JPS6041456B2 - 電子線を用いたパタ−ン検査装置 - Google Patents
電子線を用いたパタ−ン検査装置Info
- Publication number
- JPS6041456B2 JPS6041456B2 JP52092230A JP9223077A JPS6041456B2 JP S6041456 B2 JPS6041456 B2 JP S6041456B2 JP 52092230 A JP52092230 A JP 52092230A JP 9223077 A JP9223077 A JP 9223077A JP S6041456 B2 JPS6041456 B2 JP S6041456B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- aperture
- hole
- inspection device
- pattern inspection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、短時間で検査を行えるようにした電子線を
用いたパターン検査装置に関するものである。
用いたパターン検査装置に関するものである。
電子線を用いたパターン検査においては、サブミクロン
のパターンを短時間で検査されることが要求される。
のパターンを短時間で検査されることが要求される。
従来の技術から考えられるパターン検査方法においては
、試料面上の電子線のスポット径を、例えば０．１ｒの
めとし、これで試料全面を走査して信号を取出し異常を
検出することになる。この方法で５肌×５肋のチップ２
００ケを１時間以内で処理することになると、１画素を
１仇Ｓ以下で処理する必要があり、信号処理が非常に困
難である。このため、上記のように画素を小かくしたり
処理時間を短縮することは従来の方法では不可能であっ
た。この発明は、上記の問題を解決するためになされた
もので、微細なパターンを短時間で検査できる電子線を
用いたパターン検査装魔を提供するものである。
、試料面上の電子線のスポット径を、例えば０．１ｒの
めとし、これで試料全面を走査して信号を取出し異常を
検出することになる。この方法で５肌×５肋のチップ２
００ケを１時間以内で処理することになると、１画素を
１仇Ｓ以下で処理する必要があり、信号処理が非常に困
難である。このため、上記のように画素を小かくしたり
処理時間を短縮することは従来の方法では不可能であっ
た。この発明は、上記の問題を解決するためになされた
もので、微細なパターンを短時間で検査できる電子線を
用いたパターン検査装魔を提供するものである。
以下この発明について説明する。マスクパターンにおい
て、欠陥の数が多いものはさらに詳しくこれを調べる必
要は極めて少なく、多くの場合はこのようなマスクは修
正不可能で捨てられる。また、デバイスパターンにおい
ても同様なことが考えられ、欠陥の数が２桁以上のもの
は極めて悪い状況であり、これを詳細に調べる必要が生
ずる場合は極めて稀である。そこで、この発明ではまず
大きい径の電子線スポットで試料面を粗く走査し、欠陥
の多いものはこれで判別し、さらに必要がある場合には
電子線スポットを小さい径にして走査を行い、分解能を
上げうるように構成したものである。第１図はこの発明
の一実施例で、電子光学系を示している。
て、欠陥の数が多いものはさらに詳しくこれを調べる必
要は極めて少なく、多くの場合はこのようなマスクは修
正不可能で捨てられる。また、デバイスパターンにおい
ても同様なことが考えられ、欠陥の数が２桁以上のもの
は極めて悪い状況であり、これを詳細に調べる必要が生
ずる場合は極めて稀である。そこで、この発明ではまず
大きい径の電子線スポットで試料面を粗く走査し、欠陥
の多いものはこれで判別し、さらに必要がある場合には
電子線スポットを小さい径にして走査を行い、分解能を
上げうるように構成したものである。第１図はこの発明
の一実施例で、電子光学系を示している。
この図で、１は電子銃、２は第１レンズ、３は絞りで、
第１レンズ２の中にあって、例えば、２０仏肌×１００
山ｍの関口部を有する。４はプランキング板、５は第２
レンズ、６は第３レンズ、７は偏向コイル、８は試料、
９は電子ビームである。
第１レンズ２の中にあって、例えば、２０仏肌×１００
山ｍの関口部を有する。４はプランキング板、５は第２
レンズ、６は第３レンズ、７は偏向コイル、８は試料、
９は電子ビームである。
次に動作について説明する。電子銃１から出た電子ビー
ム９により絞り３の閉口部を一様に照射する。この開口
部像を第２レンズ５および第３レンズ６で試料８の面に
１／１００に縮小投影する。その反射電子ビームを検知
し、あらかじめ作成されているパターンの情報とを順次
比較すれば、欠陥かどうかゞ直ちに判別される。この方
法によると、０．３りのまでの欠陥を従来の方法にくら
べて１／１０の検査時間で検出することができた。例え
ば、５側□のチップ２０の固を有するウェーハの欠陥を
、従来１Ｑ時間か）つたものを１時間以下にすることが
できた。この理由は、検査すべき画素の数が１／５に減
少したこと）、ビーム電流が５倍以上に増加したため他
の因子を考慮しても信号処理能力を２倍以上できたため
