JPS6272123A - パタ−ン欠陥検査修正方法 - Google Patents
パタ−ン欠陥検査修正方法Info
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- JPS6272123A JPS6272123A JP60213767A JP21376785A JPS6272123A JP S6272123 A JPS6272123 A JP S6272123A JP 60213767 A JP60213767 A JP 60213767A JP 21376785 A JP21376785 A JP 21376785A JP S6272123 A JPS6272123 A JP S6272123A
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- JP
- Japan
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- ion
- pattern
- ion beam
- correction
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- Pending
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体集積回路やこれに用いられろマスク
のパターン欠陥の検査ならびに修正を行う方法に関ずろ
ものである。
のパターン欠陥の検査ならびに修正を行う方法に関ずろ
ものである。
［従来の技術］
第２図は従来のマスクパターン欠陥検査修正に用いる装
置を示す模式図であす、（１）は被修正微細加工品であ
って、ここでは被修正マスク、（２）はレーザヘッド、
（３）はレーザヘッド（２）から放出されるレーザ光、
（４）はレーザ光（３）を被修正マスク（１）上に収束
させるレンズ、（５）は収束されたレーザ光のスポット
形状を決めるスリットである。尚、図には示していない
が、ハーフミラ−等を利用して、このスポットを中心と
した周囲が視野に入る光学系が備えられている。
置を示す模式図であす、（１）は被修正微細加工品であ
って、ここでは被修正マスク、（２）はレーザヘッド、
（３）はレーザヘッド（２）から放出されるレーザ光、
（４）はレーザ光（３）を被修正マスク（１）上に収束
させるレンズ、（５）は収束されたレーザ光のスポット
形状を決めるスリットである。尚、図には示していない
が、ハーフミラ−等を利用して、このスポットを中心と
した周囲が視野に入る光学系が備えられている。
第３図（ａ）、（ｂ）はこの装置を用いてパターン欠陥
部の修正を行う手順を示すもので、（６ａ）は修正前の
パターン、（６ｂ）は修正後のパターン、（７）ははみ
出し部分、（８）はレーザ光スポットにより加熱蒸発さ
せ除去部分、（９）は切り欠き部分である。あらかじめ
行われたパターン欠陥検査の結果より、第３図（ａ）の
如き、はみ出し部分（７）が存在する修正前のパターン
を探しだし、点線で囲った除去部分（８）にレーザを照
射し、はみ出し部分（７）を加熱蒸発させて除去するこ
とにより第３図（ｂ）の如き、正常な修正パターン（６
ｂ）を得ろようになっていた。
部の修正を行う手順を示すもので、（６ａ）は修正前の
パターン、（６ｂ）は修正後のパターン、（７）ははみ
出し部分、（８）はレーザ光スポットにより加熱蒸発さ
せ除去部分、（９）は切り欠き部分である。あらかじめ
行われたパターン欠陥検査の結果より、第３図（ａ）の
如き、はみ出し部分（７）が存在する修正前のパターン
を探しだし、点線で囲った除去部分（８）にレーザを照
射し、はみ出し部分（７）を加熱蒸発させて除去するこ
とにより第３図（ｂ）の如き、正常な修正パターン（６
ｂ）を得ろようになっていた。
上記のような従来のパターン欠陥検査修正方法は、これ
までのパターンサイズが比較的大である時代には有効で
あったが、最近のようにパターンサイズが小（最小幅
１μｍ程度）となって来ると、レーザビームの加工精度
が相対的に低下し、許容限度を越えるといった問題点が
あったすなわち第４図は最近のパターンサイズが小なる
ものに従来の方法で修正した場合を示し、図のように点
線で囲った部分に切り欠き部分（９）が生じることがあ
る。この原因は、光学系を使うため最小位置合せ可能寸
法やレーザビームスボッ１、径（数μｍ）が相対的に大
となって来ることや、はみ出し部分（７）をレーザビー
ムで加熱蒸発させろ際、ビームの当っていない部分にも
熱伝導で除去される部分が広がるが、その広がり幅のバ
