JPS63281439A - 焼き付けずれチェック方法 - Google Patents
焼き付けずれチェック方法Info
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- JPS63281439A JPS63281439A JP62116316A JP11631687A JPS63281439A JP S63281439 A JPS63281439 A JP S63281439A JP 62116316 A JP62116316 A JP 62116316A JP 11631687 A JP11631687 A JP 11631687A JP S63281439 A JPS63281439 A JP S63281439A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 title abstract description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 21
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は焼き付けずれチェック方法であって、隣り合う
焼き付けパターン夫々に第1.第2のチェックパターン
を重なり合うよう設け、上記第1゜第2のチェックパタ
ーンを構成する第1〜第4の矩形の間の長さを比較する
ことにより焼きfJlプずれの方向及び量を筒中にチェ
ックJる。
焼き付けパターン夫々に第1.第2のチェックパターン
を重なり合うよう設け、上記第1゜第2のチェックパタ
ーンを構成する第1〜第4の矩形の間の長さを比較する
ことにより焼きfJlプずれの方向及び量を筒中にチェ
ックJる。
本発明は焼き伺1ノずれチェック方法に関し、特にレヂ
クル、マスターマスクを焼き付ける際の隣り合う焼き付
けパターン間のずれをチェックする方法に関する。
クル、マスターマスクを焼き付ける際の隣り合う焼き付
けパターン間のずれをチェックする方法に関する。
半導体集積回路製造時のフォトエツヂングで用いられる
フォトマスクの製造は、 (1) レチクルの作製 ■ マスターマスクの作製 G ワーキングマスクの作製 の順に行なわれる。
フォトマスクの製造は、 (1) レチクルの作製 ■ マスターマスクの作製 G ワーキングマスクの作製 の順に行なわれる。
レチクルの作製を細い光の点をコンピュータ制御で露光
用データに従ってx−Y方向に動かし乾板に焼き付ける
パターンジェネレータにより行なう場合には、設81デ
ータを露光用データに変更する処理の高速化、パターン
ジェネレータの焼き付け可能な面積の限界等の理由で、
レチクルを分割してその各部分パターンを順次焼き付【
ノる方法がとられる。この場合、レチクルの各部分パタ
ーン間で焼き付けずれが生じないことが要望される。
用データに従ってx−Y方向に動かし乾板に焼き付ける
パターンジェネレータにより行なう場合には、設81デ
ータを露光用データに変更する処理の高速化、パターン
ジェネレータの焼き付け可能な面積の限界等の理由で、
レチクルを分割してその各部分パターンを順次焼き付【
ノる方法がとられる。この場合、レチクルの各部分パタ
ーン間で焼き付けずれが生じないことが要望される。
また、ステップリピータを用いてレチクルを繰り返し乾
板に焼きf」けてマスターマスクを作製する際にも、半
導体集積回路が複数のフォトマスクを使用して製造され
るので、マスターマスク上の複数のレヂクル焼き付(プ
パターン間で焼き付けずれが生じないことが要望される
。
板に焼きf」けてマスターマスクを作製する際にも、半
導体集積回路が複数のフォトマスクを使用して製造され
るので、マスターマスク上の複数のレヂクル焼き付(プ
パターン間で焼き付けずれが生じないことが要望される
。
従来、レチクルの各部分パターン間の焼き付【ノずれは
、各部分パターンの境界において各部分パターンにまた
がる直線等のずれを検出することによって行なわれてい
る。
、各部分パターンの境界において各部分パターンにまた
がる直線等のずれを検出することによって行なわれてい
る。
また、従来、複数のレヂクル焼き付けパターン間の焼き
付けずれは、各レヂクル焼き付けパターン上の特定点間
の距1iltを測定することによって行なわれている。
付けずれは、各レヂクル焼き付けパターン上の特定点間
