JPS60182725A - 電子線露光用テストパタ−ン - Google Patents
電子線露光用テストパタ−ンInfo
- Publication number
- JPS60182725A JPS60182725A JP59037933A JP3793384A JPS60182725A JP S60182725 A JPS60182725 A JP S60182725A JP 59037933 A JP59037933 A JP 59037933A JP 3793384 A JP3793384 A JP 3793384A JP S60182725 A JPS60182725 A JP S60182725A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- resist film
- scales
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は電子線か１ｆ光用テストパターン、詳しくは電
子線露光のシーケンシャル（時系的）な変化をみるため
の凶１光部とそのまわりの１」盛（スケール）からなる
テストパターンに関する。
子線露光のシーケンシャル（時系的）な変化をみるため
の凶１光部とそのまわりの１」盛（スケール）からなる
テストパターンに関する。
（２）技術の背景
半導体装置の製造工程においては、例えばウェハにレジ
ストを塗布し、このレジストを露光、現（象しくレジス
ト１１襲のバターニング）、シかる後にウェハに対しエ
ツチング等の工程がなされる。従来レジスト股の露光に
はマスクを通し光を照射することが行われたが、集積回
路の微細化の要請に応じるためにパターンをザブミグ１
コンのオーダーの微細なものに形成する必要があり、そ
のような微細パターンの露光には電子線（ＥＢ）が用い
られるようになっている。
ストを塗布し、このレジストを露光、現（象しくレジス
ト１１襲のバターニング）、シかる後にウェハに対しエ
ツチング等の工程がなされる。従来レジスト股の露光に
はマスクを通し光を照射することが行われたが、集積回
路の微細化の要請に応じるためにパターンをザブミグ１
コンのオーダーの微細なものに形成する必要があり、そ
のような微細パターンの露光には電子線（ＥＢ）が用い
られるようになっている。
第１図の平面図を参照゛Ｊ−ると、ＩＬ面はウェハの表
面に対応し、ウェハ上にレシス日央１が形成されている
。このレジスト股に図に符号２で示す方形のパターンを
しｈ光する場合を例にとると、現在の１津装置を用いて
１４ Ｂを）１．＠射するときには、装置の関係でパタ
ーン２を一時に露光することばできず、符号３で示ず方
形をＥＢの１照射（ショット）で照射することを繰り返
す。ずなわら、かかる照射を図に点線と矢印で示す如く
ａ点で開始し、ｂ点を経て０点に至り、０点で折り返し
て既に照射した部分の上を前とは逆方向に一照射ずつ照
射し、パターン２を小パターン３ですべて埋めるよう照
射する。勿論、露光順序には図以外の変化も考えられる
かＷ本釣には本例と同じであり、それら各々にあった考
え方をすると良い。
面に対応し、ウェハ上にレシス日央１が形成されている
。このレジスト股に図に符号２で示す方形のパターンを
しｈ光する場合を例にとると、現在の１津装置を用いて
１４ Ｂを）１．＠射するときには、装置の関係でパタ
ーン２を一時に露光することばできず、符号３で示ず方
形をＥＢの１照射（ショット）で照射することを繰り返
す。ずなわら、かかる照射を図に点線と矢印で示す如く
ａ点で開始し、ｂ点を経て０点に至り、０点で折り返し
て既に照射した部分の上を前とは逆方向に一照射ずつ照
射し、パターン２を小パターン３ですべて埋めるよう照
射する。勿論、露光順序には図以外の変化も考えられる
かＷ本釣には本例と同じであり、それら各々にあった考
え方をすると良い。
前記した如くに集積回路が微細化されると、パターン２
の輪郭が問題になる、ずなわぢパターンの周辺が設計値
通りとなっているかどうかが重要になる。ＢｕＮ光にお
いてばｕＢを大エネルギーでレジスト族に打ち当てるの
であるが、ｔＪち込んだＨＢよりも、それの反応として
現れる二次電子、熱、チャージアップ（電荷蓄積）が問
題で、これらが照射された部分の隣にあるレジストに反
応し、あるいはＥＢの４ｉｆｔ道を曲げる。特に打ち込
んだ１ミ１３の大部は熱となって打ち込んだ部分のまわ
りに拡がる。
の輪郭が問題になる、ずなわぢパターンの周辺が設計値
通りとなっているかどうかが重要になる。ＢｕＮ光にお
いてばｕＢを大エネルギーでレジスト族に打ち当てるの
であるが、ｔＪち込んだＨＢよりも、それの反応として
現れる二次電子、熱、チャージアップ（電荷蓄積）が問
題で、これらが照射された部分の隣にあるレジストに反
応し、あるいはＥＢの４ｉｆｔ道を曲げる。特に打ち込
んだ１ミ１３の大部は熱となって打ち込んだ部分のまわ
りに拡がる。
かくしてＥＢの照射があるとレジス）・に対し広範囲に
その効果が現れて、例えばまだ熱をもっているレジスト
に１４８を１１（１射すると設定通りのパターンが得ら
れず、パターン輪郭の不揃い（差）となって現れる。
その効果が現れて、例えばまだ熱をもっているレジスト
に１４８を１１（１射すると設定通りのパターンが得ら
れず、パターン輪郭の不揃い（差）となって現れる。
（３）従来技術と問題点
