JP5501161B2 - 画像処理装置、及びコンピュータプログラム - Google Patents

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Description

本発明は、画像処理装置、及び画像処理を演算装置に実行させるコンピュータプログラムに係り、特に2つの輪郭線間、或いは輪郭線と設計データ(レイアウトデータ)間の位置合わせを行う画像処理装置、及びコンピュータプログラムに関する。
昨今、半導体デバイス製造に於ける微細化技術の進歩により、半導体ウェハ上に形成されるパターンが微細化し、そのような微細化されたパターンを評価する装置にも更なる高精度化が要求されている。特に、OPC(Optical Proximity Correction)技術の台頭により、パターンの二次元形状を評価する要求が高まっている。また、微細なパターンの正確な測定や検査を行うために、走査電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope:SEM)に代表される荷電粒子線装置が用いられている。SEM等で取得された画像には、パターンのエッジ部分が或る幅を持って表現されるため、パターンの輪郭形状を正確に把握するための手法として輪郭線化技術がある。特許文献1,2には、設計データと輪郭線間の形状差を正確に測定するために、輪郭線の設計データとの間でパターンマッチングを行う手法が開示されている。
WO2007/094439号公報 特開2007−79982号公報
特許文献1,2に開示されているような輪郭線と設計データ間のパターンマッチング法によれば、形状差のある両者間のマッチングを相応の精度にて実現することが可能となるが、位置合わせを行うべき、輪郭線の部位と設計データの部位との対応が正確に求められていないと、マッチングの精度が低下する可能性がある。例えば、輪郭線を基点とする直線上に、設計データの対応点を求めようとすると、輪郭線の形状によっては、本来対応点とすべきではない個所に、対応点を設定してしまうことになる。誤った位置への対応点の設定により、マッチングの精度が低下する可能性がある。
以下に、設計データと輪郭線、或いは輪郭線間のマッチングを行うに当たり、両者の対応点を正確に特定することを目的とする画像処理装置、及びコンピュータプログラムについて説明する。
上記目的を達成するための一態様として、以下に、第1の線分によって形成される第1のパターンと、第2の線分によって形成される第2のパターン間の位置合わせを行う位置合わせ処理部を備えた画像処理装置において、当該位置合わせ処理部は、前記第1の線分と第2の線分上にそれぞれ第1の対応点と、第2の対応点を設定し、当該第1の対応点と第2の対応点間の距離に基づいて、前記第1のパターンと第2のパターンの位置合わせを行うためのアライメント量を算出すると共に、当該位置合わせ処理部は、前記第1の線分と第2の線分の形状差に応じて、前記第1の対応点、及び/又は第2の対応点の位置を変化させる画像処理装置、或いは当該処理を演算装置に実行させるコンピュータプログラムを提案する。
より具体的な一態様として、前記位置合わせ処理部は、前記第1と第2の線分を結ぶ第3の線分上であって、第1の線分と第2の線分との交点に、前記第1の対応点と第2の対応点を設定し、第3の線分の形状を、前記第1の線分と第2の線分の形状差に応じて変化させることによって、第3の線分上に設定される第1の対応点、及び/又は第2の対応点の位置を変化させる画像処理装置、或いは当該処理を演算装置に実行させるコンピュータプログラムを提案する。
また、更に他の態様として、第1の線分によって形成される第1のパターンと、第2の線分によって形成される第2のパターン間の位置合わせを行う位置合わせ処理部を備えた画像処理装置において、当該位置合わせ処理部は、前記第1の線分と第2の線分上にそれぞれ第1の対応点と、第2の対応点を設定し、当該第1の対応点と第2の対応点間の距離に基づいて、前記第1のパターンと第2のパターンの位置合わせを行うためのアライメント量を算出すると共に、当該第1の対応点と第2の対応点を複数設定する場合に、当該第1の対応点と第2の対応点を結ぶ複数の第3の線分が交差しないように複数の第3の線分を形成する画像処理装置、或いは当該処理を演算装置に実行させるコンピュータプログラムを提案する。
上記構成によれば、2つのパターン間の対応点をパターンの形状差に応じて特定することができるため、正確な対応点を用いた正確な位置合わせを行うことが可能となる。
グラデーション画像を用いてパターンマッチングを行う例を説明する図。 画像処理装置の一例を説明する図。 半導体計測,検査システムの概略を説明する図。 設計データと輪郭線の位置関係に応じて対応点が変化する例を説明する図。 2つの線分への対応点の生成に基づいて、アライメント量を算出する例を説明する図。 輪郭線とデザインデータ、及び位置合わせ情報から生成したベクトル場の流線に基づいて対応点を生成した例を説明する図。 輪郭線を基点として、直交する方向にデザインデータの対応点を設定する例を説明する図。 輪郭線を基点として、デザインデータ上の最も近い点を対応点とする例を説明する図。 輪郭線形状を等高線として表現した例を説明する図。 2つの輪郭線について、符号付距離変換画像を生成し、夫々の符号付距離変換画像の重み付き平均データを作成する例を説明する図。 2つの輪郭線の間に、複数の補間輪郭線を形成した例を説明する図。 2つの輪郭線の対応点を、符号付変換画像を用いて特定する例を説明する図。 2つの輪郭線の対応点を、符号付変換画像を用いて特定する例を説明する図。 位置合わせ処理部に含まれる対応点生成部の一例を説明する図。 位置合わせ処理部に含まれる対応点生成部の一例を説明する図。 対応点生成部に含まれる符号付距離変換部の一例を説明する図。 符号付距離変換部にて形成される画像の一例を説明する図。 符号付距離変換部にて形成される画像の一例を説明する図。 対応点生成部に含まれるgrad画像作成部の一例を説明する図。 符号付Sobel画像生成部によるフィルタ処理のカーネル形状を説明する図。 対応点生成部に含まれるgrad画像平滑化部の一例を説明する図。 符号付距離変換画像に基づいて形成されるgrad画像を説明する図。 符号付距離変換画像に基づいて形成されるgrad画像を説明する図。 対応点探索部による処理工程を示すフローチャート。 設計データと輪郭線との間にて、対応点探索処理を行った例を説明する図。 アライメント量算出部で行われる計算の一例を示す図。 アライメント量のシフト分と回転分を両方求めるアライメント量算出部の一例を示す図。 