JPH0473576B2 - - Google Patents
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- JPH0473576B2 JPH0473576B2 JP17122082A JP17122082A JPH0473576B2 JP H0473576 B2 JPH0473576 B2 JP H0473576B2 JP 17122082 A JP17122082 A JP 17122082A JP 17122082 A JP17122082 A JP 17122082A JP H0473576 B2 JPH0473576 B2 JP H0473576B2
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- Japan
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- pattern
- monitor
- patterns
- dimensions
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明はフオト・マスクに係り、特にフオト・
マスクに於けるパターンの構成に関する。
マスクに於けるパターンの構成に関する。
(b) 従来技術と問題点
従来フオト・マスク（ワーキング・マスク）の
寸法保証は、該フオト・マスクに形成されたメイ
ンパターンの寸法を検査することによつてなされ
ていた。
寸法保証は、該フオト・マスクに形成されたメイ
ンパターンの寸法を検査することによつてなされ
ていた。
即ち、例えばマスタ・マスクからのレジスト膜
への露光、レジスト膜の現像、該レジスト膜をマ
スクにしての遮光膜の選択エツチング、前記レジ
スト膜の除去等を終つてマスク・パターンが形成
された時点で、パターンの種類が変るごとに該フ
オト・マスク（ワーキング・マスク）を用いて拡
大図面を作成し、該拡大図面にマスク・パターン
の特性に適応して設計部門が意図する寸法検査場
所及び検査寸法の記入指示を受け、該場所及び寸
法の指示に基づいて寸法検査がなされていた。
への露光、レジスト膜の現像、該レジスト膜をマ
スクにしての遮光膜の選択エツチング、前記レジ
スト膜の除去等を終つてマスク・パターンが形成
された時点で、パターンの種類が変るごとに該フ
オト・マスク（ワーキング・マスク）を用いて拡
大図面を作成し、該拡大図面にマスク・パターン
の特性に適応して設計部門が意図する寸法検査場
所及び検査寸法の記入指示を受け、該場所及び寸
法の指示に基づいて寸法検査がなされていた。
しかし上記従来の方法に於ては、検査資料作成
のための余分な工程が必要となり、製造量の増加
に伴つてその所要工数や滞滞手番が大きな問題と
なつてくる。
のための余分な工程が必要となり、製造量の増加
に伴つてその所要工数や滞滞手番が大きな問題と
なつてくる。
又パターンの種類が変るごとに寸法測定を行う
場所が異なるので検査作業が煩雑になるという問
題もあり、更に前記資料に検査場所及び寸法の記
入ミス等があつた場合には工程の大きな混乱を招
き、製造歩留まりの低下、納期遅延等の問題を生
ずる。
場所が異なるので検査作業が煩雑になるという問
題もあり、更に前記資料に検査場所及び寸法の記
入ミス等があつた場合には工程の大きな混乱を招
き、製造歩留まりの低下、納期遅延等の問題を生
ずる。
更に又拡大図面作成に際してフオト・マスクを
損傷し製造歩留まりを低下せしめることもある。
損傷し製造歩留まりを低下せしめることもある。
(c) 発明の目的
本発明は、あらゆるパターン特性に適応する各
品種共通の寸法測定用モニタ・パターンをフオ
ト・マスク基板上のウエーハ露光領域内に配設し
たフオト・マスクを提供するものであり、その目
的はマスクの設計部門が所定のモニタ・パターン
を指定することにより製造部門がメイン・パター
ンの種類に係わらず確実且つ迅速に測定、評価を
行うことを可能にし、これによつて上記問題点を
除去してフオト・マスクの製造工数の削減、製造
手番の短縮、製造歩留まりの向上等を図るにあ
