JPS62237454A - イオンビ−ムによるフオトマスクの白点欠陥修正方法 - Google Patents
イオンビ−ムによるフオトマスクの白点欠陥修正方法Info
- Publication number
- JPS62237454A JPS62237454A JP61079910A JP7991086A JPS62237454A JP S62237454 A JPS62237454 A JP S62237454A JP 61079910 A JP61079910 A JP 61079910A JP 7991086 A JP7991086 A JP 7991086A JP S62237454 A JPS62237454 A JP S62237454A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- white spot
- spot defects
- defect
- defects
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 43
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 6
- 238000007688 edging Methods 0.000 claims 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 abstract description 4
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract description 3
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract description 2
- 241000519995 Stachys sylvatica Species 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 206010027146 Melanoderma Diseases 0.000 description 1
- 241000555745 Sciuridae Species 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、イオンビームによるフォトマスクの白点欠陥
修正方法に関するものである。
修正方法に関するものである。
第11図(α)〜(11にフォトマスクの欠陥例を示す
。
。
ガラス基板6の上Vccr、酸化クロムあるいはその他
の材料の膜によりパターン1α、1b、・・・・・・、
1gが形成されている。ここに、1αは何らの欠陥もな
いパターンである。2と3は黒点欠陥、すなわち、ある
べきでないところにCr等のパターンが存在している欠
陥である。欠陥2はパターン1hと連続している。欠陥
3はパターンICから離れて存在している。4と5とは
白点欠陥すなわちCr等のパターンが、あるべきところ
に存在しないという場合の欠陥を示す。第11図1b)
、 (C)に示す2,3のような欠陥については従来
レーザにより除去する方法が実施されてきている。すな
わちレーザ光を細(絞って欠陥部に照射し、蒸発・飛散
によりこれを除去するものである。
の材料の膜によりパターン1α、1b、・・・・・・、
1gが形成されている。ここに、1αは何らの欠陥もな
いパターンである。2と3は黒点欠陥、すなわち、ある
べきでないところにCr等のパターンが存在している欠
陥である。欠陥2はパターン1hと連続している。欠陥
3はパターンICから離れて存在している。4と5とは
白点欠陥すなわちCr等のパターンが、あるべきところ
に存在しないという場合の欠陥を示す。第11図1b)
、 (C)に示す2,3のような欠陥については従来
レーザにより除去する方法が実施されてきている。すな
わちレーザ光を細(絞って欠陥部に照射し、蒸発・飛散
によりこれを除去するものである。
一方第11図+d) 、 (d)に示すように4,5に
示したような白点欠陥については、フリットステイトテ
クノロジー1983年5月発行第97頁[アプリケージ
諺ン オプ フォーカス イオンビームス トウマイク
ロリングラフィJ (5olid 5tate Tac
hrvoLogy″Application of
Focwtd Jon Be0w to M
icrolithoダra−phy″)、及び特開昭5
5−15225号公報に示されるようにイオンビームを
静電レンズで絞って試料に照射し、白点欠陥部のガラス
基板を加工して面を荒し、光の透過を減らして白点欠陥
を修正するという方法が提案されている。
示したような白点欠陥については、フリットステイトテ
クノロジー1983年5月発行第97頁[アプリケージ
諺ン オプ フォーカス イオンビームス トウマイク
ロリングラフィJ (5olid 5tate Tac
hrvoLogy″Application of
Focwtd Jon Be0w to M
icrolithoダra−phy″)、及び特開昭5
5−15225号公報に示されるようにイオンビームを
静電レンズで絞って試料に照射し、白点欠陥部のガラス
基板を加工して面を荒し、光の透過を減らして白点欠陥
を修正するという方法が提案されている。
〔発明が解決しようとする間釉点]
上記従来技術では遮光性が不十分で光が透過してしまい
欠陥が十分に修正できず、また修正部のパターンのエツ
ジ精度が悪いなど、実用性の点で問題があった。
