JP5156619B2 - 試料寸法検査・測定方法、及び試料寸法検査・測定装置 - Google Patents
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Description
昨今、半導体集積回路は、ますます微細化が進み、それに伴って、半導体検査装置の性能も向上してきた。そのような半導体検査装置の1つにCD−SEM(Critical Dimension Scanning Electron Microscope)がある。CD−SEMは、荷電粒子線のひとつである電子ビームを試料上に走査することによって得られる二次電子に基づいて、試料上に形成されたパターンの寸法を測定する装置である。
特許文献1には、CD−SEMを使って検査対象パターンのパターンエッジを検出し、それと基準パターンとを比較することによって、パターンの変形量を検出することが開示されている。
また、電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子は、その走査方向と検査対象パターンのパターンエッジ方向によって、発生する二次電子の発生強度や分布が異なる場合がある。特許文献1や特許文献2にはこれらを緩和するために、電子ビームを測定するパターンのエッジ方向に対して常に垂直に走査することが提案されている。
そのため、特許文献1や特許文献2では検査対象パターンのパターンエッジ方向に対して電子ビームを常に垂直に走査することが提案されているが、以下のような問題がある。
電子ビームの走査位置や走査方向の制御には精度的な限界があり、走査方向を変化させると、パターンのエッジ検出位置が1nm以上変化してしまう場合がある。従って、検査対象のパターンのパターンエッジに常に電子ビームが垂直になるように走査すると、走査した位置や方向によってパターンのエッジ検出位置に誤差が生じてしまう。また、特許文献2では走査方向が異なるSEM像を組合わせる手法が開示されているが、走査方向によるSEM像の面内歪みの違いによって、SEM像の視野内の全てのパターンを十分な精度で重ね合わせることができない。
しかしながら、特許文献1や特許文献2に開示された技術では、このような電子ビームの走査方向や位置を変化させることによって生じる走査方向や位置の制御誤差についてはなんら対策を講じていなかった。
本発明によれば、上記目的を達成するために、電子ビームの走査方向とパターンエッジ方向の違いによる二次電子の発生強度や発生分布の違いを、あらかじめ調べてライブラリー化しておき、そのライブラリーを使って実際に取得した二次電子信号を補正することによって、電子ビームの走査方向に対して垂直でないパターンエッジであってもエッジ位置を正確に計測することができる。
また、電子ビームの走査位置と走査方向による走査誤差をあらかじめ計測しておき、電子ビームを走査する際の制御信号にこの誤差を重畳することによって、電子ビームの走査方向や走査位置を変化させたときの誤差を低減し、十分な精度でパターンのエッジ位置を計測することができる。
本発明における主たる効果は、電子ビームの走査方向とパターンエッジの方向の違いによるパターンエッジ位置の計測誤差や電子ビームの走査方向を可変した際に生じる走査位置や走査方向の誤差が原因となって生じるパターンエッジ位置の計測誤差を低減することによって、微細なパターンの全ての方向のエッジ位置を高精度に計測できる試料寸法検査・測定方法、及び装置を提供することである。
一次電子線4は、制御プロセッサ30で制御されるレンズ制御電源21により電流制御された収束レンズ5で収束され、絞り板8で一次電子線4の不要な領域が除去された後に、制御プロセッサ30で制御されるレンズ制御電源22により電流制御された収束レンズ6、および制御プロセッサ30で制御される対物レンズ制御電源23により電流制御された対物レンズ7により試料10に微小スポットとして収束される。対物レンズ7は、インレンズ方式,アウトレンズ方式、およびシュノーケル方式(セミインレンズ方式)など、種々の形態をとることができる。
また、試料10に負の電圧を印加して一次電子線を減速させるリターディング方式も可能である。さらに、各々のレンズは、制御された電圧を印加した複数の電極で構成される静電型レンズで構成してもよい。
一次電子線4は、制御プロセッサ30で制御される走査コイル制御電源24により電流制御される走査コイル9で試料10上を二次元的に走査される。一次電子線の照射で試料10から発生した二次電子等の二次信号12は、対物レンズ7の上部に進行した後、二次信号分離用の直交電磁界発生装置11により、一次電子と分離されて二次信号検出器13に検出される。二次信号検出器13で検出された信号は、信号増幅器14で増幅された後、画像メモリ25に転送されて画像表示装置26に試料像として表示される。
