JP2011179819A - パターン測定方法及びコンピュータプログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、異なる製造条件にて形成された複数のパターンについて、荷電粒子線装置を用いた測定を行い、当該複数のパターンの基準寸法と、当該測定結果との差異、或いはばらつきが相対的に小さくなる測定条件を選択する測定条件設定方法、及びコンピュータプログラムを提案する。複数パターンの基準寸法は、原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope:AFM)によって、上記複数のパターンを測定することによって得るようにしても良いし、半導体パターンの設計データにシミュレーションを施すことによって得られるパターンの断面形状等に基づいて求めるようにしても良い。
【選択図】 図9
Description
2 引出電極
3 電子ビーム
4 コンデンサレンズ
5 走査偏向器
6 対物レンズ
7 真空チャンバ
8 試料台
9 試料
10 電子
11 二次電子
12 変換電極
13 検出器
14 制御装置
Claims (20)
- 荷電粒子ビームを試料に照射することによって、試料より放出される荷電粒子を検出し、当該荷電粒子の検出に基づいて、前記試料上に形成されたパターンを測定するパターン測定方法において、
異なる製造条件にて形成された複数のパターンに対し、前記荷電粒子ビームを走査して、異なる測定条件毎に前記複数のパターンの測定値を求め、当該異なる測定条件にて取得された複数の測定値と、予め取得された異なる製造条件にて形成されたパターンの基準寸法値との複数の差分を算出し、前記製造条件毎の当該複数の差分の平均値、或いは当該複数の差分の加算値が、最小或いは所定のしきい値以下となる測定条件を選択することを特徴とするパターン測定方法。 - 請求項1において、
前記製造条件は、前記パターンを露光する露光装置の露光条件であることを特徴とするパターン測定方法。 - 請求項1において、
前記基準寸法値は、前記異なる製造条件にて形成されたパターンを走査プローブ顕微鏡によって測定することによって得られるものであることを特徴とするパターン測定方法。 - 請求項1において、
前記基準寸法値は、前記異なる製造条件に基づくシミュレーションによって得られるものであることを特徴とするパターン測定方法。 - 請求項1において、
前記当該複数の差分の平均値、或いは加算値、及び前記複数の差分のばらつきに基づいて、前記測定条件を選択することを特徴とするパターン測定方法。 - 荷電粒子ビームの走査によって得られた画像上で、画像認識用画像とのパターンマッチングに基づいて計測位置を特定するパターン測定方法において、
異なる製造条件にて形成されるパターンの画像を、異なる製造条件毎に複数形成し、当該複数の画像に対し、複数の異なる画像認識用画像を用いて複数の相関値を求め、相関値が最も高い個所と2番目に高い個所の相関値の差分を算出し、当該画像認識用画像毎の差分の平均値或いは加算値が相対的に大きい、或いは所定値を越える画像認識用画像を、前記パターンマッチング用の画像として選択することを特徴とするパターン測定方法。 - 請求項6において、
前記製造条件は、前記パターンを露光する露光装置の露光条件であることを特徴とするパターン測定方法。 - 請求項6において、
前記異なる製造条件にて形成されるパターンの画像は、前記異なる製造条件に基づくシミュレーションによって得られるものであることを特徴とするパターン測定方法。 - 請求項6において、
前記複数の差分の平均値或いは加算値、及び前記複数の差分のばらつきに基づいて、画像認識用画像を選択することを特徴とするパターン測定方法。 - 荷電粒子ビームを試料に照射することによって、試料より放出される荷電粒子を検出し、当該荷電粒子の検出に基づいて、前記試料上に形成されたパターンを測定する測定装置の測定条件を、コンピュータに設定させるコンピュータプログラムにおいて、
当該プログラムは、前記コンピュータに、異なる製造条件にて形成された複数のパターンについて、異なる測定条件毎に複数の測定値を求めさせ、当該異なる測定条件にて取得された複数の測定値と、予め取得された異なる製造条件にて形成されたパターンの基準寸法値との複数の差分を算出させ、前記製造条件毎の当該複数の差分の平均値、或いは複数の差分の加算値が最小、或いは所定のしきい値以下となる測定条件を選択させることを特徴とするコンピュータプログラム。 - 請求項10において、
前記製造条件は、前記パターンを露光する露光装置の露光条件であることを特徴とするコンピュータプログラム。 - 請求項10において、
前記基準寸法値は、前記異なる製造条件にて形成されたパターンを走査プローブ顕微鏡によって測定することによって得られるものであることを特徴とするコンピュータプログラム。 - 請求項10において、
前記基準寸法値は、前記異なる製造条件に基づくシミュレーションによって得られるものであることを特徴とするコンピュータプログラム。 - 請求項10において、
前記プログラムは、コンピュータに、前記複数の差分の平均値、或いは加算値、及び前記複数の差分のばらつきに基づいて、前記測定条件を選択させることを特徴とするコンピュータプログラム。 - 請求項10において、
前記コンピュータを含むことを特徴とする測定条件設定装置。 - 荷電粒子ビームを試料に照射することによって、試料より放出される荷電粒子を検出し、当該荷電粒子の検出に基づいて、前記試料上に形成されたパターンを測定する測定装置の測定条件を、コンピュータに設定させるコンピュータプログラムにおいて、
当該プログラムは、前記コンピュータに、異なる製造条件にて形成される複数のパターン画像について、複数の異なる画像認識用画像を用いて複数の相関値を求めさせ、相関値が最も高い個所と2番目に高い個所の相関値の差分を算出させ、当該画像認識用画像毎の差分の平均値或いは加算値が相対的に大きい、或いは所定値を越える画像認識用画像を、前記パターンマッチング用の画像として選択させることを特徴とするコンピュータプログラム。 - 請求項16において、
前記製造条件は、前記パターンを露光する露光装置の露光条件であることを特徴とするコンピュータプログラム。 - 請求項16において、
前記異なる製造条件にて形成されるパターンの画像は、前記異なる製造条件に基づくシミュレーションによって得られるものであることを特徴とするコンピュータプログラム。 - 請求項16において、