る。
品種共通の寸法測定用モニタ・パターンをフオ
ト・マスク基板上のウエーハ露光領域内に配設し
たフオト・マスクを提供するものであり、その目
的はマスクの設計部門が所定のモニタ・パターン
を指定することにより製造部門がメイン・パター
ンの種類に係わらず確実且つ迅速に測定、評価を
行うことを可能にし、これによつて上記問題点を
除去してフオト・マスクの製造工数の削減、製造
手番の短縮、製造歩留まりの向上等を図るにあ
る。
(d) 発明の構成
即ち本発明は、ウエーハ露光領域内のあらかじ
め規定された複数の場所に、寸法の異なる複数の
寸法測定用のモニタ・パターンを具備するモニ
タ・パターン領域が配設されてなるフオト・マス
クであつて、前記複数の寸法測定用のモニタ・パ
ターンは、該パターン同士の間隔が所定よりも狭
く配置された複数の高密度パターン、及び、該パ
ターン同士の間隔が所定より広く配置された複数
の分散パターンからなり、且つ前記高密度パター
ン及び分散パターンは、それぞれ同一パターンで
ある遮光パターンと透光パターンからなるフオ
ト・マスクを特徴とする。
め規定された複数の場所に、寸法の異なる複数の
寸法測定用のモニタ・パターンを具備するモニ
タ・パターン領域が配設されてなるフオト・マス
クであつて、前記複数の寸法測定用のモニタ・パ
ターンは、該パターン同士の間隔が所定よりも狭
く配置された複数の高密度パターン、及び、該パ
ターン同士の間隔が所定より広く配置された複数
の分散パターンからなり、且つ前記高密度パター
ン及び分散パターンは、それぞれ同一パターンで
ある遮光パターンと透光パターンからなるフオ
ト・マスクを特徴とする。
(e) 発明の実施例
以下本発明を、第１図イ及びロに示す二つの実
施例に於けるモニタ・パターン領域の配置図、第
２図に示す同実施例に於ける寸法測定用モニタ・
パターンの構成図、及び第３図イ乃至ニに示す同
実施例に於ける寸法測定用モニタ・パターンの形
状図を用いて詳細に説明する。
施例に於けるモニタ・パターン領域の配置図、第
２図に示す同実施例に於ける寸法測定用モニタ・
パターンの構成図、及び第３図イ乃至ニに示す同
実施例に於ける寸法測定用モニタ・パターンの形
状図を用いて詳細に説明する。
フオト・マスクに於て、そのメイン・パターン
は、品種の違い或るいは層の違いによつて高密度
の極めて複雑なものから分散して形成された単純
なものまで種々含まれており、パターン寸法、パ
ターン間隔等も種々に異つている。
は、品種の違い或るいは層の違いによつて高密度
の極めて複雑なものから分散して形成された単純
なものまで種々含まれており、パターン寸法、パ
ターン間隔等も種々に異つている。
そこで各品種、各層に共通する寸法測定用のモ
ニタ・パターンを設ける際に該モニタ・パターン
は、各種メイン・パターンの特性をふまえた、即
ちメイン・パターンの複雑性と単純性に対応でき
るメイン・パターンの各種の幅及間隔寸法を具備
したものでなければならない。又もう一つの条件
としては測定が容易であること、即ち場所の検出
が容易で、且つ寸法が直ぐわかるものである必要
がある。
ニタ・パターンを設ける際に該モニタ・パターン
は、各種メイン・パターンの特性をふまえた、即
ちメイン・パターンの複雑性と単純性に対応でき
るメイン・パターンの各種の幅及間隔寸法を具備
したものでなければならない。又もう一つの条件
としては測定が容易であること、即ち場所の検出
が容易で、且つ寸法が直ぐわかるものである必要
がある。
本発明に於ては上記必要条件をふまえて、下記
実施例に示すような種々の取り決めがなされる。
実施例に示すような種々の取り決めがなされる。
先ず本発明においては、寸法測定用のモニタ・
パターンとメイン・パターンの品質を等しくする
ため、両パターンは全く同一の製造条件、すなわ
ち露光条件およびパターンニング（エツチング）
条件とその安定性、のもとで製造することが必要
である。したがつて本発明において両パターン領
域を同一ウエーハ露光領域内に設けて同時に製造
するため、モニタ・パターンを元々メイン・パタ
ーンが占める位置第１図イ、あるいはそれに隣接