欠陥が十分に修正できず、また修正部のパターンのエツ
ジ精度が悪いなど、実用性の点で問題があった。
本発明の目的は、十分な遮光性を有し、且つパターンの
エツジ精度を良好にしてフォトマスクの白点欠陥を修正
できるようにしたイオンビームによるフォトマスクの白
点欠陥修正方法を提供することにある。
エツジ精度を良好にしてフォトマスクの白点欠陥を修正
できるようにしたイオンビームによるフォトマスクの白
点欠陥修正方法を提供することにある。
上記目的を達成するために1本発明はイオンビームな静
電レンズにより集束してガラス基板を加工し、マスクの
白点欠陥の修正を行う方法において加工溝または加工穴
の形状、または深さ、または配列を不規則に、また複雑
に形成するイオンビームによるフォトマスクの白点欠陥
修正方法により達成することができる。
電レンズにより集束してガラス基板を加工し、マスクの
白点欠陥の修正を行う方法において加工溝または加工穴
の形状、または深さ、または配列を不規則に、また複雑
に形成するイオンビームによるフォトマスクの白点欠陥
修正方法により達成することができる。
イオンビームによるフォトマスクの白点欠陥修正方法に
す6いて、加工溝、加工穴の形状、深さ。
す6いて、加工溝、加工穴の形状、深さ。
配列を不規則に、また複雑に形成することにより、散乱
の度合が高まり、また特定方向に回折反射することを防
ぎ、高い遮光性を得ることができる。
の度合が高まり、また特定方向に回折反射することを防
ぎ、高い遮光性を得ることができる。
第1図にイオンビームによるフォトマスクの白点欠陥を
修正する装置を示す。即ち真空チャンバ内において高輝
度の液体金楓イオン源14から引出し電極15に印加さ
れる高電圧によって引き出されたイオンビーム16は、
レンズ電極17により集束され、ブランキング電極18
およびブランキング・アパーチャ19により、0n−O
ffされ、更に偏向電極20により偏向されてステージ
22の上のフォトマスク23の上に、微細なスポット2
1として照射される。
修正する装置を示す。即ち真空チャンバ内において高輝
度の液体金楓イオン源14から引出し電極15に印加さ
れる高電圧によって引き出されたイオンビーム16は、
レンズ電極17により集束され、ブランキング電極18
およびブランキング・アパーチャ19により、0n−O
ffされ、更に偏向電極20により偏向されてステージ
22の上のフォトマスク23の上に、微細なスポット2
1として照射される。
このとき、試料から出る2次電子を2次電子ディテクタ
25により捕え、この信号を増幅してディスプレイ26
上に走査イオン顕微鏡(Scanning JonMi
croscopy )の像として表示し、これKよって
欠陥位置の検出1位置合せが可能となる。
25により捕え、この信号を増幅してディスプレイ26
上に走査イオン顕微鏡(Scanning JonMi
croscopy )の像として表示し、これKよって
欠陥位置の検出1位置合せが可能となる。
このような装置により、第2図(α)のようfcr。
酸化クロムあるいはその他の材料の膜により形成された
パターン31の間に存在する白点欠陥部に照射したイオ
ンビーム29により(A) 、 (C)のようにフォト
マスクの基材であるガラス基板3oが荒らされたり、凹
みを設けられることにより光32を散乱させ。
パターン31の間に存在する白点欠陥部に照射したイオ
ンビーム29により(A) 、 (C)のようにフォト
マスクの基材であるガラス基板3oが荒らされたり、凹
みを設けられることにより光32を散乱させ。
これにより光を透過させないので白点欠陥の修正が行わ
れる。
れる。
特に制御装置11にディスプレイ26に備え付けられた
電子ライン等を用いて指令信号12を指令してレンズ電
極17.ブランキング電極18.および偏向電極20を
制御装置11<より制御することによって次のように特
殊な加工を施すことができる。位置合せは例えば2次電
子ディテクタ25によって試料から出る2次電子を捕え
るか、あるいは光学顕微鏡を備えて光学的に検出して行
うことができる。
電子ライン等を用いて指令信号12を指令してレンズ電
極17.ブランキング電極18.および偏向電極20を
制御装置11<より制御することによって次のように特
殊な加工を施すことができる。位置合せは例えば2次電
子ディテクタ25によって試料から出る2次電子を捕え
るか、あるいは光学顕微鏡を備えて光学的に検出して行
うことができる。
第3図はフォトマスクの白点欠陥をイオンビームにより
修正した例である。(α)の32hに示すような白点欠
陥に対し、(b)の33bに示すように多数の溝加工を
行い、ガラス基板まで深く加工を行う。
修正した例である。(α)の32hに示すような白点欠
陥に対し、(b)の33bに示すように多数の溝加工を
行い、ガラス基板まで深く加工を行う。
これにより光を照射した際、下部のガラス基板の溝部の
凹凸面において光を散乱し、レジストまでこの部分に入
った光は到達しない。よってレジストの露光パターンは
第3図t01のように32A部の欠陥が存在しないよう
に露光された結果となり、白点欠陥の修正が行われるこ
とになる。
凹凸面において光を散乱し、レジストまでこの部分に入
った光は到達しない。よってレジストの露光パターンは
第3図t01のように32A部の欠陥が存在しないよう
に露光された結果となり、白点欠陥の修正が行われるこ
とになる。
この場合、第3図(d134に見られるように修正部に
凹凸が生ずる場合があるが、これは第5図(α)のよう
