JPS60145637A - 半導体装置のパタ−ン寸法測定方法 - Google Patents
半導体装置のパタ−ン寸法測定方法Info
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- JPS60145637A JPS60145637A JP297184A JP297184A JPS60145637A JP S60145637 A JPS60145637 A JP S60145637A JP 297184 A JP297184 A JP 297184A JP 297184 A JP297184 A JP 297184A JP S60145637 A JPS60145637 A JP S60145637A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置のパターン寸法測定方法、特にＬ
ＳＩの微細化に伴って要求される微小寸法の測定並びに
大量生産工場におりる寸法管理、工場管理に利用される
パターン寸法測定方法に関するものである。
ＳＩの微細化に伴って要求される微小寸法の測定並びに
大量生産工場におりる寸法管理、工場管理に利用される
パターン寸法測定方法に関するものである。
従来例によるこの種の半導体装置における寸法測定用パ
ターンの形成を含む半導体装置の製造方法、及び半導体
装置のパターン寸法測定方法を第１図を用いて説明する
。
ターンの形成を含む半導体装置の製造方法、及び半導体
装置のパターン寸法測定方法を第１図を用いて説明する
。
まずシリコン基板２に所望の月料を積層し、写真製版技
術とエツチング技術を用いて、寸法測定用パターンであ
るＬ字形のパターン１を形成する。
術とエツチング技術を用いて、寸法測定用パターンであ
るＬ字形のパターン１を形成する。
このパターンｌを光Ｃの反射を利用した寸法測定装置で
パターン幅βの実寸を測定していた。
パターン幅βの実寸を測定していた。
従来のパターン寸法測定方法は、このように光の反射を
読み取る方法なので、Ｓｉ貼析板Ｓ１び測定材料表面が
粗れている場合、測定不能となる。
読み取る方法なので、Ｓｉ貼析板Ｓ１び測定材料表面が
粗れている場合、測定不能となる。
又、楕密且つ高価な測定装置を必要とし、さらに測定装
置の厳密な管理、校正を必要とするなどの欠点があった
。
置の厳密な管理、校正を必要とするなどの欠点があった
。
この発明は上記のような従来のものの欠点に鑑みてなさ
れたもので、半導体装置の本来のパターン作成時に該本
来のパターン作成領域以外の領域に寸法測定用半導体パ
ターンを形成し、該寸法測定用半導体パターンを顕微鏡
等で目視で観察することにより、パターン寸法を簡便に
かつ精度よく測定できるようにした半導体装置のパター
ン寸法測定方法を提供することを目的としている。
れたもので、半導体装置の本来のパターン作成時に該本
来のパターン作成領域以外の領域に寸法測定用半導体パ
ターンを形成し、該寸法測定用半導体パターンを顕微鏡
等で目視で観察することにより、パターン寸法を簡便に
かつ精度よく測定できるようにした半導体装置のパター
ン寸法測定方法を提供することを目的としている。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
本出願の第１の発明の一実施例による半導体装置のパタ
ーン寸法測定方法は、まず半導体装置の本来のパターン
作成のためのマスクパターンと半導体装置上の該本来の
パターン作成領域以外の領域に対応するマスク領域に形
成された幅方向の重なり量Ｌ１を有する第１．第２の長
方形マスクパターンの複数組からなる寸法測定用マスク
パターンとを有するマスクを用いて、上記半導体装置の
本来のパターンを作成すると同時に上記寸法測定用半導
体パターンを作成し、上記第１．第２の長方形パターン
により作成された第１．第２の寸法測定用半導体パター
ンの長方形の側辺が一直線上に並ぶような第１．第２の
長方形マスクパターンの組を目視で決定し、該第１．第
２の長方形マスクパターンの重なり量Ｌｌから上記半導