アライメント量算出部による処理の一例を説明する図。 アライメント量算出部の他の構成例を説明する図。 パターンの部位毎に、対応点数に違いがある例を説明する図。 垂直なラインと水平なライン端が組み合わさったパターンの一例を説明する図。 SEM画像の際に、パターンエッジが存在する例を説明する図。 SEM画像の視野の外側の重み付けを低く設定する例を説明する図。 SEM画像内に大きさの異なる2つのパターンが含まれる例を説明する図。 SEM画像に含まれる2次元パターンの方向毎の重みをベクトル表示した例を説明する図。 パターンの向きに応じた重みをベクトル表示した例を説明する図。 SEM画像に含まれる2次元パターンの方向毎の重みをベクトル表示した例を説明する図。 パターンの向きに応じた重みをベクトル表示した例を説明する図。 SEM画像に含まれる2次元パターンの回転分の重みを求める例を示す図。 画像処理装置の一例を説明する図。 画像処理装置の一例を説明する図。 輪郭線平均化の基準線を求める処理装置の概要を説明する図。 ある基準線上の4つの対応点に基づいて、平均輪郭線を求める工程を説明する図。 対応点を特定する手法の一例を説明する図。 複数のSEMを含む半導体測定或いは半導体検査システムの一例を説明する図。 輪郭線抽出法の一例を説明する図。 SEM画像に基づいて輪郭線を抽出する工程を示すフローチャート。 輪郭線の直線近似に基づいて、対応点を抽出する工程を示すフローチャート。
以下図面を用いて、2つのパターンを形成する線分間の位置合わせを行う画像処理装置について説明する。図45は、複数のSEMを含む半導体測定或いは半導体検査システムを説明する図である。図45に例示するシステムでは、半導体パターンを撮影したSEM画像などの対象画像の中から、輪郭線を抽出し、当該輪郭線データを用いて、パターンの測定や検査を実行する。例えば、抽出した輪郭線を、デザインデータ(設計データ、或いはレイアウトデータと称することもある)と比較して半導体パターンの出来栄えの評価や、OPCモデルの校正を行う。デザインデータと輪郭線間の寸法を求める計測手法は、EPE(Edge Placement Error)計測法とも呼ばれ、パターンの理想形状であるデザインデータと、SEM画像から抽出された実際のパターン形状情報との乖離をモニタすることで、製造プロセス条件の判定や、半導体パターンの設計データへのフィードバックに用いられる。
図45に例示する計測,検査システムは、データ管理装置4501を中心として、複数のSEMが接続されたシステムを例示している。特に本実施例の場合、SEM4502は主に半導体露光プロセスに用いられるフォトマスクやレチクルのパターンの測定や検査を行うためのものであり、SEM4503は主に、上記フォトマスク等を用いた露光によって半導体ウェハ上に転写されたパターンを測定,検査するためのものである。SEM4502とSEM4503は、電子顕微鏡としての基本構造に大きな違いはないものの、それぞれ半導体ウェハとフォトマスクの大きさの違いや、帯電に対する耐性の違いに対応した構成となっている。
各SEM4502,SEM4503にはそれぞれの制御装置4504,4505が接続され、SEMに必要な制御が行われる。各SEMでは、電子源より放出される電子ビームが複数段のレンズにて集束されると共に、集束された電子ビームは走査偏向器によって、試料上を一次元的、或いは二次元的に走査される。
電子ビームの走査によって試料より放出される二次電子(Secondary Electron:SE)或いは後方散乱電子(Backscattered Electron:BSE)は、検出器により検出され、前記走査偏向器の走査に同期して、フレームメモリ等の記憶媒体に記憶される。
以上のような制御等は、各SEMの制御装置4504,4505にて行われ、電子ビームの走査の結果、得られた画像や信号は、通信回線4506,4507を介してデータ管理装置4501に送られる。なお、本例では、SEMを制御する制御装置と、SEMによって得られた信号に基づいて測定を行うデータ管理装置を別体のものとして、説明しているが、これに限られることはなく、データ管理装置にて装置の制御と測定処理を一括して行うようにしても良いし、各制御装置にて、SEMの制御と測定処理を併せて行うようにしても良い。即ち、後述するような2つのパターン間の位置合わせ処理は、データ管理装置4501にて行うようにしても良いし、制御装置4504,4505にて行うようにしても良い。その際、位置合わせ(パターンマッチング)を実行するための専用の演算装置、或いはコンピュータプログラムによって動作する演算装置は、データ管理装置4501、或いは制御装置4504,4505に内蔵される。即ち、これらの装置に内蔵された演算装置が位置合わせ処理部として機能する。
また、上記データ管理装置或いは制御装置には、測定処理を実行するためのプログラムが記憶されており、当該プログラムに従って測定、或いは演算が行われる。更にデザインデータ管理装置には、半導体製造工程に用いられるフォトマスク(以下単にマスクと称することもある)やウェハの設計データが記憶されている。この設計データは例えばGDSフォーマットやOASISフォーマットなどで表現されており、所定の形式にて記憶されている。なお、設計データは、設計データを表示するソフトウェアがそのフォーマット形式を表示でき、図形データとして取り扱うことができれば、その種類は問わない。また、データ管理装置とは別に設けられた記憶媒体にデザインデータを記憶させておいても良い。
また、データ管理装置4501には、シミュレータ4508が接続されている。シミュレータ4508には、外部の記憶媒体、或いはデータ管理装置4501に記憶された設計データと、半導体製造プロセス条件等に基づいて、パターンレイアウトを作成するプログラムと、それを実行する演算装置が内蔵されており、当該シミュレーション後のレイアウトデータを、データ管理装置に伝送可能に構成されている。なお、本実施例では、シミュレーションをシミュレータ4508内にて行う例について説明するが、これに限られることはなく、例えばデータ管理装置4501内にて、上記プログラムを実行することにより、シミュレーションを行うようにしても良い。
また、データ管理装置4501は、SEMの動作を制御するプログラム(レシピ)を、半導体の設計データに基づいて作成する機能が備えられており、レシピ設定部としても機能する。具体的には、設計データ,パターンの輪郭線データ、或いはシミュレーションが施された設計データ上で所望の測定点,オートフォーカス,オートスティグマ,アドレッシング点等のSEMにとって必要な処理を行うための位置等を設定し、当該設定に基づいて、SEMの試料ステージや偏向器等を自動制御するためのプログラムを作成する。
