CN117850155B - 光掩模注记差的修正方法及系统 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种光掩模注记差的修正方法及系统，应用于光掩模的应用技术领域，其中，包括：对光掩模图档插入注记差量测图形；通过曝光机对插入注记差量测图形的光掩模图档进行曝光，量测光掩模的注记差；通过量测的注记差补偿曝光机的修正参数；通过修正参数补偿后的曝光机对光掩模图档进行曝光，修正光掩模的注记差。本申请是在光掩模的曝光图形上插入注记差的量测图形再曝光得到误差，再将此误差通过GMC修正补偿到曝光机台后曝光，得到更小的注记差或是与其前层光掩模叠对差更小，进而可以协助芯片曝光时层与层的曝光图档，提升芯片的性能和良率。
Description
技术领域
本申请涉及光掩模的应用技术领域，具体涉及一种光掩模注记差的修正方法及系统。
背景技术
随着科学技术的发展，光掩模注记差的精度要求随之提升。注记差会影响芯片在曝光过程中多层光掩模图形在叠对时的准确性，从而影响芯片生产制造的良率。
目前针对光掩模的注记差修正方法有多种，例如：利用精度更高的曝光机台，或者，利用曝光机台自带的GMC修正功能，或者，利用曝光机台自带的CEC修正功能，将光掩模图形坐标修正到设计坐标上。
但采用上述修正方法修正后还有残余误差，即注记差，如图1和图2所示，由于光掩模上设计的图形以及图案密度不同，即使是在高阶曝光机并用了GMC修正和CEC修正曝光后的光掩模还是会有残余的误差，例如图1中，实线实心箭头表示单层光掩模的误差，而且光掩模前后层的残余误差可能有不同的方向，会使得层与层间的注记差扩大，例如图2中，实线实心箭头表示前层光掩模(A光掩模)的误差，点划线实心箭头表示后层光掩模(B光掩模)的误差，虚线实心箭头表示光掩模前后层(A光掩模和B光掩模)叠对后的误差。
基于此，需要一种新技术方案。
发明内容
有鉴于此，本说明书实施例提供一种光掩模注记差的修正方法及系统。
本说明书实施例提供以下技术方案：
本说明书实施例提供的一种光掩模注记差的修正方法，包括如下步骤：
量测图形插入步骤：对光掩模图档插入注记差量测图形；
注记差量测步骤：通过曝光机对插入注记差量测图形的光掩模图档进行曝光，量测光掩模的注记差；
修正参数补偿步骤：通过量测的注记差补偿曝光机的修正参数；
修正曝光步骤：通过修正参数补偿后的曝光机对光掩模图档进行曝光，修正光掩模的注记差。
优选的，在所述量测图形插入步骤中，将光掩模的数据图档在需要修正的范围，在需要修正的范围内挖空等距的阵列排布的方格，并在方格中插入注记差量测图形。
优选的，在所述量测图形插入步骤中，所述注记差量测图形为十字注记差量测图形。
优选的，在所述注记差量测步骤中，通过IPRO机台利用反射光对注记差量测图形进行扫描量测，注记差量测图形作为量测点，从反射光强信号中量测多个参考点对应的注记差。
优选的，在所述修正参数补偿步骤中，针对不存在局部位置误差的光掩模，进行GMC多项式修正，使用量测的多个参考点对应的注记差，联立方程计算得到补偿的修正系数，通过补偿的修正系数进行多项式计算，得到计算的相对参考点位置的误差，作为补偿的修正参数；
其中，量测的参考点的注记差为曝光前参考点所在的量测点与相应的曝光后参考点所在的量测点相对的误差。
优选的，在所述修正参数补偿步骤中，针对存在局部位置误差的光掩模；
对于光掩模中不存在局部位置误差的区域进行GMC多项式修正，使用该不存在局部位置误差的区域中量测的参考点对应的注记差，联立方程计算得到补偿的修正系数，通过补偿的修正系数进行多项式计算，得到计算的相对参考点位置的误差，作为补偿的修正参数的第一部分；其中，该不存在局部位置误差的区域中量测的参考点对应的注记差为曝光前参考点所在的量测点与相应的曝光后参考点所在的量测点相对的误差；