体装置の本来のパターンのパターン幅を決定するもので
ある。
ーン寸法測定方法は、まず半導体装置の本来のパターン
作成のためのマスクパターンと半導体装置上の該本来の
パターン作成領域以外の領域に対応するマスク領域に形
成された幅方向の重なり量Ｌ１を有する第１．第２の長
方形マスクパターンの複数組からなる寸法測定用マスク
パターンとを有するマスクを用いて、上記半導体装置の
本来のパターンを作成すると同時に上記寸法測定用半導
体パターンを作成し、上記第１．第２の長方形パターン
により作成された第１．第２の寸法測定用半導体パター
ンの長方形の側辺が一直線上に並ぶような第１．第２の
長方形マスクパターンの組を目視で決定し、該第１．第
２の長方形マスクパターンの重なり量Ｌｌから上記半導
体装置の本来のパターンのパターン幅を決定するもので
ある。
ここで上記寸法測定用マスクパターンについて詳しく説
明する。
明する。
まず第２図（ａ）は上記寸法測定用マスクパターンのう
ちの１組のパターンベアを示し、図において、３ａは幅
ＬＯの第１の長方形マスクパターン、４ａは該第１の長
方形マスクパターン３ａと離れてこれに対して幅Ｌ１の
重なり量を持つよう配設された第２の長方形マスクパタ
ーンである。
ちの１組のパターンベアを示し、図において、３ａは幅
ＬＯの第１の長方形マスクパターン、４ａは該第１の長
方形マスクパターン３ａと離れてこれに対して幅Ｌ１の
重なり量を持つよう配設された第２の長方形マスクパタ
ーンである。
そして第２図（ｂｌはこれらの長方形マスクパターン３
ａ、４ａを有するマスクを用いて所望の材料を加工して
仕上がった半導体パターンを示し、図において、３ｂは
第１の長方形マスクパターン３ａを用いて形成された第
１の仕上がり半導体パターン、４ｂは第２の長方形マス
クパターン４ａを用いて形成された第２の仕上がり半導
体パタ一ンである。
ａ、４ａを有するマスクを用いて所望の材料を加工して
仕上がった半導体パターンを示し、図において、３ｂは
第１の長方形マスクパターン３ａを用いて形成された第
１の仕上がり半導体パターン、４ｂは第２の長方形マス
クパターン４ａを用いて形成された第２の仕上がり半導
体パタ一ンである。
そしてこの第１．第２の仕上がりパターン３ｂ。
４ｂの相互に反対側で相互に近接する２つの長辺が一直
線上になったとすると、該仕上がりパターン３ｂ、４ｂ
においてマスクパターン３ａ、４ａの寸法より余分に削
られる長さΔｌは左右両側で等しいため、 ＬＬ＝Δβ＋Δｘ＝２Δβ ・・・（１１の関係が成立
し、半導体パターンの仕上がり寸法ｌは次式で表わせる
。
線上になったとすると、該仕上がりパターン３ｂ、４ｂ
においてマスクパターン３ａ、４ａの寸法より余分に削
られる長さΔｌは左右両側で等しいため、 ＬＬ＝Δβ＋Δｘ＝２Δβ ・・・（１１の関係が成立
し、半導体パターンの仕上がり寸法ｌは次式で表わせる
。
１＝ＬＯ−２ΔＡ＝ＬＯ−Ｌｌ ・・・（２）式（２）
でＬＯ，Ｌｌはマスク作成時に前もって測定できる既知
の値であるので、仕上がり寸法ｌは式（２）から算出で
きる。
でＬＯ，Ｌｌはマスク作成時に前もって測定できる既知
の値であるので、仕上がり寸法ｌは式（２）から算出で
きる。
次に第３図は上記寸法測定用マスクパターンを示し、図
中、３ａ−１〜３ａ−６は上記幅ＬＯの第１の長方形パ
ターン３ａと同じもので、これらは第１の配列線ＡＩ上
にその幅方向が該配列線Δ１の方向となるよう配列され
ている。また４ａ−１〜４ａ−６はそれぞれ該第１の長
方形パターン３ ａ −１〜’３ ａ −６に対し、（
ｍ−２） ・Ｌｌ （ここでｍは第３図の左から何番目
のベアかを示ず値）の幅方向の重なり量を持って配列さ
れた第２る。そして各年１の長方形パターン３ ａ−１
〜３ａ−６の各々と第２の長方形パターン４ａ−１〜４
ａ−６の各々とは第２図に示したところの各寸法測定用
マスクパターンベアを構成している。
中、３ａ−１〜３ａ−６は上記幅ＬＯの第１の長方形パ
ターン３ａと同じもので、これらは第１の配列線ＡＩ上