にガラス基板に溝入れ加工をする場合において、溝35
〜37は数μmの深さに加工する必要があるが深く加工
すると必然的に第5図(h)のように溝と垂直方向に凹
凸が生じる。これは加工していくと溝が深くなった場合
、リスバッタリングなどの現象によって溝が横方向に拡
がる傾向があるためである。このような修正結果を露光
転写すると第5図(C) K示すごとく周辺に凹凸のあ
るパターンを生じてしまう。これを防ぐための第5図(
d)のように加工溝と垂直な方向に加工部の両側に、加
工溝40゜41を形成することにより、第5図(#)の
ように矩形で、且つ凹凸のない転写結果を得ることがで
きる。
凹凸が生ずる場合があるが、これは第5図(α)のよう
にガラス基板に溝入れ加工をする場合において、溝35
〜37は数μmの深さに加工する必要があるが深く加工
すると必然的に第5図(h)のように溝と垂直方向に凹
凸が生じる。これは加工していくと溝が深くなった場合
、リスバッタリングなどの現象によって溝が横方向に拡
がる傾向があるためである。このような修正結果を露光
転写すると第5図(C) K示すごとく周辺に凹凸のあ
るパターンを生じてしまう。これを防ぐための第5図(
d)のように加工溝と垂直な方向に加工部の両側に、加
工溝40゜41を形成することにより、第5図(#)の
ように矩形で、且つ凹凸のない転写結果を得ることがで
きる。
第6図は別の実施例であり、白点欠陥の修正を行う際、
溝でなく、穴加工を行うものである。
溝でなく、穴加工を行うものである。
この場合において、第6図(α)のように格子状に加工
穴を配置すると、配置の規則性の為、光が特定方向に回
折、透過し、遮光性を減することが多い。第6図(h)
、第6図<c>はそれを防ぐためのもので、第6図(b
)においては、−行毎に穴位置をずらせることにより1
回折の効果を減じている。第6図(C1は格子点上のラ
ンダムな位置に穴を配置することに規則性を減じて回折
、透過の効果を減じるものである。
穴を配置すると、配置の規則性の為、光が特定方向に回
折、透過し、遮光性を減することが多い。第6図(h)
、第6図<c>はそれを防ぐためのもので、第6図(b
)においては、−行毎に穴位置をずらせることにより1
回折の効果を減じている。第6図(C1は格子点上のラ
ンダムな位置に穴を配置することに規則性を減じて回折
、透過の効果を減じるものである。
第7図(α)は加工穴の形状を円でなく、三角形にする
ことKより、対称性を減じて8回折、透過の効果を減ら
したものである。この場合穴形状として、第7図(b)
菱形、第7図(C)星形、第7図(d)五角形など様々
の形状を用いることができる。
ことKより、対称性を減じて8回折、透過の効果を減ら
したものである。この場合穴形状として、第7図(b)
菱形、第7図(C)星形、第7図(d)五角形など様々
の形状を用いることができる。
更に第8図は穴径の大きいものと小さいものとを交互に
配列することにより、散乱の効果を高めたものである。
配列することにより、散乱の効果を高めたものである。
第9図は加工穴、加工溝の断面を示すものであるが、第
9図(α)に示すよ5に深い穴と浅い穴を交互に配置す
ることKより、光の散乱の効果を高めることができる。
9図(α)に示すよ5に深い穴と浅い穴を交互に配置す
ることKより、光の散乱の効果を高めることができる。
第9図<b>は深さを大、中、小と多段階に変化させて
配列したもので、さらに高い遮光効果を有するものであ
る。
配列したもので、さらに高い遮光効果を有するものであ
る。
第10図はガラス基板の両側から加工を行うことにより
、更に散乱の効果を高めたものである。第10図+4)
は上下同じ位置に溝加工・穴加工を行うものであり、第
1θ図<h)は上工具なる位置に溝加工を行うことによ
り、遮光効果をさらに増したものである。
、更に散乱の効果を高めたものである。第10図+4)
は上下同じ位置に溝加工・穴加工を行うものであり、第
1θ図<h)は上工具なる位置に溝加工を行うことによ
り、遮光効果をさらに増したものである。
以上の様に加工穴、加工溝の形状・深さ・配置に変化を
与えることKより、特定方向へ光が透過あるいは回折す
ることを防ぎ、これKより光の散乱効果を高めて、白点
欠陥を有効に修正することができる。
与えることKより、特定方向へ光が透過あるいは回折す
ることを防ぎ、これKより光の散乱効果を高めて、白点
欠陥を有効に修正することができる。
以上説明したよ5に本発明化よれば、十分な遮光性と修
正パターン精度を有するようにイオンビームによりフォ
トマスクの白点欠陥を修正することができる作用効果を
奏する。
正パターン精度を有するようにイオンビームによりフォ
トマスクの白点欠陥を修正することができる作用効果を
奏する。
第1図は本発明に係る集束イオンビームによるフォトマ
スク白点欠陥修正装置の概略構成を示す図、第2図はこ
れによる白点欠陥の修正方法を示す図、第3図及び第4
図はこれによる白点欠陥。 修正例を示す図、第5図は白点修正において修正部の周
囲の凹凸を除去する方法を示す図、第6図は加工穴の配
列を変化させた実施例を示した図。 第7図は加工穴の形状を変化させた実施例を示した図、
第8図は加工穴の穴径を変化させた実施例を示した図、
第9図は穴深さを変化させた実施例を示した図、第10
図はフォトマスクの基材であるガラス基板の上下から加
工を行った実施例を示した園、第11図はフォトマスク
の欠陥例を示した図である。 1・・・制御装置、17・・・レンズ電極。 18・・ブランキング電極。 20・・・偏向電極、30・・・ガラス基板。 31・・・パターン。 6 ゛
