CN107643655A - 掩模板关键尺寸的监控方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种掩模板关键尺寸的监控方法，包括：晶圆厂制定掩模板的检测规则，将所述检测规则提供给掩模板制造商；掩模板制造商根据所述检测规则对掩模板的关键尺寸进行检测，并将检测结果反馈至晶圆厂；晶圆厂对相应的晶圆的关键尺寸进行检测，并确认晶圆的关键尺寸是否满足制程要求。本发明中，可以有效监控以及改善掩模版全局以及局部关键尺寸的均一性，以最终改善晶圆产品的关键尺寸的均一性，从而改善产品良率。

Description

掩模板关键尺寸的监控方法

技术领域

本发明涉及集成电路设计技术领域，尤其涉及一种光刻工艺热点的整合方法。

背景技术

半导体制造工艺中，通过一系列的光刻、刻蚀、掺杂、薄膜沉积、平坦化以及清洗等工艺在半导体晶圆上形成具有各种功能的集成电路，其中，用于定义刻蚀或掺杂区域的刻工光艺起着十分重要的作用。由于设计以及制造工艺的需要，光刻工艺是分很多工艺层次的，对应的需要很多光刻掩模版，以完成不同的图形转移。

其中的光刻掩模版，也称作为光刻掩模板或者光罩，是一种对于曝光光线具有选择性透光的玻璃基板，掩模版的质量很大程度上影响了掩模版的图形转移到晶圆上图形的质量以及准确性，因此，掩模版的质量检测以及改善显得尤为重要。关于掩模版的质量检测，有CD(关键尺寸)、Registration(对准精度)、Defect(缺陷)、Phase Angle(相角)等，其中CD是掩模版质量最基本的要求，准确性以及均一性是掩模版关键尺寸的核心表征。

传统CD均一性的检测通过在掩模版上设计额外的特定检测图形，再去测量特定检测图形，但是由于空间限制，这些特定检测图形放置数目都是很有限的，有时候并不能很好监控CD的均一性，特别是局部CD的均一性。如果掩模版的CD的均一性有问题，很大程度上会影响晶圆上的CD的均一性，进而影响到产品良率。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种掩模板关键尺寸的监控方法，有利于对掩模板的关键尺寸进行检查。

为了实现上述目的，本发明提供一种掩模板关键尺寸的监控方法，包括：

晶圆厂制定掩模板的检测规则，将所述检测规则提供给掩模板制造商；

掩模板制造商根据所述检测规则对掩模板的关键尺寸进行检测，并将检测结果反馈至晶圆厂；

晶圆厂对相应晶圆的关键尺寸进行检测，并确认晶圆的关键尺寸是否满足制程要求。

进一步的，晶圆厂制定所述检测规则时参考的因素包括产品的设计、晶圆制造的光刻工艺、掩模板的工艺及量测要求。

进一步的，晶圆厂制定所述检测规则时，参考的产品设计因素中包括器件区、逻辑区、器件结构或衬底类型。

进一步的，晶圆厂制定所述检测规则时，参考的晶圆制造光刻工艺因素中包括光学临近效应。

进一步的，所述检测规则包括工艺平台、工艺层次及不同工艺层次的测试图形对应的结构、尺寸、方向信息。

进一步的，所述检测结果包括图形的结构、位置及关键尺寸信息。

进一步的，还包括：若晶圆厂确认晶圆的关键尺寸满足制程要求，则继续确认晶圆的良率是否满足要求。

与现有技术相比，本发明的掩模板关键尺寸的监控方法具有以下有益效果：

本发明提供的掩模板关键尺寸的监控方法中，包括：晶圆厂制定掩模板的检测规则，将所述检测规则提供给掩模板制造商；掩模板制造商根据所述检测规则对掩模板的关键尺寸进行检测，并将检测结果反馈至晶圆厂；晶圆厂对相应的晶圆的关键尺寸进行检测，并确认晶圆的关键尺寸是否满足制程要求。本发明中，可以有效监控以及改善掩模版全局以及局部关键尺寸的均一性，以最终改善晶圆产品的关键尺寸的均一性，从而改善产品良率。

附图说明

图1为本发明一实施例中掩模板关键尺寸监控方法的流程图；

图2为本发明一实施例中掩模板关键尺寸监控方法的反馈示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的掩模板关键尺寸的监控方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

本发明的核心思想在于，提供一种掩模板关键尺寸的监控方法，包括：晶圆厂制定掩模板的检测规则，将所述检测规则提供给掩模板制造商；掩模板制造商根据所述检测规则对掩模板的关键尺寸进行检测，并将检测结果反馈至晶圆厂；晶圆厂对相应的晶圆的关键尺寸进行检测，并确认晶圆的关键尺寸是否满足制程要求。本发明中，可以有效监控以及改善掩模版全局以及局部关键尺寸的均一性，以最终改善晶圆产品的关键尺寸的均一性，从而改善产品良率。

