
Priority to US16/807,345 priority patent/US10976536B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B15/00Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B15/00Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
    • G01B15/04Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons for measuring contours or curvatures
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00Microscopes
    • G02B21/0004Microscopes specially adapted for specific applications
    • G02B21/002Scanning microscopes
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00Microscopes
    • G02B21/36Microscopes arranged for photographic purposes or projection purposes or digital imaging or video purposes including associated control and data processing arrangements
    • G02B21/365Control or image processing arrangements for digital or video microscopes
    • G02B21/367Control or image processing arrangements for digital or video microscopes providing an output produced by processing a plurality of individual source images, e.g. image tiling, montage, composite images, depth sectioning, image comparison
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/30Determination of transform parameters for the alignment of images, i.e. image registration
    • G06T7/32Determination of transform parameters for the alignment of images, i.e. image registration using correlation-based methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3178Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for applying thin layers on objects
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/10Image acquisition modality
    • G06T2207/10056Microscopic image
    • G06T2207/10061Microscopic image from scanning electron microscope
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28Scanning microscopes
    • H01J2237/2813Scanning microscopes characterised by the application
    • H01J2237/2814Measurement of surface topography
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28Scanning microscopes
    • H01J2237/2813Scanning microscopes characterised by the application
    • H01J2237/2817Pattern inspection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)