对于光掩模中存在局部位置误差的区域进行GMC map修正，使用该存在局部位置误差的区域中量测的一部分参考点对应的注记差，作为补偿的修正参数的第二部分，使用该存在局部位置误差的区域中量测的另一部分参考点对应的注记差进行二阶内插计算，得到计算的相对参考点位置的误差，作为补偿的修正参数的第三部分；其中，该存在局部位置误差的区域中量测的一部分参考点对应的注记差为曝光前参考点所在的量测点与相应的曝光后参考点所在的量测点相对的误差；该存在局部位置误差的区域中量测的另一部分参考点对应的注记差为曝光前参考点所在的量测点与相应的曝光后参考点周围的量测点相对的误差。
优选的，在所述修正参数补偿步骤中，使用三阶多项式：
ΔXij＝a0+a1X+a2Y+a3X2+a4XY+a5Y2+a6X3+a7X2Y+a8XY2+a9Y3；
ΔYij＝b0+b1X+b2Y+b3X2+b4XY+b5Y2+b6X3+b7X2Y+b8XY2+b9Y3；
其中，参考点(X，Y)中，X表示参考点的横向坐标；Y表示参考点的纵向坐标；ΔXij是相对参考点(X，Y)横向位置的误差，ΔYij是相对参考点(X，Y)纵向位置的误差，下标i代表注记差量测图形在第一方向上的位置，下标j代表注记差量测图形在第二方向上的位置；a0，a1，a2，a3，a4，a5，a6，a7，a8，a9，b0，b1，b2，b3，b4，b5，b6，b7，b8，为补偿后的修正系数。
优选的，该修正方法还包括重复步骤：所述光掩模图档设置为多层，分别针对每层光掩模图档，进行量测图形插入步骤、注记差量测步骤、修正参数补偿步骤以及修正曝光步骤。
本说明书实施例还提供一种光掩模注记差的修正系统，包括如下模块：
量测图形插入模块：对光掩模图档插入注记差量测图形；
注记差量测模块：通过曝光机对插入注记差量测图形的光掩模图档进行曝光，量测光掩模的注记差；
修正参数补偿模块：通过量测的注记差补偿曝光机的修正参数；
修正曝光模块：通过修正参数补偿后的曝光机对光掩模图档进行曝光，修正光掩模的注记差。
优选的，在所述量测图形插入模块中，将光掩模的数据图档在需要修正的范围，在需要修正的范围内挖空等距的阵列排布的方格，并在方格中插入注记差量测图形。
与现有技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：
本申请是在光掩模的曝光图形上插入注记差的量测图形再曝光，如此可直接量测到因图形差异和GMC/CEC计算上的残余误差，再将此误差通过GMC修正补偿到曝光机台后曝光，如此可以得到更小的注记差或是与其前层光掩模叠对差更小，进而得到一片注记差接近完美的光掩模，进而可以协助减少芯片曝光时层与层的曝光图档，提升芯片的性能和良率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是现有技术中单层光掩模的误差的示意图；
图2是现有技术中两层光掩模之间的误差的示意图；
图3是本申请中在光掩模的曝光图形上插入注记差的量测图形的示意图；
图4是本申请中修正后单层光掩模的误差的示意图；
图5是本申请中修正后两层光掩模之间的误差的示意图；
图6为本申请中注记差量测图形扫描的示意图；
图7为本申请中GMC map修正的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。
以下通过特定的具体实例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