スク白点欠陥修正装置の概略構成を示す図、第2図はこ
れによる白点欠陥の修正方法を示す図、第3図及び第4
図はこれによる白点欠陥。 修正例を示す図、第5図は白点修正において修正部の周
囲の凹凸を除去する方法を示す図、第6図は加工穴の配
列を変化させた実施例を示した図。 第7図は加工穴の形状を変化させた実施例を示した図、
第8図は加工穴の穴径を変化させた実施例を示した図、
第9図は穴深さを変化させた実施例を示した図、第10
図はフォトマスクの基材であるガラス基板の上下から加
工を行った実施例を示した園、第11図はフォトマスク
の欠陥例を示した図である。 1・・・制御装置、17・・・レンズ電極。 18・・ブランキング電極。 20・・・偏向電極、30・・・ガラス基板。 31・・・パターン。 6 ゛
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、集束イオンビームによりフォトマスクの白点欠陥部
のガラス基板部を照射して、ガラス基板部に多数の溝加
工または穴加工を行い、これにより光を散乱させるよう
にして、白点欠陥修正を行う方法において、加工穴また
は加工溝の配列または溝幅または穴径または深さ、また
は断面形状等を変化させて形成することにより、高い遮
光性を得るようにしたことを特徴とするイオンビームに
よるフォトマスクの白点欠陥修正方法。 2、加工領域の周囲に縁どりを行う加工溝を形成するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のイオンビー
ムによるフォトマスクの白点欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61079910A JPS62237454A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | イオンビ−ムによるフオトマスクの白点欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61079910A JPS62237454A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | イオンビ−ムによるフオトマスクの白点欠陥修正方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62237454A true JPS62237454A (ja) | 1987-10-17 |
Family
ID=13703440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61079910A Pending JPS62237454A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | イオンビ−ムによるフオトマスクの白点欠陥修正方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62237454A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5350649A (en) * | 1988-11-22 | 1994-09-27 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
JP2005517996A (ja) * | 2002-02-20 | 2005-06-16 | ユーシーエルティ リミテッド | 欠陥フォトマスクを修理するための方法およびシステム |
JP2010227615A (ja) * | 2003-05-28 | 2010-10-14 | Acufocus Inc | 可視性の回折模様を生成せずに栄養素伝達を維持するように構成されたマスク |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55150225A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Hitachi Ltd | Method of correcting white spot fault of photomask |
-
1986
- 1986-04-09 JP JP61079910A patent/JPS62237454A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55150225A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Hitachi Ltd | Method of correcting white spot fault of photomask |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6458497B2 (en) | 1988-11-22 | 2002-10-01 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
US5350649A (en) * | 1988-11-22 | 1994-09-27 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
US5830606A (en) * | 1988-11-22 | 1998-11-03 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