走査コイル9と同じ位置に制御プロセッサ30で制御される対物レンズ用アライナー制御電源27により電流制御される2段の偏向コイル(対物レンズ用アライナー)16が配置されており、対物レンズ7に対する一次電子4の通過位置を二次元的に制御できる。ステージ15は、少なくとも一次電子線と垂直な面内の2方向(X方向,Y方向)に試料10を移動することができ、それによって試料10上の一次電子4の走査領域を変更することができる。
ポインティング装置31は、画像表示装置26に表示された試料像の位置を指定してその情報を得ることができる。入力装置32からは、画像の取り込み条件(走査速度,画像積算枚数)や視野補正方式などの指定、および画像の出力や保存などを指定することができる。
なお、画像メモリのメモリ位置に対応したアドレス信号が、制御プロセッサ30内、或いは別に設置された制御コンピュータ42内で生成され、アナログ変換された後に、走査コイル制御電源24に供給される。X方向のアドレス信号は、例えば画像メモリが512×512画素(pixel)の場合、0から512を繰り返すデジタル信号であり、Y方向のアドレス信号は、X方向のアドレス信号が0から512に到達したときにプラス1される0から512の繰り返しのデジタル信号である。これがアナログ信号に変換される。
画像メモリ25のアドレスと電子線を走査するための偏向信号のアドレスが対応しているので、画像メモリには走査コイル9による電子線の偏向領域の二次元像が記録される。なお、画像メモリ25内の信号は、読み出しクロックで同期された読み出しアドレス生成回路で時系列に順次読み出すことができる。アドレスに対応して読み出された信号はアナログ変換され、画像表示装置26の輝度変調信号となる。
また本例で説明する装置は、検出された二次電子或いは反射電子等に基づいて、ラインプロファイルを形成する機能を備えている。ラインプロファイルは一次電子線4を試料10上を一次元、或いは二次元走査したときの電子検出量、或いは試料像の輝度情報等に基づいて形成されるものであり、得られたラインプロファイルは、例えば半導体ウェハ上に形成されたパターンの寸法測定等に用いられる。
なお、第1図の説明は制御プロセッサ30が走査電子顕微鏡と一体、或いはそれに準ずるものとして説明したが、無論それに限られることはなく、走査電子顕微鏡鏡体とは別に設けられたプロセッサで処理を行っても良い。その際には二次信号検出器13で検出される検出信号を画像として制御プロセッサ30に伝達したり、制御プロセッサ30から走査電子顕微鏡の対物レンズ制御電源23や走査コイル制御電源24等に信号を伝達する伝達媒体と、当該伝達媒体経由で伝達される信号を入出力する入出力端子が必要となる。
更に、本例装置は、例えば半導体ウェハ上の複数点を観察する際の条件(測定個所,走査電子顕微鏡の光学条件等)を予めレシピとして記憶しておき、そのレシピの内容に従って、測定や観察を行う機能を備えている。また、制御プロセッサ30は、パターン寸法を測定する際の演算装置としても機能する。
また、以下に説明する処理を行うプログラムを記憶媒体に登録しておき、走査電子顕微鏡等に必要な信号を供給するプロセッサで、当該プログラムを実行するようにしても良い。即ち、以下に説明する例は画像を取得可能な走査電子顕微鏡等の荷電粒子線装置に採用可能なプログラム、或いはプログラムプロダクトとしての説明でもある。
更に、制御プロセッサ30には、GDSIIフォーマットやOASISフォーマットなどで表現された半導体デバイスの回路パターン設計データを記憶し、SEMの制御に必要なデータに変換するデザインデータ管理部33を接続しても良い。当該デザインデータ管理部33は、入力されたデザインデータに基づいて、上記SEMを制御するレシピを作成する機能を備えている。また、制御プロセッサ30から伝達される信号に基づいて、デザインデータを加工する機能をも備えている。また、以下に説明する処理を当該デザインデータ管理部33内に設けられたプロセッサで行っても良い。更に、制御プロセッサ30に代わってデザインデータ管理部33内に設けられたプロセッサによって、走査電子顕微鏡を制御するようにしても良い。
なお、本例の説明ではデザインデータ管理部33が、制御プロセッサ30と別体のものとして説明するが、これに限られることはなく、デザインデータ管理部33が一体であっても良い。
本例においては試料10として、半導体製品を製造する工程の中にあるウェハとした。リソグラフィー工程によりウェハ上に形成されたレジストパターンを用いた。その比較対象として、そのパターンのもととなる半導体デバイスの回路パターンの設計データ(デザインデータ)を用いた。
ここで用いる半導体デバイスの回路パターンの設計データとは、最終的に半導体デバイスの回路をウェハ上に形成する際の理想的なパターン形状を示す。なお、以下の説明は、検査対象を半導体ウェハとしたが、設計データと評価したい対象が対をなしていればこれに限ることはない。例えば、半導体パターンをウェハ上に露光する際に使用するガラス基板上に形成されたマスクパターンや、液晶パネルのようなガラス基板上に形成されたパターンに対しても以下の説明は有効である。