また、後述するように、データ管理装置4501は、半導体デバイスの設計データが登録されたデータベースを記憶、或いは外部の記憶媒体に記憶された設計データにアクセス可能に構成されており、任意の設定に応じてデータベースより必要なデータが読み出すように構成されている。
データ管理装置4501等に内蔵された演算装置では、EPE計測を行うに当たりSEM画像のパターンとデザインデータの相対的な位置関係を特定するための演算装置が内蔵されていることは、前述した通りであるが、本実施例では、特に輪郭線とデザインデータ、或いは輪郭線と輪郭線間の位置合わせを行うに当たり、それぞれの対応点を求め、当該対応点間の距離が所定の条件(例えば最小となる、複数の対応点間の距離の合計が最小となる、或いは部分毎に重み付けされた対応点間の距離の合計が最小となるような条件等)を満たすような処理を行う例を説明する。このような位置合わせにあっては、例えばデザインデータから作成したグラデーション画像を使用して行うことも考えられるが、SEM画像のパターンとデザインデータのパターンマッチングでは、SEM画像のパターンがデザインデータに対して大きく変化している場合に位置合わせに偏りが生じる場合がある。
図1にそのような例を示す。(a)がデザインデータとSEM画像から抽出した輪郭線の望ましい位置合わせ結果である。(b)はデザインデータのグラデーション画像に(a)の位置でSEM画像から抽出した輪郭線を重ね合わせたもの、(c)はデザインデータのグラデーション画像に望ましくない位置でSEM画像から抽出した輪郭線を重ね合わせたものであるが、(b)での輪郭線の位置におけるグラデーション画像の画素値の分散は、(c)でのそれより大きくなってしまう。
本実施例では、2つの線分(設計データと輪郭線、或いは輪郭線と輪郭線)によって形成される2つのパターン間の位置合わせを高精度に行うべく、対応点を特定することによって、位置合わせを行うと共に、その対応点の特定を正確に行うための手法について説明する。なお、位置合わせの基準はデザインデータのみに限らず、デザインデータから、上述のシミュレータによるリソ・シミュレーションによって生成したシミュレーティッド・コンターでも良いし、一般の輪郭線データでも良い。SEM画像からの輪郭線抽出の手法について、図46,図47を用いて説明する。
図46は、検出された電子に基づいて形成されるパターン画像から、輪郭線を抽出するための手法の一例を説明する図である。なお、この輪郭線抽出工程は、データ管理装置4501に搭載された演算装置にて行うようにしても良いし、SEMに接続された制御装置4504,4505にて行うようにしても良い。輪郭線抽出には、図47のフローチャートに例示するように、先ずSEM4502、或いはSEM4503にてSEM画像を形成する(ステップ4701)。次にSEM画像上のパターン4601のエッジ部分に相当するホワイトバンド4603から第1の輪郭線4604を抽出する(ステップ4702)。なお、この第1の輪郭線4603の抽出手法としては、SEM像からビットマップデータで構成されたパターン像を抽出し、そのパターン像をベクトルデータで構成されたパターンデータに変換する方法が考えられる。
次に、形成された第1の輪郭線4604とレイアウトデータ4602とのベクトルデータ比較、或いはパターンマッチングによって、レイアウトデータ4602と第1の輪郭線4604との重ね合わせを行う(ステップ4703)。レイアウトデータ4602は、GDSフォーマット等で記憶された設計データの線分情報である。このような重ね合わせを行った上で、輝度分布情報収集領域を、第1の輪郭線4604と垂直になるように設定し、輝度分布4607,4608を検出する(ステップ4704)。このように形成された輝度分布の所定の明るさを持つ画素を抽出しその位置を第2の輪郭線位置と定義することで、より正確な輪郭線の形成が可能となる(ステップ4705)。
なお、このような正確な輪郭線形成手法は、特開昭60−169977号公報,特開平6−325176号公報,特開平8−161508号公報,特開平9−204529号公報等に記載された既存の手法の適用が可能である。
なお、上述のように第1の輪郭線とレイアウトデータと重ね合わせることによって、線分単位でレイアウトデータと第1の輪郭線との対応付けが可能となる。レイアウトデータが持つ各線分の線分情報を、輪郭線の各線分情報とすることによって、輪郭線データを設計データと同じ所定のフォーマットにて登録することが可能となる。
以上のようにしてパターンを形成する各線分同士の対応付けを行うことができたとしても、正確な位置の特定にまでは至らない場合がある。以下に位置の特定をも正確に実行し得る手法について、具体的に説明する。また、変形の程度が大きく、レイアウトデータとの突き合わせが上手くできないような場合は、上述の第1の輪郭線と設計データ間を、後述する位置合わせ手法にて位置合わせを行うようにすることも可能である。
図2はデータ管理装置4501等の画像処理装置の一例を示している。本実施例において半導体パターンのSEM画像の輪郭線やデザインデータは輪郭線分情報と記されている。これは一般的に輪郭線が頂点で接続された連続線分情報として表されることに由来しているが、実際は数式など頂点を持たない表現でも良い。重要なのは適当な間隔で輪郭線上に点が定義されていることで、このような点を頂点と呼ぶことにする。
本実施例では半導体パターンのSEM画像の輪郭線やデザインデータなど位置合わせ対象の2つの輪郭線を輪郭線分情報_1と輪郭線分情報_2と記しており、対応点生成部は外部から入力された位置合わせ情報を基に対応する輪郭線を輪郭線分情報_1上の点と輪郭線分情報_2上の点の対の情報を生成することである。対となる点の一方は輪郭線分情報_1上の頂点か、若しくは輪郭線分情報_2上の頂点となっている。
位置合わせ情報は従来のパターンマッチング手法で得られた大まかな位置合わせ情報を用いることもできるし、輪郭線の形成段階で取得された輪郭線に関する情報を用いることも可能である。本実施例はこの大まかな位置合わせ情報を基に高精度な位置合わせに要する情報を取得する。この高精度位置合わせに要する情報をアライメント量と呼び、アライメント量を求める処理をアライメントと呼ぶ。アライメント量算出部は上記の対応点情報を基にアライメント量を計算する。アライメント量は対応点間の距離が一応に短くなるように求められるが、具体的には後述するように、対応点間の距離の二乗和や重み付き二乗和が最小になる、或いは対応点間の距離の分散が最小になるように決める。図3は、半導体計測,検査システムの概略を説明する図である。図3の例では、外部PCによって、アライメントを実行する。SEMにはLANで接続された外部PCからデザインデータの情報を含むレシピが転送され、SEMはレシピを基にSEM画像を取得し、デザインデータとの位置合わせを行う。外部PCにはSEMからSEM画像と位置合わせ情報が送られる。外部PCはSEM画像から輪郭線抽出処理を行い、この輪郭線とデザインデータとのアライメントを行う。ここで得られたアライメント量はEPE計測やOPCモデルの校正など様々なアプリケーションに使用される。
