JPS62237454A - イオンビ−ムによるフオトマスクの白点欠陥修正方法 - Google Patents
イオンビ−ムによるフオトマスクの白点欠陥修正方法Info
- Publication number
- JPS62237454A JPS62237454A JP61079910A JP7991086A JPS62237454A JP S62237454 A JPS62237454 A JP S62237454A JP 61079910 A JP61079910 A JP 61079910A JP 7991086 A JP7991086 A JP 7991086A JP S62237454 A JPS62237454 A JP S62237454A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- white spot
- spot defects
- defect
- defects
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 43
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 6
- 238000007688 edging Methods 0.000 claims 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 abstract description 4
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract description 3
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract description 2
- 241000519995 Stachys sylvatica Species 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 206010027146 Melanoderma Diseases 0.000 description 1
- 241000555745 Sciuridae Species 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、イオンビームによるフォトマスクの白点欠陥
修正方法に関するものである。
修正方法に関するものである。
第１１図（α）〜（１１にフォトマスクの欠陥例を示す
。
。
ガラス基板６の上Ｖｃｃｒ、酸化クロムあるいはその他
の材料の膜によりパターン１α、１ｂ、・・・・・・、
１ｇが形成されている。ここに、１αは何らの欠陥もな
いパターンである。２と３は黒点欠陥、すなわち、ある
べきでないところにＣｒ等のパターンが存在している欠
陥である。欠陥２はパターン１ｈと連続している。欠陥
３はパターンＩＣから離れて存在している。４と５とは
白点欠陥すなわちＣｒ等のパターンが、あるべきところ
に存在しないという場合の欠陥を示す。第１１図１ｂ）
、 （Ｃ）に示す２，３のような欠陥については従来
レーザにより除去する方法が実施されてきている。すな
わちレーザ光を細（絞って欠陥部に照射し、蒸発・飛散
によりこれを除去するものである。
の材料の膜によりパターン１α、１ｂ、・・・・・・、
１ｇが形成されている。ここに、１αは何らの欠陥もな
いパターンである。２と３は黒点欠陥、すなわち、ある
べきでないところにＣｒ等のパターンが存在している欠
陥である。欠陥２はパターン１ｈと連続している。欠陥
３はパターンＩＣから離れて存在している。４と５とは
白点欠陥すなわちＣｒ等のパターンが、あるべきところ
に存在しないという場合の欠陥を示す。第１１図１ｂ）
、 （Ｃ）に示す２，３のような欠陥については従来
レーザにより除去する方法が実施されてきている。すな
わちレーザ光を細（絞って欠陥部に照射し、蒸発・飛散
によりこれを除去するものである。
一方第１１図＋ｄ） 、 （ｄ）に示すように４，５に
示したような白点欠陥については、フリットステイトテ
クノロジー１９８３年５月発行第９７頁［アプリケージ
諺ン オプ フォーカス イオンビームス トウマイク
ロリングラフィＪ （５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｔａｃ
ｈｒｖｏＬｏｇｙ″Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ
Ｆｏｃｗｔｄ Ｊｏｎ Ｂｅ０ｗ ｔｏ Ｍ
ｉｃｒｏｌｉｔｈｏダｒａ−ｐｈｙ″）、及び特開昭５
５−１５２２５号公報に示されるようにイオンビームを
静電レンズで絞って試料に照射し、白点欠陥部のガラス
基板を加工して面を荒し、光の透過を減らして白点欠陥
を修正するという方法が提案されている。
示したような白点欠陥については、フリットステイトテ
クノロジー１９８３年５月発行第９７頁［アプリケージ
諺ン オプ フォーカス イオンビームス トウマイク
ロリングラフィＪ （５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｔａｃ
ｈｒｖｏＬｏｇｙ″Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ
Ｆｏｃｗｔｄ Ｊｏｎ Ｂｅ０ｗ ｔｏ Ｍ
ｉｃｒｏｌｉｔｈｏダｒａ−ｐｈｙ″）、及び特開昭５
５−１５２２５号公報に示されるようにイオンビームを
静電レンズで絞って試料に照射し、白点欠陥部のガラス
基板を加工して面を荒し、光の透過を減らして白点欠陥