Description

本発明は、顕微鏡等を用いて画像、或いは信号波形を取得する画像形成装置、或いは寸法測定装置に係り、特に画像信号や信号波形を積算して画像、或いは波形を形成する画像形成装置、或いは寸法測定装置に関する。
走査電子顕微鏡に代表される荷電粒子線装置では、細く収束された荷電粒子線を試料上で走査して試料から所望の情報(例えば試料像)を得る。このような荷電粒子線装置では、年々高分解能化が進んでおり、高分解能化とともに必要とされる観察倍率が高くなっている。また、試料像を得るためのビーム走査方法には、高速走査で得られた複数の画像を積算して最終の目的画像を得る方法と、1回の低速走査(1フレームの画像取り込み時間:40ミリ秒から80ミリ秒程度)で目的の画像を取得する方法がある。観察倍率が高くなるにつれて、視野のドリフトが取得画像に与える影響が深刻になる。例えば、高速走査で得られた画像信号を画素ごとに積算(フレーム積算)して目的画像を取得する方法においては、画像積算中に試料のチャージアップ等に基づくドリフトがあると、視野のずれた画素を積算することになるため、積算後の目的画像がドリフト方向にぼけてしまう。ドリフトの影響を低減するには、積算フレーム数を減らして積算時間を短くすればよいが、これでは、十分なS/N比が得られなくなってしまう。
低速走査で画像を取得する方法においては、画像取り込み中にドリフトが発生するとドリフト方向に視野が流れるため画像が変形する。
また、感度の高いレジストパターンに荷電粒子線装置によって荷電粒子を照射した場合、レジストの科学的特質によってレジストがシュリンク(収縮)する。前記している高速走査で得られた複数の画像を積算して最終の目的画像を取得する方法において、画像積算中にシュリンクが発生すると、シュリンクによりエッジ位置がずれた画素を積算することになるため、積算後の目的画像のエッジがぼけてしまう。
特許文献1には、前記複数回の走査に基づいて得られる複数画像のドリフトによる画像の変形、或いは位置ずれを画像マッチングにより検出し、画像の変形、或いは位置ずれの検出し、位置ずれを補正した合成画像を生成する技術が開示されている。
特開2007−299768号公報(対応米国特許USP7,034,296)
一方、昨今の半導体デバイスの微細化等により、観察や測定の対象となるパターン及びその間の間隔が狭くなり、観察や測定の対象として連続的に同じようなパターンが複数配列されるパターン(繰り返しパターン)が見られるようになってきた。このようなパターンの場合、同じようなパターンが多数配列されているが故に、例えば特許文献1に開示されているように、積算対象となる画像信号間にてマッチングを実行した上で積算を行おうとすると、誤った位置にマッチングしてしまい、結果として積算処理が適切に行われなくなる可能性がある。
また、電子ビームを照射するとシュリンクが発生する試料があり、積算のために複数のフレームの画像信号を取得すると、シュリンク前後でエッジの位置がシフトすることになるため、やはり信号の積算が適正に行われなくなる場合がある。
以下に、繰り返しパターンやシュリンクするパターン等、マッチングが適正に行われなくなる可能性のあるパターンの画像や信号波形を取得する場合であっても、適正な積算信号を形成することを目的とする画像形成装置、及び寸法測定装置について説明する。
上記目的を達成するための一態様として、以下に顕微鏡にて得られる複数の画像信号を積算して積算画像を形成する演算装置を備えた画像形成装置において、当該演算装置は、前記複数の画像信号間にてマッチング処理を行うマッチング処理部と、当該マッチング処理部によって位置合わせがなされた複数の画像信号を積算する画像積算部と、前記画像信号に含まれるパターンの周期性を判定する周期性判定部を備え、前記マッチング処理部は、当該周期性判定部による判定に応じて、前記マッチングに供する画像信号領域の大きさを変化させる画像形成装置を提案する。
また、上記目的を達成するための他の態様として、顕微鏡にて得られる複数の画像信号を積算して積算画像を形成する演算装置を備えた画像形成装置において、当該演算装置は、前記複数の画像信号間にてマッチング処理を行うマッチング処理部と、当該マッチングによって位置合わせがなされた複数の画像を積算する画像積算部と、前記複数の画像信号間のずれを検出するずれ検出部を備え、当該ずれ検出部は前記画像の特定方向のずれを選択的に検出し、前記画像積算部は、当該特定方向のずれを選択的に補正し、前記ずれ検出部は、当該特定方向のずれが選択的に補正された複数の画像信号について、前記特定方向とは異なる方向のずれを選択的に検出し、前記画像積算部は、当該特定方向のずれとは異なる方向のずれを選択的に補正して積算画像を形成する画像形成装置を提案する。
また、上記目的を達成する更に他の態様として、顕微鏡にて得られる複数の信号波形を積算して積算信号を形成し、当該積算信号に基づいて試料上に形成されたパターンの寸法を測定する演算装置を備えた寸法測定装置において、当該演算装置は、前記複数の信号波形間にてマッチング処理を行うマッチング処理部と、当該マッチング処理によって位置合わせがなされた複数の信号波形を積算する信号積算部とを備え、前記マッチング処理部は、或る信号波形に、他の信号波形形状を合せるように、前記マッチングを実行する寸法測定装置を提案する。
上記構成によれば、以下に、繰り返しパターンやシュリンクするパターン等、マッチングが適正に行われなくなる可能性のあるパターンの画像や信号波形を取得する場合であっても、適正な積算信号を形成することが可能となる。
走査電子顕微鏡の概略図である。 パターンの周期性判断により探査領域を設定する工程を示すフローチャートである。 1フレーム画像で自己相関をとった相関値分布の結果を示す例である。 相関値の極大値の検出位置から一次元に相関値を取得した場合の相関値のヒストグラムを示す図である。 ライン形状以外の周期性のあるパターンにおいて周期データを決定する方法を示す図である。 周期性のあるパターンにおいて探査範囲の最適化を行った例を示す図である。 最適化した探査範囲で1回の走査で半周期以上のドリフトが発生する場合の例を示す図である。 像表示装置に表示されるGUI画面の一例を示す図である。 ラインパターンのラフネス計測に対応したドリフト補正方法を示すフローチャート。 ラインパターンでX方向に荷電粒子線を走査して取得した画像がX、Y方向にドリフトしている例を示す図である。 検出したドリフト量とドリフト量を近似曲線でフィッティングした例を示す図である。 ラインパターンにおいて1フレーム画像のX方向の位置ずれを補正した例を示す図である。 X方向の位置ずれを補正した1フレーム画像を用いてY方向の位置ずれを検出した例を示す図である。 パターンのラフネスを利用しラインパターンのY方向の位置ずれを補正した例を示す図である。 ラインパターンの断面図と電子顕微鏡像の例を示す図である。 ラインパターンの単純加算後のプロファイルと重み付き加算後のプロファイルを示す図である。 シュリンク後期のプロファイルの加算重みを変えた積算画像を作成する方法を示すフローチャート。 エッジ位置ずれを補正したラインパターンのプロファイルを示す図である。 シュリンクによるフレーム間のエッジのずれを検出してエッジ位置を補正した合成画像を作成する方式を示すフローチャート。 像表示装置に表示されるシュリンクエッジ補正のGUI画面の例を示す図である。 ドリフトによる位置ずれとシュリンクによるエッジの位置ずれを検出し、位置ずれを補正した合成画像を作成する方法を示すフローチャート。 パターン中心を基準位置としてドリフト量の検出方法の例を示す図である。 走査電子顕微鏡を用いた画像形成システム、或いは寸法測定システムの概要を示す図。