図4はデザインデータとSEMパターンの輪郭線の相対的な位置関係に依存して対応点情報が変化する例を示している。(a)はデザインデータである。(b)はSEMパターンの輪郭線である。(c)と(d)は異なる位置合わせ情報での位置関係を示しており、(e)は(c)の位置合わせ情報を基に生成した対応点情報の例、(f)は(d)の位置合わせ情報を基に生成した対応点情報の例を示している。一般に対応点情報は位置合わせ情報に依存する。
図5は、対応点の生成に基づいて、アライメント量を算出する例を説明する図である。対応点生成部は(a)に示す位置合わせに対して(b)に示すような対応点情報を生成する。アライメント量算出部はこの対応点情報からアライメント量を生成する。(c)は(a)に示す位置合わせに対してアライメント量算出部が生成したアライメント量だけ位置を補正して得られた新たな位置合わせでデザインデータとSEMパターンの輪郭線を重ね合わせたものである。(a)では上下に少し位置ズレが生じているが(c)ではこれが補正されている。
図6は入力されたSEMパターンの輪郭線とデザインデータ、及び位置合わせ情報から生成したベクトル場の流線に基づいて対応点を生成した例である。図6の(a)はSEMパターンの輪郭線のみ、(b)はSEMパターンの輪郭線とデザインデータの両方を使ってベクトル場を生成したものである。(a)は全ての点で連続なベクトル場、(b)はSEMパターンの輪郭線とデザインデータの交点以外では連続なベクトル場となっている。ベクトル場とは点の位置に対してベクトルが定義されている空間である。流線とは力線ともいい、与えられたベクトル場の軌跡である。即ち、流線上の全ての点で流線は与えられたベクトル場のその位置におけるベクトルと接している。
例としては、電場というベクトル場に対する流線が電気力線、磁場というベクトル場に対する流線が磁力線である。流線はその定義上、流線同士が交わることはない。もし流線が交わっていたとすると、その交点においてベクトルが2つ定義されていることになってしまい、ベクトル場の定義に反する。
図7は頂点からその対応点への対応の例を示しており、SEMパターンの輪郭線の頂点からSEMパターンの輪郭線に直交する方向に対応点を求めた例である。
この例では頂点と対応点の順番が逆転している。このような対応では適切なアライメント量は求められない。しかし、流線に基づいた対応点生成では順番が逆転することはない。これは、流線同士が交わることがないためである。
図8は頂点からデザインデータ上の最も近い点を対応点とする例を例示しており、SEMパターンの輪郭線頂点にたいしてその点から最も距離の短いデザイン上の点に対して対応付けした例である。デザインデータからSEMパターンの輪郭線への対応かSEMパターンの輪郭線からデザインデータへの対応かが異なるだけで、本質的には変わりない。デザインにOPCがついてデザインデータの方が入り組んだ形状になっている場合のデザインデータからSEMパターンの輪郭線への対応づけと同じ状況である。
このように対応付ける頂点が入り組んだ形状の上にある場合は対応付けが何重にもできてしまい、適切なアライメント量は求められない。しかし、図6の(b)に示した対応点生成(具体的な方法は後述する)では、このように入り組んだ部分ではベクトル場のベクトルが0ベクトルとなる点ができ流線が消滅することで対応付けがなされないことになるため、良好にアライメント量を算出することができる。
また、流線に沿った対応付けで得られた対応点は、対応付けの始点と終点を入れ替えてもそれらが対応点となる、という特徴を有する。従って、対応付けの終点の間隔が粗になった場合は、その間に点を追加して、追加した点を始点として対応付けを行い、対応点を求めても、対応付けで順番が入れ替わったりせず、整合の取れた対応付けとなるという利点を有する。
図9は輪郭線形状を符号付距離変換画像の0−Level等高線として表せることを示している。輪郭線に対して輪郭線からの距離(但し、輪郭線の内部には負の符号、外部には正の符号を持つ)を画素値として持つ画像を符号付距離変換画像ということにする。符号の正負と輪郭線の内外が対応していれば符号は逆でも構わない。図9の符号付距離変換画像は画素値が見やすいように画素値をz軸方向に取り3次元で表現したグラフを斜めから見たものとなっている。この符号付距離変換画像の画素値を高さとする地形情報と見立てた時の0−Level等高線は、輪郭線からの距離が0となる画素の集合であるから、輪郭線そのものを画像に展開したものとなっている。図9の0−Level等高線は上記3次元グラフを真上からみたもので表しており、中央部の色の変わり目が輪郭線となる。
図10は2つの輪郭線に対して符号付距離変換画像を生成して、夫々の符号付距離変換画像の重み付き平均(ブレンド)を作成し、ブレンドされた符号付距離変換画像の0−Level等高線を取ると、これらが最初の2つの輪郭線形状を補間する形状となっていることを示している。上に行くほど先端が丸い輪郭線形状のブレンド率(重み)が大きく、下に行くほど先端がハンマー形状となった輪郭線形状のブレンド率が大きくなっている。このようにして2つの輪郭線形状の補間或いはブレンドを定義することができる。また、3つ以上の複数の輪郭線形状についても同様に、それらの平均形状を定義することができる。
図11は2つの輪郭線(輪郭線1と輪郭線2)の間で輪郭線の補間を行い、輪郭線1から輪郭線2に至る複数の補間輪郭線を示している。ここで全ての補間輪郭線を垂直に横切る曲線を考えると、その各点での向きは、その点を通る補間輪郭線を0−Level等高線として生成する基になった輪郭線1と輪郭線2の符号付距離変換画像の重み付き平均画像、のこの点における勾配(gradient:以下gradと称する)方向(最急降下方向)と一致する。即ち、各点においてその点を通る補間輪郭線を0−Level等高線として生成する基になった輪郭線1と輪郭線2の符号付距離変換画像の重み付き平均画像、のこの点におけるgradベクトルを対応させると、ベクトル場が定義できる。