また、回路パターンの設計データは、回路パターンの設計データを表示するソフトウェアがそのフォーマット形式を表示でき図形データとして取り扱うことができれば、その種類は問わない。
以下に図面を用いて、電子顕微鏡で取得した画像に示されたパターンのエッジ部分(以下、SEMエッジと称することもある)とデザインデータに示されたパターン形状(以下、デザインパターンと称することもある)との形状誤差の測定(以下EPE(Edge Placement Error)計測と称することもある)の例について説明する。
EPE計測は、デザインパターン40で示された理想的なパターン形状と実パターン41との形状誤差を計測するものであるが、第3図に説明するように、実パターン41は、例えばパターンの先端部42が縮んだり、角部43が丸まったりして形成されることが多い。第3図に示す例ではパターンを、▲1▼パターンの先端部(以下、先端部42と称する)、▲2▼パターンの直線部(以下、直線部44と称する)、▲3▼パターンの角部(以下、角部43と称する)に分類している。
このように分類する理由として、パターン形状の特徴によってその変形の傾向や変形量が異なるからである。二次元形状計測とはまさにこのようなパターン形状の特徴に応じて様々な変化をするパターン形状全体を計測することである
第3図は、SEM像から検出されたSEMエッジ45の全ての位置でEPE計測47を行う例を説明する図であるが、一定の方向に電子ビームを走査した場合、走査方向に対する実パターン41のパターンエッジの方向の関係から、全ての方向においてサブナノメートルの精度パターンエッジ位置を計測することはできない。
具体的には第4図に示したように、ウェハ上の実パターン41のエッジ方向に対する電子ビームの走査方向95の違いによって、発生する二次電子の信号波形96は異なる。第4図の(b)は電子ビームをウェハ上の実パターン41のエッジに対して垂直に走査した場合の二次電子の信号波形を示し、(c)は例えば45度方向、(d)は例えば30度方向に走査した場合の二次電子の信号波形を示す。
また、第5図に示したように、実パターン41の外側(低い場所)から内側(高い場所)に電子ビーム(一次電子線4)を走査した場合と、内側(高い場所)から外側(低い場所)に電子ビームを走査した場合とでは、やはり二次電子の発生強度と発生分布が異なる場合がある。第5図の(b)は、ウェハ上の実パターン41の外側(低い場所)から内側(高い場所)に電子ビームを走査した場合の例を示し、第5図の(c)は、ウェハ上の実パターン41の内側(高い場所)から外側(低い場所)に電子ビームを走査した場合の例を示す。
このような二次電子の信号波形の違いは第6図に示したように、電子ビームの走査方向とウェハ上の実パターンがなす角度によって一定の傾向を持っている。なお、ここでは90°はウェハ上の実パターン41の外側(低い場所)から内側(高い場所)に電子ビームを走査した場合、0°はウェハ上の実パターン41のエッジと水平に電子ビームを走査した場合、−90°はウェハ上の実パターン41の内側(高い場所)から外側(低い場所)に電子ビームを走査した場合の例を示す。
第6図に示したグラフから求めた二次電子の信号強度の検量線97と信号の半値幅の検量線97を使って、任意の角度における二次電子の信号二次電子の信号波形を補正することができる。例えば、式(1)によって二次電子の信号強度を補正することができる。また、式(2)によって二次電子の信号波形の半値幅を補正することができる。
(補正後の信号強度)=(元の信号強度)×f(θ)・・・(1)
(補正後の半値幅)=(元の幅)×g(θ) ・・・(2)
なお、この例ではX方向とY方向の誤差しか示していないが、回転方向の誤差も発生しうる。更に、これらの誤差は電子ビームの走査位置の電子光学系中心軸からの距離や方向によって異なっている可能性がある。従って、第9図に示したように、電子ビームの走査の位置と方向の誤差をあらかじめ計測しておき、その結果を使って電子ビームの走査のための制御信号に補正を加えたり、または、第7図に示した電子ビームの走査位置と方向を正しい(実際の)位置と方向に補正した上でパターンエッジ位置を計測するようにする。なお、第9図のます目は電子ビームの電子光学系の中心からの位置を示しており、矢印はその位置での電子ビームの走査位置の誤差を示している。
このような手法を使うことによって実パターン41の正確な外形形状(Contour)をサブナノメートルの精度で検出することができる。
なお、ラインプロファイルは▲1▼検査対象パターンのSEM像の画像データから測長ボックス53の領域の画素情報(グレースケールの階調情報)を抽出してエッジサーチ方向57に積算(平均化)して、平滑化して作成する手段と、▲2▼電子ビームを検査対象の測長ボックス53の領域をエッジサーチ方向57に水平な方向に電子ビームを数回走査して得られた二次電子信号波形を積算(平均化)して、平滑化して作成する手段がある。