を修正するという方法が提案されている。
〔発明が解決しようとする間釉点］
上記従来技術では遮光性が不十分で光が透過してしまい
欠陥が十分に修正できず、また修正部のパターンのエツ
ジ精度が悪いなど、実用性の点で問題があった。
欠陥が十分に修正できず、また修正部のパターンのエツ
ジ精度が悪いなど、実用性の点で問題があった。
本発明の目的は、十分な遮光性を有し、且つパターンの
エツジ精度を良好にしてフォトマスクの白点欠陥を修正
できるようにしたイオンビームによるフォトマスクの白
点欠陥修正方法を提供することにある。
エツジ精度を良好にしてフォトマスクの白点欠陥を修正
できるようにしたイオンビームによるフォトマスクの白
点欠陥修正方法を提供することにある。
上記目的を達成するために１本発明はイオンビームな静
電レンズにより集束してガラス基板を加工し、マスクの
白点欠陥の修正を行う方法において加工溝または加工穴
の形状、または深さ、または配列を不規則に、また複雑
に形成するイオンビームによるフォトマスクの白点欠陥
修正方法により達成することができる。
電レンズにより集束してガラス基板を加工し、マスクの
白点欠陥の修正を行う方法において加工溝または加工穴
の形状、または深さ、または配列を不規則に、また複雑
に形成するイオンビームによるフォトマスクの白点欠陥
修正方法により達成することができる。
イオンビームによるフォトマスクの白点欠陥修正方法に
す６いて、加工溝、加工穴の形状、深さ。
す６いて、加工溝、加工穴の形状、深さ。
配列を不規則に、また複雑に形成することにより、散乱
の度合が高まり、また特定方向に回折反射することを防
ぎ、高い遮光性を得ることができる。
の度合が高まり、また特定方向に回折反射することを防
ぎ、高い遮光性を得ることができる。
第１図にイオンビームによるフォトマスクの白点欠陥を
修正する装置を示す。即ち真空チャンバ内において高輝
度の液体金楓イオン源１４から引出し電極１５に印加さ
れる高電圧によって引き出されたイオンビーム１６は、
レンズ電極１７により集束され、ブランキング電極１８
およびブランキング・アパーチャ１９により、０ｎ−Ｏ
ｆｆされ、更に偏向電極２０により偏向されてステージ
２２の上のフォトマスク２３の上に、微細なスポット２
１として照射される。
修正する装置を示す。即ち真空チャンバ内において高輝
度の液体金楓イオン源１４から引出し電極１５に印加さ
れる高電圧によって引き出されたイオンビーム１６は、
レンズ電極１７により集束され、ブランキング電極１８
およびブランキング・アパーチャ１９により、０ｎ−Ｏ
ｆｆされ、更に偏向電極２０により偏向されてステージ
２２の上のフォトマスク２３の上に、微細なスポット２
１として照射される。
このとき、試料から出る２次電子を２次電子ディテクタ
２５により捕え、この信号を増幅してディスプレイ２６
上に走査イオン顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ ＪｏｎＭｉ
ｃｒｏｓｃｏｐｙ ）の像として表示し、これＫよって
欠陥位置の検出１位置合せが可能となる。
２５により捕え、この信号を増幅してディスプレイ２６
上に走査イオン顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ ＪｏｎＭｉ
ｃｒｏｓｃｏｐｙ ）の像として表示し、これＫよって
欠陥位置の検出１位置合せが可能となる。
このような装置により、第２図（α）のようｆｃｒ。
酸化クロムあるいはその他の材料の膜により形成された
パターン３１の間に存在する白点欠陥部に照射したイオ
ンビーム２９により（Ａ） 、 （Ｃ）のようにフォト
マスクの基材であるガラス基板３ｏが荒らされたり、凹
みを設けられることにより光３２を散乱させ。
パターン３１の間に存在する白点欠陥部に照射したイオ
ンビーム２９により（Ａ） 、 （Ｃ）のようにフォト
マスクの基材であるガラス基板３ｏが荒らされたり、凹
みを設けられることにより光３２を散乱させ。
これにより光を透過させないので白点欠陥の修正が行わ
れる。
れる。
特に制御装置１１にディスプレイ２６に備え付けられた
電子ライン等を用いて指令信号１２を指令してレンズ電
極１７．ブランキング電極１８．および偏向電極２０を
制御装置１１＜より制御することによって次のように特
殊な加工を施すことができる。位置合せは例えば２次電
子ディテクタ２５によって試料から出る２次電子を捕え
るか、あるいは光学顕微鏡を備えて光学的に検出して行
うことができる。
電子ライン等を用いて指令信号１２を指令してレンズ電
極１７．ブランキング電極１８．および偏向電極２０を
制御装置１１＜より制御することによって次のように特
殊な加工を施すことができる。位置合せは例えば２次電
子ディテクタ２５によって試料から出る２次電子を捕え
るか、あるいは光学顕微鏡を備えて光学的に検出して行
うことができる。
第３図はフォトマスクの白点欠陥をイオンビームにより
修正した例である。（α）の３２ｈに示すような白点欠
陥に対し、（ｂ）の３３ｂに示すように多数の溝加工を
行い、ガラス基板まで深く加工を行う。
修正した例である。（α）の３２ｈに示すような白点欠
陥に対し、（ｂ）の３３ｂに示すように多数の溝加工を
行い、ガラス基板まで深く加工を行う。
これにより光を照射した際、下部のガラス基板の溝部の
凹凸面において光を散乱し、レジストまでこの部分に入
った光は到達しない。よってレジストの露光パターンは
第３図ｔ０１のように３２Ａ部の欠陥が存在しないよう
に露光された結果となり、白点欠陥の修正が行われるこ
とになる。
凹凸面において光を散乱し、レジストまでこの部分に入
った光は到達しない。よってレジストの露光パターンは