ラツキが無視できない大きさになるため等である。
までのパターンサイズが比較的大である時代には有効で
あったが、最近のようにパターンサイズが小（最小幅
１μｍ程度）となって来ると、レーザビームの加工精度
が相対的に低下し、許容限度を越えるといった問題点が
あったすなわち第４図は最近のパターンサイズが小なる
ものに従来の方法で修正した場合を示し、図のように点
線で囲った部分に切り欠き部分（９）が生じることがあ
る。この原因は、光学系を使うため最小位置合せ可能寸
法やレーザビームスボッ１、径（数μｍ）が相対的に大
となって来ることや、はみ出し部分（７）をレーザビー
ムで加熱蒸発させろ際、ビームの当っていない部分にも
熱伝導で除去される部分が広がるが、その広がり幅のバ
ラツキが無視できない大きさになるため等である。
この問題点を解決するためにすでにこの出願人による特
願昭５９−２０７５６８号に示されたイオンビームで検
査と修正を行なわせ、修正後のパターン精度を向上させ
る装置を提供することを目的としたものがある。
願昭５９−２０７５６８号に示されたイオンビームで検
査と修正を行なわせ、修正後のパターン精度を向上させ
る装置を提供することを目的としたものがある。
この発明は上記の目的に加えて検査時のイオンビームに
よる被修正微細加工品の正規のパターン部分の膜厚の減
少分を小とする方法を提供することを目的とする。
よる被修正微細加工品の正規のパターン部分の膜厚の減
少分を小とする方法を提供することを目的とする。
この発明に係るパターン欠陥検査修正方法は観察工程で
は被修正微細加工品のパターン上を比較的軽いイオンか
らなるイオンビームで走査し、このイオンビームにより
発生する電子線強度分布から実測パターンを求め、除去
部分抽出工程では、前記’ｉｌＵ］ハターンをレファレ
ンスパターンデータと比較することにより（よみ出し部
分を求め、さらにこのはみ出し部分を包含し前記レファ
レンスパターン部分を含まない除去部分を決定し、修正
工程では前記除去部分に選択的に工・ソチング作用がお
よぶように前記被修正微細加工品のパターン上を比較的
重いイオンからなるイオンビームで走査し、前記はみ出
し部分を除去するようにした方法である。
は被修正微細加工品のパターン上を比較的軽いイオンか
らなるイオンビームで走査し、このイオンビームにより
発生する電子線強度分布から実測パターンを求め、除去
部分抽出工程では、前記’ｉｌＵ］ハターンをレファレ
ンスパターンデータと比較することにより（よみ出し部
分を求め、さらにこのはみ出し部分を包含し前記レファ
レンスパターン部分を含まない除去部分を決定し、修正
工程では前記除去部分に選択的に工・ソチング作用がお
よぶように前記被修正微細加工品のパターン上を比較的
重いイオンからなるイオンビームで走査し、前記はみ出
し部分を除去するようにした方法である。
この発明において（ま、観察工程で比較的軽いイオンか
らなるビームで被修正微細加工品のパターン上を走査す
るので、修正を要しないパターン部分をエツチングする
Ｉｆ合を小さくする。
らなるビームで被修正微細加工品のパターン上を走査す
るので、修正を要しないパターン部分をエツチングする
Ｉｆ合を小さくする。
第１図はこの発明の一実施例を示すプロ・ツク図であり
、（２ａ）はそのイオンビーム電流を制御できろイオン
源であって、この実施例では軽重２種類のイオンを放出
するイオン源、（３ａ）は軽重２種類のイオンのいずれ
かからなるイオンビーム、（４ａ）はイオンビーム（３
ａ）のレンズ系、走査系等からなる制御電極、αＯ）は
イオン源（２ａ）の軽重２種類のイオンの一方を選択し
、制御ｍＪＩ（４８）に供給する質屋分析器、（１１）
は被修正マスク（１）を支持し、そのイオンビーム（３
ａ）の走査領域を移動させるステージ、（Φはイオンビ
ーム（３ａ）がマスク（１）に当って発生する電子線、
（１３）はこの電子線（１２）を受ける検知器、（１４
はマスク（１）、制御ＴＥ 極（４ａ） 、ステージ（
１りおよび検知器（１３）を収容し質量分析器００）、
イオン源（２＆）と真空配管で接続している真空槽、（
１５）は質量分析器ａ〔が軽重両イオンの一方を選ぶよ
うにするイオン選択回路、（ＩＧ）はイオン源（２ａ）
および制Ｗ７Ｊ電極（４ａ）用イオンビーム制御回路、
（１７）は検知器（１３）の電子電流を増幅し、ある一
定レベルを越えるか否かでマスク（１）のパターン部分
か否かの２値信号を出力する検出回路、（＋８）はその
内部にプログラムで実現された３つの点線枠の架空の論
理回路が点線の矢印の順で動作するようにされた電子計
