JPS6112028A - レジストパタ−ン形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6112028A JPS6112028A JP59132326A JP13232684A JPS6112028A JP S6112028 A JPS6112028 A JP S6112028A JP 59132326 A JP59132326 A JP 59132326A JP 13232684 A JP13232684 A JP 13232684A JP S6112028 A JPS6112028 A JP S6112028A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- dimensions
- development time
- resist pattern
- Prior art date
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- Pending
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ラスタスキャン方式の電子ビーム露光方法を
用いたレジストパターン形成方法の改良に関する。
用いたレジストパターン形成方法の改良に関する。
近年、半導体ウェハやマスク基板等の試料上に微細なレ
ジストパターンを形成する方法として、各種の電子ビー
ム露光装置が提案されている。これらの装置のビームス
キャン方式は、ラスタスキャン方式とベクタスキャン方
式との２つに大別することができる。一般にはラスタス
キャン方式が広く用いられているが、この方式ではＸ方
向とＹ方向とでレジス１−が受ける総エネルギーに差が
あるため、精密なパターン形成上問題があった。
ジストパターンを形成する方法として、各種の電子ビー
ム露光装置が提案されている。これらの装置のビームス
キャン方式は、ラスタスキャン方式とベクタスキャン方
式との２つに大別することができる。一般にはラスタス
キャン方式が広く用いられているが、この方式ではＸ方
向とＹ方向とでレジス１−が受ける総エネルギーに差が
あるため、精密なパターン形成上問題があった。
上記問題を第６図及び第７図を参照して説明する。第６
図はビーム形状６１及びビーム強度分布６２を示す模式
図である。第７図は矩形パターンを上記ビームで露光し
たときのＸ方向及びＹ方向のレジストパターンプロファ
イルを示す模式図である。図中７１は円形のビームであ
り矩形パターンは、試料をＸ方向に連続移動しながら上
記ビームをＹ方向に走査して露光される。即ち、ビーム
走査範囲内でビームを端から端まで走査し、パターンの
部分でビームを照射する、所謂ラスタスキャン方式で露
光される。７２はビーム７１をスキャンしたときのＸ方
向（副走査方向）のビーム分布を示す。レジストが受け
る総エネルギーが大きいため、急峻なビーム分布を得る
ことができる。
図はビーム形状６１及びビーム強度分布６２を示す模式
図である。第７図は矩形パターンを上記ビームで露光し
たときのＸ方向及びＹ方向のレジストパターンプロファ
イルを示す模式図である。図中７１は円形のビームであ
り矩形パターンは、試料をＸ方向に連続移動しながら上
記ビームをＹ方向に走査して露光される。即ち、ビーム
走査範囲内でビームを端から端まで走査し、パターンの
部分でビームを照射する、所謂ラスタスキャン方式で露
光される。７２はビーム７１をスキャンしたときのＸ方
向（副走査方向）のビーム分布を示す。レジストが受け
る総エネルギーが大きいため、急峻なビーム分布を得る
ことができる。
７３はＹ方向、（主走査方向）のビーム分布を示す。
レジストが受ける総エネルギーはＸ方向に比べＹ方向の
方が小さいため、緩やかなビーム分布になる。７４は現
像レベルを示す。７５はＸ方向のレジスト断面プロファ
イル、７６はＹ方向のレジスト断面プロラ１イルである
。
方が小さいため、緩やかなビーム分布になる。７４は現
像レベルを示す。７５はＸ方向のレジスト断面プロファ
イル、７６はＹ方向のレジスト断面プロラ１イルである
。