第３図ｔ０１のように３２Ａ部の欠陥が存在しないよう
に露光された結果となり、白点欠陥の修正が行われるこ
とになる。
この場合、第３図（ｄ１３４に見られるように修正部に
凹凸が生ずる場合があるが、これは第５図（α）のよう
にガラス基板に溝入れ加工をする場合において、溝３５
〜３７は数μｍの深さに加工する必要があるが深く加工
すると必然的に第５図（ｈ）のように溝と垂直方向に凹
凸が生じる。これは加工していくと溝が深くなった場合
、リスバッタリングなどの現象によって溝が横方向に拡
がる傾向があるためである。このような修正結果を露光
転写すると第５図（Ｃ） Ｋ示すごとく周辺に凹凸のあ
るパターンを生じてしまう。これを防ぐための第５図（
ｄ）のように加工溝と垂直な方向に加工部の両側に、加
工溝４０゜４１を形成することにより、第５図（＃）の
ように矩形で、且つ凹凸のない転写結果を得ることがで
きる。
凹凸が生ずる場合があるが、これは第５図（α）のよう
にガラス基板に溝入れ加工をする場合において、溝３５
〜３７は数μｍの深さに加工する必要があるが深く加工
すると必然的に第５図（ｈ）のように溝と垂直方向に凹
凸が生じる。これは加工していくと溝が深くなった場合
、リスバッタリングなどの現象によって溝が横方向に拡
がる傾向があるためである。このような修正結果を露光
転写すると第５図（Ｃ） Ｋ示すごとく周辺に凹凸のあ
るパターンを生じてしまう。これを防ぐための第５図（
ｄ）のように加工溝と垂直な方向に加工部の両側に、加
工溝４０゜４１を形成することにより、第５図（＃）の
ように矩形で、且つ凹凸のない転写結果を得ることがで
きる。
第６図は別の実施例であり、白点欠陥の修正を行う際、
溝でなく、穴加工を行うものである。
溝でなく、穴加工を行うものである。
この場合において、第６図（α）のように格子状に加工
穴を配置すると、配置の規則性の為、光が特定方向に回
折、透過し、遮光性を減することが多い。第６図（ｈ）
、第６図＜ｃ＞はそれを防ぐためのもので、第６図（ｂ
）においては、−行毎に穴位置をずらせることにより１
回折の効果を減じている。第６図（Ｃ１は格子点上のラ
ンダムな位置に穴を配置することに規則性を減じて回折
、透過の効果を減じるものである。
穴を配置すると、配置の規則性の為、光が特定方向に回
折、透過し、遮光性を減することが多い。第６図（ｈ）
、第６図＜ｃ＞はそれを防ぐためのもので、第６図（ｂ
）においては、−行毎に穴位置をずらせることにより１
回折の効果を減じている。第６図（Ｃ１は格子点上のラ
ンダムな位置に穴を配置することに規則性を減じて回折
、透過の効果を減じるものである。
第７図（α）は加工穴の形状を円でなく、三角形にする
ことＫより、対称性を減じて８回折、透過の効果を減ら
したものである。この場合穴形状として、第７図（ｂ）
菱形、第７図（Ｃ）星形、第７図（ｄ）五角形など様々
の形状を用いることができる。
ことＫより、対称性を減じて８回折、透過の効果を減ら
したものである。この場合穴形状として、第７図（ｂ）
菱形、第７図（Ｃ）星形、第７図（ｄ）五角形など様々
の形状を用いることができる。
更に第８図は穴径の大きいものと小さいものとを交互に
配列することにより、散乱の効果を高めたものである。
配列することにより、散乱の効果を高めたものである。
第９図は加工穴、加工溝の断面を示すものであるが、第
９図（α）に示すよ５に深い穴と浅い穴を交互に配置す
ることＫより、光の散乱の効果を高めることができる。
９図（α）に示すよ５に深い穴と浅い穴を交互に配置す
ることＫより、光の散乱の効果を高めることができる。
第９図＜ｂ＞は深さを大、中、小と多段階に変化させて
配列したもので、さらに高い遮光効果を有するものであ
る。
配列したもので、さらに高い遮光効果を有するものであ
る。
第１０図はガラス基板の両側から加工を行うことにより
、更に散乱の効果を高めたものである。第１０図＋４）
は上下同じ位置に溝加工・穴加工を行うものであり、第
１θ図＜ｈ）は上工具なる位置に溝加工を行うことによ
り、遮光効果をさらに増したものである。
、更に散乱の効果を高めたものである。第１０図＋４）
は上下同じ位置に溝加工・穴加工を行うものであり、第
１θ図＜ｈ）は上工具なる位置に溝加工を行うことによ
り、遮光効果をさらに増したものである。
以上の様に加工穴、加工溝の形状・深さ・配置に変化を
与えることＫより、特定方向へ光が透過あるいは回折す
ることを防ぎ、これＫより光の散乱効果を高めて、白点
欠陥を有効に修正することができる。
与えることＫより、特定方向へ光が透過あるいは回折す
ることを防ぎ、これＫより光の散乱効果を高めて、白点
欠陥を有効に修正することができる。
以上説明したよ５に本発明化よれば、十分な遮光性と修
正パターン精度を有するようにイオンビームによりフォ
トマスクの白点欠陥を修正することができる作用効果を
奏する。
正パターン精度を有するようにイオンビームによりフォ
トマスクの白点欠陥を修正することができる作用効果を
奏する。
第１図は本発明に係る集束イオンビームによるフォトマ
スク白点欠陥修正装置の概略構成を示す図、第２図はこ
れによる白点欠陥の修正方法を示す図、第３図及び第４
図はこれによる白点欠陥。 修正例を示す図、第５図は白点修正において修正部の周
囲の凹凸を除去する方法を示す図、第６図は加工穴の配
列を変化させた実施例を示した図。 第７図は加工穴の形状を変化させた実施例を示した図、
第８図は加工穴の穴径を変化させた実施例を示した図、
第９図は穴深さを変化させた実施例を示した図、第１０
図はフォトマスクの基材であるガラス基板の上下から加
工を行った実施例を示した園、第１１図はフォトマスク