にその幅方向が該配列線Δ１の方向となるよう配列され
ている。また４ａ−１〜４ａ−６はそれぞれ該第１の長
方形パターン３ ａ −１〜’３ ａ −６に対し、（
ｍ−２） ・Ｌｌ （ここでｍは第３図の左から何番目
のベアかを示ず値）の幅方向の重なり量を持って配列さ
れた第２る。そして各年１の長方形パターン３ ａ−１
〜３ａ−６の各々と第２の長方形パターン４ａ−１〜４
ａ−６の各々とは第２図に示したところの各寸法測定用
マスクパターンベアを構成している。
そして３ｂ−１〜３ｂ−６，４ｂ−１〜４ｂ−６は、こ
の寸法測定用マスクパターンを有するマスクを用いてそ
れぞれ上記第１．第２の長方形パターン３ａ−１〜３ａ
−６，４ａ−１〜４ａ−６に対応して形成された半導体
装置の寸法測定用半導体パターンである。
の寸法測定用マスクパターンを有するマスクを用いてそ
れぞれ上記第１．第２の長方形パターン３ａ−１〜３ａ
−６，４ａ−１〜４ａ−６に対応して形成された半導体
装置の寸法測定用半導体パターンである。
このようなマスクパターンを有するマスクを用いて所望
の材料を加工して仕上がった半導体パターン３ｂの幅は
βとなる。ここでＬＯ１１！：］の関係は ｊ２＝ＬＯ−２Δｌ ・・・（３） で表わせる。この時、第１．第２の長方形パターン３ａ
と４ａは各々異なった値の重なり量を有しているめで、
６個のパターンベア中には、第３図の直線Ｘに示すよう
に、仕上がり半導体パターン３ｂと４ｂの相互に反対側
でかつ近接する側辺が一直線上になる所がある。そして
これらのパターンでの重なり量は上述のように既知値（
ｍ−２）・Ｌｌであり、上記側辺が一直線上になったパ
ターンベアは左から４番目（ｍ−４）のものであるので
、次式が成立する。
の材料を加工して仕上がった半導体パターン３ｂの幅は
βとなる。ここでＬＯ１１！：］の関係は ｊ２＝ＬＯ−２Δｌ ・・・（３） で表わせる。この時、第１．第２の長方形パターン３ａ
と４ａは各々異なった値の重なり量を有しているめで、
６個のパターンベア中には、第３図の直線Ｘに示すよう
に、仕上がり半導体パターン３ｂと４ｂの相互に反対側
でかつ近接する側辺が一直線上になる所がある。そして
これらのパターンでの重なり量は上述のように既知値（
ｍ−２）・Ｌｌであり、上記側辺が一直線上になったパ
ターンベアは左から４番目（ｍ−４）のものであるので
、次式が成立する。
（ｍ−２） ・Ｌ１＝２ΔＡ ・＋４＋式（３）と式（
４）より請求めたい未知の仕上がり寸法βは、 ｎ＝ＬＯ−（ｍ−２） −Ｌｌ −（５１で表わされ、
ＬＯ，ｍ、ＬＬは既知であるので、ｌの値が算出できる
。
４）より請求めたい未知の仕上がり寸法βは、 ｎ＝ＬＯ−（ｍ−２） −Ｌｌ −（５１で表わされ、
ＬＯ，ｍ、ＬＬは既知であるので、ｌの値が算出できる
。
次に本マスクパターンを有するマスクを用いたパターン
測定方法を詳細に説明する。まず半導体装置の製造にあ
たり、本来の半導体パターン形成のためのパターンを有
し、かつ第３図に示す上記６組のパターンベアからなる
寸法測定用マスクパターンを、半導体装置の本来のパタ
ーン形成領域以外の領域に対応するマスク領域に有する
マスクを形成する。そしてこのマスクを用いて半導体装
置の本来のパターンを作成すると同時に半導体装置の寸
法測定用半導体パターンを形成する。そして該本来のパ
ターン及び寸法測定用半導体パターンが形成された半導
体装置を顕微鏡で、あるいは顕微鏡像を表示するＣＲＴ
画面上で観察し、上記第１．第２の長方形マスクパター
ンにより形成される第１．第２の仕上がり半導体パター
ンの側辺が一直線上に並ぶような長方形マスクパターン
のベアを決定する。そして該ベアの両長方形マスクバク
ーンの重なり量から上述のようにして寸法測定角仕上が
り半導体パターンのパターン幅をめることができる。そ
してこの仕上がり半導体パターンのパターン幅を本来の
パターンのパターン幅と同じとしておけば本来のパター
ンのパターン幅を測定できることとなる。このときの寸
法測定精度はＬＯ，Ｌｌのマスク作成寸法精度で決定さ
れるものであるため、その半導体装置に要求される精度
