JP3837138B2 - パターン評価方法及びパターン転写方法 - Google Patents
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Description
(構成1) パターンの各位置を示した設計座標データに基づいて同一の透光性基板上に複数個形成されたパターンの良否を評価するパターン評価方法であって、
前記透光性基板上に形成された各パターンにおける2以上の位置の各パターン共通の座標系における座標値を測定して実測座標データを求める座標値実測工程と、
この座標値実測工程で求めた実測座標データと前記設計座標データとの全体的ずれが統計的にみて最小になるように両データの座標系を重ねて位置合わせする両データの相互位置決定工程と、
前記相互位置決定工程によって決定された位置における両データのずれ量が許容範囲内にあるか否かを評価するずれ量評価工程とを有することを特徴とした構成、
又は、
(構成2) 転写パターン補正機能を装備した露光装置に用いるフォトマスクに形成された転写用パターンであって、パターンの各位置を示した設計座標データに基づいて同一の透光性基板上に複数個形成された転写用パターンの良否を評価するフォトマスクのパターン評価方法において、
前記フォトマスクに形成された各パターン群における2以上の位置の各パターン共通の座標系における座標値を測定して実測座標データをもとめる座標値実測工程と、
この座標値実測工程でもとめた実測座標データと前記設計座標データとを比較して該実測座標データに前記露光装置に装備された転写パターン補正機能による補正と同等の補正を施し、この補正後の実測座標データと前記設計座標データとの全体的ずれが統計的にみて最小になるように、両データの座標系を重ねて位置合わせする両データの相互位置決定工程と、
前記相互位置決定工程によって決定された位置における両データのずれ量が許容範囲内にあるか否かを評価するずれ量評価工程とを有することを特徴とした構成とし、
これら構成1又は2の態様として、
(構成3) 構成1又は2のパターン評価方法において、前記両データ相互位置決定工程は、実測座標データ及び設計座標データの互いに対応関係にある各点同士のずれ量の二乗の和が最小になるように、両データのいずれか一方又は双方を、一座標系において任意の点を中心とした回転移動又は平行移動のいずれか一方又は双方を行う操作を含むものであることを特徴とした構成とした。
(構成4) フォトマスクに形成されたパターンを転写パターン補正機能を備えた露光装置を用いて転写するパターン転写方法であって、前記フォトマスクとして、請求項2に記載されたフォトマスクパターン評価方法における相互位置決定工程によって両データのずれ量が許容範囲内にあると評価されたフォトマスクを用い、
前記露光装置として、請求項1ないし3のいずれかに記載されたフオトマスクパターン評価方法における相互位置決定工程において施した補正と同等の補正を行う機能を装備したものを用いることを特徴とした構成とした。
上述の構成1ないし3によれば、統計的にみて全体的なパターンの配置のずれをみていることになるから、パターン間の距離のずれをみる従来方法のように、測定する場所によって結果が異なるというようなことがなく、極めて正確なパターンの評価が可能である。
図1は本発明の実施例にかかるパターン評価方法及びパターン転写方法の手順の要旨を示す図、図2は本発明の実施例の方法を実施する際に使用するパターン評価装置の構成を示す図、図3はパターン評価方法の第1実施例によって相互位置を決定した実測座標データと設計座標データとを重ねた様子を模式的に示す図、図4はパターン評価方法の第2実施例によって相互位置を決定し実測座標データと設計座標データとを重ねた様子を模式的に示す図である。以下、これらの図面を参照にしながら実施例にかかるパターン評価方法及びパターン転写方法を詳述する。なお、以下の説明では、まず、評価対象たるフォトマスクを説明し、次に、パターン評価装置の構成を説明し、次に、パターン評価方法の第1実施例を説明し、次に、パターン評価方法の第2実施例を説明し、次いで、パターン転写方法の実施例を説明する。
評価対象たるフォトマスクは次のようにして得たものである。
図1において、符号1はパターン評価の対象たるフォトマスク、符号2は座標値実測装置、符号100はコンピュータである。
この実施例のパターン評価方法の手順の要旨は図1に示される手順の通りであり、この手順は上述のパターン評価装置を用いて実行される。以下、手順(a)〜(e)を詳細に説明する。
座標値実測装置2を用いて、フォトマスク1の各参照点の座標値を実測し、これを実測座標データ(Pxij ,Pyij)(但し、i =1〜3,j =1〜6)としてコンピュータ100内に取り込む。
工程a,bで取り込んだ両データの座標系の原点を一致させて両データを重ね合わせる。
この実施例は、転写パターン補正機能を装備した露光装置に用いるフォトマスクに形成された転写用パターンの評価を行う場合の例である。このような補正機能を装備した露光装置に用いるフォトマスクのパターン評価は、この補正を前提とし、この補正が施されたと仮定した場合に許容範囲に入るか否かを評価する必要がある。それゆえ、この実施例は、上述の第1実施例における「(d)両座標系の相互位置決定工程」において、上記補正を予め施した場合の処理を加えておく必要があるが、それ以外の工程は第1実施例と同じである。したがって、以下では本実施例に特有な「(d)両座標系の相互位置決定工程」のみを説明し、他の工程の説明は省略する。