更に全ての補間輪郭線を垂直に横切る曲線は、このベクトル場における流線となる。図11では、この流線に基づいて輪郭線1から輪郭線2への対応点生成を行う様子を示している。
2つの符号付距離変換画像の重み付き平均画像のgradベクトルは、夫々の符号付距離変換画像のgradベクトルの重み付き平均と等しい。これはgradベクトルのx,y成分が画像のx,y方向の微分値となること。微分演算が線型であり、重み付き平均と交換可能であるためである。ここで注意しなければならないのは、符号付距離変換画像の重み付き平均の重みとgradベクトルの重み付き平均の重みは等しいということである。
図12と図13はこの流線によって対応点を求める方法を示している。輪郭線1と輪郭線2上の対応点をcp1,cp2とする。符号付距離変換画像(EDT(ユークリッド距離変換の略)と記す)のx,yの軸を統合したものを横軸、画素値を縦軸として模式的に表している。cp1から始めてcp2にたどり着くまでの処理を対応点探索と呼んでいる。
図12はcp1における輪郭線2のEDTの画素値が正の場合を示している。対応点探索は流線(この接ベクトルがgrad)に沿って行われるが、この場合は探索方向がgradと逆向きとなる。この方向に微小な一定距離Lだけ進んで、進んだ点においてまたgradを求めるという繰り返しである。各点でのgradは輪郭線1と輪郭線2のEDTのgradを予め求めておき、その点に応じたブレンド率b1,b2でブレンドすればよい。このブレンド率は、その点での輪郭線1と輪郭線2のEDTのブランド画像の高さ(画素値)が0になるような輪郭線1と輪郭線2のEDTのブランド率に等しい。従って、この点における輪郭線1と輪郭線2のEDTの高さの絶対値をh1,h2とすると
b1=h2/(h1+h2)
b2=h1/(h1+h2)
となる。
対応点が存在する場合は、b2は0から1まで単調増加し、b2が1となった点(正確には1を超えず最大となった点)をbpeとする。このbpeは画素の格子点の精度しか持たないため、この点が輪郭線2上の点である保証はない。従って、この流線の延長線(例えばb2が初めて1を超えた点とbpeを結んだ線)と輪郭線2との交点を計算しcp2とする。
図13はcp1における輪郭線2のEDTの画素値が負の場合を示している。このときは探索方向がgradと逆向きとなる。それ以外は図12の場合と同様である。
図14は図11から図13で示した対応点生成方法を実現する対応点生成部の構成を示している。輪郭線分情報_1及び輪郭線分情報_2は夫々、符号付距離変換部に入力され、ここで夫々の符号付距離変換画像が生成される。これらは更にgrad画像作成部に入力され、ここでgrad画像(x方向微分画像とy方向微分画像の対)が生成される。
対応点探索部は図12及び図13で示した動作をする。ここで輪郭線分情報_1側で生成された画像と輪郭線分情報_2側で生成された画像を参照する際に、位置合わせ情報を利用して参照画素の位置のオフセットを求める。
図15は図14に対してgrad画像の平滑化を行っている。これはx方向微分画像とy方向微分画像の夫々を平滑化する処理である。これにより、輪郭線に角ばった部分が存在しても、その点でベクトル場が不連続とならず、流線が定義できるようになる。
図16は符号付距離変換部の構成を示している。輪郭線分情報は輪郭線画像作成部に入力され輪郭線画像が作成される。一方、輪郭線分情報は塗潰し画像作成部にも入力され塗潰し画像が作成される。距離変換画像作成部は輪郭線画像から輪郭線からの距離を画素値とする距離変換画像を作成し、EDT符号付加部は距離変換画像の画素値に対して塗潰し画像を参照しながら輪郭線内部であれば負の外部であれば正の符号を付加し符号付距離変換画像を生成する。
図17はSEMパターンの輪郭線に対して、図16の各部が生成する画像例を示している。(a)は輪郭線画像である。(b)は塗潰し画像で輪郭線内部が白く塗られている。(c)は(a)の輪郭線画像から生成した距離変換画像である。(d)は(c)の距離変換画像に対して(b)の塗潰し画像で白く塗られた部分に負の、塗られていない部分に正の符号を付加した符号付距離変換画像である。図18はデザインデータに対して図17と同様の画像を示している。
図19はgrad画像作成部の構成を示している。符号付距離変換画像は符号付SobelX画像生成部に入力されgrad_x成分画像(x方向微分画像)が生成される。一方、符号付距離変換画像は符号付SobelY画像生成部に入力されgrad_y成分画像(y方向微分画像)が生成される。これら2枚の画像を合わせてgrad画像と称する。
図20は符号付SobelX画像生成部と符号付SobelY画像生成部におけるフィルタ処理のカーネル形状を示している。(a)はSobelXフィルタの(b)はSobelYフィルタのカーネル形状である。SobelXフィルタ及び、SobelYフィルタによって微分画像を生成している。
図21はgrad画像平滑化部の構成を示している。入力されたgrad画像(grad_x成分画像,grad_y成分画像)は夫々移動平均画像作成部に入力され、平滑化grad画像(平滑化grad_x成分画像,平滑化grad_y成分画像)が生成される。移動平均画像作成部は入力画像に対して移動平均フィルタを施す処理を行う。
図22はSEMパターンの輪郭線の符号付距離変換画像(a)に対するgrad_x成分画像(b),grad_y成分画像(c)を示している。図23はデザインデータに対して図22と同様の画像を示している。図24は対応点探索部の動作をフローで表したものである。但し、
C1: 輪郭線分1の輪郭線画像
F1: 輪郭線分1の塗潰し画像
D1: C1の距離変換画像
SD1:輪郭線分1の符号付距離変換画像
SX1:SD1の符号付SobelX
SY1:SD1の符号付SobelY
GX1:SX1の移動平均
GY1:SY1の移動平均
記号最後の数字が2のものは輪郭線分2から生成した系列である。
流線終点算出は図12で説明した、流線の延長と輪郭線との交点を求める処理である。
図25は図11乃至図24で説明した方法で対応点生成を行った場合の例を示している。(a)はデザインデータに対してSEMパターンがシュリンクして小さくなっている場合に、SEMパターンの輪郭線からデザインデータに向けて対応付けを行った場合である。(b)はデザインデータに対してSEMパターンが大きく形成されている場合に、デザインデータからSEMパターンの輪郭線に向けて対応付けを行った場合である。共に先端部分への対応付けが粗になっており、横方向のアライメントに使える情報が希薄になっている。