は完全に満足される。
測定方法を詳細に説明する。まず半導体装置の製造にあ
たり、本来の半導体パターン形成のためのパターンを有
し、かつ第３図に示す上記６組のパターンベアからなる
寸法測定用マスクパターンを、半導体装置の本来のパタ
ーン形成領域以外の領域に対応するマスク領域に有する
マスクを形成する。そしてこのマスクを用いて半導体装
置の本来のパターンを作成すると同時に半導体装置の寸
法測定用半導体パターンを形成する。そして該本来のパ
ターン及び寸法測定用半導体パターンが形成された半導
体装置を顕微鏡で、あるいは顕微鏡像を表示するＣＲＴ
画面上で観察し、上記第１．第２の長方形マスクパター
ンにより形成される第１．第２の仕上がり半導体パター
ンの側辺が一直線上に並ぶような長方形マスクパターン
のベアを決定する。そして該ベアの両長方形マスクバク
ーンの重なり量から上述のようにして寸法測定角仕上が
り半導体パターンのパターン幅をめることができる。そ
してこの仕上がり半導体パターンのパターン幅を本来の
パターンのパターン幅と同じとしておけば本来のパター
ンのパターン幅を測定できることとなる。このときの寸
法測定精度はＬＯ，Ｌｌのマスク作成寸法精度で決定さ
れるものであるため、その半導体装置に要求される精度
は完全に満足される。
このような本実施例によれば、従来高価な測定装置を用
いて寸法測定を行なっていたのに対して、以下の効果が
得られる。
いて寸法測定を行なっていたのに対して、以下の効果が
得られる。
ｆｌ） 高価な測定装置が不必要で、顕微鏡ないしはＣ
ＲＴがあればよい。
ＲＴがあればよい。
（２）測定装置の管理３校正が不必要である。
（３）測定時に測定装置の誤差が介入しない。
ｆ４）Ｓｊ基板あるいは下地の影嬰がなく、確実にかつ
精度よく寸法を測定できる。
精度よく寸法を測定できる。
（５） 測定時に作業者の熟練を必要としない。
（６） 自動測定も可能である。
次に本願第１の発明の他の実施例のパターン寸法測定方
法について説明する。
法について説明する。
上記実施例では、重ね合わせ寸法の基本値Ｌ１を最小寸
法として仕上がり寸法ｌを測定できるマスクパターンを
示したが、本実施例は人聞生産工場などである管理幅を
設けて良品と不良品とを区別する場合の方法で、本方法
では、パターン寸法測定用マスクパターンは以下に示す
ように、第１゜第２の長方形パターンのペアを２組有す
るものに簡略化できる 即ち、半導体パターン幅ｌの管理幅、即ちある２つの値
による幅内の値であればよいという幅が次式で与えられ
るものとする。
法として仕上がり寸法ｌを測定できるマスクパターンを
示したが、本実施例は人聞生産工場などである管理幅を
設けて良品と不良品とを区別する場合の方法で、本方法
では、パターン寸法測定用マスクパターンは以下に示す
ように、第１゜第２の長方形パターンのペアを２組有す
るものに簡略化できる 即ち、半導体パターン幅ｌの管理幅、即ちある２つの値
による幅内の値であればよいという幅が次式で与えられ
るものとする。
Ｉ２０−２ΔｌＯ≦ｌ≦ｐＯ＋２ΔｌＯ・・・（６）但
し、ｆｆ１Ｏ＝ＬＯ−２Δｐ１で、これは既知値である
。すると、 ＬＯ−２（Δ１１＋Δβ０）≦ｌ ≦ＬＯ−２（Δｐ１−Δｉｏ＞ ・・・（７）が成立す
るので、重ね合わせ幅が下記の２種類となったパターン
を作成すれば良い。
し、ｆｆ１Ｏ＝ＬＯ−２Δｐ１で、これは既知値である
。すると、 ＬＯ−２（Δ１１＋Δβ０）≦ｌ ≦ＬＯ−２（Δｐ１−Δｉｏ＞ ・・・（７）が成立す
るので、重ね合わせ幅が下記の２種類となったパターン
を作成すれば良い。
Ｌｌ（１）＝２（Δ１１＋Δ１０）
Ｌ２（２１＝２（Δｐ １−八βＯ）
次に本願の第２の発明の一実施例による半導体装置のパ
ターン寸法測定方法について説明する。
ターン寸法測定方法について説明する。
本パターン寸法測定方法は半導体装置の本来のパターン
を電子ビーム直接描画により作成するためのパターンデ
ータと、半導体装置上の該本来のパターン作成領域以外
の領域に寸法測定用半導体パターンを電子ビーム直接描