算機、（１９）はマスク（１）の実測パターンを求める
観察手段、（至）は第３図の従来のものに対応するこの
実測パターン（６ａ）とあらかじめ読み込まれたレファ
レンスパターン部分クと比較（比較方法としては種々考
えられるが最も簡単な例ではマスク表面を小さな無数の
基盤目にくぎり、その夫々について比較するものがある
。）シ、はみ出し部分（７）を求めこのはみ出し部分（
７）を包含し、前記レファレンスパターン部分を含まな
い除去部分（８）を決定する除去部分抽出手段、（２）
ははみ出し部分（７）を除去する修正手段である。
、（２ａ）はそのイオンビーム電流を制御できろイオン
源であって、この実施例では軽重２種類のイオンを放出
するイオン源、（３ａ）は軽重２種類のイオンのいずれ
かからなるイオンビーム、（４ａ）はイオンビーム（３
ａ）のレンズ系、走査系等からなる制御電極、αＯ）は
イオン源（２ａ）の軽重２種類のイオンの一方を選択し
、制御ｍＪＩ（４８）に供給する質屋分析器、（１１）
は被修正マスク（１）を支持し、そのイオンビーム（３
ａ）の走査領域を移動させるステージ、（Φはイオンビ
ーム（３ａ）がマスク（１）に当って発生する電子線、
（１３）はこの電子線（１２）を受ける検知器、（１４
はマスク（１）、制御ＴＥ 極（４ａ） 、ステージ（
１りおよび検知器（１３）を収容し質量分析器００）、
イオン源（２＆）と真空配管で接続している真空槽、（
１５）は質量分析器ａ〔が軽重両イオンの一方を選ぶよ
うにするイオン選択回路、（ＩＧ）はイオン源（２ａ）
および制Ｗ７Ｊ電極（４ａ）用イオンビーム制御回路、
（１７）は検知器（１３）の電子電流を増幅し、ある一
定レベルを越えるか否かでマスク（１）のパターン部分
か否かの２値信号を出力する検出回路、（＋８）はその
内部にプログラムで実現された３つの点線枠の架空の論
理回路が点線の矢印の順で動作するようにされた電子計
算機、（１９）はマスク（１）の実測パターンを求める
観察手段、（至）は第３図の従来のものに対応するこの
実測パターン（６ａ）とあらかじめ読み込まれたレファ
レンスパターン部分クと比較（比較方法としては種々考
えられるが最も簡単な例ではマスク表面を小さな無数の
基盤目にくぎり、その夫々について比較するものがある
。）シ、はみ出し部分（７）を求めこのはみ出し部分（
７）を包含し、前記レファレンスパターン部分を含まな
い除去部分（８）を決定する除去部分抽出手段、（２）
ははみ出し部分（７）を除去する修正手段である。
以上のように構成した装置により、この実施例の方法は
以下の如く行われろ。まず最初に、観察手段（１９）は
質量分析器ＱＯＩが軽いイオンを選ぶようにイオン選択
回路（１５）に論理信号を与え、イオンビーム制御回路
（１０にはトリガーを与丸で、この回路（ＩＣ）がマス
ク（１）上のイオンビーム走査領域に通常のブラウン管
と同様の走査を一定電流のイオンビーム（３ａ）が当る
ようにイオン源（２ａ） 、制御電極（４ａ）を制御す
るようになっている。さらにｉ警察手段（１９）は検出
回路（１７）からは、検知器（１３）を介してイオンビ
ーム（３λ）により発生した電子線強度が一定値を越え
たか否かの論理信号を受はイオンビーム制御回路ＣＩＧ
）からはこの時のイオンビーム（３ａ）が当っている位
置を表す論理信号を同時に受は取ることにより走査領域
内の各位置におけるパターンの有無をメモリに記録し、
実測パターンとして把握する。次に除去部分抽出手段（
至）（よ上記に定義しｔ、−ようにして除去部分（８）
を求め、メモリに記録ずろ。最後に修正手段（２１）は
イオン選択回路（１５）に論理信号を与えて、これを介
して質量分析器α０）が重いイオンを選ぶようにし、さ
らにマスク（１）の走査領域中この実施例では上記の除
去部分（８）のみに一定Ｔｉ流のイオンビーム（３ａ）
を走査するようにイオンビーム制御回路（ＩＧ）および
イオン源（２ａ） 、制御１ＩＩＩ電極（４ａ）を制御
する。
以下の如く行われろ。まず最初に、観察手段（１９）は
質量分析器ＱＯＩが軽いイオンを選ぶようにイオン選択
回路（１５）に論理信号を与え、イオンビーム制御回路
（１０にはトリガーを与丸で、この回路（ＩＣ）がマス
ク（１）上のイオンビーム走査領域に通常のブラウン管
と同様の走査を一定電流のイオンビーム（３ａ）が当る
ようにイオン源（２ａ） 、制御電極（４ａ）を制御す
るようになっている。さらにｉ警察手段（１９）は検出
回路（１７）からは、検知器（１３）を介してイオンビ
ーム（３λ）により発生した電子線強度が一定値を越え