以下にマッチング処理によって、位置合わせが行われた画像信号や信号波形を積算処理し、合成信号を形成する装置について詳細に説明する。以下の実施例では特に、同等のパターンが複数配列される周期パターンやシュリンクするパターン等の画像や信号波形を形成するのに適した画像形成装置や寸法測定装置について説明する。
マッチングを行う場合、正規化相関を行う対象が周期パターンが表示された画像の場合、本来位置合わせを行いたい場所と同等のマッチングスコアを示す個所が複数存在することになり、適切な探査領域を設定しないと画像間の位置ずれ量の検出において誤検出が発生する可能性がある。
例えば誤検出が発生すると、検出した位置を元に画像を合成すると合成画像に広領域のコントラストむらが発生してしまう。そのため、前記の合成画像のコントラストむらが発生している領域において計測精度が低下する可能性がある。
また、ラインパターンではチャージアップに基づくドリフトが発生した場合、画像間の位置ずれの検出においてパターンに対して水平方向の位置ずれを高精度に検出しなければ位置ずれ補正後の合成画像でラフネスまで認識した合成画像を得ることができない。ラインパターンのエッジに対し、水平な方向は、マッチングスコアを求めるための特徴量が少ないため、高精度に位置ずれを検出することが困難である。そのため、ドリフト補正技術を適用した合成画像でラインパターンのラフネスまで計測したい場合、計測精度が低下する可能性がある。
また、荷電粒子線の走査による影響で画像取り込み中にシュリンクが発生した場合、フレーム積算をする際に計測すべきエッジ位置がずれて加算され、合成画像のエッジがぼけたものになってしまう。そのため、複数の画像を積算して最終の目的画像を得る方法では合成画像の計測精度が低下する可能性がある。
以下に説明する実施例は、特に昨今の半導体デバイスの変遷によって生ずる新たな信号積算時の課題を解決するためのものであり、荷電粒子線照射による帯電やシュリンクの影響を抑制しつつ、高精度に視野ずれの抑制を実現する画像形成装置、及び寸法測定装置に関するものである。
以下に説明する実施例は、試料上に荷電粒子線を走査し、試料から放出された二次信号に基づいて画像を形成する試料像形成方法において、複数回の走査で得られる複数の画像を合成して合成画像を複数形成し、当該複数の合成画像間の位置ずれを補正して画像を合成し、更なる合成画像を形成する装置に係り、周期パターン、ラインパターン、或いはシュリンクするパターン等、マッチング精度を低下させる可能性のある特徴を持つパターンの画像や信号波形を高精度に形成し得る装置に関するものである。
図1は、画像形成装置、或いは寸法測定装置、或いはその一部をなす走査電子顕微鏡の概略構成図である。陰極1と第一陽極2の間には、コンピュータ40で制御される高圧制御電源20により電圧が印加され、所定のエミッション電流で一次電子線4が陰極1から引き出される。陰極1と第二陽極3の間には、コンピュータ40で制御される高圧制御電源20により加速電圧が印加され、陰極1から放出された一次電子線4が加速されて後段のレンズ系に進行する。
一次電子線4は、レンズ制御電源21で制御された収束レンズ5で収束され、絞り板8で一次電子線の不要な領域が除去された後に、レンズ制御電源22で制御された収束レンズ6、および対物レンズ制御電源23で制御された対物レンズ7により試料10に微小スポットとして収束される。対物レンズ7は、インレンズ方式、アウトレンズ方式、およびシュノーケル方式(セミインレンズ方式)など、種々の形態をとることができる。また、試料に負の電圧を印加して一次電子線を減速させるリターディング方式も可能である。さらに、各々のレンズは、複数の電極で構成される静電型レンズで構成してもよい。
一次電子線4は、走査コイル9により試料10上を二次元的(X−Y方向)に走査される。走査コイル9は、走査コイル制御電源24によって電流が供給される一次電子線の照射により試料10から発生した二次電子等の二次信号12は、対物レンズ7の上部に進行した後、二次信号分離用の直交電磁界発生装置11により、一次電子と分離されて二次信号検出器13に検出される。二次信号検出器13で検出された信号は、信号増幅器14で増幅された後、画像メモリ25に転送されて像表示装置26に試料像として表示される。二次信号検出器は二次電子や反射電子を検出するものであっても、光やX線を検出するものであっても良い。
なお、画像メモリ25のメモリ位置に対応したアドレス信号が、コンピュータ40内で生成され、アナログ変換された後に走査コイル制御電源24を経由して、走査コイル9に供給される。X方向のアドレス信号は、例えば画像メモリ25が512×512画素の場合、0から511を繰り返すデジタル信号であり、Y方向のアドレス信号は、X方向のアドレス信号が0から511に到達したときにプラス1される0から511の繰り返しのデジタル信号である。これがアナログ信号に変換される。
画像メモリ25のアドレスと一次電子線を走査するための偏向信号のアドレスが対応しているので、画像メモリ25には走査コイル9による一次電子線の偏向領域の二次元像が記録される。なお、画像メモリ25内の信号は、読み出しクロックで同期された読み出しアドレス生成回路(図示せず)で時系列に順次読み出すことができる。アドレスに対応して読み出された信号はアナログ変換され、像表示装置26の輝度変調信号となる。
画像メモリ25には、S/N比改善のため画像(画像データ)を重ねて(合成して)記憶する機能が備えられている。例えば8回の二次元走査で得られた画像を重ねて記憶することで、1枚の完成した像を形成する。即ち、1回もしくはそれ以上のX―Y走査単位で形成された画像を合成して最終的な画像を形成する。1枚の完成した像を形成するための画像数(フレーム積算数)は任意に設定可能であり、二次電子発生効率等の条件を鑑みて適正な値が設定される。また複数枚積算して形成した画像を更に複数枚重ねることで、最終的に取得したい画像を形成することもできる。所望の画像数が記憶された時点、或いはその後に一次電子線のブランキングを実行し、画像メモリへの情報入力を中断するようにしても良い。
またフレーム積算数を8に設定した場合に、9枚目の画像が入力される場合には、1枚目の画像は消去され、結果として8枚の画像が残るようなシーケンスを設けても良いし、9枚目の画像が入力されるときに画像メモリに記憶された積算画像に7/8を掛け、これに9枚目の画像を加算するような重み加算平均を行うことも可能である。
走査コイル9と同じ位置に2段の偏向コイル51(イメージシフト偏向器)が配置されており、試料10上における一次電子線4の位置(観察視野)を二次元的に制御できる。偏向コイル51は、偏向コイル制御電源31によって制御される。
ステージ15は、試料を少なくとも一次電子線と垂直な面内の2方向(X方向、Y方向)に試料10を移動することができる。