かかる８Ｂの照射の効果に対応するための研究がなされ
ている。例えば照射の時間ファクタ（要素）を示す第２
図の線図を参照すると、上のレヘルは０Ｎ（１：Ｂ照射
）、下のレヘルは叶１１の状態を小し、ＯＮの時間は常
に一定であるが、ＯＦＦの時間は位置合せの如き装置の
制御系によって決められる可変なものである。
ている。例えば照射の時間ファクタ（要素）を示す第２
図の線図を参照すると、上のレヘルは０Ｎ（１：Ｂ照射
）、下のレヘルは叶１１の状態を小し、ＯＮの時間は常
に一定であるが、ＯＦＦの時間は位置合せの如き装置の
制御系によって決められる可変なものである。
第１図に力°１似の第３図を参照すると、従来ばウェハ
に対する工程（ウェハプロセス）が開始する前に行われ
る立上げ実験において露光部１２を露光し現像して、レ
ジストの残りの状態を検査してきた。
に対する工程（ウェハプロセス）が開始する前に行われ
る立上げ実験において露光部１２を露光し現像して、レ
ジストの残りの状態を検査してきた。
なお第３図において、１１はレジスト膜、１３は残りレ
ジストを示す。すなわち、レジスト膜１１にパターン１
２を抜くとして、残りレジスト１３の状態を検査するの
である。なおＥＢｊｌ光は第１図を参照して説明した場
合と全く同様に行うものであり、露光１；１−のレジス
トを抜（か残すかばレジストの４ｆｔ Ｉｎによって定
まる。
ジストを示す。すなわち、レジスト膜１１にパターン１
２を抜くとして、残りレジスト１３の状態を検査するの
である。なおＥＢｊｌ光は第１図を参照して説明した場
合と全く同様に行うものであり、露光１；１−のレジス
トを抜（か残すかばレジストの４ｆｔ Ｉｎによって定
まる。
残りレジスト１３の図に見て左端の＜Ｈ２Ｎ分の量が止
歯な露光が行われた場合を示すとして、右の方の残りレ
ジストが少ない部分でば、前記した二次電子、熱、チャ
ージアンプの影響で所望のパターンよりも拡がったパタ
ーンが作られ、パターンに差がある。この残りレジスト
１３の状態を調べるために写真を撮影したり４θ！微鏡
で目視するときに、なんらかの１」盛がないと、何番１
」の照射でいかなる効果があったかを判定することがで
きない。一般にはパターンの横に目盛（スケール）を置
き、それで上記の事項を判定していたが、それは難しい
工程を含み時間がかかる問題がある。
歯な露光が行われた場合を示すとして、右の方の残りレ
ジストが少ない部分でば、前記した二次電子、熱、チャ
ージアンプの影響で所望のパターンよりも拡がったパタ
ーンが作られ、パターンに差がある。この残りレジスト
１３の状態を調べるために写真を撮影したり４θ！微鏡
で目視するときに、なんらかの１」盛がないと、何番１
」の照射でいかなる効果があったかを判定することがで
きない。一般にはパターンの横に目盛（スケール）を置
き、それで上記の事項を判定していたが、それは難しい
工程を含み時間がかかる問題がある。
（４）発明の１」的
本発明は上記従来の問題に鑑み、ｔＥＢｉ１６光を受け
るレジストのパターニングを８１’ ｆ曲するヲースト
パターンにおいて、二次電子、熱、チャージアップの効
果をみる際に、顕微鏡観察だりで容易に１’Ｉ！Ｉ ｌ
ｉＬ！効果を１ｉｆｌｌＩＩｉすることが可ｆｉヒなテ
ストパターンを提供することを目１′白とする。
るレジストのパターニングを８１’ ｆ曲するヲースト
パターンにおいて、二次電子、熱、チャージアップの効
果をみる際に、顕微鏡観察だりで容易に１’Ｉ！Ｉ ｌ
ｉＬ！効果を１ｉｆｌｌＩＩｉすることが可ｆｉヒなテ
ストパターンを提供することを目１′白とする。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、レシス日模のパター
ニングにおける電子線照射の効果を評価するための露光
部の少なくとも一辺に沿う目盛を前記レジスト）模に形
成してなることを特徴とする電子線露光用パターンを提
供することによって達成される。
ニングにおける電子線照射の効果を評価するための露光
部の少なくとも一辺に沿う目盛を前記レジスト）模に形
成してなることを特徴とする電子線露光用パターンを提
供することによって達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって訂説する。
テストパターンの露光部が第３図に示した場合の如く方
形の場合を第４図に示し、第４図において第３図に示し
た部分と同じ部分は同一符号を付して表ンＪくする。
形の場合を第４図に示し、第４図において第３図に示し
た部分と同じ部分は同一符号を付して表ンＪくする。
ｈ・露光部１２のまわりに目盛１４を配置する。この目
盛１４ハ、レジストを露光部１２の露光の前または後ニ
１４＋３露光し、続いてか露光部と一緒に現像すること
によって形成可能であり、それはシミ先部１２と同様に
レジストを抜くことによって作られる。逆に１ｈ光部１
２か残存するものであれば目盛１４は残るものとし゛（
作る。目盛１４は、［Ｂの各照射（ショット）の寸法に
合せても、またはミクロン（μｍ）単位で形成してもよ
い。
盛１４ハ、レジストを露光部１２の露光の前または後ニ
１４＋３露光し、続いてか露光部と一緒に現像すること
によって形成可能であり、それはシミ先部１２と同様に
レジストを抜くことによって作られる。逆に１ｈ光部１
２か残存するものであれば目盛１４は残るものとし゛（
