JPH03238809A - 半導体装置用目合わせマスク - Google Patents
半導体装置用目合わせマスクInfo
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- JPH03238809A JPH03238809A JP2035409A JP3540990A JPH03238809A JP H03238809 A JPH03238809 A JP H03238809A JP 2035409 A JP2035409 A JP 2035409A JP 3540990 A JP3540990 A JP 3540990A JP H03238809 A JPH03238809 A JP H03238809A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置用目合わせマスクに関する。
従来の半導体装置用目合わせマスクは、第３図に示すよ
うに、一定のピッチＰ０で配列されたＩ字状パターン１
を有する第１のマスクと、ピッチＰ、と異なるピッチＰ
２で配列された■字状パターン４を有する第２のマスク
を重ねることにより、重ね合せ精度を測定する方法がと
られていた。
うに、一定のピッチＰ０で配列されたＩ字状パターン１
を有する第１のマスクと、ピッチＰ、と異なるピッチＰ
２で配列された■字状パターン４を有する第２のマスク
を重ねることにより、重ね合せ精度を測定する方法がと
られていた。
ここで、１字状パターン１と１字状パターン２のピッチ
ＰｌとＰ２は異なるがどちらも一定間隔からなるので読
み取り量は固定されてしまう。例えばＰＩ ＝１０μｍ
、Ｐ２ ＝９．９μｍとすると１０μｍピッチのＩ字状
パターン１に対し９．９μｍピッチの１字状パターン２
を重ね合せた場合には、ずれ量は右方向、左方向どちら
に対しても０．１μｍ単位で最大０．５μｍまでのずれ
量を読み取ることが可能である。
ＰｌとＰ２は異なるがどちらも一定間隔からなるので読
み取り量は固定されてしまう。例えばＰＩ ＝１０μｍ
、Ｐ２ ＝９．９μｍとすると１０μｍピッチのＩ字状
パターン１に対し９．９μｍピッチの１字状パターン２
を重ね合せた場合には、ずれ量は右方向、左方向どちら
に対しても０．１μｍ単位で最大０．５μｍまでのずれ
量を読み取ることが可能である。
しかしながらこの場合のバーニアパターンの大きさは少
なくとも横方向には１００μｍ以上を必要とすることに
なる。ましてや、Ｏ１１μｍ単位で最大１μｍまでのズ
レ量を読み取ろうとする場合バーニアパターンの占有面
積は非常に太きくなってしまう。
なくとも横方向には１００μｍ以上を必要とすることに
なる。ましてや、Ｏ１１μｍ単位で最大１μｍまでのズ
レ量を読み取ろうとする場合バーニアパターンの占有面
積は非常に太きくなってしまう。
上述した半導体装置用目合わせマスは、読み取り精度を
低下させることなく十分な読み取り量を得ようとすると
、バーニアパターンの占有面積は非常に大きくなってし
まうという欠点がある。
低下させることなく十分な読み取り量を得ようとすると
、バーニアパターンの占有面積は非常に大きくなってし
まうという欠点がある。
本発明の半導体装置用目合わせマスクは、バーニアパタ
ーンを有する半導体装置用目合わせマスクにおいて、一
定のピッチで配列されたＩ字状パターンを有する第１の
マスクと、前記パターンのピッチと異なるピッチを有す
る丁字状パターン列を前記第１のマスクのパターンに対
応させて複数列設けた第２のマスクとを含んで構成され
る。
ーンを有する半導体装置用目合わせマスクにおいて、一
定のピッチで配列されたＩ字状パターンを有する第１の
マスクと、前記パターンのピッチと異なるピッチを有す
る丁字状パターン列を前記第１のマスクのパターンに対
応させて複数列設けた第２のマスクとを含んで構成され
る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための模式図であ
る。
る。
同図に示すように、１字状パターン１は１０μｍピーチ
で並んだ６本の工学状パターン１を有する第１のマスク
に対して９．９μｍピッチで並んだ６本のＩ字状パター
ン２及び、１０．１μｍピッチで並んだ６本の１字状パ
ターン３を有する第２のマスクを重ねて位置合わせする
。
で並んだ６本の工学状パターン１を有する第１のマスク
に対して９．９μｍピッチで並んだ６本のＩ字状パター
ン２及び、１０．１μｍピッチで並んだ６本の１字状パ
ターン３を有する第２のマスクを重ねて位置合わせする
。
このようなマスクを用いれば右方向のずれ量は１字状パ
ターン１，２の相互関係をみることにより、０．１μｍ
単位で最大０．５μｍまで読み取れ、１字状パターン１
．３の相互関係をみれば左方向のずれ量を０．１μｍ単
位で最大０．５μｍまで読み取れることができる。
ターン１，２の相互関係をみることにより、０．１μｍ
単位で最大０．５μｍまで読み取れ、１字状パターン１
．３の相互関係をみれば左方向のずれ量を０．１μｍ単
位で最大０．５μｍまで読み取れることができる。
しかも、この場合のバーニアパターンの大きさは従来パ
ターンの約半分で良いという利点がある。
ターンの約半分で良いという利点がある。
以上説明したように本発明はバーニアパターンを有する
半導体装置用目合わせマスクにおいて、第１のマスクに