入力装置42からは、画像の取り込み条件(走査速度、画像積算枚数)や視野補正方式などの指定、および画像の出力や保存などを指定することができる。
また、図1に例示する装置は、検出された二次電子或いは反射電子等に基づいて、ラインプロファイルを形成する機能を備えている。ラインプロファイルは一次電子線を一次元、或いは二次元走査したときの電子検出量、或いは試料像の輝度情報等に基づいて形成されるものであり、得られたラインプロファイルは、例えば半導体ウェハ上に形成されたパターンの寸法測定等に用いられる。本実施例装置は更に外部装置等に画像データを転送するためのインターフェース41や所定の記憶媒体に画像データを記憶させるための記録装置27を備えることも可能である。
なお、図1の説明は制御装置が走査電子顕微鏡と一体、或いはそれに準ずるものとして説明したが、無論それに限られることはなく、走査電子顕微鏡鏡体とは別に設けられた制御プロセッサで以下に説明するような処理を行っても良い。その際には二次信号検出器13で検出される検出信号を制御プロセッサに伝達したり、制御プロセッサから走査電子顕微鏡のレンズや偏向器等に信号を伝達する伝達媒体と、当該伝達媒体経由で伝達される信号を入出力する入出力端子が必要となる。
また、以下に説明する処理を行うプログラムを記憶媒体に登録しておき、画像メモリを有し走査電子顕微鏡に必要な信号を供給する制御プロセッサで、当該プログラムを実行するようにしても良い。即ち、以下に説明する実施例は画像プロセッサを備えた走査電子顕微鏡等の荷電粒子線装置に採用可能なプログラムとしても成立するものである。
図23は、走査電子顕微鏡を含む画像形成装置、或いは寸法測定装置の一態様を示す図である。本システムには、SEM本体2301、A/D変換機2304、演算装置(画像処理を行う信号処理装置2306を含む)2305が含まれている。
SEM本体2301は電子デバイスが製造されたウェハ等の試料に電子ビームを照射し、試料から放出された電子を検出器2303で捕捉し、A/D変換器2304でデジタル信号に変換する。デジタル信号は演算装置2305に入力されてメモリ2307に格納され、信号処理部2306に内蔵されるCPU、ASIC、FPGA等の画像処理ハードウェアによって、目的に応じた画像処理が行われる。また、信号処理部2306は、検出信号に基づいて、ラインプロファイルを作成し、プロファイルのピーク間の寸法を測定する機能をも備えている。
更に演算装置2305は、入力手段を備えた入力装置2315と接続され、当該入力装置1108に設けられた表示装置に、操作者に対して画像や検査結果等を表示する機能を備えている。
なお、演算装置2305における制御や処理の一部又は全てを、CPUや画像の蓄積が可能なメモリを搭載した電子計算機等に割り振って処理・制御することも可能である。また、入力装置2315は、検査等に必要とされる電子デバイスの座標、位置決めに利用するパターンマッチング用のテンプレート、撮影条件等を含む撮像レシピを手動もしくは、電子デバイスの設計データを活用して作成する撮像レシピ作成装置としても機能する。
入力装置2315は、設計データに基づいて形成される線図画像の一部を切り出して、テンプレートとするテンプレート作成部を備えており、作成されたテンプレートは信号処理部2306に内蔵されるマッチング処理部2306におけるテンプレートマッチングのテンプレートとして、メモリ2305に登録される。テンプレートマッチングは、位置合わせの対象となる撮像画像と、テンプレートが一致する個所を、正規化相関法等を用いた一致度判定に基づいて特定する手法であり、マッチング処理部2308は、一致度判定に基づいて、撮像画像の所望の位置を特定する。
信号積算部2309はメモリ2307に登録、或いは走査電子顕微鏡によって取得された積算前の信号を積算する。また、周期性判定部1310は自己相関法等により、取得した画像、或いは信号波形の周波数成分の解析を行う。周期性判定部1310では、特定方向(X方向、Y方向)について、周期性を判定し、周期性があると判断されたときに、その判定結果をマッチング処理部1308に伝達する。
マッチング処理部1308では、判定結果に基づいて、マッチングを行うための画像領域の大きさをメモリ2307に記憶された条件に基づいて設定する。例えば、周期性なしと判断される場合には、予め記憶されている大きさの画像領域、或いは予め記憶されている画像領域より大きくなるように画像領域を選択する。一方、周期性ありと判断される場合には、予め記憶されている大きさの画像領域、或いは予め記憶されている画像領域より小さくなるように画像領域を選択する。このように周期性ありと判断される場合に、相対的に小さな画像領域を設定する。周期性ありと判断されるときの画像領域の大きさは、画像領域内にマッチングスコアが高いと思われる個所が複数含まれないようにすべく、2以上の同一形状のパターンが含まれないような範囲に制限することが望ましい。周期性がない場合には、より複雑なパターン形状を含む画像領域を用いてマッチングを行うべく、相対的に画像領域を広めることが望ましい。
ずれ検出部1311では、例えば自己相関法に基づいて特定方向のずれを検出する。例えばY方向に延びるラインパターンの場合は、X方向に輝度分布(プロファイル波形)を検出すると、エッジ部分にピークが発生するため、或るフレームで取得された波形と、異なるタイミングで取得された波形との間で自己相関を行うことによって、ずれ量を評価する。また、ラインパターンの場合、X方向のずれを検出するときに、Y方向に異なる位置の信号波形を加算し、それを平均することによって、ノイズ成分を減らすことができる。更にY方向のずれを検出する場合、エッジ部分のパターンのラフネスの周波数成分を示す波形を形成し、異なるフレームにて取得された波形間のずれを相互相関法によって求めるようにしても良い。
なお、以下に説明する実施例では、SEMに搭載された制御装置、或いはSEMに通信回線等を経由して接続される制御装置(入力装置1315)を例に採って説明するが、これに限られることはなく、コンピュータープログラムによって、画像処理を実行する汎用の演算装置を用いて、後述するような処理を行うようにしても良い。更に、集束イオンビーム(Focused Ion Beam:FIB)装置等、他の荷電粒子線装置に対しても、後述する手法の適用が可能である。
TV走査像を積算してS/N比を改善する方法への実施例において、図2の処理フローを以下に詳細に説明する。以下に説明する手法を採れば、本実施例において、ドリフトによるTV走査像の位置ずれが発生している場合、TV走査像のパターン形状、構造などから探査範囲の最適化を行い、位置ずれの検出および位置ずれを補正した合成画像を生成することが可能となる。以下の処理は例えばコンピュータ40や演算装置2305にて実行する。
第1ステップ(S2001):
入力装置42から、フレーム積算枚数Nを指定する。
第2ステップ(S2002):
入力装置42から画像取り込み開始が指示されると、同一視野においてフレーム積算枚数Nの1フレーム画像F(F1、F2、F3…、FN)を連続して取得し、メモリ領域に設定する。
第3ステップ(S2003):