たか否かの論理信号を受はイオンビーム制御回路ＣＩＧ
）からはこの時のイオンビーム（３ａ）が当っている位
置を表す論理信号を同時に受は取ることにより走査領域
内の各位置におけるパターンの有無をメモリに記録し、
実測パターンとして把握する。次に除去部分抽出手段（
至）（よ上記に定義しｔ、−ようにして除去部分（８）
を求め、メモリに記録ずろ。最後に修正手段（２１）は
イオン選択回路（１５）に論理信号を与えて、これを介
して質量分析器α０）が重いイオンを選ぶようにし、さ
らにマスク（１）の走査領域中この実施例では上記の除
去部分（８）のみに一定Ｔｉ流のイオンビーム（３ａ）
を走査するようにイオンビーム制御回路（ＩＧ）および
イオン源（２ａ） 、制御１ＩＩＩ電極（４ａ）を制御
する。
この実施例の方法は以上のように行ったので、最近の如
くパターンサイズが小なる場合でも第３図（ｂ）の如き
切り欠き部分（９）がない修正パターン（６ｂ）が得ら
れる上に、このパターン（６ｂ）上を重いイオンが照射
されないので、さらにこの部分が薄くなることがなく前
述の問題点が解消されることは明白である。
くパターンサイズが小なる場合でも第３図（ｂ）の如き
切り欠き部分（９）がない修正パターン（６ｂ）が得ら
れる上に、このパターン（６ｂ）上を重いイオンが照射
されないので、さらにこの部分が薄くなることがなく前
述の問題点が解消されることは明白である。
なお上記実施例では、軽重両イオンを同時に放出するイ
オン源とＹ！ｉｎ分析器を組み合せて必要とするイオン
を選んで用いる場合について述べたが、ｌ！重両イオン
ごとに別のイオン源を用意し適宜切り換えてもよい。そ
の際この実施例のように電気信号により簡単に切り換え
ることが出来なくなる。
オン源とＹ！ｉｎ分析器を組み合せて必要とするイオン
を選んで用いる場合について述べたが、ｌ！重両イオン
ごとに別のイオン源を用意し適宜切り換えてもよい。そ
の際この実施例のように電気信号により簡単に切り換え
ることが出来なくなる。
また上記実施例では観察工程で行った走査領域で継続し
て修正工程を行う場合について述べたが、ステージ（１
１）を移動させ被修正マスク（１）の全面につき一度に
観察工程を実施し、修正工程も同様にしてもよい。その
際この実施例の位置合せ回数を少なくする利点等を失う
。
て修正工程を行う場合について述べたが、ステージ（１
１）を移動させ被修正マスク（１）の全面につき一度に
観察工程を実施し、修正工程も同様にしてもよい。その
際この実施例の位置合せ回数を少なくする利点等を失う
。
また上記実施例では観察工程で得た実測パターンに関係
するデータを一旦メモリに記録し、しかるのち抽出工程
を行う場合について述べたが、メモリに記録することな
く逐次処理するようにしてもよい。その際演算速度が速
くなるのとメモリ容量が小さくてよい別の効果がある。
するデータを一旦メモリに記録し、しかるのち抽出工程
を行う場合について述べたが、メモリに記録することな
く逐次処理するようにしてもよい。その際演算速度が速
くなるのとメモリ容量が小さくてよい別の効果がある。
また上記実施例では同一の制御電極で軽重両イオンに対
応する２つのイオンビームを制御する場合について述へ
たが、それぞれ専用の制御電極を用いてもよい。その際
この実施例のような鏡軸が２つのイオンビームについて
一致することにより像の歪みが少なくなる利点等が失わ
れる。
応する２つのイオンビームを制御する場合について述へ
たが、それぞれ専用の制御電極を用いてもよい。その際
この実施例のような鏡軸が２つのイオンビームについて
一致することにより像の歪みが少なくなる利点等が失わ
れる。
またこの実施例では重いイオンからなるイオンビームを
除去部分のみ走査する場合について述べたが、走査領域
全域を走査し、その代にイオン源（２ａ）を制御してこ
のイオンビームの電流を変調するようにしてもよい。そ
の際この実施例の走査時間が短くてすむ利点が失われる
。
除去部分のみ走査する場合について述べたが、走査領域
全域を走査し、その代にイオン源（２ａ）を制御してこ
のイオンビームの電流を変調するようにしてもよい。そ
の際この実施例の走査時間が短くてすむ利点が失われる
。
また上記実施例では微細加工品＋１１がマスクである場
合について述べたが、半導体集積回路が形成されるウェ
ハの各プロセスのパターンについても応用できる。その
際修正対生以外のプロセスのパターンが観察工程では電
子線強度に修正工程ではイオノエ・・Ｊ千ンゲ速度等に
影響を与えるのて、これを補正する必要があるなどは云
うまでもない。