以上のように、ガウシアンビームでラスタスキャン方式
で露光した場合、Ｘ方向のビーム分布は急峻であるのに
対し、Ｙ方向のビーム分布は傾斜を持っているため、Ｘ
方向に比べＹ方向は現像が遅くなり、これがｘ−Ｙの寸
法差（Ｘｏ −１ｏ ）として現れていた。
で露光した場合、Ｘ方向のビーム分布は急峻であるのに
対し、Ｙ方向のビーム分布は傾斜を持っているため、Ｘ
方向に比べＹ方向は現像が遅くなり、これがｘ−Ｙの寸
法差（Ｘｏ −１ｏ ）として現れていた。
（発明の目的）
本発明の目的は、レジストパターンのＸ−Ｙ寸法差を極
めて小さくすることができ、パターン加工精度の向上に
寄与し得るレジストパターン形成方法を提供することに
ある。
めて小さくすることができ、パターン加工精度の向上に
寄与し得るレジストパターン形成方法を提供することに
ある。
本発明の骨子は、レジストに与えるビーム照射量及びレ
ジストの現像時間を制御することにより、レジストパタ
ーンのＸ−Ｙ寸法差を小さくすることにある。
ジストの現像時間を制御することにより、レジストパタ
ーンのＸ−Ｙ寸法差を小さくすることにある。
即ち本発明は、電子ビームをラスタスキャン方式で走査
し、試料上のレジストを所望パターンに露光したのち、
該レジストを現像処理してレジストパターンを形成する
レジストパターン方法において、前記レジストを露光す
る際の電子ビーム照射量を最適照射量より低くし、且つ
前記レジストを現像する際の現像時間を適正現像時間よ
り長くするようにした方法である。
し、試料上のレジストを所望パターンに露光したのち、
該レジストを現像処理してレジストパターンを形成する
レジストパターン方法において、前記レジストを露光す
る際の電子ビーム照射量を最適照射量より低くし、且つ
前記レジストを現像する際の現像時間を適正現像時間よ
り長くするようにした方法である。
ここで、上記ビーム照射量は最適照射量の１７２．５〜
１１５、上記現像時間は適正現像時間の２〜５倍が最も
望ましい。
１１５、上記現像時間は適正現像時間の２〜５倍が最も
望ましい。
本発明によれば、レジストに与えるビーム照射量を最適
照射量より少なくすることにより、Ｙ方向（ラスタスキ
ャン方式の主走査方向）及びＸ方向（ラスタスキャン方
式の副走査方向）共にその寸法を僅かに小さくすことが
できる。さらに、この状態でレジストの現像時間を適正
現像時間より長くすることによって、Ｘ方向の寸法を僅
かに増大し、Ｙ方向の寸法を上記Ｘ方向の寸法増大より
も大きくすることができる。ここで、Ｙ方向にビーム走
査（主走査）するラスタスキャン方式では、一般にＸ方
向の寸法の方がＹ方向の寸法よりも大きく形成される。
照射量より少なくすることにより、Ｙ方向（ラスタスキ
ャン方式の主走査方向）及びＸ方向（ラスタスキャン方
式の副走査方向）共にその寸法を僅かに小さくすことが
できる。さらに、この状態でレジストの現像時間を適正
現像時間より長くすることによって、Ｘ方向の寸法を僅
かに増大し、Ｙ方向の寸法を上記Ｘ方向の寸法増大より
も大きくすることができる。ここで、Ｙ方向にビーム走
査（主走査）するラスタスキャン方式では、一般にＸ方
向の寸法の方がＹ方向の寸法よりも大きく形成される。
従って、上記のようにビーム照射量を少なく現像時間を
長くすることにより、Ｘ−Ｙ寸法差を小さくすることが
でき、これによりパターン加工精度の向上をはかり得る
。
長くすることにより、Ｘ−Ｙ寸法差を小さくすることが
でき、これによりパターン加工精度の向上をはかり得る
。
まず、発明の詳細な説明する前に、本発明方法の基本原
理について第１図を参照して説明する。
理について第１図を参照して説明する。
前記第６図を用いて説明したのと同様に矩形パターンを
ラスタスキャン方式で露光し、このときのビーム照射量
を最適照射量より低くする。この場合、第１図（ａ）に
示す如くＸ方向、Ｙ方向共にそのビーム分布１２．１３
は従来のビーム分布よりも低いものとなる。このため、
適正現像時間におけるレジストの打抜きパターンの寸法
は、第１図（ｂ）に示す如くＸ方向レジスト断面プロフ
ァイル１５でｘｌと従来の大きさＸ（ｌよりΔＸだけ小
さくなり、Ｙ方向レジスト断面プロファイル１６でｙｌ