第10図ではラインプロファイル55の輝度値に一定の閾値Thを設定し、その閾値Thとラインプロファイル55が交差する位置を測長エッジ55としているが、ラインプロファイル55からのエッジ検出方法はこのほかにも様々な手法があり、この限りではない。第10図ではSEMエッジ45の中点56にデザインパターン40と直交する方向に測長ボックス53を配置しているが、これについては後に第13図の説明で述べるようにこの限りではない。
第11図で具体的な処理フローを説明する。
まず、第11図の(a)に測長ボックス53の領域の画素情報を使ってプロファイルを作成する場合を示す。測長ボックス53で指定された測長領域(S0001)の検査対象パターンの画像データの画素情報を取得する(S0002)。このときの画素情報の積算方向はエッジサーチ方向57に対して垂直な方向とする。次に、画素情報を積算して、平滑化してラインプロファイル54を作成する(S0003)。次に、そのラインプロファイル54から測長エッジ55を検出する(S0004)。最後に測長エッジ55とデザインパターン40との間のEPE計測を実施する(S0005)。
次に、第11図の(b)に測長ボックス53の領域を電子ビームで走査してプロファイルを作成する場合を示す。測長ボックス53で指定された測長領域(S0001)を電子ビームで複数回走査する(S0002)。このときの走査方向はエッジサーチ方向57と水平な方向とする。次に、電子ビームを走査することによって得られたラインプロファイル54を作成する(S0003)。
次に、そのラインプロファイル54から測長エッジ55を検出する(S0004)。最後に測長エッジ55とデザインパターン40との間のEPE計測を実施する(S0005)。
第10図の(a)はソーベルフィルターなどの画像処理の手法ではSEM像のホワイトバンド46の最も輝度値が高い部分をSEMエッジ45として検出した例を示している。この場合、SEMエッジ45はラインプロファイルによって求めた測長エッジ55と非常に近い位置にあるが、測長エッジ55とは数nmの誤差が存在しEPE計測としては精度不足している。第10図(b)はソーベルフィルターなどの画像処理の手法ではホワイトバンド46の内側をSEMエッジ45として検出された例を示している。この場合はSEMエッジ45と測長エッジ55の位置にはかなり誤差がある。
第10図(c)はソーベルフィルターなどの画像処理の手法では実パターン41の内部に存在する内部エッジ58をパターン外形部のSEMエッジとして誤検出した例であり、このような内部エッジ58を誤って計測してしまうと正しい外形形状を捉えることができない。第10図に示したいずれのケースにおいて、ラインプロファイル54を使うことによってEPE計測として十分な精度を持った測長エッジ55を検出することができる。
第12図はラインプロファイルを作成する領域を示す測長ボックス53の配置方法に関する例を示したものである。第12図(a)は測長ボックス53をSEMエッジ中点56を基準にして配置したものであり、測長ボックス53のエッジサーチ方向長さL1およびL2はSEMエッジ45を基準として設定されている。
このL1およびL2はSEMエッジ45と測長エッジ55との位置の誤差を予測して、特定の値をそれぞれ個別に設定してきめることができるが、内部エッジ58を誤検出した場合などは予想を超えた誤差が発生する可能性がある。
この場合は第12図(b)に示したようにエッジサーチ方向57とデザインパターン40の交点59をL2の基準にすることによって測長エッジ55を正しく捉えることができる。なお、第12図(b)の例ではSEMエッジ45がデザインパターン40が示す図形の内側に存在しているが、外側に存在していた場合も同様に処理することができる。
また、第12図には示されていないが、エッジサーチ方向57と実際のパターン形状をシミュレーションで予測したパターン形状(以下、シミュレーションパターンと呼ぶことがある)をエッジサーチ方向57との交点をL2の基準として使用してもよい。
次に第12図に示した測長ボックス53の幅Wについて説明する。測長ボックス53の幅Wを大きくするとラインプロファイルを作成する際に積算する画像情報の数や二次電子信号波形の本数が増えるため、幅Wを大きくしすぎると形状変化が大きい部位の局所的な形状を捉えることができなくなる。そこで幅WについてもSEMエッジ45の長さに応じて自動的に調整するようにしても良い。
例えば、幅WをSEMエッジ45の長さと同じにすれば、SEMエッジ45の長さが短い形状変化が大きい部位は自動的に測長ボックス53の幅Wを狭くすることができる。また、幅Wに上下限値(例えば,上限を20nm、下限を3nm)を設定すれば幅Wを一定の範囲内でコントロールすることもできる。
更に、電子ビームの走査によってプロファイルを作成する場合は幅Wに応じて走査する本数を変化させることによって、電子ビームの走査密度を一定にすることができる。これによって、レジストのシュリンクなどの電子ビームによるダメージをSEMエッジの長さによらず一定にすることができる。