の距1iltを測定することによって行なわれている。
しかるに、レチクルの各部分パターンにまたがるX方向
及びY7’i向に延在する直線等をみつけることは困難
で各部分のX方向及びY方向のずれを測定することが困
難であり、このような直線がないとぎにはレチクルの各
部分間の焼きイ]けずれを検出できないという問題点が
ある。
及びY7’i向に延在する直線等をみつけることは困難
で各部分のX方向及びY方向のずれを測定することが困
難であり、このような直線がないとぎにはレチクルの各
部分間の焼きイ]けずれを検出できないという問題点が
ある。
また、各レヂクル焼きイ」けパターン上の特定点の距離
を測定するのは困何で、かつ誤差が大きく、X方向及び
Y方向の正確な焼き付けずれを検出するのが困難である
という問題点があった。
を測定するのは困何で、かつ誤差が大きく、X方向及び
Y方向の正確な焼き付けずれを検出するのが困難である
という問題点があった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、焼き付
けずれを簡単に検出でき、ずれ吊を正確に検出できる焼
き付けずれチェック方法を提供することを目的とする。
けずれを簡単に検出でき、ずれ吊を正確に検出できる焼
き付けずれチェック方法を提供することを目的とする。
本発明の焼き伺けずれチェック方法は、各辺がX方向及
びY方向に一致する第1の矩形(13)と、第1の矩形
(13)をX方向及ヒY方向とは5¥なる方向に重なる
ことなく平行移動した第2の矩形(14)とよりなる第
1のチェックパターン(11)を一方の焼きイ」【ツバ
ターン(10) にdよ(プ、 X方向又はY方向の直線を含む鏡映面に対する第1のチ
ェックパターンの鏡像又は鏡像と相似であり、第3の矩
形(23)及び第4の矩形(24)−眠 − とよりなる第2のチェックパターン(21)を第1のチ
ェックパターン(11)と噛み合い状態で重なり合うよ
う他方の焼き付けパターン(20)に設(プ、 第1乃至第4の矩形(13,14,23,24)夫々の
間の長さくX+ 、X2 、V+、V2 )を比較しC
一方及び他方の焼〆゛付けパターン(10゜20)相互
のX方向及びY方向のずれをチェックする。
びY方向に一致する第1の矩形(13)と、第1の矩形
(13)をX方向及ヒY方向とは5¥なる方向に重なる
ことなく平行移動した第2の矩形(14)とよりなる第
1のチェックパターン(11)を一方の焼きイ」【ツバ
ターン(10) にdよ(プ、 X方向又はY方向の直線を含む鏡映面に対する第1のチ
ェックパターンの鏡像又は鏡像と相似であり、第3の矩
形(23)及び第4の矩形(24)−眠 − とよりなる第2のチェックパターン(21)を第1のチ
ェックパターン(11)と噛み合い状態で重なり合うよ
う他方の焼き付けパターン(20)に設(プ、 第1乃至第4の矩形(13,14,23,24)夫々の
間の長さくX+ 、X2 、V+、V2 )を比較しC
一方及び他方の焼〆゛付けパターン(10゜20)相互
のX方向及びY方向のずれをチェックする。
本発明方法においては第1及び第2のチェックパターン
(11,21>の小なり具合により目視するだけで焼き
付けパターン(10,20)間のずれを検出でき、また
第1・〜第4の矩形(13゜14.23.24.)夫々
の間の長さくX+ 、X2 。
(11,21>の小なり具合により目視するだけで焼き
付けパターン(10,20)間のずれを検出でき、また
第1・〜第4の矩形(13゜14.23.24.)夫々
の間の長さくX+ 、X2 。
y+ 、 !1/2 )を測定して、X方向のずれ聞l
X+−X2 1/2.Y方向のずれff1l’/+ −
V2 l/2夫々を正確に(9ることができる。
X+−X2 1/2.Y方向のずれff1l’/+ −
V2 l/2夫々を正確に(9ることができる。
IQ −
〔実施例〕
第1図(A)、(B)は本発明の焼き付けずれチェック
方法を適用したレチクルの各部分の平面図を示す。
方法を適用したレチクルの各部分の平面図を示す。
ここで、レチクルはX方向にm列で、X7ノ向と直交す
るY方向にn行の部分に分割されるものとして、1列1
行(i、j夫々は1≦1≦m、 1≦、」≦nの整数)
の部分パターンについて、値(1」−j)が奇数のもの
を奇数部分パターン、値(i+j)が偶数のものを偶数
部分パターンと呼ぶ。