と従来の大きさｙｔｌよりΔｙだけ小さくなる。なお、
Ｘａ ＞Ｖｏ 、Δｘ４ΔｙであることがらＸｓ＞Ｖｓ
である。この状態で、レジストの現像時間を適正現像時
間より長くすると、Ｘ方向、Ｙ方向共にその寸法が増大
する。
ラスタスキャン方式で露光し、このときのビーム照射量
を最適照射量より低くする。この場合、第１図（ａ）に
示す如くＸ方向、Ｙ方向共にそのビーム分布１２．１３
は従来のビーム分布よりも低いものとなる。このため、
適正現像時間におけるレジストの打抜きパターンの寸法
は、第１図（ｂ）に示す如くＸ方向レジスト断面プロフ
ァイル１５でｘｌと従来の大きさＸ（ｌよりΔＸだけ小
さくなり、Ｙ方向レジスト断面プロファイル１６でｙｌ
と従来の大きさｙｔｌよりΔｙだけ小さくなる。なお、
Ｘａ ＞Ｖｏ 、Δｘ４ΔｙであることがらＸｓ＞Ｖｓ
である。この状態で、レジストの現像時間を適正現像時
間より長くすると、Ｘ方向、Ｙ方向共にその寸法が増大
する。
ここで、本発明者等は特筆すべき事実を見出だした。つ
まり、適正現像時間を越えると、Ｘ方向の寸法増大より
もＹ方向の寸法増大の方が大きくなると云うことである
。これは、レジスト断面プロファイルが異なるためであ
ると考えられる。即ち、適正現像時間を越えると、第１
図（Ｃ）に示す如く急峻なレジスト断面形状を持つＸ方
向ではまず角部１７が除去されることになり、底部の現
像が上部の現像より遅れ、断面プロファイルは次第に傾
斜を持つようになる。そして、傾斜がある程度なだらか
になると、底部の現像も上部と同程度の速度で進み第１
図（ｄ）に示す如くレジストの打抜きパターンの寸法が
増大することになる。
まり、適正現像時間を越えると、Ｘ方向の寸法増大より
もＹ方向の寸法増大の方が大きくなると云うことである
。これは、レジスト断面プロファイルが異なるためであ
ると考えられる。即ち、適正現像時間を越えると、第１
図（Ｃ）に示す如く急峻なレジスト断面形状を持つＸ方
向ではまず角部１７が除去されることになり、底部の現
像が上部の現像より遅れ、断面プロファイルは次第に傾
斜を持つようになる。そして、傾斜がある程度なだらか
になると、底部の現像も上部と同程度の速度で進み第１
図（ｄ）に示す如くレジストの打抜きパターンの寸法が
増大することになる。
その結果、現像が終了した時点でのレジストのＸ方向打
抜きパターン寸法は×２となり、その寸法増大はΔＸ′
と極めて小さいものとなる。なお、急峻な断面形状を持
つレジストの現像において、レジスト上部の角部１７の
現像が速く底部の現像が遅れるメカニズムは明らかでな
いが、これは本発明者等の実験的に確認されている。
抜きパターン寸法は×２となり、その寸法増大はΔＸ′
と極めて小さいものとなる。なお、急峻な断面形状を持
つレジストの現像において、レジスト上部の角部１７の
現像が速く底部の現像が遅れるメカニズムは明らかでな
いが、これは本発明者等の実験的に確認されている。
これに対し、Ｙ方向では傾斜がなだらかであることから
、第１図（ｃ）（ｄ）に示す如く最初からレジストの上
部及び底部が現像されることになり、現像終了後のレジ
ストのＹ方向打抜きパターンの寸法はｙ２となり、その
寸法増大Δｙ′はΔＸ′に比して大きいものである。従
って、Ｙ方向の打抜きパターン寸法ｙ２がＸ方向の打抜
きパターン寸法ｙ２に近付くことになり、Ｘ−Ｙ寸法差
（Ｘ２−１２ ）は従来のそれ（×ローＹｏ ）より小
さいものとなる。これにより、パターン加工精度の向上
をはかり得るのである。
、第１図（ｃ）（ｄ）に示す如く最初からレジストの上
部及び底部が現像されることになり、現像終了後のレジ
ストのＹ方向打抜きパターンの寸法はｙ２となり、その
寸法増大Δｙ′はΔＸ′に比して大きいものである。従
って、Ｙ方向の打抜きパターン寸法ｙ２がＸ方向の打抜
きパターン寸法ｙ２に近付くことになり、Ｘ−Ｙ寸法差
（Ｘ２−１２ ）は従来のそれ（×ローＹｏ ）より小
さいものとなる。これにより、パターン加工精度の向上
をはかり得るのである。
以下、本発明の一実施例方法について説明する。
、第２図（ａ）（ｂ）は同実施例方法を説明するための
工程断面図である。まず、第２図（ａ）に示す如＜８１