図3のように1フレーム画像データ3001の自己相関をとり1フレーム画像の相関値分布3002を取得する。相関値が高くなる検出位置3003の相関値のピーク(極大値)をパターン形状や周期性判断に利用する。
第4ステップ(S2004):
第3ステップで取得した相関値のデータからパターン形状の判断を行う。まず、最も相関値が高くなる検出位置から水平方向、垂直方向に相関値のヒストグラムを作成する。作成したヒストグラムにおいて図4のようにある特定の区間のデータが集中している場合、検出方向にライン形状を示すと判断する。
X、Y方向のどちらかがライン形状と判断された場合、第5ステップの処理を行う。またX、Y方向にライン形状ではないと判断された場合、第7ステップの処理を行う。
第5ステップ(S2005)
ライン形状の場合、周期性判断を行う。最も相関値が高くなる検出位置からライン形状と判断しなかった方向に対して一次元に相関値を取得し、相関値のピーク(極大値)を算出する。例えば垂直ラインパターンの場合はX方向の相関値を取得する。また水平方向のラインパターンでは、Y方向の相関値を取得する。
取得した相関値をある特定の閾値でフィルタリングし、相関値のピークを算出する。ピークが複数存在する場合は周期性ありと判断し、相関値のピークが1つの場合は周期性なしと判断する。
第6ステップ(S2006)
ライン形状のパターンで周期性ありと判断した場合、相関値のピーク間の距離を平均し、周期データとする。
第7ステップ(S2007)
ライン形状以外のパターンの場合、周期性判断を行う。図3の相関分布のデータ3002から取得した相関値をある特定の閾値でフィルタリングし、相関値のピーク(極大値)が存在するか判定する。相関値のピークが複数存在する場合周期性ありと判断し、相関値のピークが1つの場合周期性なしと判断する。
第8ステップ(S2008)
ライン形状以外のパターンで周期性ありと判断した場合、図5のように最も相関値が高くなる検出位置5001から水平方向、垂直方向の相関値のピークを除いた、最短距離に位置する相関値5002のピークの検出位置を取得し、2点間の距離5003をX方向5004、Y方向5005の成分にそれぞれ分解したものをX方向、Y方向の周期データとする。
第9ステップ(S2009):
第5ステップ、第7ステップにおいてパターン構造に周期性が有りと判断された場合、取得したX、Y方向の周期性データを図6のようにドリフト量の探査範囲として設定する。第6ステップ、第8ステップで算出した周期性データをそのまま探査範囲として設定すると隣のパターンを検出してしまう可能性があるため周期性データをわずかに狭めた範囲を探査範囲として設定する。
第5ステップ、第7ステップでX、Y方向の周期性なしと判断した場合、探査範囲にはデフォルト値を設定する。探査範囲はユーザが設定した任意の値に設定することも可能である。
第10ステップ(S2010):
第9ステップで算出した探査範囲を設定して隣接する1フレーム画像間F(n−1)とF(n)の組み合わせで位置ずれ量を検出する。パターン検出の位置ずれ量は正規化相互相関などから算出できる。
検出した位置ずれ量を積算対象となる基準画像との位置ずれ量に累積する。また、第4ステップで判断したパターン形状の情報に応じた検出方法を採っても良いこととする。
第11ステップ(S2011):
第10ステップで算出した基準画像との位置ずれ量を補正した1フレーム画像を生成し、基準画像に加算することで積算画像を生成する。
第12ステップ(S2012):
フレーム積算枚数Nまで、第10ステップと第11ステップを繰り返す。
本実施例において低速走査などにより図7のように1回の電子線走査で半周期以上ドリフトした場合、最適化した探査範囲内でパターン検出を行う。実際のパターンと合成位置は異なるが一度に多くのパターンを計測する場合は複数パターンの測定結果を平均する場合が多く、1周期重ねる位置がずれたとしても測定結果には問題はない。
また、本実施例装置ではドリフト補正技術の適用を操作者に行わせるべく図8のようにグラフィカルユーザーインターフェース(Graphical User Interface:GUI)上に像ドリフト補正技術適用の要否0801の選択やドリフト補正適用の先見情報として補正対象パターン形状、構造、位置ずれ探査範囲の入力設定を行う仕組みを設ける。GUI上でパターン形状0802、構造0803、探査範囲情報0804を予め設定している場合、本実施例の第3ステップから第8ステップを省略可能である。
図11は像表示装置上でポインティングデバイス0805等によって選択を行う例を示したものであるが、これに限られることはなく、公知の他の入力設定手段によって設定できるようにしても良い。
垂直なラインパターンでX方向に粒子線を走査して取得した画像がX、Y方向にドリフトしている場合にドリフト補正技術を適用した場合の実施例を示す。本実施例について図9の処理フローで説明し、補足説明を図10〜図13に示す。
第1ステップ(S0901):
パターンのS/Nが十分に得られるN枚の画像を1フレームずつ取得する。
第2ステップ(S0902):
(n−1)フレーム目の画像と(n)フレーム目の画像を用いてX方向のドリフト量を検出する。
ドリフトの影響があると、図10のようにラインパターンが変形して見える場合がある。このような画像でY方向のドリフト検出を行っても、パターン検出でドリフトの影響を受けてしまう。そのため、第1ステップではX方向のみのずれ量を検出しておく。ドリフト量はパターン検出の位置ずれ量から算出し、パターン検出の位置ずれ量は正規化相互相関などから算出できる。
ドリフト量の累計より近似曲線を求めるために、(n)フレーム目までのX方向のドリフト量Δxの累計を算出しておく。Nフレーム分のX方向のドリフト量Δxが算出できたら、Δxを近似曲線でフィッティングする。図11にドリフト量とその近似曲線のグラフを示す。帯電の影響によるドリフトであれば、画像取得開始直後のドリフト量が大きく、その後徐々に収まっていく傾向が現れる。そのため近似曲線は、対数近似や多項式近似を用いて近似ができる。
第3ステップ(S0903):
Δxの近似曲線より、X方向に補正した1〜Nフレーム分の補正画像を生成する。図12のようにX方向の補正を行うことで、1フレーム内で発生しているドリフトを補正することができ、Y方向の補正はパターンのラフネス具合をうまく利用して補正することが可能になる。
第4ステップ(S0904):
続いてX方向のドリフトを補正したN枚分の補正画像を用いて図13のようにY方向のドリフト量を検出する。X方向と同様にY方向でもドリフト量の累計を算出しておく。Nフレーム目までのドリフト量の検出が終了したあと、X方向と同様にドリフト量の累計を近似曲線でフィッティングする。
第5ステップ(S0905):
図14のように求めた近似曲線よりY方向のドリフトを補正しながらNフレーム分合成した合成画像を生成して処理を終了する。このように、X方向とY方向を別々に補正することで、パターンのラフネスを利用し、Y方向も正しく補正することが可能になる。
TV走査像を積算してS/N比を改善する方法でシュリンクにより発生する積算画像のエッジ位置ずれが発生する場合の実施例を示す。