合について述べたが、半導体集積回路が形成されるウェ
ハの各プロセスのパターンについても応用できる。その
際修正対生以外のプロセスのパターンが観察工程では電
子線強度に修正工程ではイオノエ・・Ｊ千ンゲ速度等に
影響を与えるのて、これを補正する必要があるなどは云
うまでもない。
［発明の効果］
この発明は以上説明（７たとおす観察工程を比較的軽い
イオンからなるイオンビームで被修正微細加工品のパタ
ーン上を走査するようにしたことにより、この被修正微
細加工品の修正を要しないパターン部分がイオンエンチ
ノグされ難くなるので、修正後の微細加工品のパターン
を構成する膜が薄くなるのを軒σ雀できる効果がある。
イオンからなるイオンビームで被修正微細加工品のパタ
ーン上を走査するようにしたことにより、この被修正微
細加工品の修正を要しないパターン部分がイオンエンチ
ノグされ難くなるので、修正後の微細加工品のパターン
を構成する膜が薄くなるのを軒σ雀できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示すブロック図、第２図
は従来のマスクバクーン欠陥の修正に利用されろ装置の
模式図、第３図および第４図は従来のもののパターン欠
陥の修正方法を説明する平面図である。 図において（１）は被修正ｊ放線加工品、（３ａ）は軽
いイオンおよび重イオンのいずれかからなるイオンビー
ム、（＋２）は電子線、（１９）は観察手段、＋２０１
は除去部分抽出手段、（９）は修正手段である。 なお、各図中同一符号１４同一よｉＹは相当部分を示す
。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 ７ 牛皮 会（正イ肩交５只田かロエｊし、）ｏ
辛杢いイオンふよひパ争いイオ／のいｔ’ｔ＋ ７７
゛勾゛うなうイオンご一ム１２゛・把子オ艮 １９ 潰り県令玖 ２ｏ：Ｋｔ部ｈｓｂ引暖 ２１′峙正今蚊 第２図 第４図
は従来のマスクバクーン欠陥の修正に利用されろ装置の
模式図、第３図および第４図は従来のもののパターン欠
陥の修正方法を説明する平面図である。 図において（１）は被修正ｊ放線加工品、（３ａ）は軽
いイオンおよび重イオンのいずれかからなるイオンビー
ム、（＋２）は電子線、（１９）は観察手段、＋２０１
は除去部分抽出手段、（９）は修正手段である。 なお、各図中同一符号１４同一よｉＹは相当部分を示す
。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 ７ 牛皮 会（正イ肩交５只田かロエｊし、）ｏ
辛杢いイオンふよひパ争いイオ／のいｔ’ｔ＋ ７７
゛勾゛うなうイオンご一ム１２゛・把子オ艮 １９ 潰り県令玖 ２ｏ：Ｋｔ部ｈｓｂ引暖 ２１′峙正今蚊 第２図 第４図
Claims (5)
- （１）被修正微細加工品のパターン上を比較的軽いイオ
ンからなるイオンビームで走査し、このイオンビームに
より発生する電子線強度の分布から実測パターンを求め
る観察工程と、前記実測パターンをレファレンスパター
ンデータと比較して、はみ出し部分を求め、このはみ出
し部分を包含し、前記レファレンスパターン部分を含ま
ない除去部分を決定する除去部分抽出工程と前記除去部
分に選択的にエッチング作用がおよぶように前記被修正
微細加工品のパターン上を比較的重いイオンからなるイ
オンビームで走査し、前記はみ出し部分を除去する修正
工程とを備えたパターン欠陥検査修正方法。 - （２）修正工程において、除去部分に限定して重いイオ
ンからなるイオンビームを走査するようにした特許請求
の範囲第１項記載のパターン欠陥検査修正方法。 - （３）軽いイオン、重いイオンそれぞれからなる両イオ
ンビームが同一の経路を通る特許請求の範囲第１項また
は第２項記載のパターン欠陥検査修正方法。 - （４）軽重両イオンを含むイオンビームを電荷質量比の
違いにより分離し、前記両イオンのいずれか一方のイオ
ンからなるイオンビームを利用する特許請求の範囲第３
項記載のパターン欠陥検査修正方法。 - （５）被修正微細加工品を位置合せするたびに観察工程
、除去部分抽出工程および修正工程を行う特許請求の範
囲第１項ないし第４項のいずれかに記載のパターン欠陥