基板２１上にＰＭＭＡ （ポリメチルメタクリレート）
からなるレジスト２２を１［μｍ］厚さに塗布した。次
いで、加速電圧５０［Ｋｅｖ］、ビーム照射量をそれぞ
れ１０ ［μ’ｃ／ａｉ１．２０ ［μｃ／ｃｄ］ ；
５０ ［μ’Ｃ／ ｃｄ］として、０．５［μＴｒＬ
］のライン＆スペースをラスタスキャン方式で露光し、
た。なお、このライン＆スペースのパターンについては
、試料をＸ方向に連続移動しながらビームをＹ方向に走
査して、Ｘ方向に平行なもの及びＹ方向に平行なものを
それぞれ露光した。その後、現像液としてＭＩＢＫ（メ
チルイソブチルケトン）を用い、第２図（ｂ）に示す如
くレジストパターンを形成した。ここで、Ｓはレジスト
２２の打抜き寸法を示している。
工程断面図である。まず、第２図（ａ）に示す如＜８１
基板２１上にＰＭＭＡ （ポリメチルメタクリレート）
からなるレジスト２２を１［μｍ］厚さに塗布した。次
いで、加速電圧５０［Ｋｅｖ］、ビーム照射量をそれぞ
れ１０ ［μ’ｃ／ａｉ１．２０ ［μｃ／ｃｄ］ ；
５０ ［μ’Ｃ／ ｃｄ］として、０．５［μＴｒＬ
］のライン＆スペースをラスタスキャン方式で露光し、
た。なお、このライン＆スペースのパターンについては
、試料をＸ方向に連続移動しながらビームをＹ方向に走
査して、Ｘ方向に平行なもの及びＹ方向に平行なものを
それぞれ露光した。その後、現像液としてＭＩＢＫ（メ
チルイソブチルケトン）を用い、第２図（ｂ）に示す如
くレジストパターンを形成した。ここで、Ｓはレジスト
２２の打抜き寸法を示している。
第３図は上記方法によ、り形成されたレジストパターン
の打抜き寸法のＸ方向とＹ方向との寸法差を示している
。ビーム照射量５０［μｃ／ｃａ！］ではＸ−Ｙ寸法差
は、Ｘ方向に比べＹ方向は−０゜１９［μｍ］、即ち設
計パターンに対し−３８［％］であった。ここで、ビー
ム照射量５０［μＣ；／ａｌ］は、一般に用いられる最
適照射量であり、第４図に示す如くレジストの未露光部
の残膜率が８０［％］となるまで（適正現像時間）現像
したとき、残膜率が零となる露光部の照射量である。
の打抜き寸法のＸ方向とＹ方向との寸法差を示している
。ビーム照射量５０［μｃ／ｃａ！］ではＸ−Ｙ寸法差
は、Ｘ方向に比べＹ方向は−０゜１９［μｍ］、即ち設
計パターンに対し−３８［％］であった。ここで、ビー
ム照射量５０［μＣ；／ａｌ］は、一般に用いられる最
適照射量であり、第４図に示す如くレジストの未露光部
の残膜率が８０［％］となるまで（適正現像時間）現像
したとき、残膜率が零となる露光部の照射量である。
一方、ビーム照射量２０［μＣ／ｃＩｉ］ではＸ−Ｙ寸
法差は、Ｘ方向に比べＹ方向は一〇、０７［μＴｒＬ］
、即ち設計パターンに対し−１４［％］であった。また
、ビーム照射量５０［μＣ／ｃＩＩ］ではＸ−Ｙ寸法差
は、Ｘ方向に比べＹ方向は−０゜０１［μｍ］、即ち設
計パターンに対し−２［％］と非常に小さく形成されて
いる。
法差は、Ｘ方向に比べＹ方向は一〇、０７［μＴｒＬ］
、即ち設計パターンに対し−１４［％］であった。また
、ビーム照射量５０［μＣ／ｃＩＩ］ではＸ−Ｙ寸法差
は、Ｘ方向に比べＹ方向は−０゜０１［μｍ］、即ち設
計パターンに対し−２［％］と非常に小さく形成されて
いる。
このように、ビーム照射量を最適照射量（５０μｃ／１
−１ｉ＞より少なくすると゛共に現像時間を適正現像時
間より長くすることによって、Ｘ−Ｙ寸法差を小さくす
ることができる。但し、ビーム照射量の減少が多過ぎる
と打抜きパターンが設計パターンから大きくずれてしま
い、またビーム照射量の減少が少な過ぎるとＸ−Ｙ寸法
差の減少効果が小さい。本発°明者等の実験によれば、
ビーム照射量を最適照射量の１／２．５以下とすればＸ
−Ｙ′寸法差の減少効果が十分であり、１１５以上とす
れば設計パターンからのずれも無視できる程度であるこ
とが判明した。
−１ｉ＞より少なくすると゛共に現像時間を適正現像時
間より長くすることによって、Ｘ−Ｙ寸法差を小さくす
ることができる。但し、ビーム照射量の減少が多過ぎる
と打抜きパターンが設計パターンから大きくずれてしま
い、またビーム照射量の減少が少な過ぎるとＸ−Ｙ寸法