フレーム積算時の加算の重みを変更することでシュリンクによるエッジぼけの影響を軽減する。また、各フレーム間のエッジのずれを検出してエッジ位置を補正した合成画像を作成することも可能である。
図15、図16を用いてフレーム積算時の加算の重みを変更する方式を説明する。図15は半導体ラインパターンの断面図と電子顕微鏡像の例である。基板上1501に形成されたエッジ1503を持ったレジストのラインパターン1502は電子顕微鏡像ではパターン部1512とエッジ部1513のように観察される。電子顕微鏡像1511はラインパターン1502を上から観察した画像である。
図15のようなラインパターンの寸法を計測する場合は電子顕微鏡像1511から図16に示すようなプロファイルを作成した後、エッジ部1513の微分ピークなどの特徴的な位置を捉える。その特徴的な位置を左右のエッジについて検出し、その距離をパターン寸法とする方法が一般的である。シュリンクが発生するパターンにおいて得られるプロファイルは、シュリンク初期のプロファイル1601と、シュリンク後期のプロファイル1602とを加算することによって、単純加算プロファイル1604のようになる。このようなプロファイルにおいて寸法を計測するとプロファイルのエッジ部分がぼやけて特徴的な位置も不安定となり、測定再現性も低下する。
シュリンク初期のプロファイル1601とシュリンク後期のプロファイル1602の加算重みを変えたプロファイル1603の積算画像を作成するフローについて図17に示す。以下に各ステップの説明を行う。
第1ステップ(S17001):
画像取得が開始されると1フレーム画像を画像メモリ25に取り込む。
第2ステップ(S17002):
コンピュータ40でラインプロファイルを作成する。
第3ステップ(S17003)
得られたプロファイルから特徴的な位置をエッジとして検出し、その位置情報をコンピュータ40に記憶しておく。
第4ステップ(S17004)
S17001〜S17003の処理を指定フレーム数分繰り返す。
第5ステップ(S17005)
各フレームのエッジ位置から各フレーム間のエッジ位置のずれ量を算出し、全ずれ量を各フレーム間のずれ量で割ったものを重みとする。すなわち各フレームの重みW(x)は以下の式で表される。
W(x)=St/S(x) …式(1)
ここでStは全ずれ量、S(x)は各フレーム間のずれ量
なお、シュリンク量は指数関数的に変化することが知られているがその場合、式(1)は指定された加算フレーム数Nを用いて
W(x,N)=(2x+1)/(N(N+2)) …式(2)
と表すことができる。
第6ステップ(S17006):
式(1)または式(2)の重みを各フレーム画像に乗じてフレーム加算を実施するとシュリンク量を考慮した積算画像が得られる。なお、重みW(x)については経験的に求めた任意の値を使用することも可能である。
次に各フレーム間のエッジのずれを検出してエッジ位置を補正した合成画像を作成する方式について説明する。図18に示すようにシュリンクが発生するパターンにおいて得られるプロファイルはシュリンク初期のプロファイル1801とシュリンク後期のプロファイル1802のようにほとんど同じ形であるがパターンの中心から縮めた形となる。そこでシュリンク初期のプロファイル1801の重心1803を求めて左右に分割する。左右のエッジプロファイルについてシュリンク後期のプロファイル1802と相関値を計算し、最も相関値が高くなる位置に重ねる。またはプロファイルの最も高い位置や微分ピークなどを合わせてもよい。このように合わせた左右のエッジを加算平均すると重ね合わせたラインプロファイル1804が得られる。同様にシュリンク初期のプロファイルに合わせることもできる。上記のフローについて図19を用いて説明する。
第1ステップ(S19001):
画像取得が開始されると1フレーム画像を画像メモリ25に取り込む。
第2ステップ(S19002):
コンピュータ40でラインプロファイルを作成する。
第3ステップ(S19003):
得られたプロファイルのエッジ位置と重心を計算する。
第4ステップ(S19004):
その位置と重心情報をコンピュータ40に記憶しておく。
第5ステップ(S19005):
次に記憶しておいた前のフレームのプロファイルとのずれ量を算出してエッジ位置をシフトする。
第6ステップ(S19006):
S19001からS19005の処理を指定フレーム数分繰り返す。
第7ステップ(S19007):
以上のように左右のエッジをシフトしたフレーム画像を平均加算して合成画像とする。
また、本実施例装置ではシュリンクのエッジ補正の適用を操作者に行わせるべく図20のようにグラフィカルユーザーインターフェース(Graphical User Interface:GUI)上にシュリンクエッジ補正適用の要否2001の選択可能な仕組みを設ける。また、ドリフト補正2002と併用した設定も可能としておく。図20は像表示装置上でポインティングデバイス2003等によって選択を行う例を示したものであるが、これに限られることはなく、公知の他の入力設定手段によって設定できるようにしても良い。
ドリフト補正技術においてドリフトとシュリンクが発生した画像の位置ずれを補正する実施例を示す。この例ではチャージアップに基づくドリフトが発生するレジストパターンでTV走査像を積算して合成画像を生成した時にドリフトによる位置ずれとシュリンクの影響を受けた合成画像が生成されてしまい計測精度が大きく低下する。本実施例の処理フローを図21に示し、詳細を以下に説明する。
第1ステップ(S21001):
画像取得が開始されると1フレーム画像を画像メモリ25に取り込む。
第2ステップ(S21002):
1フレーム画像のパターンの基準位置を取得する。基準位置はシュリンクの影響を受けない位置を設定する。例えば、シュリンクした場合はエッジがパターン中心から縮小した形となるがパターン中心の位置は変わらない。そのため、基準位置をパターンの中心や重心位置としても良い。またラインプロファイルを作成しプロファイルの重心を基準位置としても良い。
第3ステップ(S21003):
1フレーム画像間で基準位置のずれ量を算出する。検出した位置ずれ量を1フレーム目の画像からの位置ずれ量に累積する。図22のような複数回走査により取得した1フレーム画像でドリフトとエッジのシュリンクが発生しているパターンでは基準位置がどれくらいシフトしたかで判断する。
第4ステップ(S21004):
基準位置の位置ずれ算出後、位置ずれを補正した1フレーム画像を作成する。
第5ステップ(S21005):
コンピュータ40で補正画像のラインプロファイルを作成する。
第6ステップ(S21006):
得られたプロファイルのエッジ位置と重心を計算する。その位置と重心情報をコンピュータ40に記憶しておく。
第7ステップ(S21007):
次に記憶しておいた前のフレームのプロファイルとのずれ量を算出してエッジ位置をシフトする。
第8ステップ(S21008):
S21005〜S2107の処理を繰り返す。
第9ステップ(S21009):
以上のように左右のエッジをシフトしたフレーム画像を平均加算して合成画像とする。
1 陰極
2 第一陽極
3 第二陽極
4 一次電子線
5、6 収束レンズ
7 対物レンズ
8 絞り板
9 走査コイル
10 試料
11 直交電磁界発生装置
12 二次信号
13 二次信号検出器