SEMパターンの輪郭線からデザインデータに向けて対応付けを行った場合も、デザインデータからSEMパターンの輪郭線に向けて対応付けを行った場合もSEMパターンとデザインデータの形状次第ではどちらも先端部分への対応付けが粗になってしまう。この対策としては、SEMパターンの輪郭線からデザインデータに向けて対応付けと、デザインデータからSEMパターンの輪郭線に向けて対応付けの両方を同時に行い対応付けを補完するのが効果的である。特に、図11乃至図24で説明した方法では2つの向きの対応付けを合わせても対応関係に整合性が保たれる。
図26にアライメント量算出部で行われる計算の一例を示す。アライメント前の対応付けを用いて「対応点間の距離の2乗和を最小化」するようにアライメントした場合、輪郭線と平行な方向への移動が制約されてしまう。しかし、アライメント後の対応付けはアライメント前には当然分からない。
アライメント前の対応付けは仮の対応付けであるから、この対応付けにアライメントが大きく依存すべきでない。
そこで、アライメントが対応付けにあまり影響されないようにするため、「対応点間の距離」の2乗和を最小化する代わりに「対応点間の距離をデザインデータの対応点におけるgradベクトル方向への射影長」を使って、これの2乗和が最小になるようなアライメントを行う。
こうすることで、対向する輪郭線間の距離が均一化するようにアライメントが行われるようになる。i番目の対応する2点をPsi=(xsi,ysi)(SEMパターンの輪郭線側)とPei=(xei,yei)(デザインデータ側)とし、Peiにおける正規化されたgradベクトルをGi=(αi,βi)とするとき、アライメント量(シフトのみ)A=(xa,ya)を(Pei+A−Pei)・Giの2乗和を最小化するように求める。
Figure 0005501161
但し、
i=(xsi−xei)αi+(ysi−yei)βi
である。
iはI番目の頂点での頂点間隔であり、頂点の粗密に応じて重みをつけて計算することで頂点の粗密の影響を受けないアライメントが可能となる。
回転については
Figure 0005501161
となり、arctanでθを求めればよい。
回転についても「対応点間の距離」の2乗和を最小化する代わりに「対応点間の距離をデザインデータの対応点におけるgradベクトル方向への射影長」を使うことができるが幾分計算が複雑となる。
アライメント量のシフト分と回転分をいっぺんに求めようとすると計算式が複雑になり計算が困難となる。
図27はアライメント量のシフト分と回転分を両方求めるアライメント量算出部の構成の一例を示している。上述のようにシフト分と回転分をいっぺんに求めるのは困難なので、ここでは初めにシフト量を求めて次に回転量を求めている。
図28は最小二乗法ではなくx,yシフト量の空間で離散的なサーチ(探索)によってシフト目的関数f(x,y)の最小になる点を求め、更に精度が必要ならば周囲の離散点での目的関数の値から補間によってサーチ点以外で更に目的関数の値が小さい点を算出することができる。最小化の目的関数が二乗和であれば、最小二乗法で上記のように解けるので、サーチを使う場合の目的関数は対応点間の距離の分散などの最小点を計算で求めるのが困難なものに使用するのが有効である。
ただし、サーチ領域が広いと計算時間が増大するという課題もある。
図29はアライメント算出部の別の実施例の構成を示している。初めに最小二乗法で最小点を求め、その後その周囲で分散が最小となる点をサーチすると言うものである。こうすることでサーチ領域を削減できる。また、後段で分散を最小化するためパターン形状が非対称な場合や対応点の密度に偏りがある場合に最小二乗法では偏りが生じるが、分散の最小化では偏りが出にくいというメリットがある。
図30は対応点の密度に偏りがある場合を示している。このような場合は上述のように分散の最小化を行うか、頂点の間隔を重み付けした最小二乗法を行うのが好ましい。
図31は垂直なラインと水平なライン端が組み合わさったパターンを示している。このような場合ライン端はシュリンクして後退しやすいので、横方向の位置は垂直なラインのパターンを重点的に評価したアライメントが望ましい。これを実現するためにライン端部などアライメントに使う情報として信頼性の低い部位は重み付けで重みを下げておくと効果的である。
図32はSEM画像の視野の端に入るか入らないかのきわどい位置にパターンが存在している場合を示している。(a)の視野の位置ではパターンが視野に入っていないが、(b)の位置では視野がずれて視野内にパターンが写り込んでいる。このような場合は視野が少しずれることで写り込んだパターンの対称性がくずれ、アライメント結果が変化する。このような視野の僅かなズレにアライメントが影響を受けにくくするために、図33のように視野の周辺に外側に向かって減少していくような重みを設定するのが効果的である。
図34はパターンが非対称な場合を示している。左向きの輪郭線が2本あるのに対して、右向きの輪郭線が1本である。
このような場合は右向きの輪郭線に2倍の重みをつけて最小二乗法を行えばよい。しかし、図35のような一般の2次元のパターンでは重みを計算するのは容易ではない。パターンが持つ2次元での向きに対してその向きの重みを長さにしてベクトル表示したのが図36である。ここで重みとはその向きの輪郭線が持つ重みの総和である。この例では重みの総和が長さと比例しているが、図31や図33で説明した重みを全て掛け合わせた重みでもよい。
これら5つの向きに対して、更に向き毎の重みを掛けることで向きのバランスを取り、良好なアライメント結果を得るようにしたい。数式として定式化すると(1,0)(1,1)(0,1)(−1,1)(0,−3)に重み付けした総和が0ベクトルになる。即ち
0(1,0)+W1(1,0)+W2(1,0)+W3(1,0)+W4(1,0)
=(0,0)
となる重みを見つけることである。
Figure 0005501161
とおくと、
Figure 0005501161
Figure 0005501161
Figure 0005501161
Figure 0005501161
このようにしてバランスの取れた重みを計算することができる。
図37は図35とパターンの向きは同じだが、重みが異なっている例である。ベクトル表示すると図38のようになる。これも上述のようにグラム・シュミットの直交化法で重みを計算すると、
Figure 0005501161
となる。ここで(1,1)の重みが非常に小さくなっているが、特定の方向の重みを極端に大きくしたり小さくしたりするのは好ましくない。重みの範囲を1/4〜4等と定めておきこの範囲からはみ出るものについては強制的にこの範囲に収めるなどの対策が有効である。また、本質的に負の重みが出てきたときも同様に正にすべきである。