以下结合附图1～图2对本发明掩模板关键尺寸的监控方法进行具体说明。参考图1中所示，本发明的掩模板关键尺寸的监控方法包括如下步骤：

执行步骤S1，晶圆厂制定掩模板的检测规则，晶圆厂制定所述检测规则时，参考的因素包括产品的设计、晶圆制造的光刻工艺、掩模板的工艺及量测要求等。其中，晶圆厂制定所述检测规则时，参考的产品设计因素中包括器件区(例如SRAM区域)、逻辑区(例如Logic区域)、器件结构或衬底类型。晶圆厂制定所述检测规则时，参考的晶圆制造光刻工艺因素中包括光学临近效应(OPC)。

本实施例中，所述检测规则包括工艺平台、工艺层次及不同工艺层次的测试图形对应的结构、尺寸、方向信息。例如，所述检测规则包括4个工艺层次，每个工艺层次包括掩模板图形结构的关键尺寸的长度、宽度、方向及测量的高度范围。晶圆厂制定检测规则后，将所述检测规则提供给掩模板制造商。

执行步骤S2，掩模板制造商根据所述检测规则对掩模板的关键尺寸进行检测，并将检测结果反馈至晶圆厂。其中，所述检测结果包括图形的结构、位置及关键尺寸等信息。需要说明的是，不同产品设计、工艺制程、图形结构等因素对光刻过程中的光学影响可能是不一样的，掩模版制造商可以依据这种检测规则通过相关软件在掩模版上自动抓取对应的检测图形完成量测，这种方法不仅不需要额外设计特定检测图形，节约空间。

执行步骤S3，晶圆厂接收到掩模板制造商的接测结果后，对相应晶圆的关键尺寸进行检测，并确认晶圆的关键尺寸是否满足制程要求。进一步的，若晶圆厂确认晶圆的关键尺寸满足要求，则继续确认晶圆的良率是否满足要求。如果产品良率还有问题，则需要对产品设计、工艺制程等进行优化。然而，如果晶圆的关键尺寸不满足制程要求，晶圆厂会将结果反馈给掩模板制造商对掩模板进行改善或者优化。本发明中，不仅能有效监控掩模版全局以及局部关键尺寸的均一性，与此同时还能将掩模板关键尺寸与晶圆关键尺寸数据建立联系，并反给掩模板制造商加以改善，以最终改善晶圆产品的关键尺寸的均一性，从而改善产品良率。

综上所述，本发明提供的掩模板关键尺寸的监控方法中，包括：晶圆厂制定掩模板的检测规则，将所述检测规则提供给掩模板制造商；掩模板制造商根据所述检测规则对掩模板的关键尺寸进行检测，并将检测结果反馈至晶圆厂；晶圆厂对相应的晶圆的关键尺寸进行检测，并确认晶圆的关键尺寸是否满足制程要求。本发明中，可以有效监控以及改善掩模版全局以及局部关键尺寸的均一性，以最终改善晶圆产品的关键尺寸的均一性，从而改善产品良率。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (7)

1.一种掩模板关键尺寸的监控方法，其特征在于，包括：

晶圆厂制定掩模板的检测规则，将所述检测规则提供给掩模板制造商；

掩模板制造商根据所述检测规则对掩模板的关键尺寸进行检测，并将检测结果反馈至晶圆厂；

晶圆厂对相应晶圆的关键尺寸进行检测，并确认晶圆的关键尺寸是否满足制程要求。

2.如权利要求1所述的掩模板关键尺寸的监控方法，其特征在于，晶圆厂制定所述检测规则时参考的因素包括产品的设计、晶圆制造的光刻工艺、掩模板的工艺及量测要求。

3.如权利要求2所述的掩模板关键尺寸的监控方法，其特征在于，晶圆厂制定所述检测规则时，参考的产品设计因素中包括器件区、逻辑区、器件结构或衬底类型。

4.如权利要求2所述的掩模板关键尺寸的监控方法，其特征在于，晶圆厂制定所述检测规则时，参考的晶圆制造光刻工艺因素中包括光学临近效应。

5.如权利要求1所述的掩模板关键尺寸的监控方法，其特征在于，所述检测规则包括工艺平台、工艺层次及不同工艺层次的测试图形对应的结构、尺寸、方向信息。

6.如权利要求1所述的掩模板关键尺寸的监控方法，其特征在于，所述检测结果包括图形的结构、位置及关键尺寸信息。

7.如权利要求1所述的掩模板关键尺寸的监控方法，其特征在于，还包括：若晶圆厂确认晶圆的关键尺寸满足制程要求，则继续确认晶圆的良率是否满足要求。