である。上記の実施例では、０．３山肌までの欠陥をＸ
麹方向上０．１〃肌，Ｙ軸方向上０．５仏のの精度で検
出することができたが、欠陥の位置を更に詳しく調べた
い場合がある。
ム９により絞り３の閉口部を一様に照射する。この開口
部像を第２レンズ５および第３レンズ６で試料８の面に
１／１００に縮小投影する。その反射電子ビームを検知
し、あらかじめ作成されているパターンの情報とを順次
比較すれば、欠陥かどうかゞ直ちに判別される。この方
法によると、０．３りのまでの欠陥を従来の方法にくら
べて１／１０の検査時間で検出することができた。例え
ば、５側□のチップ２０の固を有するウェーハの欠陥を
、従来１Ｑ時間か）つたものを１時間以下にすることが
できた。この理由は、検査すべき画素の数が１／５に減
少したこと）、ビーム電流が５倍以上に増加したため他
の因子を考慮しても信号処理能力を２倍以上できたため
である。上記の実施例では、０．３山肌までの欠陥をＸ
麹方向上０．１〃肌，Ｙ軸方向上０．５仏のの精度で検
出することができたが、欠陥の位置を更に詳しく調べた
い場合がある。
例えば、マスク検査で欠陥部を修正して使う場合等であ
る。その場合にはビームスポットを小さくする必要があ
る。そのためには、第１図の絞り３の所に第２図に示す
２枚の絞り板を置く。第２図で、ＩＱは固定絞り板で、
矩形の孔１１をもっており、その下に可動絞り板１２が
矩形の長辺に平行に、すなわち、第２図でＹ方向に平行
に移動可能に設けられている。
る。その場合にはビームスポットを小さくする必要があ
る。そのためには、第１図の絞り３の所に第２図に示す
２枚の絞り板を置く。第２図で、ＩＱは固定絞り板で、
矩形の孔１１をもっており、その下に可動絞り板１２が
矩形の長辺に平行に、すなわち、第２図でＹ方向に平行
に移動可能に設けられている。
そして、可動絞り板１２には短辺、最辺とも孔１１より
大きい矩形孔１３Ａとその上部に形成された二等辺三角
形孔１３Ｂとからなる孔１３が設けられており、孔１１
の中心線と、二等辺三角形孔１３Ｂの頂点を通る孔１３
の中心線とはともにＬであって一致させてある。孔１３
の中に孔１１が入った状態では、絞り３としては孔１１
の大きさの電子ビームが通過することになる。
大きい矩形孔１３Ａとその上部に形成された二等辺三角
形孔１３Ｂとからなる孔１３が設けられており、孔１１
の中心線と、二等辺三角形孔１３Ｂの頂点を通る孔１３
の中心線とはともにＬであって一致させてある。孔１３
の中に孔１１が入った状態では、絞り３としては孔１１
の大きさの電子ビームが通過することになる。
この状態で上述の検査を行なった後、可動絞り板１２を
機械的に下方に移動してゆくと、その途中では第２図に
示すように両絞り板１０，１２でできる電子ビームの通
過城は斜線を施した部分となり、さらに可動絞り板１２
が下方に移動すると、電子ビームの通過域は三角形とな
り、それ以後は次第に小さい三角形となる。このように
三角形となると電子ビームのスポット径は０．１り肌以
下となる。そのため、この状態で欠陥の周辺部を計算機
制御で走査し、欠陥の位置を土０．０３山肌以下の精度
で７５側マスク（３インチマスク）１枚当り１０分以内
で検査することができた。そして、上記の場合、可動絞
り板１２の移動は中心線Ｌ上で行われるから、絞り３の
電子ビーム通過城の変化によって×方向の位置が変化す
ることはない。なお、上記の実施例では、２枚の固定，
可動絞り板１０，１２を用いて絞り３を構成したが、適
宜の枚数の絞り板を用いてもよい。
機械的に下方に移動してゆくと、その途中では第２図に
示すように両絞り板１０，１２でできる電子ビームの通
過城は斜線を施した部分となり、さらに可動絞り板１２
が下方に移動すると、電子ビームの通過域は三角形とな
り、それ以後は次第に小さい三角形となる。このように
三角形となると電子ビームのスポット径は０．１り肌以
下となる。そのため、この状態で欠陥の周辺部を計算機
制御で走査し、欠陥の位置を土０．０３山肌以下の精度
で７５側マスク（３インチマスク）１枚当り１０分以内
で検査することができた。そして、上記の場合、可動絞
り板１２の移動は中心線Ｌ上で行われるから、絞り３の
電子ビーム通過城の変化によって×方向の位置が変化す
ることはない。なお、上記の実施例では、２枚の固定，
可動絞り板１０，１２を用いて絞り３を構成したが、適
宜の枚数の絞り板を用いてもよい。
また、電子ビーム通過域も矩形から三角形へと変化させ
て母子ビームのスポットを大から小へと変化させたが、
この他、矩形から正方形へ、あるいは矩形から円形等へ
の変化でもよく、要はスポットが大から小になればよい
。そして、場合によっては１枚の絞り板に矩形状の孔を
形成しておき、他の絞り板にそれより小さいスポットと
なる孔を形成しておき、取り替えて使用してもよい。そ
して、上記における矩形の孔の最辺と短辺の比は、２以
上１０以下であるのが好ましい。以上詳細に説明したよ
うに、この発明は光学系内に絞りを配置し、これによっ
て大きな矩形のスポットの電子ビームで走査するように
して粗い検査を行い、さらに精密な検査を必要とすると
きには上記絞りを変形させて正方形，矩形，三角形また
は円形等のよりづ・さな形に絞り検査を行うようにした