画により作成するための重なり量Ｌ１を有する第１．第
２の長方形パターンデータの複数組からなる寸法測定用
パターンとからなるパターンデータを用いて電子ビーム
直接描画により上記半導体装置の本来のパターンを作成
すると同時に上記寸法測定用半導体パターンを作成し、
上記第１．第２の長方形パターンデータを用いて作成さ
れた第１．第２の寸法測定用半導体パターンの長方形の
相互に反対側で相互に近接する側辺が一直線上に並ぶよ
うな寸法測定用パターンデータのペアを目視で決定し、
該ペアの上記型なり量Ｌ１から上記半導体装置の本来の
パターンのパターン幅を決定するものである。
を電子ビーム直接描画により作成するためのパターンデ
ータと、半導体装置上の該本来のパターン作成領域以外
の領域に寸法測定用半導体パターンを電子ビーム直接描
画により作成するための重なり量Ｌ１を有する第１．第
２の長方形パターンデータの複数組からなる寸法測定用
パターンとからなるパターンデータを用いて電子ビーム
直接描画により上記半導体装置の本来のパターンを作成
すると同時に上記寸法測定用半導体パターンを作成し、
上記第１．第２の長方形パターンデータを用いて作成さ
れた第１．第２の寸法測定用半導体パターンの長方形の
相互に反対側で相互に近接する側辺が一直線上に並ぶよ
うな寸法測定用パターンデータのペアを目視で決定し、
該ペアの上記型なり量Ｌ１から上記半導体装置の本来の
パターンのパターン幅を決定するものである。
このように木彫２の発明は半導体装置のパターン形成を
電子ビーム直接描画により行なうものであり、上記第３
図に示した寸法測定用パターンは、本来のパターン形成
のためのデータとともに、電子ビーム直接描画を行なう
コンピユータの中にデータとして入力されているもので
ある。
電子ビーム直接描画により行なうものであり、上記第３
図に示した寸法測定用パターンは、本来のパターン形成
のためのデータとともに、電子ビーム直接描画を行なう
コンピユータの中にデータとして入力されているもので
ある。
本実施例の測定原理及び寸法測定用パターン作成後の測
定方法は上記第１の発明の実施例と全く同様であり、同
様の効果を有する。
定方法は上記第１の発明の実施例と全く同様であり、同
様の効果を有する。
以上のようにこの発明によれば、半導体装置のパターン
寸法測定方法において、半導体装置の本来のパターン作
成のためのマスクパターンと半導体装置上の該本来のパ
ターン作成領域以外の領域に対応する領域に形成され、
複数の幅Ｌ Ｏの第１の長方形パターンと、上記各第１
の長方形パターンとＬｌの重なり量を持って配列され該
各第１の長方形パターンと測定パターンベアを各々構成
する複数の第２の長方形マスクパターンとからなる寸法
測定用マスクパターンとを有するマスクを用いて、上記
半導体装置の本来のパターンを作成すると同時に上記寸
法測定用半導体パターンを作成し、上記第１．第２の長
方形パターンにより作成された第１．第２の寸法測定用
半導体パターンの長方形の側辺が一直線上に並ぶような
第１．第一２の長方形パターンのペアを目視で決定し、
該第１゜第２の長方形パターンの重なり量Ｌ１から上記
半導体装置の本来のパターンのパターン幅を決定するよ
うにしたので、半導体装置のパターン寸法を測定装置を
必要とせず、外視でもって簡便かつ高精度に測定できる
効果がある。
寸法測定方法において、半導体装置の本来のパターン作
成のためのマスクパターンと半導体装置上の該本来のパ
ターン作成領域以外の領域に対応する領域に形成され、
複数の幅Ｌ Ｏの第１の長方形パターンと、上記各第１
の長方形パターンとＬｌの重なり量を持って配列され該
各第１の長方形パターンと測定パターンベアを各々構成
する複数の第２の長方形マスクパターンとからなる寸法
測定用マスクパターンとを有するマスクを用いて、上記
半導体装置の本来のパターンを作成すると同時に上記寸
法測定用半導体パターンを作成し、上記第１．第２の長
方形パターンにより作成された第１．第２の寸法測定用
半導体パターンの長方形の側辺が一直線上に並ぶような