この実施例では、上述の実施例に係るフォトマスクパターン評価方法によって良品と評価されたフォトマスクを選別し(良品選別工程)て用い、転写パターン補正機能付きの露光装置(キャノン社製MPA−2000)によって、被転写体(レジスト付きフォトマスクブランク)にパターン転写を行った(転写工程)。
Claims (10)
- 同一の透光性基板に複数個形成された転写用パターンの良否を評価するパターン評価方法であって、
前記各パターンに2以上の参照点を設け、
前記基板上に形成された各パターン共通の座標系における前記参照点の座標値を実測して前記参照点の実測座標データを求める座標値実測工程と、
前記座標値実測工程で求めた前記参照点の実測座標データと前記参照点の設計座標データとの全体的ずれが統計的にみて最小になるように、両データのいずれか一方又は双方を一座標系において任意の点を中心とした回転移動及び平行移動の操作を含む操作をして、両データの座標系を重ねて位置合わせする両データの相互位置決定工程と、
前記相互位置決定工程によって決定された位置における両データのずれ量が許容範囲内にあるか否かを評価するずれ量評価工程とを有することを特徴としたパターン評価方法。 - 転写パターン補正機能を装備した露光装置に用いるフォトマスクであって、転写用パターンが同一の透光性基板に複数個形成されたフォトマスクのパターンの良否を評価するパターン評価方法であって、
前記各パターンに2以上の参照点を設け、
前記基板上に形成された各パターン共通の座標系における各パターンの前記参照点の座標値を実測して前記参照点の実測座標データを求める座標値実測工程と、
前記座標値実測工程でもとめた前記参照点の実測座標データと前記参照点の設計座標データとを比較して該実測座標データに前記露光装置に装備された転写パターン補正機能による補正と同等の補正を施し、
この補正後の実測座標データと前記設計座標データとの全体的ずれが統計的にみて最小になるように、両データのいずれか一方又は双方を一座標系において任意の点を中心とした回転移動及び平行移動の操作を含む操作をして、両データの座標系を重ねて位置合わせする両データの相互位置決定工程と、
前記相互位置決定工程によって決定された位置における両データのずれ量が許容範囲内にあるか否かを評価するずれ量評価工程とを有することを特徴としたパターン評価方法。 - 請求項1又は2に記載のパターン評価方法において、
前記両データ相互位置決定工程は、実測座標データ及び設計座標データの互いに対応関係にある各点同士のずれ量の二乗の和が最小になるように、両データのいずれか一方又は双方を一座標系において任意の点を中心とした回転移動及び平行移動の操作を含むものであることを特徴としたパターン評価方法。 - 前記ずれ量評価工程においては、パターン内の前記設計座標データと、前記実測座標データに対する前記設計座標データの全体的ずれが統計的にみて最小になるように座標変換された実測データの座標値と、のずれ量を求める面内位置精度評価、及び、すべての前記設計座標データと、前記実測座標データに対する前記設計座標データの全体的ずれが統計的にみて最小になるように座標変換された実測データの座標値と、のずれ量を求めるパターン間の相対位置精度評価を行うことを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載のパターン評価方法。
- 前記相互位置決定工程において、前記補正は、直交度補正を含むことを特徴とする、請求項2〜4のいずれかに記載のパターン評価方法。
- 前記相互位置決定工程において、前記補正は、倍率補正を含むことを特徴とする、請求項2〜4のいずれかに記載のパターン評価方法。
- 同一の透光性基板に複数個形成された転写用パターンの良否を評価するパターン評価方法であって、
前記各パターンに2以上の参照点を設け、
前記基板上に形成された各パターン共通の座標系における各パターンの前記参照点の座標値を実測して前記参照点の実測座標データを求める座標値実測工程と、
前記座標値実測工程で求めた前記参照点の実測座標データと前記参照点の設計座標データとの全体的ずれが統計的にみて最小になるように、前記実測座標データに、直交度補正又は倍率補正を施す操作を含む操作をして、両データの座標系を重ねて位置合わせする両データの相互位置決定工程と、
前記相互位置決定工程によって決定された位置における両データのずれ量が許容範囲内にあるか否かを評価するずれ量評価工程とを有することを特徴としたパターン評価方法。 - 透光性基板の表面に、遮光膜とレジスト膜を形成し、該レジスト膜にパターンを描画し、現像し、エッチングすることを含むフォトマスクの製造方法において、請求項1〜7のいずれかに記載のパターン評価を行うことを特徴とする、フォトマスクの製造方法。
- フォトマスクに形成されたパターンを、露光装置を用いて転写するパターン転写方法であって、前記フォトマスクとして、請求項1〜7のいずれかに記載されたパターン評価方法において、前記ずれ量が許容範囲内にあると評価されたフォトマスクを用いることを特徴とするパターン転写方法。
- フォトマスクに形成されたパターンを、転写パターン補正機能を備えた露光装置を用いて転写するパターン転写方法であって、
請求項2〜7のいずれかに記載されたパターン評価方法において、前記ずれ量が許容範囲内にあると評価されたフォトマスクを用い、
前記露光装置として、前記パターン評価方法における相互位置決定工程において施した補正と同等の補正を行う機能を装備したものを用いることを特徴とするパターン転写方法。
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