する位置ロに配置することによつて、メイン・パ
ターンと同時に同一の条件で露光、エツチングを
行うことが可能となる。
パターンとメイン・パターンの品質を等しくする
ため、両パターンは全く同一の製造条件、すなわ
ち露光条件およびパターンニング（エツチング）
条件とその安定性、のもとで製造することが必要
である。したがつて本発明において両パターン領
域を同一ウエーハ露光領域内に設けて同時に製造
するため、モニタ・パターンを元々メイン・パタ
ーンが占める位置第１図イ、あるいはそれに隣接
する位置ロに配置することによつて、メイン・パ
ターンと同時に同一の条件で露光、エツチングを
行うことが可能となる。
また上記のモニタ・パターンの位置は測定者に
より検出が容易なメイン・パターン配列の一部に
あるため、測定が確実且つ迅速に行われる。
より検出が容易なメイン・パターン配列の一部に
あるため、測定が確実且つ迅速に行われる。
即ち第１の実施例に於ては、第１図イに示すよ
うに例えばモニタ・チツプ領域１を該フオト・マ
スクに於けるウエーハ露光領域２のＸ及びＹ方向
中心線上の最外周に位置する４個のメイン・チツ
プ領域３′に規定し、該領域にメイン・チツプパ
ターンの代りに寸法測定用のモニタ・パターンを
配設する（図中３はメイン・チツプ領域）。
うに例えばモニタ・チツプ領域１を該フオト・マ
スクに於けるウエーハ露光領域２のＸ及びＹ方向
中心線上の最外周に位置する４個のメイン・チツ
プ領域３′に規定し、該領域にメイン・チツプパ
ターンの代りに寸法測定用のモニタ・パターンを
配設する（図中３はメイン・チツプ領域）。
但し１個のメイン・チツプ領域が大きい場合に
は、上記のように４個のメイン・チツプ領域をモ
ニタ・パターン領域としてつぶすことが半導体装
置の歩留まりに大きく影響してくるので、該歩留
まりに対す影響を無視し得る程度のチツプ取得数
が得られる１個のメイン・チツプ領域３が1.2〔mm
角〕未満のフオト・マスクについて上記規定が適
用される。
は、上記のように４個のメイン・チツプ領域をモ
ニタ・パターン領域としてつぶすことが半導体装
置の歩留まりに大きく影響してくるので、該歩留
まりに対す影響を無視し得る程度のチツプ取得数
が得られる１個のメイン・チツプ領域３が1.2〔mm
角〕未満のフオト・マスクについて上記規定が適
用される。
なお第１図は模式図であるため、メイン・チツ
プ領域３の数は少なく図示されているが、実際に
例えば５〔吋〕半導体基板に於て、1.2〔mm角〕未
満のチツプの取得数は5000個以上であり、前記の
ように４〔個〕のメイン・チツプ領域をモニタ・
パターン領域に転用した際の歩留まり低下は0.02
〔％〕以下の無視出来る程度の値である。
プ領域３の数は少なく図示されているが、実際に
例えば５〔吋〕半導体基板に於て、1.2〔mm角〕未
満のチツプの取得数は5000個以上であり、前記の
ように４〔個〕のメイン・チツプ領域をモニタ・
パターン領域に転用した際の歩留まり低下は0.02
〔％〕以下の無視出来る程度の値である。
又1.2〔mm角〕以上のメイン・チツプ領域を有す
るフオト・マスクについては第１図ロに示す第２
の実施例のように、例えばウエーハ露光領域２の
Ｘ及Ｙ方向中心線上の最外周メイン・チツプ領域
３′の両側に、該最外周メイン・チツプ領域３′の
側辺と、該最外周メイン・チツプ領域３′の一列
内側のメイン・チツプ領域３の上辺に接してモニ
タ・パターン領域１が配設される。そして該モニ
タ・パターン領域１がウエーハ露光領域２からは
み出さないように、その一辺はメイン・チツプ領
域３，３′の1/2以下、例えば0.6〔mm〕程度に規定
される。
るフオト・マスクについては第１図ロに示す第２
の実施例のように、例えばウエーハ露光領域２の
Ｘ及Ｙ方向中心線上の最外周メイン・チツプ領域
３′の両側に、該最外周メイン・チツプ領域３′の
側辺と、該最外周メイン・チツプ領域３′の一列
内側のメイン・チツプ領域３の上辺に接してモニ
タ・パターン領域１が配設される。そして該モニ
タ・パターン領域１がウエーハ露光領域２からは
み出さないように、その一辺はメイン・チツプ領