第13図(a)はデザインパターン40を塗りつぶした後でガウスフィルターなどでぼかして作成したグラデーション像60の階調変化方向をエッジサーチ方向57とした例を示すものである。このような方法を使用すれば、直線形状部に関してはエッジサーチ方向57をデザインパターン40に垂直な方向に設定することができ、パターンの先端部42や角部には形状変化に合わせた放射状方向に画素情報の積算方向や電子ビームの走査方向を設定することができる。
第13図(b)は実パターンの形状変化を予測してデザインパターン40を変形させたパターン61を塗りつぶした後でガウスフィルターなどでぼかして作成したグラデーション像60の階調変化方向をエッジサーチ方向57とした例を示すものである。この例ではパターンの先端部42が短くなることを予測してデザインパターン40を変形させたパターン61を作成している。このような方法を使用すれば、第13図(a)で示した特徴に加えて、パターン形状の変化量の局所的な違いに対応した画素情報の積算方向や電子ビームの走査方向を設定することができる。
第13図(c)はSEMエッジをつないだ多角形62を塗りつぶした後でガウスフィルターなどでぼかして作成したグラデーション像60の階調変化方向をエッジサーチ方向57とした例を示すものである。このような方法を使用すれば、パターンの形状変化量が予測を超えていた場合であっても、パターン形状の変化量の局所的な違いに対応した画素情報の積算方向や電子ビームの走査方向を設定することができる。
第13図(d)はシミュレーションパターン63を塗りつぶした後でガウスフィルターなどでぼかして作成したグラデーション像60の階調変化方向をエッジサーチ方向57とした例を示すものである。SEMエッジがシミュレーションパターンから離れた位置に存在した場合は、SEMエッジ45をシミュレーションパターン63対応させるための計算が複雑になる。これに対してシミュレーションパターン63からえられたグラデーション像60を使用すれば、SEMエッジ45がどの位置に存在したとしても容易にエッジサーチ方向57を設定することができる。
なお、第13図(a)(b)(c)(d)のいずれも、基準となるパターンの外側から内側に向かってエッジサーチ方向57を設定しているが、内側から外側に向かってエッジサーチしても良い。例えば、グラデーション像60の階調が暗い方から明るい方にエッジサーチするとした場合、基準となるパターンを背景よりも明るい色(例えば背景を黒、基準となるパターンの内側を白)で塗りつぶした場合は、エッジサーチ方向57は基準となるパターンの外側から内側に向かって設定される。逆に、基準となるパターンを背景よりも暗い色(例えば背景を白、基準となるパターンの内側を黒)で塗りつぶした場合はエッジサーチ方向57は基準となる図形の内側から外内側に向かって設定することができる。
第15図(a)はこのパターンマッチングの処理にSEMエッジ45を使用し、EPE計測にはラインプロファイルを使って検出した測長エッジ55を使用した場合の例を示している。この図に示したようにマッチングに使用したSEMエッジ45とEPE計測に使用した測長エッジ55の位置の誤差に偏りが生じていた場合、EPE計測した測長値も偏りを持ってしまい、実パターンの形状変形量を正しく捉えることができない。
そこで、本発明ではEPE計測を実施する際に使用するエッジを基準としたパターンマッチングを実施することを提案する。
第14図の(b)は、測長エッジ55をパターンマッチングとEPE計測の両方で使用した場合の具体例を示している。この図に示したように、測長エッジ55をパターンマッチングとEPE計測の両方に使用しているため、適切なパターンマッチングが実施されていれば、EPE計測結果も偏ることがない。なお、第14図(b)では測長エッジ55をパターンマッチングとEPE計測の両方で使用したが、SEMエッジ45をパターンマッチングとEPE計測の両方で使用しても同様の結果が得られる。
第15図(a)のようにパターンマッチングの結果が理想的な位置である場合は、各測長エッジ55の位置でのグラデーション像60の輝度値のばらつきが少なく、グラフは第15図(c)に示したように分散σ1が小さくなる。逆に、第15図(b)に示したようにパターンマッチングの結果が偏っていた場合は、各測長エッジ55の位置でのグラデーション像60の輝度値がばらつくため、グラフは第15図(d)に示したように分散σ2が大きくなる。このような原理を利用して輝度値の分散を評価し(S0004)、最も分散が少なくなった位置を最適なマッチング位置として選択する(S0005)。
以上で述べたように、各測長エッジ位置でのパターンマッチングさせる基準パターンのグラデーション像の輝度値の分散を評価することによって理想的なパターンマッチングを得ることができる。なお、第15図では基準パターンとしてデザインデータ40を使用したが、第13図で説明した形状変化予測を反映したデザインパターンやシミュレーションパターンを使用してもよい。また、第15図では測長エッジ55をパターンマッチングに使用したが、SEMエッジを使用してもよい。
