JPS6074525A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｌ）発明の技術分野 本発明は半導体装置の製造方法に関し、更に詳しくは現
像レジストパターンの適正度を極めて容易に判別し、正
確に転写されたパターンを得るようＣ二した半導体装置
の製造方法に関する。

２）技術の背景 半導体装置の製造におけるホトエツチング工程において
は、ワーキングマスクを、ウェーハに塗布したホトレジ
ストに転写する。この転写はホトマスクの位置合わせ、
密着又は投影による紫外線露光お工び現像からなる。こ
の露光・現像において得られたレジスト画偉がワーキン
グマスクのパターンを正確ｉ：反映しているかどうかが
問題となる０ ３）従来技術と問題点 ホトエツチング工程において無光時間が適正であるか否
か全チェックすることは、ホトレジストにワーキングマ
スクが正確に転写されているか否かという点エフ極めて
重要なことである。すなわち、露光時間が適正時間↓り
も短い場合光の回折等の現象より所望レジスト画像より
も大きくなり、一方路光時間が適正時間よりも長い場合
所望レジスト画像エフも小さくなる。従って、露光時間
が適正でない場合、レジスト線幅離し再度位置合わせ、
露光お工び現像を行なわなければならず、このため多大
の時間的ロスが生じることとなる。

従来、ｊ１光時間が適正であるか否かを判別するために
はホトマスク内のチップ形成パターン間のライン上にＬ
字形の測長パターン全般け、このパターンが転写された
現像レジストパターン金側長話および顕微鏡を用い実際
測長を行−てい７ｔｏこのような測定を伴なう顕微鏡検
査は相当の時間を強要するものである。従って、このよ
うな検査ｌ二伴う時間を短縮しエフ簡便な方法で、得ら
れたレジストパターンの適正露光度を判定しより精度の
高いＩＣパターンを得る方法が望まれていた。

（３） ４）発明の目的 本発明は、現像レジストノくターンの露光適正度を簡便
かつ瞬時に判定しプロセスの効率化を高めうる半導体装
置の製造方法を提供することをその目的とする０ ５）発明の構成 かかる目的達成のため、本発明は少なくとも３個のパタ
ーンから構成される下記の寸法チェック用パターンを有
するマスクを使用してレジストに対し露光を行ない、露
光後レジストを現像し寸法チェック用レジストパターン
を得、このレジストパターンを顕微鏡を用いて観察し露
光の適正度を判断する工程を有することを特徴とするも
のであり、前記寸法チェック用パターンは（１）マスク
の一側からマスクの他１ＱＩＩｌ：、向って延びる第一
ノ（ターン、（２）該マスクの前記−側から前記他側１
：回って第一パターンと平行に延びる第二パターン、お
よび（３）該マスクの前記他側から前記第一ノ（ターン
と第二パターンとの間の間隙内に向って前記第一）くタ
ーン及び第二パターンと平行Ｃ：延びる第三ノくターン
（４） とからなり、前記第一パターンの先端辺部が第二パター
ンの先端辺部よシも一定距離αだけマスクの前記他側に
近接した位置Ｃ二あり、前記第三パタク、プロセスで予
め決められている値である）の位置だけマスクの一側に
あることを特徴とする０すなわち、本発明はホトマスク
の製品となるべき領域外の個所、例えばホトマスクの片
隅に前述の３個のパターンから構成される寸法チェック
パターンを形成し、このパターンを利用し露光秒数によ
ってレジスト線幅が許容範囲内に入−でいるか否かをチ
ェックせんとするものである。つまり、本発明は露光の
進行に従って得られるレジストノくターンはエツジ全体
を残しレジスト側に縮少する方向に進むのであるが、上
記寸法チェックパターンを利用したレジストパターンに
おけるピッチαが一足であることを利用したものである
。