域３，３′の1/2以下、例えば0.6〔mm〕程度に規定
される。
以上第１、第２の実施例に於て配設されるモニ
タ・パターン領域１には、該フオト・マスクに於
けるメイン・パターンのあらゆる形成条件に対応
し得るように例えば第２図に示すように、高密度
遮光パターン配設領域Ａ、該パターンの黒白反転
パターン即ち高密度遮光パターン配設領域A′、
及び分散（低密度）遮光パターン配設領域Ｂ、該
パターンの黒白反転パターン即ち分散遮光パター
ン配設領域B′の四領域が設けられている。
タ・パターン領域１には、該フオト・マスクに於
けるメイン・パターンのあらゆる形成条件に対応
し得るように例えば第２図に示すように、高密度
遮光パターン配設領域Ａ、該パターンの黒白反転
パターン即ち高密度遮光パターン配設領域A′、
及び分散（低密度）遮光パターン配設領域Ｂ、該
パターンの黒白反転パターン即ち分散遮光パター
ン配設領域B′の四領域が設けられている。
そしてＡの領域には例えば第３図イに示すよう
に、外側の辺長が例えば50〔μｍ〕程度の幅の異
なるかぎ形の寸法測定用遮光パターンa1，a2，
b1，b2，c1，c2，d1，d2，e1，e2，f1，f2が異なる
間隔で高密度に形成される。本実施例に於て、パ
ターン幅はa1＝a2＝12〔μｍ〕、b1＝b2＝10〔μ
ｍ〕、c1＝c2＝８〔μｍ〕、d1＝d2＝６〔μｍ〕e1＝
e2＝４〔μｍ〕、f1＝f2＝２〔μｍ〕で、パターン間
隔a1〜a2＝12〔μｍ〕、a2〜b1＝10〔μｍ〕、b1〜b2
＝10〔μｍ〕、b2〜c1＝８〔μｍ〕、c1〜c2＝８〔μ
ｍ〕、c2〜d1＝６〔μｍ〕、d1〜d2＝６〔μｍ〕、d2
〜e1＝４〔μｍ〕、e1〜e2＝４〔μｍ〕、e2〜f1＝２
〔μｍ〕、f1〜f2＝２〔μｍ〕に形成される。そし
て更にパターン幅を直かに認識し得るように、各
パターンの近傍に図示のようなパターン幅の遮光
数字が形成される。
に、外側の辺長が例えば50〔μｍ〕程度の幅の異
なるかぎ形の寸法測定用遮光パターンa1，a2，
b1，b2，c1，c2，d1，d2，e1，e2，f1，f2が異なる
間隔で高密度に形成される。本実施例に於て、パ
ターン幅はa1＝a2＝12〔μｍ〕、b1＝b2＝10〔μ
ｍ〕、c1＝c2＝８〔μｍ〕、d1＝d2＝６〔μｍ〕e1＝
e2＝４〔μｍ〕、f1＝f2＝２〔μｍ〕で、パターン間
隔a1〜a2＝12〔μｍ〕、a2〜b1＝10〔μｍ〕、b1〜b2
＝10〔μｍ〕、b2〜c1＝８〔μｍ〕、c1〜c2＝８〔μ
ｍ〕、c2〜d1＝６〔μｍ〕、d1〜d2＝６〔μｍ〕、d2
〜e1＝４〔μｍ〕、e1〜e2＝４〔μｍ〕、e2〜f1＝２
〔μｍ〕、f1〜f2＝２〔μｍ〕に形成される。そし
て更にパターン幅を直かに認識し得るように、各
パターンの近傍に図示のようなパターン幅の遮光
数字が形成される。
そして高密度透光パターン配設領域A′には、
第３図ロに示すように、上記高密度遮光パターン
が黒白反転した寸法測定用透光パターンa′1，a′2，
b′1，b′2，c′1，c′2，d′1，d′2，e′1，e′2，f
′1，f′2が
形成される。これらパターンの幅及び間隔は上記
遮光パターンの場合と同じである。又該領域
A′に於ては透光数字により各パターン幅の表示
がなされる。
第３図ロに示すように、上記高密度遮光パターン
が黒白反転した寸法測定用透光パターンa′1，a′2，
b′1，b′2，c′1，c′2，d′1，d′2，e′1，e′2，f
′1，f′2が
形成される。これらパターンの幅及び間隔は上記
遮光パターンの場合と同じである。又該領域
A′に於ては透光数字により各パターン幅の表示
がなされる。
又分散（低密度）遮光パターン配設領域Ｂに
は、例えば第３図ハに示すように、辺長50〔μｍ〕
程度のかぎ形を有し、例えば幅12〔μｍ〕、８〔μ
ｍ〕４〔μｍ〕、２〔μｍ〕の四種の寸法測定遮光
パターンｇ，ｈ，ｉ，ｊが50〔μｍ〕以上の広い
相互間隔を置いて分散配置される。そしてこれら
パターンの近傍には、図のように遮光数字による
パターン幅の表示がなされる。
は、例えば第３図ハに示すように、辺長50〔μｍ〕
程度のかぎ形を有し、例えば幅12〔μｍ〕、８〔μ