Claims (10)

  1. 顕微鏡にて得られる複数の画像信号を積算して積算画像を形成する演算装置を備えた画像形成装置において、
    当該演算装置は、
    前記複数の画像信号間にてマッチング処理を行うマッチング処理部と、当該マッチング処理部によって位置合わせがなされた複数の画像信号を積算する画像積算部と、前記画像信号に含まれるパターンの周期性を判定する周期性判定部を備え、
    前記マッチング処理部は、当該周期性判定部による判定に応じて、前記マッチングに供する画像信号領域の大きさを変化させることを特徴とする画像形成装置。
  2. 請求項1において、
    前記周期性判定部は、前記パターンの周期性の有無を判定し、
    前記マッチング処理部は、前記パターンに周期性があると判定された場合に、予め定められた画像信号領域を狭めて前記マッチングを実行することを特徴とする画像形成装置。
  3. 請求項1において、
    前記周期性判定部は、前記顕微鏡にて得られる画像信号の自己相関処理に基づいて、前記周期性を判定することを特徴とする画像形成装置。
  4. 請求項1において、
    前記周期性判定部は、所定の周期でパターンが存在するか否かの判定を行うことを特徴とする画像形成装置。
  5. 顕微鏡にて得られる複数の画像信号を積算して積算画像を形成する演算装置を備えた画像形成装置において、
    当該演算装置は、前記複数の画像信号間にてマッチング処理を行うマッチング処理部と、当該マッチングによって位置合わせがなされた複数の画像を積算する画像積算部と、
    前記複数の画像信号間のずれを検出するずれ検出部を備え、
    当該ずれ検出部は前記画像の特定方向のずれを選択的に検出し、前記画像積算部は、当該特定方向のずれを選択的に補正し、前記ずれ検出部は、当該特定方向のずれが選択的に補正された複数の画像信号について、前記特定方向とは異なる方向のずれを選択的に検出し、前記画像積算部は、当該特定方向とは異なる方向のずれを選択的に補正して積算画像を形成することを特徴とする画像形成装置。
  6. 請求項5において、
    前記ずれ検出部は、前記複数の画像信号間の相対的なずれを、前記特定方向或いは前記特定方向とは異なる方向に前記画像信号を選択的に移動させたときの相関に基づいて算出することを特徴とする画像形成装置。
  7. 請求項5において、
    前記ずれ検出部は、前記特定方向、或いは前記特定方向とは異なる方向のずれ量について近似曲線を作成することを特徴とする画像形成装置。
  8. 顕微鏡にて得られる複数の信号波形を積算して積算信号を形成し、当該積算信号に基づいて試料上に形成されたパターンの寸法を測定する演算装置を備えた寸法測定装置において、
    当該演算装置は、前記複数の信号波形間にてマッチング処理を行うマッチング処理部と、当該マッチング処理によって位置合わせがなされた複数の信号波形を積算する信号積算部とを備え、
    前記マッチング処理部は、時間的に先に取得された波形に、後に取得された波形を合わせるようにマッチングを行うと共に、当該波形を合わせる際には前記後に取得された波形を分割して、前記先に取得された波形にマッチングさせることを特徴とする寸法測定装置。
  9. 顕微鏡にて得られる複数の信号波形を積算して積算信号を形成し、当該積算信号に基づいて試料上に形成されたパターンの寸法を測定する演算装置を備えた寸法測定装置において、
    当該演算装置は、前記複数の信号波形間にてマッチング処理を行うマッチング処理部と、当該マッチング処理によって位置合わせがなされた複数の信号波形を積算する信号積算部とを備え、
    前記マッチング処理部は、或る信号波形に、他の信号波形形状を合せるように、前記マッチングを実行し、前記積算部は、時間的に先に取得された波形の重みを、前記後に取得された波形の重みより相対的に高くして重み付け積算を実行することを特徴とする寸法測定装置。
  10. 顕微鏡にて得られる複数の信号波形を積算して積算信号を形成し、当該積算信号に基づいて試料上に形成されたパターンの寸法を測定する演算装置を備えた寸法測定装置において、
    当該演算装置は、前記複数の信号波形間にてマッチング処理を行うマッチング処理部と、当該マッチング処理によって位置合わせがなされた複数の信号波形を積算する信号積算部とを備え、
    前記マッチング処理部は、或る信号波形に、他の信号波形形状を合せるように、前記マッチングを実行し、前記積算部は前記測定の対象となるパターンのシュリンク量に応じた重み付け積算を行うことを特徴とする寸法測定装置。
JP2012027963A 2012-02-13 2012-02-13 画像形成装置及び寸法測定装置 Active JP5948074B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012027963A JP5948074B2 (ja) 2012-02-13 2012-02-13 画像形成装置及び寸法測定装置
US14/377,382 US10197783B2 (en) 2012-02-13 2013-02-12 Image-forming device, and dimension measurement device
PCT/JP2013/053170 WO2013122019A1 (ja) 2012-02-13 2013-02-12 画像形成装置及び寸法測定装置
KR1020147021866A KR101624445B1 (ko) 2012-02-13 2013-02-12 화상 형성 장치 및 치수 측정 장치
US16/221,739 US10620421B2 (en) 2012-02-13 2018-12-17 Image-forming device, and dimension measurement device
US16/807,345 US10976536B2 (en) 2012-02-13 2020-03-03 Image-forming device, and dimension measurement device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012027963A JP5948074B2 (ja) 2012-02-13 2012-02-13 画像形成装置及び寸法測定装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013165003A JP2013165003A (ja) 2013-08-22
JP5948074B2 true JP5948074B2 (ja) 2016-07-06