検査修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60213767A JPS6272123A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | パタ−ン欠陥検査修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60213767A JPS6272123A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | パタ−ン欠陥検査修正方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31420188A Division JPH0652423B2 (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | パターン欠陥修正装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6272123A true JPS6272123A (ja) | 1987-04-02 |
Family
ID=16644690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60213767A Pending JPS6272123A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | パタ−ン欠陥検査修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6272123A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03231749A (ja) * | 1990-02-07 | 1991-10-15 | Seiko Instr Inc | 集束イオンビーム装置によるパターン修正方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856332A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥修正方法 |
| JPS58138064A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-16 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその評価方法 |
| JPS58196020A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-15 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥検査・修正方法およびその装置 |
| JPS6028151A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-13 | Mitsubishi Electric Corp | 走査形ストロボイオン顕微鏡 |
-
1985
- 1985-09-25 JP JP60213767A patent/JPS6272123A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856332A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥修正方法 |
| JPS58138064A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-16 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその評価方法 |
| JPS58196020A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-15 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥検査・修正方法およびその装置 |
| JPS6028151A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-13 | Mitsubishi Electric Corp | 走査形ストロボイオン顕微鏡 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH03231749A (ja) * | 1990-02-07 | 1991-10-15 | Seiko Instr Inc | 集束イオンビーム装置によるパターン修正方法 |
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