ｍ〕４〔μｍ〕、２〔μｍ〕の四種の寸法測定遮光
パターンｇ，ｈ，ｉ，ｊが50〔μｍ〕以上の広い
相互間隔を置いて分散配置される。そしてこれら
パターンの近傍には、図のように遮光数字による
パターン幅の表示がなされる。
又分散（低密度）透光パターン配設領域B′に
は、第３図ニに示すように上記Ｂ領域の黒白反転
パターンであるかぎ形の寸法測定用透光パターン
g′，h′，i′，j′，が形成される。そしてこれらパタ
ーンの寸法及び相互間隔は上記Ｂ領域の場合と同
じである。又パターン幅表示は透光数字によつて
なされる。設計者は設計対象としての素子のマス
ク・パターン寸法および各製造工程における各マ
スク層パターン寸法の中で特定の重要なもの、例
えば最小寸法のパターン幅、パターンの最小間
隔、それらの垂直または水平等の方向等、を選択
して、前記モニタ・パターンの高密度、低密度、
透光、遮光の組合せの中から所望のモニタ・パタ
ーンを数字または記号等により指定することがで
きる。したがつて製造者に対する検査内容の指定
が設計段階に於いて簡単且つ確実に行われる。
は、第３図ニに示すように上記Ｂ領域の黒白反転
パターンであるかぎ形の寸法測定用透光パターン
g′，h′，i′，j′，が形成される。そしてこれらパタ
ーンの寸法及び相互間隔は上記Ｂ領域の場合と同
じである。又パターン幅表示は透光数字によつて
なされる。設計者は設計対象としての素子のマス
ク・パターン寸法および各製造工程における各マ
スク層パターン寸法の中で特定の重要なもの、例
えば最小寸法のパターン幅、パターンの最小間
隔、それらの垂直または水平等の方向等、を選択
して、前記モニタ・パターンの高密度、低密度、
透光、遮光の組合せの中から所望のモニタ・パタ
ーンを数字または記号等により指定することがで
きる。したがつて製造者に対する検査内容の指定
が設計段階に於いて簡単且つ確実に行われる。
製造者はこの指定に基づいてモニタ・パターン
の中でも指定のもののみを測定し、設計及び製造
技術から規定される所定の許容範囲に有るかどう
かを判定する。上記モニタ・パターン群は各種の
マスクに対して共通に用いられるので、異なる設
計に対して一々モニタ・パターンを変更する必要
はない。
の中でも指定のもののみを測定し、設計及び製造
技術から規定される所定の許容範囲に有るかどう
かを判定する。上記モニタ・パターン群は各種の
マスクに対して共通に用いられるので、異なる設
計に対して一々モニタ・パターンを変更する必要
はない。
(f) 発明の効果
本発明はマスク・パターンの設計値に対して実
際に製造されたマスクが設定通りの寸法で完成さ
れているかどうかをモニタ・パターンによつて検
査するものであるが、本発明によつて設計者が設
計段階で検査すべきモニタ・パターンを指定する
ことができ、製造者が確実且つ迅速に検査を行う
ことができる。
際に製造されたマスクが設定通りの寸法で完成さ
れているかどうかをモニタ・パターンによつて検
査するものであるが、本発明によつて設計者が設
計段階で検査すべきモニタ・パターンを指定する
ことができ、製造者が確実且つ迅速に検査を行う
ことができる。
またモニタ・パターンは規格化されているため
多種類のマスクに共通に適用でき、マスクの設
計、製作、検査を効率化できる。
多種類のマスクに共通に適用でき、マスクの設
計、製作、検査を効率化できる。
さらに本発明のマスクは一回の露光工程でモニ
タ・パターンとメイン・パターンを同時に製造で
きるため、製造条件が同一なためモニタ精度が高
く、工程が簡単である。
タ・パターンとメイン・パターンを同時に製造で
きるため、製造条件が同一なためモニタ精度が高
く、工程が簡単である。
また、高密度パターン、分散パターンからは単
一のパターンの精度のモニタのみならず、各パタ
ーンが接近して配置されたときの露光時の光の干
渉等による近接効果もメイン・パターンと同一条
件でモニタ出来、全体を総合的に検査することが
可能である。
一のパターンの精度のモニタのみならず、各パタ
ーンが接近して配置されたときの露光時の光の干
渉等による近接効果もメイン・パターンと同一条