第１．第一２の長方形パターンのペアを目視で決定し、
該第１゜第２の長方形パターンの重なり量Ｌ１から上記
半導体装置の本来のパターンのパターン幅を決定するよ
うにしたので、半導体装置のパターン寸法を測定装置を
必要とせず、外視でもって簡便かつ高精度に測定できる
効果がある。
第１図（ａｌは従来例での寸法測定用パターンを示す平
面図、第１図（ｂｌは従来例での寸法測定方法を示す第
１図（ａｌのＡ−Ａ線断面図、第２図はこの発明にかか
る寸法測定の原理を説明するだめの図で、同図（ａｌは
寸法測定用パターンのベアを示す平面図、同図（ｂ）は
該寸法測定用パターンペア及びこれにより作成される仕
上がり半導体パターンを示す平面図、第３図はこの発明
の一実施例におけるパターン寸法測定用マスクパターン
及びこれにより作成される仕上がり半導体パターンを示
す平面図である。 ３ａ・・・第１の長方形マスクパターン、３ ｂ・・・
第１の仕上がり半導体パターン、４ａ・・・第２の長方
形マスクパターン、４ｂ・・・第２の仕上がり半導体パ
ターン、Ａ１・・・第１の配列線、Ａ２・・・第２の配
列線。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大音垢離 第１図 （ＣＩ＞ （ｂ） 第２図 （Ｑ） （ｂ）
面図、第１図（ｂｌは従来例での寸法測定方法を示す第
１図（ａｌのＡ−Ａ線断面図、第２図はこの発明にかか
る寸法測定の原理を説明するだめの図で、同図（ａｌは
寸法測定用パターンのベアを示す平面図、同図（ｂ）は
該寸法測定用パターンペア及びこれにより作成される仕
上がり半導体パターンを示す平面図、第３図はこの発明
の一実施例におけるパターン寸法測定用マスクパターン
及びこれにより作成される仕上がり半導体パターンを示
す平面図である。 ３ａ・・・第１の長方形マスクパターン、３ ｂ・・・
第１の仕上がり半導体パターン、４ａ・・・第２の長方
形マスクパターン、４ｂ・・・第２の仕上がり半導体パ
ターン、Ａ１・・・第１の配列線、Ａ２・・・第２の配
列線。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大音垢離 第１図 （ＣＩ＞ （ｂ） 第２図 （Ｑ） （ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｉｌｌ 半導体装置のパターン寸法測定方法において、
半導体装置の本来のパターン作成のためのマスクパター
ンと、半導体装置上の該本来のパターン作成領域以外の
領域に対応するマスク領域に形成された寸法測定用マス
クパターンとからなるマスクであって、該寸法測定用マ
スクパターンが第１の配列線上にその幅方向が該第１の
配列線方向となるよう配列された複数の同一幅Ｌ Ｏを
有する第１の長方形マスクパターンと、上記第１の配列
線と平行な第２の配列線上にその幅方向が該第２の配列
線方向となるよう、かつ上記各節１の長方形マスクパタ
ーンと後述する各ベアにつき異なる重なり量Ｌｌだけ幅
方向にずらして配列され、該各節１の長方形マスクパタ
ーンとともに寸法測定用マスクパターンペアを各々構成
する複数の第２の長方形マスクパターンとからなるもの
であるようなパターン作成マスクを用いて、上記半導体
装置の本来のパターンを作成すると同時に藤赫寸法測定
用半導体パターンを作成し、上記第１．第２の長方形マ
スクパターンにより作成された第１゜第２の寸法測定用
半導体パターンの長方形の相互に反対側で相互に近接す
る側辺が一直線上に並ぶような寸法測定用マスクパター
ンペアを目視で決定し、該ペアの上記型なりｆｊｔＬｌ
から上記半導体装置の本来の半導体パターンのパターン
幅を決定することを特徴とする半導体装置のパターン寸
法測定方法。 （２）半導体装置のパターン寸法測定方法において、半
導体装置の本来のパターンを電子ビーム直接描画により
作成するためのパターンデータと、半導体装置上の該本
来のパターン作成領域以外の領域に寸法測定用半導体パ
ターンを電子ビーム直接描画により作成するための寸法