本例では回転成分を補正する手段として、▲1▼EPE計測に使用するエッジの位置(座標)を回転させる手法(第17図(b))と、▲2▼パターンマッチングの基準となるパターンの位置(座標)を回転させる手法(第17図(c))を提案する。
▲1▼EPE計測に使用するエッジの位置を回転させる手法について、第17図(b)と第18図を使って詳細を説明する。第17図(b)に示したように、回転補正しない状態(第17図(a)の状態)で検出された測長エッジ55の座標(X1,Y1)を式(3)に示したような回転の式を使って角度θだけ回転補正し(S0001)、回転補正後の測長エッジ68の座標(X2,Y2)得る(S0002)。
次に、第15図で説明した手法を使って回転補正後の各測長エッジ68の輝度値の分散を評価し(S0003〜S0006)、最適なパターンマッチングの位置を導く(S0007)。最適なマッチング結果が得られた後に、回転補正後の測長エッジ68と基準となるパターン(ここではデザインパターン40)とのEPE計測を実施する(S0008)。また、ここでは回転補正およびその結果を利用した最適なマッチング位置の選択は1回しか実施していないが、さらに精度を上げるためにこの処理を何度か繰り返しても良い。
▲2▼パターンマッチングの基準となるパターンの位置を回転させる手法について、第17図(c)と第19図を使って詳細を説明する。
第17図(c)に示したように、基準となるパターン(ここではデザインパターン40)の頂点座標を式(1)に示したような回転の式を使って角度θだけ回転補正して(S0001)、回転補正後の基準となるパターン(ここでは回転補正後のデザインパターン69)を得る(S0002)。
次に、回転補正した基準となるパターンを使って、第15図で説明した手法に従って各測長エッジ55の輝度値の分散を評価し(S0003〜S0006)、最適なパターンマッチングの位置を導く(S0007)。最適なマッチング結果が得られた後に、測長エッジ55と回転補正した基準となるパターン(ここでは回転補正したデザインパターン69)とのEPE計測を実施する(S0008)。
本例で提案している上記の▲1▼および▲2▼の手法の最大の特徴は、画像データを回転させずにあくまでも座標データを回転させていることにある。これによって高速処理が実施できると共に、画像データを回転する際に生じる画素の丸め誤差などによるEPE計測精度の誤差が発生しないようにできる。
第20図(a)および第20図(b)はいずれも第20図(e)に示したような断面形状を持つ実パターン41のEPE計測47を示したものである。第20図(a)は第20図(c)に示したように、ラインプロファイル54の輝度値に閾値Th1を設定したときのSEMエッジ55を使ったEPE計測47を示している。これに対して、第20図(b)は第20図(d)に示したように、ラインプロファイル54の輝度値に閾値Th1よりも多きい閾値Th2を設定したときのSEMエッジ55を使ったEPE計測47を示している。
第20図(a)と第20図(b)のEPE計測47を比較すればわかるように、SEMエッジ55をラインプロファイル54から求める際の閾値を変化させることによって、実パターン41の異なる高さの外形形状を捉えることができる。このような情報を使うことによって、実パターン41の立体的な形状変形量をEPE計測することができる。なお、本例では閾値を2種類しか使用していないが、より詳細な立体形状情報を得る場合は閾値を10段階などに細分化しても良い。
上層と下層のEPE計測を区別する手法として、実パターンから抽出されたSEMエッジを、そのSEMエッジが対応付けられるデザインパターンの層情報を使用することができる。
第21図はSEMエッジを▲3▼SEMエッジに垂直な方向の基準となるパターン(ここではデザインパターン)に対応付けた例を示している。第21図に示したように、上層のSEMエッジ73は上層のデザインパターン70に、下層のSEMエッジ77は下層のデザインパターン75に対応付けることができる。
しかしながら、上層と下層のパターンのエッジが重なる部位80についてはその対応付けがあいまいになる可能性がある。
そこで本例では、各SEMエッジの位置で作成したラインプロファイルの形状の違いを使ってSEMエッジを各層に分類する手法を提案する。
第21図(a)は上層のパターンエッジのラインプロファイル74を、第21図(b)は下層のパターンエッジのラインプロファイル79を示している。この例では上層のパターンエッジのラインプロファイル74に比べて下層のパターンエッジのラインプロファイル79の輝度値が低い例を示している。このような場合は輝度値に対する適当な閾値を設定することによって上層のSEMエッジ72と下層のSEMエッジ77を区別することができる。
また、第21図と同様に第22図(a)は上層のパターンエッジのラインプロファイル74を、第22図(b)は下層のパターンエッジのラインプロファイル79を示している。この例では上層のラインプロファイル74は輝度値のピークが1つであるのに対して、下層のラインプロファイル79は輝度値のピークが2つである。このような場合は輝度値設定した適当な閾値Thを超えるピークの数を調べることによって上層のSEMエッジ72と下層のSEMエッジ77を区別することができる。