要说明的是，下文描述在所附权利要求书的范围内的实施例的各种方面。应显而易见，本文中所描述的方面可体现于广泛多种形式中，且本文中所描述的任何特定结构及/或功能仅为说明性的。基于本申请，所属领域的技术人员应了解，本文中所描述的一个方面可与任何其它方面独立地实施，且可以各种方式组合这些方面中的两者或两者以上。举例来说，可使用本文中所阐述的任何数目和方面来实施设备及/或实践方法。另外，可使用除了本文中所阐述的方面中的一或多者之外的其它结构及/或功能性实施此设备及/或实践此方法。
还需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本申请的基本构想，图式中仅显示与本申请中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
另外，在以下描述中，提供具体细节是为了便于透彻理解实例。然而，所属领域的技术人员将理解，可在没有这些特定细节的情况下实践。
有鉴于此，申请人通过对光掩模注记差，以及对光掩模注记差的修正进行深入研究及改进探索，发现：通过曝光机台自带的GMC修正功能和CEC修正功能对光掩模注记差进行修正，GMC(Grid Matching Correction，网格匹配校正)是指在曝光过程中由于光掩模自身重力和载物台系统引起的误差导致光掩模图形失真，通过测量图形位置偏差程度计算得到校正系数，利用该校正系数即可将光掩模的图案修正在设计坐标上。GMC修正包含尺寸修正、正交性修正和高阶多项式修正等。CEC是指在曝光过程中光掩模已曝光区域带有正电荷或负电荷，该电荷会对电子束产生吸引力或排斥力，从而导致电子束的位置发生偏移。
基于此，以下结合附图，说明本申请各实施例提供的技术方案。
本说明书实施例提出了一种光掩模注记差的修正方法，包括如下步骤：
量测图形插入步骤：对光掩模图档插入注记差量测图形。
注记差量测步骤：通过曝光机对插入注记差量测图形的光掩模图档进行曝光，量测光掩模的注记差。
修正参数补偿步骤：通过量测的注记差补偿曝光机的修正参数。
修正曝光步骤：通过修正参数补偿后的曝光机对光掩模图档进行曝光，修正光掩模的注记差。
一实施例中，在量测图形插入步骤中，将光掩模的数据图档在需要修正的范围，在需要修正的范围内挖空等距的阵列排布的方格，并在方格中插入注记差量测图形。
具体为，如图3所示，将光掩模的数据图档用EDA软件如CATS在要修正的范围，挖空等距的矩阵方格，并在其中插入注记差的量测图形。修正范围、间距、方格尺寸以及注记差量测图形的尺寸是根据光掩模上主图形的大小来确定的，均为预设的值。修正范围需在一定范围内覆盖主图形的大小，注记差量测图形可以为十字型，L型或T型等其他形状，且注记差量测图形在方格中的位置基本相同，优选为注记差量测图形处于方格的中心位置。每个注记差量测图形形成小范围性的标记，例如图7中的圆形实心点，注记差量测图形也称量测点。修正范围内的所有量测点用于量测曝光前后的相对参考点之间的距离，即量测的注记差。例如在130000*130000μm的范围内以5000μm的间距在光掩模上挖出29*29阵列排布的方格，该方格为30*30μm的正方形，再将线长为20μm线粗1μm的十字注记差量测图形插入其中。
一实施例中，在量测图形插入步骤中，注记差量测图形为十字注记差量测图形。
一实施例中，在注记差量测步骤中，通过IPRO机台利用反射光对注记差量测图形进行扫描量测，注记差量测图形作为量测点，从反射光强信号中量测多个参考点对应的注记差。即，将插入注记差量测图形的光掩模图档由曝光机曝光，量测其注记差，并补偿到曝光机的GMC修正参数中。具体为，由曝光机曝光后，利用IPRO机台量测光掩模上插入的注记差量测图形即可。如图6所示，IPRO是利用反射光对十字注记差量测图形进行扫描量测，扫描方向从左到右，从下到上，经扫描后，从反射光强信号中可得到注记差所在位置。其中，量测的参考点对应的注记差中，曝光前参考点为处于某个注记差量测图形标记的范围内，即位于某个量测点中。