Family

ID=48984130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012027963A Active JP5948074B2 (ja) 2012-02-13 2012-02-13 画像形成装置及び寸法測定装置

Country Status (4)

Country Link
US (3) US10197783B2 (ja)
JP (1) JP5948074B2 (ja)
KR (1) KR101624445B1 (ja)
WO (1) WO2013122019A1 (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6455829B2 (ja) * 2013-04-01 2019-01-23 キヤノン株式会社 画像処理装置、画像処理方法、およびプログラム
JP6242282B2 (ja) 2014-04-30 2017-12-06 日本電子株式会社 ドリフト量計算装置、ドリフト量計算方法、および荷電粒子線装置
WO2016002341A1 (ja) * 2014-06-30 2016-01-07 株式会社 日立ハイテクノロジーズ パターン測定方法、及びパターン測定装置
JP6423011B2 (ja) 2015-01-23 2018-11-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン測定装置及び欠陥検査装置
WO2018020627A1 (ja) * 2016-07-28 2018-02-01 株式会社 日立ハイテクノロジーズ パターン測定方法、及びパターン測定装置
JP2019027841A (ja) 2017-07-27 2019-02-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
US10866697B2 (en) * 2017-10-24 2020-12-15 Microchip Technology Incorporated Touch-sensitive user-interface including configurable virtual widgets
EP3719831A1 (en) 2019-04-05 2020-10-07 ASML Netherlands B.V. Systems and methods for image enhancement for a multi-beam charged-particle inspection system
CN113728411A (zh) * 2019-04-18 2021-11-30 株式会社日立高新技术 带电粒子束装置
JP2021034163A (ja) * 2019-08-20 2021-03-01 株式会社日立ハイテク 荷電粒子ビームシステム、及び重ね合わせずれ量測定方法
CN114303039B (zh) * 2019-08-23 2024-01-09 株式会社日立高新技术 重叠测量系统以及重叠测量装置
JP7164716B2 (ja) * 2020-06-22 2022-11-01 株式会社日立ハイテク 寸法計測装置、半導体製造装置及び半導体装置製造システム
US11828714B2 (en) 2020-09-30 2023-11-28 Applied Materials Israel Ltd. Image acquisition by an electron beam examination tool for metrology measurement
CN112987027B (zh) * 2021-01-20 2024-03-15 长沙海格北斗信息技术有限公司 一种基于高斯模型的amcl算法的定位方法及存储介质

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060060781A1 (en) * 1997-08-11 2006-03-23 Masahiro Watanabe Charged-particle beam apparatus and method for automatically correcting astigmatism and for height detection
US6538249B1 (en) * 1999-07-09 2003-03-25 Hitachi, Ltd. Image-formation apparatus using charged particle beams under various focus conditions
JP4301385B2 (ja) * 2000-06-30 2009-07-22 株式会社ホロン 画像処理装置および記録媒体
US7034296B2 (en) 2001-11-21 2006-04-25 Hitachi High-Technologies Corporation Method of forming a sample image and charged particle beam apparatus
WO2003044821A1 (fr) * 2001-11-21 2003-05-30 Hitachi High-Technologies Corporation Procede d'imagerie d'echantillon et systeme de faisceau de particules chargees
JP4231798B2 (ja) * 2004-01-23 2009-03-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置および倍率計測法
WO2006110535A2 (en) * 2005-04-07 2006-10-19 Nanometrics Incorporated Apparatus and methods for scatterometry of optical devices
US20070171526A1 (en) * 2006-01-26 2007-07-26 Mass Institute Of Technology (Mit) Stereographic positioning systems and methods
JP4801518B2 (ja) * 2006-07-07 2011-10-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線顕微方法および荷電粒子線装置
US20080144899A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-19 Manoj Varma Process for extracting periodic features from images by template matching
JP4832375B2 (ja) 2007-07-23 2011-12-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料像形成方法及び荷電粒子線装置
JP4909859B2 (ja) * 2007-09-28 2012-04-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置及び検査方法
AU2007240236A1 (en) * 2007-12-11 2009-06-25 Canon Kabushiki Kaisha Correlatability analysis for sparse alignment
DE112010002934T5 (de) * 2009-07-16 2012-08-30 Hitachi High-Technologies Corporation Mikroskop mit einem Strahl geladener Teilchen und Messverfahren dafür
US9110384B2 (en) * 2010-01-25 2015-08-18 Hitachi High-Technologies Corporation Scanning electron microscope
JP5542478B2 (ja) * 2010-03-02 2014-07-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線顕微鏡
JP5478427B2 (ja) 2010-08-30 2014-04-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ 画像形成装置
JP5741007B2 (ja) * 2011-01-21 2015-07-01 株式会社リコー 画像処理装置、画素補間方法およびプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013122019A1 (ja) 2013-08-22
US20200201019A1 (en) 2020-06-25
US20190121113A1 (en) 2019-04-25
US10620421B2 (en) 2020-04-14
JP2013165003A (ja) 2013-08-22
KR101624445B1 (ko) 2016-06-07
US10197783B2 (en) 2019-02-05
KR20140119097A (ko) 2014-10-08
US20150002652A1 (en) 2015-01-01
US10976536B2 (en) 2021-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5948074B2 (ja) 画像形成装置及び寸法測定装置
JP4231798B2 (ja) 荷電粒子線装置および倍率計測法
WO2017056924A1 (ja) Sem画像取得装置およびsem画像取得方法
JP2007200595A (ja) 荷電粒子線装置、荷電粒子線の焦点調整方法、微細構造の測定方法、微細構造の検査方法および半導体装置の製造方法
KR20170097750A (ko) 전자선식 패턴 검사 장치
JP5222994B2 (ja) 試料観察方法および走査電子顕微鏡
WO2011089913A1 (ja) 走査型電子顕微鏡
JP5460479B2 (ja) パターン寸法測定装置及び輪郭線形成装置
US10665420B2 (en) Charged particle beam apparatus
JP2019067545A (ja) 荷電粒子線装置
JP2005005055A (ja) 試料の高さ情報取得方法
JP6043528B2 (ja) パターン測定装置
JP2011179819A (ja) パターン測定方法及びコンピュータプログラム
JP5478427B2 (ja) 画像形成装置
JP5274897B2 (ja) 断面観察用走査電子顕微鏡
KR20190086730A (ko) 하전 입자선 장치
JP2017199453A (ja) 荷電粒子線装置
JP6528035B2 (ja) 電子顕微鏡
JP2002075263A (ja) 電子線装置
JP2015138609A (ja) レシピ設定装置及びそれを有する荷電粒子線装置
US20230402252A1 (en) Charged Particle Beam Device and Image Acquisition Method
JP6101445B2 (ja) 信号処理装置及び荷電粒子線装置
JP2016213054A (ja) 画像処理装置、電子顕微鏡、および画像処理方法
JP2013093251A (ja) 荷電粒子線装置
JP2022018299A (ja) 像取得方法および電子顕微鏡

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150128

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150929

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151126

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160510

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160606

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5948074

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350