US5948574A (en) * | 1988-11-22 | 1999-09-07 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
US6106981A (en) * | 1988-11-22 | 2000-08-22 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
US6420075B1 (en) | 1988-11-22 | 2002-07-16 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
US5484671A (en) * | 1988-11-22 | 1996-01-16 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
US6548213B2 (en) | 1988-11-22 | 2003-04-15 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
US7008736B2 (en) | 1988-11-22 | 2006-03-07 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device fabrication method using a mask having a phase shifting film covering region and an opening region |
US6733933B2 (en) | 1988-11-22 | 2004-05-11 | Renesas Technology Corporation | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
JP2005517996A (ja) * | 2002-02-20 | 2005-06-16 | ユーシーエルティ リミテッド | 欠陥フォトマスクを修理するための方法およびシステム |
JP4711251B2 (ja) * | 2002-02-20 | 2011-06-29 | カールツァイス エスエムエス リミテッド | 欠陥フォトマスクを修理するための方法およびシステム |
JP2010227615A (ja) * | 2003-05-28 | 2010-10-14 | Acufocus Inc | 可視性の回折模様を生成せずに栄養素伝達を維持するように構成されたマスク |
US9138142B2 (en) | 2003-05-28 | 2015-09-22 | Acufocus, Inc. | Masked intraocular devices |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100925939B1 (ko) | 결함 검사 장치 및 결함 검사 방법 | |
KR910007533B1 (ko) | X선 마스크의 결함 수정 방법 및 그 장치 | |
JP4480001B2 (ja) | ムラ欠陥検査マスク、ムラ欠陥検査装置及び方法、並びにフォトマスクの製造方法 | |
EP1261752A1 (en) | Method and apparatus for repairing lithography masks using a charged particle beam system | |
KR100501089B1 (ko) | 다이아몬드 또는 원석에 다수의 홈을 이용하여 마크를 형성하는 방법 및 장치 | |
JPS627540B2 (ja) | ||
JPH0557020B2 (ja) | ||
JPS62237454A (ja) | イオンビ−ムによるフオトマスクの白点欠陥修正方法 | |
JP2008244361A (ja) | プリント基板のレーザ加工方法 | |
JPS59208830A (ja) | イオンビ−ム加工方法およびその装置 | |
KR20000003722A (ko) | 포토마스크의 결함 수리 방법 | |
JPH04301616A (ja) | 液晶表示装置および液晶表示装置の欠陥修正方法 | |
KR100363090B1 (ko) | 개구부용 포토마스크의 불투명 결함 수리 방법 | |
JP3396548B2 (ja) | 欠陥部位置合せ方法 | |
JPH0462457A (ja) | 表面状態検査装置 | |
JP4112842B2 (ja) | マスクの欠陥修正方法 | |
KR100298175B1 (ko) | 포토마스크제조방법 | |
JP2777801B2 (ja) | 集束イオンビーム装置におけるパターン膜修正方法 | |
JP3240730B2 (ja) | イオンビーム装置、及びイオンビーム装置による加工条件表示方法 | |
JPH07105321B2 (ja) | イオンビ−ム加工方法およびその装置 | |
JPH0922110A (ja) | 荷電ビーム処理方法及びその装置並びにフォトマスクの加工方法及びその装置 | |
JPH0334577B2 (ja) | ||
JPS63301952A (ja) | イオンビーム加工方法およびその装置 | |
JPS6339894B2 (ja) | ||
JPS61123843A (ja) | 集束イオンビ−ムを用いたマスク修正装置 |