一实施例中，在修正参数补偿步骤中，针对不存在局部位置误差的光掩模，进行GMC多项式修正，使用量测的多个参考点对应的注记差，联立方程计算得到补偿的修正系数，通过补偿的修正系数进行多项式计算，得到计算的相对参考点位置的误差，作为补偿的修正参数。其中，量测的参考点的注记差为曝光前参考点所在的量测点与相应的曝光后参考点所在的量测点相对的误差。具体为，经过IPRO测试，量测的多个参考点(X，Y)在曝光后经注记差量测图形量测后分别对应得到ΔXij，ΔYij，即为量测的参考点对应的注记差，也称量测的相对参考点位置的误差。将多个参考点(X，Y)对应得到的ΔXij，ΔYij联立方程可计算得到补偿的修正系数。
一实施例中，在修正参数补偿步骤中，针对存在局部位置误差的光掩模。GMC修正有两个方面：GMC多项式修正和GMC map修正。一方面，对于光掩模中不存在局部位置误差的区域进行GMC多项式修正，使用该不存在局部位置误差的区域中量测的参考点对应的注记差，联立方程计算得到补偿的修正系数，通过补偿的修正系数进行多项式计算，得到计算的相对参考点位置的误差，作为补偿的修正参数的第一部分；其中，该不存在局部位置误差的区域中量测的参考点对应的注记差为曝光前参考点所在的量测点与相应的曝光后参考点所在的量测点相对的误差。另一方面，对于光掩模中存在局部位置误差的区域进行GMC map修正，使用该存在局部位置误差的区域中量测的一部分参考点对应的注记差，作为补偿的修正参数的第二部分，使用该存在局部位置误差的区域中量测的另一部分参考点对应的注记差进行二阶内插计算，得到计算的相对参考点位置的误差，作为补偿的修正参数的第三部分；其中，该存在局部位置误差的区域中量测的一部分参考点对应的注记差为曝光前参考点所在的量测点与相应的曝光后参考点所在的量测点相对的误差；该存在局部位置误差的区域中量测的另一部分参考点对应的注记差为曝光前参考点所在的量测点与相应的曝光后参考点周围的量测点相对的误差。
一实施例中，在修正参数补偿步骤中，进行GMC多项式修正，使用三阶多项式：
ΔXij＝a0+a1X+a2Y+a3X2+a4XY+a5Y2+a6X3+a7X2Y+a8XY2+a9Y3；
ΔYij＝b0+b1X+b2Y+b3X2+b4XY+b5Y2+b6X3+b7X2Y+b8XY2+b9Y3；
其中，参考点(X，Y)中，X表示参考点的横向坐标；Y表示参考点的纵向坐标；ΔXij，ΔYij是相对参考点(X，Y)位置的误差；ΔXij是相对参考点(X，Y)横向位置的误差，ΔYij是相对参考点(X，Y)纵向位置的误差，下标i代表注记差量测图形在第一方向上的位置，下标j代表注记差量测图形在第二方向上的位置；第一方向和第二方向可以垂直设置。例如注记差量测图形也称量测点(i，j)可以为如图3中左下角的(1，1)，往右为(2，1)以此类推。a0，a1，a2，a3，a4，a5，a6，a7，a8，a9，b0，b1，b2，b3，b4，b5，b6，b7，b8，为补偿后的修正系数，可通过IPRO测试得到。曝光机台和每个光掩模都有对应的参数。
一实施例中，在修正参数补偿步骤中，GMC map修正：MASK在传进曝光机台中是被载物台支撑起来的。如果存在局部位置误差，例如支撑点周围的局部畸变，无法通过多项式来修正，就可以采用该修正方法。该方法采用了点对点的量测修正，量测点之间的修正数值可由以下公式计算得到，采用了二阶内插的计算方法：
ΔX＝(1-s)(1-t)ΔXij+s(1-t)ΔXi+1，j+(1-s)tΔXi，j+1+stΔXi+1，j+1；
ΔY＝(1-s)(1-t)ΔYij+s(1-t)ΔYi+1，j+(1-s)tΔYi，j+1+stΔYi+1，j+1；