測定用パターンデータとからなるパターンデータであっ
て、該寸法測定用パターンデータが第１の配列線上にそ
の幅方向が該第１の配列線方向となるよう配列された複
数の同一幅ＬＯを有する第１の長方形パターンのパター
ンデータと、上記第１の配列線と平行な第２の配列線上
にその幅方向が該第２の配列線方向となるよう、かつ上
記各第１の長方形パターンと後述する各ベアにつき異な
る重なり量Ｌ１だけ幅方向にずらして配列され、該各第
１の長方形パターンとともに寸法測定用パターンベアを
各々構成する複数の第２の長方形パターンのパターンデ
ータとからなるものであるようなパターン作成データを
用いて電子ビーム直接描画により上記半導体装置の本来
のパターンを作成すると同時に上記寸法測定用半導体パ
ターンを作成し、上記第１゜第２の長方形パターンデー
タを用いて作成された第１．第２の寸法測定用半導体パ
ターンの長方形の相互に反対側で相互に近接する側辺が
一直線上に並ぶような寸法測定用パターンデータのベア
を目視で決定し、該ベアの上記型なり量Ｌ１から上記半
導体装置の本来の半導体パターンのパターン幅を決定す
ることを特徴とする半導体装置のパターン寸法測定方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP297184A JPS60145637A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 半導体装置のパタ−ン寸法測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP297184A JPS60145637A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 半導体装置のパタ−ン寸法測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145637A true JPS60145637A (ja) | 1985-08-01 |
Family
ID=11544254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP297184A Pending JPS60145637A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 半導体装置のパタ−ン寸法測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60145637A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62206845A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57132008A (en) * | 1981-02-09 | 1982-08-16 | Hitachi Ltd | Measuring method for pattern size |
| JPS6074525A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-01-09 JP JP297184A patent/JPS60145637A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57132008A (en) * | 1981-02-09 | 1982-08-16 | Hitachi Ltd | Measuring method for pattern size |
| JPS6074525A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62206845A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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