の欠陥例を示した図である。 １・・・制御装置、１７・・・レンズ電極。 １８・・ブランキング電極。 ２０・・・偏向電極、３０・・・ガラス基板。 ３１・・・パターン。 ６ ゛
スク白点欠陥修正装置の概略構成を示す図、第２図はこ
れによる白点欠陥の修正方法を示す図、第３図及び第４
図はこれによる白点欠陥。 修正例を示す図、第５図は白点修正において修正部の周
囲の凹凸を除去する方法を示す図、第６図は加工穴の配
列を変化させた実施例を示した図。 第７図は加工穴の形状を変化させた実施例を示した図、
第８図は加工穴の穴径を変化させた実施例を示した図、
第９図は穴深さを変化させた実施例を示した図、第１０
図はフォトマスクの基材であるガラス基板の上下から加
工を行った実施例を示した園、第１１図はフォトマスク
の欠陥例を示した図である。 １・・・制御装置、１７・・・レンズ電極。 １８・・ブランキング電極。 ２０・・・偏向電極、３０・・・ガラス基板。 ３１・・・パターン。 ６ ゛
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、集束イオンビームによりフォトマスクの白点欠陥部
のガラス基板部を照射して、ガラス基板部に多数の溝加
工または穴加工を行い、これにより光を散乱させるよう
にして、白点欠陥修正を行う方法において、加工穴また
は加工溝の配列または溝幅または穴径または深さ、また
は断面形状等を変化させて形成することにより、高い遮
光性を得るようにしたことを特徴とするイオンビームに
よるフォトマスクの白点欠陥修正方法。 ２、加工領域の周囲に縁どりを行う加工溝を形成するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイオンビー
ムによるフォトマスクの白点欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61079910A JPS62237454A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | イオンビ−ムによるフオトマスクの白点欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61079910A JPS62237454A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | イオンビ−ムによるフオトマスクの白点欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62237454A true JPS62237454A (ja) | 1987-10-17 |
Family
ID=13703440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61079910A Pending JPS62237454A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | イオンビ−ムによるフオトマスクの白点欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62237454A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5350649A (en) * | 1988-11-22 | 1994-09-27 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| JP2005517996A (ja) * | 2002-02-20 | 2005-06-16 | ユーシーエルティ リミテッド | 欠陥フォトマスクを修理するための方法およびシステム |
| JP2010227615A (ja) * | 2003-05-28 | 2010-10-14 | Acufocus Inc | 可視性の回折模様を生成せずに栄養素伝達を維持するように構成されたマスク |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55150225A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Hitachi Ltd | Method of correcting white spot fault of photomask |
-
1986
- 1986-04-09 JP JP61079910A patent/JPS62237454A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55150225A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Hitachi Ltd | Method of correcting white spot fault of photomask |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6458497B2 (en) | 1988-11-22 | 2002-10-01 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US5350649A (en) * | 1988-11-22 | 1994-09-27 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US5830606A (en) * | 1988-11-22 | 1998-11-03 