如图7所示，GMC map修正是对光掩模进行点对点量测修正，对于量测点之间的修正数值可通过上式计算得到，即，曝光后参考点对于不在量测点上也就是在量测点之间的点(假设为f点)的修正数值才用到了该公式。f点为曝光后的参考点不在量测点上，包围f点的四个量测点所围成的正方形的边长假设为单位1，s和t表示f点在正方形边长不同的长度占比。s和t例如可以表示其中一个格点(例如左下角格点)与f点形成的长方形的长和宽。ΔXij、ΔXi+1，j、ΔXi，j+1、ΔXi+1，j+1是四个格点相对参考点(X，Y)位置的误差，Y同理。再采用二阶内差的计算方法得到四个点围成的f点的修正量ΔX、ΔY。ΔX、ΔY为量测点以外的点相对参考点(X，Y)位置的误差，即曝光前后参考点的误差。该处的ΔX、ΔY可通过包围的周围四个点ΔXij、ΔXi+1，j、ΔXi，j+1、ΔXi+1，j+1计算得到。
一实施例中，该修正方法还包括重复步骤：光掩模图档设置为多层，分别针对每层光掩模图档，进行量测图形插入步骤、注记差量测步骤、修正参数补偿步骤以及修正曝光步骤。
新的GMC参数曝光可得到更小注记差的光掩模，如图4和图5所示。
本申请是在光掩模的曝光图形上插入注记差的量测图形再曝光，注记差的量测图形例如图3，如此可直接量测到因图形差异和GMC/CEC计算上残余误差，再将此误差通过GMC修正补偿到曝光机台后曝光，由此可以得到一片注记差接近完美的光掩模，例如图4中，实线实心箭头表示修正后的单层光掩模的误差；或是将前后层的注记差由GMC补偿到曝光机台后来对后层曝光，可以将前后层的注记差做到最小，例如图5中，实线实心箭头表示修正后的前层光掩模(A光掩模)的误差，实线空心箭头表示修正后的后层光掩模(B光掩模)的误差，带实心圆点的实线实心箭头表示修正后的光掩模前后层(A光掩模和B光掩模)叠对后的误差。因此本申请可以用于光掩模注记差(Registration)的修正，可以改善多层光掩模在相互重叠时的精度误差。
原本的方式是只用相同的GMC和CEC修正参数对应各种不同的图形设计的光掩模，会因图形差异和GMC/CEC计算无法完全拟合实际情况而产生残余误差。本申请可以弥补这个缺点，利用在曝光图档中插入注记差的量测图形，实际量测其残余误差，并将其修正，如此可以得到更小的注记差或是与其前层光掩模叠对差更小。如此可以协助减少芯片曝光时层与层的曝光图档，提升芯片的性能和良率。
本说明书实施例还提供了一种光掩模注记差的修正系统，包括如下模块：
量测图形插入模块：对光掩模图档插入注记差量测图形。
注记差量测模块：通过曝光机对插入注记差量测图形的光掩模图档进行曝光，量测光掩模的注记差。
修正参数补偿模块：通过量测的注记差补偿曝光机的修正参数。
修正曝光模块：通过修正参数补偿后的曝光机对光掩模图档进行曝光，修正光掩模的注记差。
一实施例中，在量测图形插入模块中，将光掩模的数据图档在需要修正的范围，在需要修正的范围内挖空等距的阵列排布的方格，并在方格中插入注记差量测图形。
本说明书中，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例侧重说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于后面说明的实施例而言，描述比较简单，相关之处参见前述实施例的部分说明即可。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (8)
1.一种光掩模注记差的修正方法，其特征在于，包括如下步骤：
量测图形插入步骤：对光掩模图档插入注记差量测图形；其中，将光掩模的数据图档在需要修正的范围内挖空等距的阵列排布的方格，并在方格中插入注记差量测图形；
注记差量测步骤：通过曝光机对插入注记差量测图形的光掩模图档进行曝光，量测光掩模的注记差；其中，注记差量测图形作为量测点，量测的注记差为量测曝光前后的相对参考点之间的距离；