件でモニタ出来、全体を総合的に検査することが
可能である。
これらの効果は従来技術である完成マスクから
異なるマスク毎に測定すべき箇所を選んで設計者
が指定し、これに対応して製造者がそれぞれの場
所を選んで検査する方法に比べ、検査効率、マス
ク歩留りの向上および検査ミスの減少に著しい効
果がある。
異なるマスク毎に測定すべき箇所を選んで設計者
が指定し、これに対応して製造者がそれぞれの場
所を選んで検査する方法に比べ、検査効率、マス
ク歩留りの向上および検査ミスの減少に著しい効
果がある。
また他の従来技術に比べて露光工程の前後をモ
ニタするなど露光工程あるいは装置の条件、安定
性を検査するのではなく、設計値との比較を行う
点、さらに目視によるモニタ・パターンの定性的
検査でなく定量的測定が可能である点で異なるも
のである。
ニタするなど露光工程あるいは装置の条件、安定
性を検査するのではなく、設計値との比較を行う
点、さらに目視によるモニタ・パターンの定性的
検査でなく定量的測定が可能である点で異なるも
のである。
さらに具体的に本発明の効果を説明すると、上
記実施例に示した寸法測定用モニタ・パターン
a1，a2，b1，b2，c1，c2，d1，d2，e1，e2，f1，
f2，ｇ，ｈ，ｉ，ｊ及びa′1，a′2，b′1，b′2，c′1
，
c′2，d′1，d′2，e′1，e′2，f′1，f′2，g′，h′
，i′，j′に
はメイン・パターンと同様な製造条件、即ち露光
時の光の干渉、分散、パターンニング時のオー
バ・エツチング等が総で含まれている。
記実施例に示した寸法測定用モニタ・パターン
a1，a2，b1，b2，c1，c2，d1，d2，e1，e2，f1，
f2，ｇ，ｈ，ｉ，ｊ及びa′1，a′2，b′1，b′2，c′1
，
c′2，d′1，d′2，e′1，e′2，f′1，f′2，g′，h′
，i′，j′に
はメイン・パターンと同様な製造条件、即ち露光
時の光の干渉、分散、パターンニング時のオー
バ・エツチング等が総で含まれている。
本発明に於てこのような幅寸法の表示された寸
法測定用モニタ・パターンのみを具備するモニ
タ・パターン領域が、各品種、各層に共通に総て
のフオト・マスク露光領域内の予め規定された場
所に配設される。
法測定用モニタ・パターンのみを具備するモニ
タ・パターン領域が、各品種、各層に共通に総て
のフオト・マスク露光領域内の予め規定された場
所に配設される。
従つて設計者がフオト・マスクごとに、メイ
ン・パターンに対応する被測定パターンを、モニ
タ・パターン領域の場所、高密度、分散（低密
度）領域の別、遮光、透光パターンの別、及びモ
ニタ・パターン寸法によつて予め規定しておくこ
とにより、フオト・マスク製造工程に於て、検査
担当者は品種或るいは層が変るごとに設計者から
個々に検査場所及び寸法の指示を受けることな
く、独自に寸法検査を行うことができると同時に
測定場所及び寸法の指示ミスもなくなる。従つて
検査資料作成のための余分な工数は削減され、且
つ工程の流れが円滑になるので、製造手番の短縮
が図れる。
ン・パターンに対応する被測定パターンを、モニ
タ・パターン領域の場所、高密度、分散（低密
度）領域の別、遮光、透光パターンの別、及びモ
ニタ・パターン寸法によつて予め規定しておくこ
とにより、フオト・マスク製造工程に於て、検査
担当者は品種或るいは層が変るごとに設計者から
個々に検査場所及び寸法の指示を受けることな
く、独自に寸法検査を行うことができると同時に
測定場所及び寸法の指示ミスもなくなる。従つて
検査資料作成のための余分な工数は削減され、且
つ工程の流れが円滑になるので、製造手番の短縮
が図れる。
更に上記実施例のような寸法測定用モニタ・パ
ターン領域の場所の規定及びモニタ・パターンの
寸法表示により検査作業は大幅に簡略化され、作
業能率の向上及び検査ミスの防止が図れる。
ターン領域の場所の規定及びモニタ・パターンの
寸法表示により検査作業は大幅に簡略化され、作
業能率の向上及び検査ミスの防止が図れる。
そして又、検査資料作成のために、フオト・マ
スクを使用することがなくなるので、フオト・マ
スクを損傷せしめることがなくなり、フオト・マ