るY方向にn行の部分に分割されるものとして、1列1
行(i、j夫々は1≦1≦m、 1≦、」≦nの整数)
の部分パターンについて、値(1」−j)が奇数のもの
を奇数部分パターン、値(i+j)が偶数のものを偶数
部分パターンと呼ぶ。
偶数部分パターン10は第1図(Δ)に示す如く、四辺
10a、10b、10c、10d上に夫々、レチクルの
パターンと重ならない位置に第1チェックパターン11
が設けられている。
10a、10b、10c、10d上に夫々、レチクルの
パターンと重ならない位置に第1チェックパターン11
が設けられている。
第1チェックパターン11は第2図(A>に示す如く矩
形13.14より構成されている。矩形13は正方形で
その辺13a、13bはX方向。
形13.14より構成されている。矩形13は正方形で
その辺13a、13bはX方向。
Y方向と一致している。矩形14は矩形13と合同テア
リ、辺14a、14b夫々ハ辺13a。
リ、辺14a、14b夫々ハ辺13a。
13b夫々の延長上にあり、辺14−a、14bのなす
角は辺13a、13bのなす角と一致している。
角は辺13a、13bのなす角と一致している。
奇数部分パターン20は第1図(B)に示す如く、四辺
20a、20b、20c、2Od上に夫々レブクルのパ
ターンと重ならない位置に第2チエツクパターン21が
設けられている。第1図(B)の奇数部分20が第1図
(A)の偶数部分10の右隣りに辺10dと辺20bと
を重ねて焼き付(プられる場合には辺10d上の第1ヂ
1ツクパターンの位置に対応する辺20bの17に第2
チェックパターンが設(プられ、他の辺20a。
20a、20b、20c、2Od上に夫々レブクルのパ
ターンと重ならない位置に第2チエツクパターン21が
設けられている。第1図(B)の奇数部分20が第1図
(A)の偶数部分10の右隣りに辺10dと辺20bと
を重ねて焼き付(プられる場合には辺10d上の第1ヂ
1ツクパターンの位置に対応する辺20bの17に第2
チェックパターンが設(プられ、他の辺20a。
20G、206夫々においても第2チェックパターンは
隣接する奇数部分の第1チェックパターンと噛み合い状
態で重なり合う位置に設けられる。
隣接する奇数部分の第1チェックパターンと噛み合い状
態で重なり合う位置に設けられる。
第2ヂ■ツクパターン21は矩形23.24より構成さ
れている。第2チェックパターン21は第1チェックパ
ターン11の鏡像である。この場合の鏡映面はX方向又
はY方向の直線を含む面である。また、矩形23の辺2
3a、23b夫々はX方向、Y万−自失々と一致してい
る。
れている。第2チェックパターン21は第1チェックパ
ターン11の鏡像である。この場合の鏡映面はX方向又
はY方向の直線を含む面である。また、矩形23の辺2
3a、23b夫々はX方向、Y万−自失々と一致してい
る。
−7=
このため、例えば第1図(A)の偶数部分パターン10
の右隣りに第1図(B)の奇数部分パターン20を焼き
イ」け、更に偶数部分パターン10゜奇数部分パターン
20夫々の下方に奇数部分パターン20′、偶数部分パ
ターン10’夫々を焼き何番プだとき第3図に示す状態
となる。ここで例えば偶数部分パターン10と奇数部分
パターン20との間で焼き句けずれが生じると第1.第
2チェックパターン11.21は第4図に示す如くなり
、目視するだ()でずれを検出することができる。第4
図において、矩形23.14間ff1V+及び矩形13
.24間長y2を測定して比較すれば、yl〉y2の場
合に奇数部分20がY方向1方にずれ、ずれ量がlV+
−V21/2であることを検出できる。
の右隣りに第1図(B)の奇数部分パターン20を焼き
イ」け、更に偶数部分パターン10゜奇数部分パターン
20夫々の下方に奇数部分パターン20′、偶数部分パ
ターン10’夫々を焼き何番プだとき第3図に示す状態
となる。ここで例えば偶数部分パターン10と奇数部分
パターン20との間で焼き句けずれが生じると第1.第
2チェックパターン11.21は第4図に示す如くなり
、目視するだ()でずれを検出することができる。第4
図において、矩形23.14間ff1V+及び矩形13
.24間長y2を測定して比較すれば、yl〉y2の場
合に奇数部分20がY方向1方にずれ、ずれ量がlV+
−V21/2であることを検出できる。
また、矩形23.13間長さ×1及び矩形14゜24間