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US5948574A (en) * | 1988-11-22 | 1999-09-07 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US6106981A (en) * | 1988-11-22 | 2000-08-22 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US6420075B1 (en) | 1988-11-22 | 2002-07-16 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US5484671A (en) * | 1988-11-22 | 1996-01-16 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US6548213B2 (en) | 1988-11-22 | 2003-04-15 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US7008736B2 (en) | 1988-11-22 | 2006-03-07 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device fabrication method using a mask having a phase shifting film covering region and an opening region |
| US6733933B2 (en) | 1988-11-22 | 2004-05-11 | Renesas Technology Corporation | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| JP2005517996A (ja) * | 2002-02-20 | 2005-06-16 | ユーシーエルティ リミテッド | 欠陥フォトマスクを修理するための方法およびシステム |
| JP4711251B2 (ja) * | 2002-02-20 | 2011-06-29 | カールツァイス エスエムエス リミテッド | 欠陥フォトマスクを修理するための方法およびシステム |
| JP2010227615A (ja) * | 2003-05-28 | 2010-10-14 | Acufocus Inc | 可視性の回折模様を生成せずに栄養素伝達を維持するように構成されたマスク |
| US9138142B2 (en) | 2003-05-28 | 2015-09-22 | Acufocus, Inc. | Masked intraocular devices |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100925939B1 (ko) | 결함 검사 장치 및 결함 검사 방법 | |
| KR910007533B1 (ko) | X선 마스크의 결함 수정 방법 및 그 장치 | |
| JP4480001B2 (ja) | ムラ欠陥検査マスク、ムラ欠陥検査装置及び方法、並びにフォトマスクの製造方法 | |
| EP1261752A1 (en) | Method and apparatus for repairing lithography masks using a charged particle beam system | |
| KR100501089B1 (ko) | 다이아몬드 또는 원석에 다수의 홈을 이용하여 마크를 형성하는 방법 및 장치 | |
| JPS627540B2 (ja) | ||
| JPH0557020B2 (ja) | ||
| JPS62237454A (ja) | イオンビ−ムによるフオトマスクの白点欠陥修正方法 | |
| JP2008244361A (ja) | プリント基板のレーザ加工方法 | |
| JPS59208830A (ja) | イオンビ−ム加工方法およびその装置 | |
| KR20000003722A (ko) | 포토마스크의 결함 수리 방법 | |
| JPH04301616A (ja) | 液晶表示装置および液晶表示装置の欠陥修正方法 | |
| KR100363090B1 (ko) | 개구부용 포토마스크의 불투명 결함 수리 방법 | |
| JP3396548B2 (ja) | 欠陥部位置合せ方法 | |
| JPH0462457A (ja) | 表面状態検査装置 | |
| JP4112842B2 (ja) | マスクの欠陥修正方法 | |
| KR100298175B1 (ko) | 포토마스크제조방법 | |
| JP2777801B2 (ja) | 集束イオンビーム装置におけるパターン膜修正方法 | |
| JP3240730B2 (ja) | イオンビーム装置、及びイオンビーム装置による加工条件表示方法 | |
| JPH07105321B2 (ja) | イオンビ−ム加工方法およびその装置 | |
| JPH0922110A (ja) | 荷電ビーム処理方法及びその装置並びにフォトマスクの加工方法及びその装置 | |
| JPH0334577B2 (ja) | ||
| JPS63301952A (ja) | イオンビーム加工方法およびその装置 | |
| JPS6339894B2 (ja) | ||
| JPS61123843A (ja) | 集束イオンビ−ムを用いたマスク修正装置 |