スクの製造歩留まりは向上する。
スクを使用することがなくなるので、フオト・マ
スクを損傷せしめることがなくなり、フオト・マ
スクの製造歩留まりは向上する。
以上のように本発明は種々の効果を有するもの
であり、本発明によれば、フオト・マスクの製造
手番の短縮、製造原価の低減、製造歩留まりの向
上が可能となる。
であり、本発明によれば、フオト・マスクの製造
手番の短縮、製造原価の低減、製造歩留まりの向
上が可能となる。
なお寸法測定用モニタ・パターンの形状、寸法
等は上記実施例に限らない。
等は上記実施例に限らない。
第１図イ，ロは本発明の二つの実施例に於ける
モニタ・パターン領域の配置図、第２図は同実施
例に於ける寸法測定用モニタ・パターンの構成
図、で第３図イ乃至ニは同実施例に於ける寸法測
定用モニタ・パターンの形状図である。 図に於て、１はモニタ・パターン領域、２はウ
エーハ露光領域、３及び３′はメイン・チツプ領
域、Ａは高密度遮光パターン配設領域、A′は同
透光パターン配設領域、Ｂは分散（低密度）遮光
パターン配設領域、B′は同透光パターン配設領
域、a1，a2，b1，b2，c1，c2，d1，d2，e1，e2，
f1，f2，ｇ，ｈ，ｉ，ｊは寸法測定用遮光パター
ン、a′1，a′2，b′1，b′2，c′1，c′2，d′1，d′2
，e′1，
e′2，f′1，f′2，g′，h′，i′，j′は寸法測定用透
光パ
ターンを示す。
モニタ・パターン領域の配置図、第２図は同実施
例に於ける寸法測定用モニタ・パターンの構成
図、で第３図イ乃至ニは同実施例に於ける寸法測
定用モニタ・パターンの形状図である。 図に於て、１はモニタ・パターン領域、２はウ
エーハ露光領域、３及び３′はメイン・チツプ領
域、Ａは高密度遮光パターン配設領域、A′は同
透光パターン配設領域、Ｂは分散（低密度）遮光
パターン配設領域、B′は同透光パターン配設領
域、a1，a2，b1，b2，c1，c2，d1，d2，e1，e2，
f1，f2，ｇ，ｈ，ｉ，ｊは寸法測定用遮光パター
ン、a′1，a′2，b′1，b′2，c′1，c′2，d′1，d′2
，e′1，
e′2，f′1，f′2，g′，h′，i′，j′は寸法測定用透
光パ
ターンを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ウエーハ露光領域内のあらかじめ規定された
複数の場所に、寸法の異なる複数の寸法測定用の
モニタ・パターンを具備するモニタ・パターン領
域が配設されてなるフオト・マスクであつて、 前記複数の寸法測定用のモニタ・パターンは、
該パターン同士の間隔が所定よりも狭く配置され
た複数の高密度パターン、及び、該パターン同士
の間隔が所定よりも広く配置された複数の分散パ
ターンからなることを特徴とするフオト・マス
ク。 ２ 前記高密度パターン及び分散パターンは、そ
れぞれ同一パターンである遮光パターンと透光パ
ターンとからなることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のフオト・マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57171220A JPS5960439A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | フオト・マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57171220A JPS5960439A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | フオト・マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5960439A JPS5960439A (ja) | 1984-04-06 |