図35や図37がアライメント量のシフト分を計算する時の重みであったのに対して、図39は回転分を求める際の重みを求める方法を示している。回転の中心を始点,頂点を力点とした時のモーメントを考え、右回りと左回りの2つの向きに分け夫々の頂点の重みを力とするモーメントを積算する。この2つの向きでつりあうような重み(2方向であるから容易に求められる)を算出する。
図40は図2が対応点生成部の処理とアライメント算出部の処理を1回ずつ行う構成だったのに対して、初回に求まったアライメント量を位置合わせ情報更新部で初期位置合わせ情報と組み合わせ2回目の対応点生成部の処理を行うといったように、複数回対応点生成部の処理とアライメント算出部の処理を繰り返すことができるようにしたものである。
アライメント量が大きい場合は初回の対応付けが正しい位置合わせを行った後の対応付けと大きく変る可能性があるためこのような対策が有効である。
図42はデザインデータをパターン形状シミュレータで変形して使用する場合の構成を示している。輪郭線情報はSEMパターンの輪郭線やデザインデータに限らず、理想的なゴールデンパターンなどどのような種類の輪郭線でも構わない。
図42は4つの輪郭線分情報から輪郭線平均化若しくは平均化の基準線(基準線については後述)を求める装置の構成を示している。夫々の輪郭線分情報の符号付距離変換画像を符号付距離変換で作成し、これら4画像の平均画像を平均画像作成部で作成する。平均画像は対応する画素の画素値(4つ)を平均した値を画素値に持つ画像である。0_Level等高線抽出部は平均画像の0_Level等高線を求める。これは4つの輪郭線の特徴を平均的に有した輪郭線の平均(平均輪郭線)に相応しい形状となる。或いはこれを平均化のための基準線とすることも出来る。
図43に示すようにある線を基準線としてその上の頂点に対応する、4つの輪郭線上の4つの対応点を求めて、それら4つの対応点の座標の平均座標を輪郭線平均の頂点とするように平均輪郭線を求めることができる。基準線とは単に対応関係を生成するための足がかりの輪郭線だが、これ自体が輪郭線平均に近いほど平均化の精度が高まる。
この基準線は予め求めた平均輪郭線を使うのも効果的である。また、平均輪郭線を基準線として新たな平均輪郭線を求めるといったように、何度かこの処理を繰り返すのも効果的である。
ここでは4つの輪郭線を平均化する場合を示したが、輪郭線はいくつでも構わない。
以上のようにgrad方向に基づいて、対応点を決定するための線分方向(形状)を変化させる手法は、言わば2つの輪郭線(線分)の形状差に応じて、2つの対応点(2つの輪郭線上に設定される第1の対応点と第2の対応点)の位置(対応点を決定するための線分方向)を変化していると言える。図11に例示したように、輪郭線1(第1の線分)と輪郭線2(第2の線分)との間に形成された補間線は、第1の線分から第2の線分に至るまでの線形状の変化の推移を示しており、流線は、その変化の推移に沿って形状(方向)を変化させている。
図44は、流線に相当する線分(第3の線分)を設定する他の手法を説明する図である。本例では、設計データ(レイアウトデータ)4401と、輪郭線4402との間に第3の線分を形成する例について説明するが、これに限られることはなく、輪郭線間への第3の線分形成の際にも適用が可能である。図48は第3の線分を形成する工程を示すフローチャートである。まず、輪郭線を直線近似して近似輪郭線4403を形成する(ステップ4801)。直線近似には、既知の手法の適用が可能である。次に直線近似された線分4403の任意の2点(点4404,4405)と、当該2点とY軸上同じ高さ位置であって、設計データ4401上の点4406と4407との間に、線分4408と4409を形成する(ステップ4802)。
次に、形成された線分4408と4409の中点間を、線分4410で結ぶ(ステップ4803)。次に、点4406と4407の間に任意の点(中点4411)から、線分4410に向かって垂線(線分4412)を引いたときに得られる角度Aを求める(ステップ4804)。次に、線分4410と4412の交点から、線分4410に対し、角度A方向に、線分4413を引き、線分4403との交点4414を求める(ステップ4805)。そして、交点4414を、中点4411の対応点として設定する(ステップ4806)。このような対応点の抽出を、近似直線ごとに実施し、その設定が終了したら、対応点間の距離情報に基づいて、アライメント量を算出する(ステップ4807)。
本例では、線分4412,4413が、流線に相当する線分であり、このような線分の形成によって、対応点を定義する。
以上のような手法によっても、ある程度の精度を持って対応点を見出すことが可能となる。なお、パターンの角部など、複数の第3の線分が交差する可能性のある領域については、例えば、線分設計データ4401,線分4403,4408、及び4409にて定義される二次元空間内に、他の第3の線分が含まれるような場合、当該第3の線分によって求められる対応点を、アライメント量算出から除外すること等の対応が考えられる。
また、第3の線分同士が交差する場合、その一方をアライメント量の演算の対象としないことも考えられる。この場合、交差した複数の第3の線分の内、長い方によって特定される対応点をアライメント量算出に適用しない処理が考えられる。また、交差する複数の第3の線分の内、所定の長さを超える線分によって特定される対応点をアライメント量算出に適用しない処理も考えられる。第3の線分が長いということは、本来の対応点ではない個所に対応点が設定されていることが考えられるため、上述の処理は非常に有効である。なお、線分4410を2本以上とすれば、より高い精度を持って対応点を求めることができる。
4501 データ管理装置
4502,4503 SEM
4504,4505 制御装置
4506,4507 通信回線
4508 シミュレータ

Claims (19)

  1. 第1の線分によって形成される第1のパターンと、第2の線分によって形成される第2のパターン間の位置合わせを行う位置合わせ処理部を備えた画像処理装置において、
    当該位置合わせ処理部は、前記第1の線分と第2の線分上にそれぞれ第1の対応点と、第2の対応点を設定し、当該第1の対応点と第2の対応点間の距離に基づいて、前記第1のパターンと第2のパターンの位置合わせを行うためのアライメント量を算出すると共に、当該位置合わせ処理部は、前記第1の線分と第2の線分の形状差に応じて、前記第1の対応点、及び/又は第2の対応点の位置を変化させることを特徴とする画像処理装置。
  2. 請求項1において、