なお、第21図および第22図ではラインプロファイルの形状の違いをラインプロファイルに設定した閾値で判別していたが、ラインプロファイルの形状を比較する手法はこの限りではない。例えばラインプロファイル形状そのものを正規化相関によって比較しても良い。
EPE計測情報部には、EPE計測の測長値やその測長値の元となった測長エッジの座標や対応付けられた基準パターンの座標などが含まれる。基準パターン情報部には、基準パターンの種別(デザインパターンやシミュレーションパターンなど),基準パターンの層情報(レイヤー情報,データタイプ),図形情報(図形番号,線分番号,線分始点・終点座標,線分方向)などが含まれる。評価結果部には、EPE計測の際に対応付けれた基準パターンの部位の分類情報(直線部,角部,先端部など),EPE測長値の管理基準(異常判定のための閾値など),EPE測長値の重要度(仕様内か,仕様外かや致命的であるか,致命的でないかなど)などが含まれる。
なお、基準パターンの分類情報は基準パターン情報に含まれている場合がある。例えばLine部だけをまとめた図形に特定のレイヤー番号やデータタイプを設定しておけばそれを参照することによって基準パターンを分類することができる。また、基準パターンの形状を分析して自動的に分類情報を作成してもよい。例えば、ある一定以上の長さを持った線分であった場合は直線部とみなしたり、線分が直交する部位から一定の距離にある部分を角部とみなしたり、2つの角部が近接しており、かつ、一定の長さ以上の直線部がつながっている場合は先端部とみなしたりすることができる。
更に、基準パターンの分類別に個別に管理基準を設定することもできる。例えば、直線部よりも角部の管理基準をゆるくすることができる。また、同じ直線部であっても条件によって(例えば半導体回路としての重要度など)管理基準を区別しても良い。第23図の例では基準が厳しい直線部(Line−1)は管理基準を−1.0〜1.0nmに、基準が厳しくない直線部(Line−2)は管理基準を−3.0〜3.0nmに、直線部よりも基準が厳しくない角部(Corner)は管理基準を−15.0〜5.0nmに設定している。
このようにEPE計測に関係する様々な情報を表形式で記憶させ、設定された管理基準を越えたEPE測長値を、他の測長結果と識別できるように、識別表示することで、再評価すべきパターンが明確するようにしても良い。第23図の例の場合、EPE計測の評価結果部の重要度にあらかじめ決めておいた異常をあらわす番号や記号を表示することによって、他の測長結果を識別表示するようにした。具体的にはEPE番号2は管理基準2.0nmに対して、EPE測長値が−5.3nmであり、管理基準を超えているために重要度を問題であることを示す3に設定している。このように構成すれば、管理者は許容誤差を越えた部位のみを選択的に評価することができ、評価効率の向上に効果がある。
更に、第23図には示していないが、EPE測長の方向別の平均値を求め、各方向の平均的なEPE測長値に偏りがないかどうかを調べることによって、基準パターンに対して、実パターン全体がずれているのか、それとも実パターンの一部が変形しているだけなのかを判断することが可能となる。つまり、EPE測長値の一部のみ大きな値となっているのであれば、それはその領域のみが何等かの理由で、変形していることが考えられる。しかしながら、例えば或る方向の平均的なEPE測長値が大きなマイナスを示し、その反対側の平均的なEPE測長値が大きなプラスを示すような場合、パターンはその方向に大きくずれて形成されている可能性があるといえる。
Claims (15)
- 荷電粒子線を試料上で走査して得られる信号波形を使って検査対象パターンのパターンエッジ位置を特定し、前記検査対象パターンの設計データと前記パターンエッジとの距離を計測するパターンの測長方法において、
前記検査対象パターンのパターンエッジ方向を計測する手段と、前記検査対象パターンのパターンエッジ方向に対する前記荷電粒子線の走査方向との相対角度を計測する手段と、前記相対角度による前記信号波形の歪みを予測する手段と、前記予測した信号波形の歪みを補正する手段と、前記補正した信号波形からパターンエッジ位置を特定することを特徴とするパターンの検査,測定方法。 - 請求項1において、
前記荷電粒子線を一定方向に走査して得られた前記対象パターンの画像データから、前記信号波形をラインプロファイルとして作成する手段と、前記荷電粒子線の走査方向と前記検査対象パターンのパターンエッジとの相対角度から前記ラインプロファイルの歪みを予測する手段と、前記予測したラインプロファイルの歪を補正する手段と、補正した前記ラインプロファイルからパターンエッジ位置を特定することを特徴とするパターンの検査,測定方法。 - 荷電粒子線を試料上で走査して得られる信号波形を使って検査対象パターンのパターンエッジ位置を特定し、前記検査対象パターンの設計データと前記パターンエッジとの距離を測長するパターンの測長方法において、