長さ×2を測定して比較すれば、X、<×2の場合に奇
数部分20がX方向左方にずれ、ずれRがlXl−X2
1/2であることを検出できる。
長さ×2を測定して比較すれば、X、<×2の場合に奇
数部分20がX方向左方にずれ、ずれRがlXl−X2
1/2であることを検出できる。
−a −
−8=
また、マスターマスク上にm列n行のレチクル焼き付け
パターンが設けられるとき、レチクルの部分と同様にし
て各レチクル焼きイ]lツバターンを奇数パターン、偶
数パターンと呼ぶ。
パターンが設けられるとき、レチクルの部分と同様にし
て各レチクル焼きイ]lツバターンを奇数パターン、偶
数パターンと呼ぶ。
偶数パターン30は第5図(A)に示す如くパターン3
0の各辺30a〜30dの外方に第1ブエツクパターン
11が設りられている。各第1チエツクパターン11の
辺13a、13b夫々はX方向、Y方向夫々と一致して
いる。
0の各辺30a〜30dの外方に第1ブエツクパターン
11が設りられている。各第1チエツクパターン11の
辺13a、13b夫々はX方向、Y方向夫々と一致して
いる。
奇数パターン31は第5図(B)に示す如くパターン3
1の各辺31a−316の外力に第2ヂ■ツクパターン
21が設(すられている。各第2チエツクパターン21
の矩形23の辺23a、23b夫々はX方向、Y方向人
々に一致している。
1の各辺31a−316の外力に第2ヂ■ツクパターン
21が設(すられている。各第2チエツクパターン21
の矩形23の辺23a、23b夫々はX方向、Y方向人
々に一致している。
各辺31a〜31dの外方に設けられた第2チェックパ
ターン21は相隣る偶数パターンの第1チェックパター
ンと対応する位置に設【プられる。
ターン21は相隣る偶数パターンの第1チェックパター
ンと対応する位置に設【プられる。
マスターマスク上では各レチクル焼きイ・目シバターン
は所定距離だけ離間して配置されるが、この場合にも偶
数パターンの第1チエツクパターンと相隣る奇数パター
ンの第2チエツクパターンとが第4図に示す如く重なり
、長さy+ 、V2 、X+ 。
は所定距離だけ離間して配置されるが、この場合にも偶
数パターンの第1チエツクパターンと相隣る奇数パター
ンの第2チエツクパターンとが第4図に示す如く重なり
、長さy+ 、V2 、X+ 。
×2夫々を測定及び比較して焼き付けずれを検出できる
。
。
なお、矩形13は長方形であっても良く、矩形14は上
記矩形13をX方向及び’l’7J向と責なる方向に矩
形13と重なることなく平行移動して得たものであって
も良く、上記実施例に限定されない。
記矩形13をX方向及び’l’7J向と責なる方向に矩
形13と重なることなく平行移動して得たものであって
も良く、上記実施例に限定されない。
上述の如く、本発明の焼き付けずれチェック方法によれ
ば、第1.第2のチェックパターンの重なり具合を目視
するだけで焼き付けずれを簡単に検出でき、また、第1
乃至第4の矩形夫々の間の長さによりX方向、Y方向夫
々のずれ歩を正確に検出でき、実用上ぎわめで有用であ
る。
ば、第1.第2のチェックパターンの重なり具合を目視
するだけで焼き付けずれを簡単に検出でき、また、第1
乃至第4の矩形夫々の間の長さによりX方向、Y方向夫
々のずれ歩を正確に検出でき、実用上ぎわめで有用であ
る。
第1図は本発明方法を適用したレチクルの各部分パター
ンの一実施例の平面図、 第2図はチェックパターンの平面図、 第3図は複数の部分パターンで構成されたレチクルを説
明するための図、 第4図はチェックパターンの重なり状態を示す図、 第5図は本発明方法を適用した各レチクル焼き付けパタ
ーンの一実施例の平面図である。 図において、 10.20は部分パターン、 11は第1チェックパターン、 13.14.23.24は矩形、 21は第2チェックパターン、 30.31はレチクル焼き付【プパターンである。 一ノ −ノ第3
図 74開昭63−281439 (5) 1ユ巾廿「゛
ンの一実施例の平面図、 第2図はチェックパターンの平面図、 第3図は複数の部分パターンで構成されたレチクルを説
明するための図、 第4図はチェックパターンの重なり状態を示す図、 第5図は本発明方法を適用した各レチクル焼き付けパタ