    前記位置合わせ処理部は、前記第1と第2の線分を結ぶ第3の線分上であって、第1の線分と第2の線分との交点に、前記第1の対応点と第2の対応点を設定し、第3の線分の形状を、前記第1の線分と第2の線分の形状差に応じて変化させることによって、第3の線分上に設定される第1の対応点、及び/又は第2の対応点の位置を変化させることを特徴とする画像処理装置。
  3. 請求項1において、
    前記第1の線分は、設計データに基づいて得られる線分情報であり、前記第2の線分は、荷電粒子線装置によって取得された画像から得られる輪郭線情報であることを特徴とする画像処理装置。
  4. 請求項3において、
    前記第1の線分は、前記設計データに対してシミュレーション処理を行うことによって得られる線分情報であることを特徴とする画像処理装置。
  5. 請求項1において、
    前記位置合わせ処理部は、前記第1の線分と第2の線分との間に、当該第1の線分と第2の線分の形状情報に基づいて、前記第1の線分から第2の線分に向かって徐々に線分形状を変化させたときに得られる中間形状を為す補間線を設定し、当該補間線に対し、所定の角度にて交差するように、第3の線分を設定し、当該第3の線分と、前記第1の線分、及び/又は第2の線分との交点を前記第1の対応点、及び/又は第2の対応点として設定する
    ことを特徴とする画像処理装置。
  6. 請求項において、
    前記位置合わせ処理部は、前記第1の線分、及び/又は第2の線分に基づいて、当該第1の線分と第2の線分間に、当該第1の線分と第2の線分の平均的な形状である輪郭線を形成し、当該輪郭線に対して直交するベクトル場の流線と、当該第1の線分と第2の線分との交点を、前記第1の対応点及び第2の対応点として設定することを特徴とする画像処理装置。
  7. 請求項において、
    前記位置合わせ処理部は、前記第1の線分、及び/又は第2の線分に基づいて、符号付距離変換画像を形成することを特徴とする画像処理装置。
  8. 請求項7において、
    前記位置合わせ処理部は、符号付変換画像の重み付き平均の演算に基づいて、前記第1の線分と第2の線分間に配置される補間線を形成することを特徴とする画像処理装置。
  9. 請求項において、
    前記位置合わせ処理部は、前記第1の対応点と第2の対応点との間の距離の前記ベクトル場上の射影長の二乗和が最小となるシフト量を算出することを特徴とする画像処理装置。
  10. 請求項において、
    前記位置合わせ処理部は、前記位置合わせに用いられる回転量とシフト量を別に算出することを特徴とする画像処理装置。
  11. 請求項1において、
    前記位置合わせ処理部は、前記第1の対応点と第2の対応点間の距離について、アライメント量の探索区間にて目的関数の最小位置を探索することを特徴とする画像処理装置。
  12. 請求項1において、
    前記位置合わせ処理部は、前記第1の対応点と第2の対応点間の距離について、補間によって前記探索区間以外の最小位置を算出することを特徴とする画像処理装置。
  13. 請求項1において、
    前記位置合わせ処理部は、前記第1の対応点と第2の対応点間の距離について、最小二乗法で最小位置を特定した後、その周りをサーチして分散が最小となる点を探索することを特徴とする画像処理装置。
  14. 請求項1において、
    前記位置合わせ処理部は、前記第1の対応点と第2の対応点間の距離について、頂点間の間隔を重みとして最小二乗法を用いることを特徴とする画像処理装置。
  15. 第1の線分によって形成される第1のパターンと、第2の線分によって形成される第2のパターンとの間の位置合わせを演算装置に実行させるコンピュータプログラムにおいて、
    当該プログラムは、前記演算装置に、前記第1の線分と第2の線分上にそれぞれ第1の対応点と、第2の対応点を設定させ、当該第1の対応点と第2の対応点間の距離に基づいて、前記第1のパターンと第2のパターンの位置合わせを行うためのアライメント量を算出させ、当該プログラムは、前記第1の線分と第2の線分の形状差に応じて、前記第1の対応点、及び/又は第2の対応点の位置を変化させることを特徴とするコンピュータプログラム
  16. 請求項15において、
    前記プログラムは、前記演算装置に、前記第1と第2の線分を結ぶ第3の線分上であって、第1の線分と第2の線分との交点に、前記第1の対応点と第2の対応点を設定させ、第3の線分の形状を、前記第1の線分と第2の線分の形状差に応じて変化させることによって、第3の線分上に設定される第1の対応点、及び/又は第2の対応点の位置を変化させることを特徴とするコンピュータプログラム。
  17. 請求項15において、
    前記プログラムは、前記演算装置に、前記第1の線分と第2の線分との間に、当該第1の線分と第2の線分の形状情報に基づいて、前記第1の線分から第2の線分に向かって徐々に線分形状を変化させたときに得られる中間形状を為す補間線を設定させ、当該補間線に対し、所定の角度にて交差するように、第3の線分を設定させ、当該第3の線分と、前記第1の線分、及び/又は第2の線分との交点を前記第1の対応点、及び/又は第2の対応点として設定させることを特徴とするコンピュータプログラム。
  18. 第1の線分によって形成される第1のパターンと、第2の線分によって形成される第2のパターン間の位置合わせを行う位置合わせ処理部を備えた画像処理装置において、
    当該位置合わせ処理部は、前記第1の線分と第2の線分上にそれぞれ第1の対応点と、第2の対応点を設定し、当該第1の対応点と第2の対応点間の距離に基づいて、前記第1のパターンと第2のパターンの位置合わせを行うためのアライメント量を算出すると共に、当該第1の対応点と第2の対応点を複数設定する場合に、当該第1の対応点と第2の対応点を結ぶ複数の第3の線分が交差しないように複数の第3の線分を形成することを特徴とする画像処理装置
  19. 第1の線分によって形成される第1のパターンと、第2の線分によって形成される第2のパターンとの間の位置合わせを演算装置に実行させるコンピュータプログラムにおいて、
    当該プログラムは、前記演算装置に、前記第1の線分と第2の線分上にそれぞれ第1の対応点と、第2の対応点を設定させ、当該第1の対応点と第2の対応点間の距離に基づいて、前記第1のパターンと第2のパターンの位置合わせを行うためのアライメント量を算出させると共に、当該第1の対応点と第2の対応点を複数設定する場合に、当該第1の対応点と第2の対応点を結ぶ複数の第3の線分が交差しないように複数の第3の線分を形成させることを特徴とするコンピュータプログラム。
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