前記プログラムは、前記コンピュータに、前記複数の差分の平均値或いは加算値、及び前記複数の差分のばらつきに基づいて、画像認識用画像を選択させることを特徴とするコンピュータプログラム。 - 請求項16において、
前記コンピュータを含むことを特徴とする測定条件設定装置。
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JP2010041232A JP2011179819A (ja) | 2010-02-26 | 2010-02-26 | パターン測定方法及びコンピュータプログラム |
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JP2010041232A JP2011179819A (ja) | 2010-02-26 | 2010-02-26 | パターン測定方法及びコンピュータプログラム |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013140907A1 (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-26 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターン計測装置、及び半導体計測システム |
JP2015161554A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン測定装置、及びパターン測定装置の管理装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0560540A (ja) * | 1991-09-02 | 1993-03-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 荷電ビームを用いたパタン寸法測定方法 |
JP2006510912A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-03-30 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 測定装置のための評価及び最適化 |
JP2007208245A (ja) * | 2006-01-05 | 2007-08-16 | Canon Inc | 露光量のおよびフォーカス位置のオフセット量を求める方法、プログラムおよびデバイス製造方法 |
JP2007218711A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡装置を用いた計測対象パターンの計測方法 |
JP2009198340A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡システム及びそれを用いたレジストパターンの膜厚減少量評価方法 |
JP2010032312A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Toshiba Corp | パターン評価装置、パターン評価方法およびプログラム |
-
2010
- 2010-02-26 JP JP2010041232A patent/JP2011179819A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0560540A (ja) * | 1991-09-02 | 1993-03-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 荷電ビームを用いたパタン寸法測定方法 |
JP2006510912A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-03-30 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 測定装置のための評価及び最適化 |
JP2007208245A (ja) * | 2006-01-05 | 2007-08-16 | Canon Inc | 露光量のおよびフォーカス位置のオフセット量を求める方法、プログラムおよびデバイス製造方法 |
JP2007218711A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡装置を用いた計測対象パターンの計測方法 |
JP2009198340A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡システム及びそれを用いたレジストパターンの膜厚減少量評価方法 |
JP2010032312A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Toshiba Corp | パターン評価装置、パターン評価方法およびプログラム |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013140907A1 (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-26 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターン計測装置、及び半導体計測システム |
JP2013195175A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン計測装置、及び半導体計測システム |
US9846931B2 (en) | 2012-03-19 | 2017-12-19 | Hitachi High-Technologies Corporation | Pattern sensing device and semiconductor sensing system |
JP2015161554A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン測定装置、及びパターン測定装置の管理装置 |
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