ーンの一実施例の平面図である。 図において、 10.20は部分パターン、 11は第1チェックパターン、 13.14.23.24は矩形、 21は第2チェックパターン、 30.31はレチクル焼き付【プパターンである。 一ノ −ノ第3
図 74開昭63−281439 (5) 1ユ巾廿「゛
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 X方向及び該X方向と直交するY方向の少なくとも一
方に隣り合って焼き付けられる焼き付けパターンのずれ
をチェックする焼き付けずれチェック方法において、 各辺が該X方向及びY方向に一致する第1の矩形(13
)と、該第1の矩形(13)を該X方向及びY方向とは
異なる方向に重なることなく平行移動した第2の矩形(
14)とよりなる第1のチェックパターン(11)を一
方の焼き付けパターン(10)に設け、 該X方向又はY方向の直線を含む鏡映面に対する該第1
のチェックパターンの鏡像又は該鏡像と相似であり、第
3の矩形(23)及び第4の矩形(24)とよりなる第
2のチェックパターン(21)を該第1のチェックパタ
ーン(11)と噛み合い状態で重なり合うよう他方の焼
き付けパターン(20)に設け、 該第1乃至第4の矩形(13,14,23,24)夫々
の間の長さ(x_1,x_2,y_1,y_2)を比較
して該一方及び他方の焼き付けパターン(10,20)
相互の該X方向及びY方向のずれをチェックすることを
特徴とする焼き付けずれチェック方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62116316A JPS63281439A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 焼き付けずれチェック方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62116316A JPS63281439A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 焼き付けずれチェック方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63281439A true JPS63281439A (ja) | 1988-11-17 |
Family
ID=14683973
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62116316A Pending JPS63281439A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 焼き付けずれチェック方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63281439A (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS513878A (ja) * | 1974-07-01 | 1976-01-13 | Hitachi Ltd | |
JPS5396674A (en) * | 1977-02-03 | 1978-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | Photo mask |
JPS5821141B2 (ja) * | 1979-03-08 | 1983-04-27 | 日産自動車株式会社 | 自動変速機 |
JPS5883853A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-19 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学系のディストーシヨン検査方法 |
JPS5996729A (ja) * | 1982-11-26 | 1984-06-04 | Hitachi Ltd | ホトマスク等の位置精度測定方法 |
JPS6074525A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-05-13 JP JP62116316A patent/JPS63281439A/ja active Pending
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