| JPH0473576B2 true JPH0473576B2 (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=15919262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57171220A Granted JPS5960439A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | フオト・マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5960439A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647043A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Nec Corp | Photomask |
| JPH08146577A (ja) | 1994-11-25 | 1996-06-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 熱現像カラー感光材料 |
| JP4022271B2 (ja) | 1995-10-31 | 2007-12-12 | 富士フイルム株式会社 | ピラゾリルアゾフエノール色素 |
| KR100668730B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2007-01-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 오버레이 키 |
| US7794903B2 (en) | 2006-08-15 | 2010-09-14 | Infineon Technologies Ag | Metrology systems and methods for lithography processes |
| JP6189242B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2017-08-30 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、フォトマスク及び表示装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50116175A (ja) * | 1974-02-25 | 1975-09-11 | ||
| JPS5396674A (en) * | 1977-02-03 | 1978-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | Photo mask |
| JPS5640242A (en) * | 1979-09-11 | 1981-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Mask for semiconductor device |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP57171220A patent/JPS5960439A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50116175A (ja) * | 1974-02-25 | 1975-09-11 | ||
| JPS5396674A (en) * | 1977-02-03 | 1978-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | Photo mask |
| JPS5640242A (en) * | 1979-09-11 | 1981-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Mask for semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5960439A (ja) | 1984-04-06 |
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