設けた１字状パターンのピッチと異なるピッチの工学状
パターンを複数列設けた第２のマスクを使用ることによ
り、バーニアパターンの占有面積を大きくすることなく
高精度でかつ広範囲に重ね合せズレ量を読み取ることが
できるという効果がある。
半導体装置用目合わせマスクにおいて、第１のマスクに
設けた１字状パターンのピッチと異なるピッチの工学状
パターンを複数列設けた第２のマスクを使用ることによ
り、バーニアパターンの占有面積を大きくすることなく
高精度でかつ広範囲に重ね合せズレ量を読み取ることが
できるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を説明するための模式図、第
２図は従来の半導体装置用目合わせマスクを説明するた
めの模式図である。 １．２．３・・・工学状パターン、ＰＩ、Ｐ２Ｐ３・・
・ピッチ。 Ｒ＝７〜ｍ Ｐｚ−’／、デμｍ Ｐ３ ＝ １０． ／／１ｌｒｒｔ
２図は従来の半導体装置用目合わせマスクを説明するた
めの模式図である。 １．２．３・・・工学状パターン、ＰＩ、Ｐ２Ｐ３・・
・ピッチ。 Ｒ＝７〜ｍ Ｐｚ−’／、デμｍ Ｐ３ ＝ １０． ／／１ｌｒｒｔ
Claims (1)
- バーニアパターンを有する半導体装置用目合わせマスク
において、一定のピッチで配列されたＩ字状パターンを
有する第１のマスクと、前記パターンのピッチと異なる
ピッチを有するＩ字状パターン列を前記第１のマスクの
パターンに対応させて複数列設けた第２のマスクとを含
むことを特徴とする半導体装置用目合わせマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2035409A JP3008425B2 (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 半導体装置用目合わせマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2035409A JP3008425B2 (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 半導体装置用目合わせマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03238809A true JPH03238809A (ja) | 1991-10-24 |
| JP3008425B2 JP3008425B2 (ja) | 2000-02-14 |
Family
ID=12441086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2035409A Expired - Fee Related JP3008425B2 (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 半導体装置用目合わせマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3008425B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0614313A1 (en) * | 1993-03-01 | 1994-09-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Alignment of image sensors |
| US5812244A (en) * | 1996-07-16 | 1998-09-22 | Nec Corporation | Reticle assembly having non-superposed position measurement patterns |
| JP2009004601A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画装置のフィールド接合精度測定方法 |
-
1990
- 1990-02-15 JP JP2035409A patent/JP3008425B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0614313A1 (en) * | 1993-03-01 | 1994-09-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Alignment of image sensors |
| US5812244A (en) * | 1996-07-16 | 1998-09-22 | Nec Corporation | Reticle assembly having non-superposed position measurement patterns |
| JP2009004601A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画装置のフィールド接合精度測定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3008425B2 (ja) | 2000-02-14 |
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