以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する〇 ６）発明の実施例 ホトマスク１の必要パター７領域外、例えばホトマスク
の片隅に矩形の第一パターン２％矩形の第二パターン３
、お工び矩形の第三パターン４から構成される寸法制御
チェックパターンｃ以下、チェックパターンという）Ａ
ｔ−形成する。このチェックパターンＡは、例えば電子
ビーム描画性１：エジレチクル作製時において同時に作
成することができる０ 寸法チェックパターンを構成する第一パターン２と第二
パターン３は双方ともマスクの一側からマスクの他側に
向って平行ａ；延びており、該第−パターン２の先端辺
部２ａ扛第二パターン３の先端辺部３ａよりも一定距離
αだけマスクの他側に近接して位置している０この一定
距離αの上限値はＩＣ設計上必然的に定められる値であ
り、その下限値は顕微鏡によＶ第一パターン２の先端辺
部２ａと第二パターン３の先端辺部３ａの差が可視でき
る値である。従って、仁の上限値と下限値Ｃ二間にある
範囲が許容範囲となる。上記一定距離α、換言すれは許
容範囲αは露光時間に依存せず一定である。

第一パターン２と第二パターン３との間には、マスクの
前記他側から一方側に第一パターン及び第二パターンと
平行に（又は＃１ぼ平行にト延びる第三パターン４が更
に前記マスクＡに設けられてα いる。更に第三パターン４の先端辺部４ａは−＋２βＣ
βは露光シフトである）の位置だけマスクの一四にある
。

このような位置関係を有するマスクＡ（又はレチクル）
を用いてホトレジストに対し露光時間を３通り変化させ
紫外線露光を行い、次いで現像を行い現像レジストパタ
ーン（第３〜５図）を得る０すなわち、第一パターン２
に対応して第一レシストパターン５．５’、５”、第二
パターン３に対応して第ニレジストパターン６．６’、
６”、およヒ第三パターンに対応して第三レジストパタ
ーン７゜７′１７”　を得る。

今、露光時間が適正露光時間りりも短かい場合、すなわ
ち露光不足である場合第三レジスタパター（７） ン７の先端辺部７ａは許容範囲αから外れ第ニレジスト
パターン６側に位置するＣ第３図）。これはｇ光時間が
短かく得られるレジストパターン５゜６．７の縮少値が
予じめ定められた縮少値β工９も少さいことに起因する
。

露光時間が適正な結党時間内にある場合、第三レジスト
パターン７′の先端辺部７’ａは許容範囲α内に存在す
る。つまり必要な露光シフトが許容範囲内Ｉ：入ってい
ることを示している。

露光時間が適正露光時間エフも過剰である場合、第三レ
ジストパターン７”の先端辺部７“ａは許容範囲α外に
あり第一レジストパターン５”　お工び第ニレジストパ
ターン６″　エフ隔った位置にある０７）発明の効果 本発明は以上の説明から明らかなようにマスク内に少な
くとも三個のパターンからなる寸法チェック用パターン
を形成し、該マスクを用いて露光・現像を行なうように
構成しｋものであるから、顕微鏡観察だけで必要な露光
シフトが入−ているかどうか、つ′１り露光時間が適正
であったか否かを（８） 瞬時に判断し得る効果を奏する。従−て、ＩＣプロセス
において全体の作業時間の短縮化・能率化を図ることが
可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図は第１
図の部分拡大図、 第３図は露光不足の場合のレジストパターンを示す平面
図。 第４図は適正露光の場合のレジストパターンを示す平面
図、および 第５図は露光過剰の場合のレジストパターンを示す平面
図である。 １・・・・・・マスク、２，３．４・・・・・・パター
ン。 Ａ・・・・・・寸法チェック用パターン。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、少なくとも次の三個のパターン： （１）マスクの一側からマスクの他＠ｌ二向って延びる
   第一パターン、（２）該マスクの前記−関から前記他側
   に向って第一パターンと平行Ｉ：延びる第二パターン、
   および（３）　＃マスクの前記他側から前記第一パター
   ンと第二パターンとの間の間隙内に向って前記第一パタ
   ーン及び第二パターンと平行に延びる第三パターンとか
   らなり、前記第一パターンの先端辺部が第二パターンの
   先端辺部よりも一定距離αだけマスクの前記他側に近接
   した位置にあは露光シフトである）の位置だけマスクの
   一側書−ある。 からなる、寸法チェック用パターンを有するマスクを使
   用してレジストに対し露光を行ない、露光後レジストを
   現像し寸法チェック用レジストパターンを得、このレジ
   ストパターンを顕微鏡により観察し露光の適正度を判断
   する工程を有することを特徴とする、半導体装置の製造
   方法。