ので、従来の装置に〈らべ格段と検査速度を向上させる
ことができ、しかも必要な精度の検査も容易に行える利
点がある。
て母子ビームのスポットを大から小へと変化させたが、
この他、矩形から正方形へ、あるいは矩形から円形等へ
の変化でもよく、要はスポットが大から小になればよい
。そして、場合によっては１枚の絞り板に矩形状の孔を
形成しておき、他の絞り板にそれより小さいスポットと
なる孔を形成しておき、取り替えて使用してもよい。そ
して、上記における矩形の孔の最辺と短辺の比は、２以
上１０以下であるのが好ましい。以上詳細に説明したよ
うに、この発明は光学系内に絞りを配置し、これによっ
て大きな矩形のスポットの電子ビームで走査するように
して粗い検査を行い、さらに精密な検査を必要とすると
きには上記絞りを変形させて正方形，矩形，三角形また
は円形等のよりづ・さな形に絞り検査を行うようにした
ので、従来の装置に〈らべ格段と検査速度を向上させる
ことができ、しかも必要な精度の検査も容易に行える利
点がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す電子光学系の図面、
第２図はこの発明に用いる絞りの一実施例を示す平面図
である。 図中、１は電子銃、２は第１レンズ、３は絞り、４はプ
ランキング板、５は第２レンズ、６は第３レンズ、７は
偏向コイル、８は試料、９は電子ビーム、１０は固定絞
り板、１１は孔、１２は可動絞り板、１３は孔、１３Ａ
は矩形孔、１３Ｂは二等辺三角形孔である。 第１図 第２図
第２図はこの発明に用いる絞りの一実施例を示す平面図
である。 図中、１は電子銃、２は第１レンズ、３は絞り、４はプ
ランキング板、５は第２レンズ、６は第３レンズ、７は
偏向コイル、８は試料、９は電子ビーム、１０は固定絞
り板、１１は孔、１２は可動絞り板、１３は孔、１３Ａ
は矩形孔、１３Ｂは二等辺三角形孔である。 第１図 第２図
Claims (1)
- １ 電子銃からの電子ビームを光学系を介して試料面上
に照射しつゝ走査し、前記試料面上に形成されているパ
ターンの欠陥の有無を検出するパターン検査装置におい
て、前記光学系内に前記電子ビームの通過域が矩形から
それより小さい正方形，矩形，三角形または円形等の形
に変形可能な絞りを配置したことを特徴とする電子線を
用いたパターン検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52092230A JPS6041456B2 (ja) | 1977-08-02 | 1977-08-02 | 電子線を用いたパタ−ン検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52092230A JPS6041456B2 (ja) | 1977-08-02 | 1977-08-02 | 電子線を用いたパタ−ン検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5427371A JPS5427371A (en) | 1979-03-01 |
| JPS6041456B2 true JPS6041456B2 (ja) | 1985-09-17 |
Family
ID=14048627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52092230A Expired JPS6041456B2 (ja) | 1977-08-02 | 1977-08-02 | 電子線を用いたパタ−ン検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6041456B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62110463U (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-14 | ||
| KR101389166B1 (ko) * | 2011-01-12 | 2014-04-24 | 미쯔비시 레이온 가부시끼가이샤 | 활성 에너지선 경화성 수지 조성물, 미세 요철 구조체 및 미세 요철 구조체의 제조 방법 |
-
1977
- 1977-08-02 JP JP52092230A patent/JPS6041456B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62110463U (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-14 | ||
| KR101389166B1 (ko) * | 2011-01-12 | 2014-04-24 | 미쯔비시 레이온 가부시끼가이샤 | 활성 에너지선 경화성 수지 조성물, 미세 요철 구조체 및 미세 요철 구조체의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5427371A (en) | 1979-03-01 |
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