前記検査対象パターンのパターンエッジの方向を計測する手段と、前記荷電粒子線の走査位置と走査方向の誤差を測定する手段と、測定した誤差から任意の位置と方向における前記荷電粒子線の走査位置と走査方向の誤差を予測する手段と、前記予測した走査位置と走査方向の誤差をあらかじめ補正して、前記荷電粒子線を正しい位置と方向に走査するパターンの検査,測定方法。 - 荷電粒子線を試料上で走査して得られる信号波形を使って検査対象パターンのパターンエッジ位置を特定し、前記検査対象パターンの設計データと前記パターンエッジとの距離を測長するパターンの測長方法において、
前記荷電粒子線の走査方向、或いは画素情報の積算方向を、走査位置或いは積算位置における前記検査対象パターンの設計データ、荷電粒子線画像のパターン、荷電粒子線画像のパターンエッジをつないだ多角形、或いはシミュレーションパターンのグラデーション像の階調変化方向に応じて可変することを特徴とするパターンの検査,測定方法。 - 請求項4において、
前記荷電粒子線の走査位置と走査方向の誤差を測定する手段と、測定した誤差から任意の位置と方向における前記荷電粒子線の走査位置と走査方向の誤差を予測する手段と、前記予測した走査位置と走査方向の誤差をあらかじめ補正して、前記荷電粒子線を正しい位置と方向に走査することを特徴とするパターンの検査,測定方法。 - 請求項3または4において、
荷電粒子線を、前記検査対象パターンのパターンエッジの計測位置のみ選択的に走査することを特徴とする検査,測定方法。 - 請求項1において、
前記信号波形から特定したパターンエッジを、前期検査対象パターンの設計データに基づいて1つの図形にすることを特徴とするパターンの検査,測定方法。 - 請求項1において、
前記検査対象パターンのパターンエッジ位置の候補を、前記信号波形から複数選択して記憶しておき、前期検査対象パターンの設計データに基づいて1つの図形にする際に、その複数のパターンエッジの候補から、適切なパターンエッジ位置を選択することを特徴とするパターンの検査,測定方法。 - 請求項1において、
前記信号波形から特定した検査対象パターンのパターンエッジ位置を使って、前記検査対象パターンの設計データとパターンをマッチングさせる手段と、パターンマッチングの結果に応じて前記信号波形から特定した検査対象パターンのパターンエッジ位置の座標値を補正することを特徴とするパターンの検査,測定方法。 - 請求項1において、
前記信号波形から検査対象パターンのパターンエッジ位置を特定する際に、特定する条件を変更することによって、前記検査対象パターンの立体的な形状変化情報を測定することを特徴とするパターンの検査,測定方法。 - 請求項1において、
前記信号波形の形状特徴を使って、前記検査対象パターンのパターンエッジを分類することを特徴とするパターンの検査,測定方法。 - 荷電粒子源から放出される荷電粒子線の試料上での走査に基づいて得られる画像に基づいて、前記試料上のパターンの寸法を測定する演算装置において、
当該演算装置は、前記試料上に形成されたパターンエッジ方向と、当該パターンのエッジ方向に対する前記荷電粒子線の走査方向との相対角度を計算し、当該計算された相対角度に応じた歪みに基づいて、前記パターンエッジから検出される信号波形を補正し、当該補正された信号波形に基づいて、前記パターンの寸法を測定することを特徴とする演算装置。 - 請求項12において、
前記演算装置は、前記パターンの設計データと、前記画像上のパターンエッジとの間の寸法を測定することを特徴とする演算装置。 - 荷電粒子源から放出される荷電粒子線の試料上での走査に基づいて得られる画像に基づいて、前記試料上のパターンの寸法を測定する演算装置において、
前記試料上のパターンのパターンエッジの方向を計測する手段と、前記荷電粒子線の走査位置と走査方向の誤差を測定する手段と、測定した誤差から任意の位置と方向における前記荷電粒子線の走査位置と走査方向の誤差を予測する手段とを備え、前記予測した走査位置と走査方向の誤差をあらかじめ補正して、前記荷電粒子線を正しい位置と方向に走査するように前記荷電粒子線を走査するための荷電粒子線装置を制御することを特徴とする演算装置。 - 荷電粒子源から放出される荷電粒子線の試料上での走査に基づいて得られる画像に基づいて、前記試料上のパターンの寸法を測定する演算装置において、
当該演算装置は、前記荷電粒子線の走査方向、或いは画素情報の積算方向を、走査位置或いは積算位置における前記検査対象パターンの設計データ、荷電粒子線画像のパターン、荷電粒子線画像のパターンエッジをつないだ多角形、或いはシミュレーションパターンのグラデーション像の階調変化方向に応じて変化させることを特徴とする演算装置。
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