修正参数补偿步骤：通过量测的注记差补偿曝光机的修正参数；
修正曝光步骤：通过修正参数补偿后的曝光机对光掩模图档进行曝光，修正光掩模的注记差。
2.根据权利要求1所述的光掩模注记差的修正方法，其特征在于，在所述量测图形插入步骤中，所述注记差量测图形为十字注记差量测图形。
3.根据权利要求1所述的光掩模注记差的修正方法，其特征在于，在所述注记差量测步骤中，通过IPRO机台利用反射光对注记差量测图形进行扫描量测，注记差量测图形作为量测点，从反射光强信号中量测多个参考点对应的注记差。
4.根据权利要求3所述的光掩模注记差的修正方法，其特征在于，在所述修正参数补偿步骤中，针对不存在局部位置误差的光掩模，进行GMC多项式修正，使用量测的多个参考点对应的注记差，联立方程计算得到补偿的修正系数，通过补偿的修正系数进行多项式计算，得到计算的相对参考点位置的误差，作为补偿的修正参数；
其中，量测的参考点的注记差为曝光前参考点所在的量测点与相应的曝光后参考点所在的量测点相对的误差。
5.根据权利要求3所述的光掩模注记差的修正方法，其特征在于，在所述修正参数补偿步骤中，针对存在局部位置误差的光掩模；
对于光掩模中不存在局部位置误差的区域进行GMC多项式修正，使用该不存在局部位置误差的区域中量测的参考点对应的注记差，联立方程计算得到补偿的修正系数，通过补偿的修正系数进行多项式计算，得到计算的相对参考点位置的误差，作为补偿的修正参数的第一部分；其中，该不存在局部位置误差的区域中量测的参考点对应的注记差为曝光前参考点所在的量测点与相应的曝光后参考点所在的量测点相对的误差；
对于光掩模中存在局部位置误差的区域进行GMC map修正，使用该存在局部位置误差的区域中量测的一部分参考点对应的注记差，作为补偿的修正参数的第二部分，使用该存在局部位置误差的区域中量测的另一部分参考点对应的注记差进行二阶内插计算，得到计算的相对参考点位置的误差，作为补偿的修正参数的第三部分；其中，该存在局部位置误差的区域中量测的一部分参考点对应的注记差为曝光前参考点所在的量测点与相应的曝光后参考点所在的量测点相对的误差；该存在局部位置误差的区域中量测的另一部分参考点对应的注记差为曝光前参考点所在的量测点与相应的曝光后参考点周围的量测点相对的误差。
6.根据权利要求4所述的光掩模注记差的修正方法，其特征在于，在所述修正参数补偿步骤中，使用三阶多项式：
=+；
=+；
其中，参考点（）中，表示参考点的横向坐标；表示参考点的纵向坐标；是相对参考点（）横向位置的误差，是相对参考点（）纵向位置的误差，下标代表注记差量测图形在第一方向上的位置，下标代表注记差量测图形在第二方向上的位置；，，，，，，，，，，，，，，，，，，，为补偿后的修正系数。
7.根据权利要求1所述的光掩模注记差的修正方法，其特征在于，该修正方法还包括重复步骤：所述光掩模图档设置为多层，分别针对每层光掩模图档，进行量测图形插入步骤、注记差量测步骤、修正参数补偿步骤以及修正曝光步骤。
8.一种光掩模注记差的修正系统，其特征在于，应用权利要求1-7任一所述的光掩模注记差的修正方法，包括如下模块：
量测图形插入模块：对光掩模图档插入注记差量测图形；其中，将光掩模的数据图档在需要修正的范围内挖空等距的阵列排布的方格，并在方格中插入注记差量测图形；
注记差量测模块：通过曝光机对插入注记差量测图形的光掩模图档进行曝光，量测光掩模的注记差；其中，注记差量测图形作为量测点，量测的注记差为量测曝光前后的相对参考点之间的距离；
修正参数补偿模块：通过量测的注记差补偿曝光机的修正参数；
修正曝光模块：通过修正参数补偿后的曝光机对光掩模图档进行曝光，修正光掩模的注记差。
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