作る。目盛１４は、［Ｂの各照射（ショット）の寸法に
合せても、またはミクロン（μｍ）単位で形成してもよ
い。
露光部１２を抜くとして、残りレジスト１３の状態は、
目盛のどこで補正が必要がか顕微鏡による目視で直ちに
判定可能となり、その評１＋ｌＩｉをＥＢ装置にフィー
トハックすることにより、パターン差が許容範囲内に留
まるパターンが得られ、実験とそれの評価が容易になさ
れ、前記した如く、目盛は露光部１２の照射に用いるＥ
Ｂ照射と現像とによゲＣ形成可能であるので工程上特に
問題はない。
目盛のどこで補正が必要がか顕微鏡による目視で直ちに
判定可能となり、その評１＋ｌＩｉをＥＢ装置にフィー
トハックすることにより、パターン差が許容範囲内に留
まるパターンが得られ、実験とそれの評価が容易になさ
れ、前記した如く、目盛は露光部１２の照射に用いるＥ
Ｂ照射と現像とによゲＣ形成可能であるので工程上特に
問題はない。
なお以上の説明ばウェハプロセス開始前の実験に関係し
て説明したが、本発明の適用範囲はその場合に限定され
るものでなく、ウェハプロセスの行われているウコニハ
のバッチのいずれか一つにかかるテストパターンを設け
ておくと、生産性・理の面からも有効である。
て説明したが、本発明の適用範囲はその場合に限定され
るものでなく、ウェハプロセスの行われているウコニハ
のバッチのいずれか一つにかかるテストパターンを設け
ておくと、生産性・理の面からも有効である。
また上記ばウェハ上に塗布されたレジスト膜のバターニ
ングに関して説明したが、本発明はマスク上に塗布され
たレジスト膜のパターニングの場合にも及ぶものであり
、またレジストはポジ型、ネガ型を問わない。
ングに関して説明したが、本発明はマスク上に塗布され
たレジスト膜のパターニングの場合にも及ぶものであり
、またレジストはポジ型、ネガ型を問わない。
（７）発明の効果
以上詳細に説明した如く本発明によれば、しＢ４先のシ
ーケンシャルな変化をみるためのテストパターンにおい
て、露光部のまわりに目盛を設りることによってどの皿
ショットにおいてレジスト残りが多いかを目視しただけ
で評価でき、それにＥＢ装置のクロックを組み合せるこ
とにより、各ショットの並び方およびＯＮ、 ＯＦＩ＋
の時間ファクタが同時に、かつ、容易に８１１ｄ査・調
整でき、微細パターンを設計通りに形成するに効果があ
る。
ーケンシャルな変化をみるためのテストパターンにおい
て、露光部のまわりに目盛を設りることによってどの皿
ショットにおいてレジスト残りが多いかを目視しただけ
で評価でき、それにＥＢ装置のクロックを組み合せるこ
とにより、各ショットの並び方およびＯＮ、 ＯＦＩ＋
の時間ファクタが同時に、かつ、容易に８１１ｄ査・調
整でき、微細パターンを設計通りに形成するに効果があ
る。
なお図承の例で目盛は血先部を囲む如くに設けたが、場
合によってはその１辺または２辺に沿ってのみ設けても
よい。
合によってはその１辺または２辺に沿ってのみ設けても
よい。
第１図はｃＢ＆’ｏ光によるバクーン照射を示す平面図
、第２図はＩｉＢソヨソトの時間ファクタを示す線図、
第３図は従来のテストパターンの平面図、第４１ン１は
本発明にかかるテストパターンの平面図である。
、第２図はＩｉＢソヨソトの時間ファクタを示す線図、
第３図は従来のテストパターンの平面図、第４１ン１は
本発明にかかるテストパターンの平面図である。
Claims (1)
- レジス日史のバターニングにおける電子線照射の９ノ泉
をｉｉｆ価するだめの露光部の少なくとも一辺に沿う目
盛を前記レジストｌＩｇＪに形成してなることを特徴と
する電子線露光用パターン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59037933A JPS60182725A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 電子線露光用テストパタ−ン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59037933A JPS60182725A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 電子線露光用テストパタ−ン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60182725A true JPS60182725A (ja) | 1985-09-18 |
Family
ID=12511355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59037933A Pending JPS60182725A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 電子線露光用テストパタ−ン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60182725A (ja) |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP59037933A patent/JPS60182725A/ja active Pending
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