差の減少効果が小さい。本発°明者等の実験によれば、
ビーム照射量を最適照射量の１／２．５以下とすればＸ
−Ｙ′寸法差の減少効果が十分であり、１１５以上とす
れば設計パターンからのずれも無視できる程度であるこ
とが判明した。
かくして本実施例方法によれば、ラスタスキャン方式で
レジストパターンを形成する際に、Ｘ−Ｙ寸法差を小さ
くすることができ、パターン加工精度の向上、をはかり
得る。第５図は加速電圧５゜［ＫｅＶ］、ビーム照射量
１０［μｃ／ｃｉコ、つまり最適照射量の１１５の照射
量で露光し、現像液ＭＩＢＫを用いて過剰現像（適正現
像時間の４倍の現像時間）したときのレジスト断面組織
を示す顕微鏡写真である。この図からも、Ｘ方向及びＹ
方向の断面７０フアイルに差がなく、Ｘ−Ｙ寸法差が極
めて小さいことが判る。
レジストパターンを形成する際に、Ｘ−Ｙ寸法差を小さ
くすることができ、パターン加工精度の向上、をはかり
得る。第５図は加速電圧５゜［ＫｅＶ］、ビーム照射量
１０［μｃ／ｃｉコ、つまり最適照射量の１１５の照射
量で露光し、現像液ＭＩＢＫを用いて過剰現像（適正現
像時間の４倍の現像時間）したときのレジスト断面組織
を示す顕微鏡写真である。この図からも、Ｘ方向及びＹ
方向の断面７０フアイルに差がなく、Ｘ−Ｙ寸法差が極
めて小さいことが判る。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記レジストはポジ型に限るも゛のではな
く、ネガ型であってもよい。また、レジスト材料及び現
像液の種類等は、仕様に応じて適宜変更可能である。さ
らに、ガウシアンビームに限らず、成形ビームに適用す
ることも可能である。また、試料を一方向に移動しなが
ら電子ビームをこれと直交する方向に走査する、所謂ハ
イブリッドラスタスキャン方式に限らず、ビーム走査範
囲を端から端まで走査、しパターンのある点でビームを
照射するラスタスキャン方式であれば適用可能である。
い。例えば、前記レジストはポジ型に限るも゛のではな
く、ネガ型であってもよい。また、レジスト材料及び現
像液の種類等は、仕様に応じて適宜変更可能である。さ
らに、ガウシアンビームに限らず、成形ビームに適用す
ることも可能である。また、試料を一方向に移動しなが
ら電子ビームをこれと直交する方向に走査する、所謂ハ
イブリッドラスタスキャン方式に限らず、ビーム走査範
囲を端から端まで走査、しパターンのある点でビームを
照射するラスタスキャン方式であれば適用可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形し
て実施することができる。
て実施することができる。
第１図は本発明の基本原理を説明するためのもので矩形
パターンをラスタスキャン方式で最適照射量より低い照
射量で露光し過剰現像したときのＸ方向及びＹ方向のレ
ジストパターンプロファイルを示す模式図、第２図乃至
第５図はそれぞれ本発明の一実施例方法に係わるレジス
トパターン形成工程を説明するためのもので第２図は工
程断面図、第３図はビーム照射量に対するＸ−Ｙ寸法差
を示す特性図、第４図はビーム照射量に対する残膜率を
示す特性図、第５図はレジスト断面組織を示す顕微鏡写
真、第６図及び第７図はそれぞれ従来の問題点を説明す
るためのもので第６図はガウシアンビームの形状及びビ
ーム強度分布を示す模式図、第７図は矩形パターンを最
適照射量で露光したときのＸ方向及びＹ方向のレジスト
パターンプロファイルを示す模式図である。 １２・・・Ｘ方向ビーム分布、１３・・・Ｙ方向ビーム
分布、１５．７５・・・Ｘ方向レジスト断面プロファイ
ル、１６．７６・・・Ｙ方向レジスト断面プロファイル
、２１・・・８１基板、２２・・・レジスト。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 Ｘ方角 Ｙ方句 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
パターンをラスタスキャン方式で最適照射量より低い照
射量で露光し過剰現像したときのＸ方向及びＹ方向のレ
ジストパターンプロファイルを示す模式図、第２図乃至
第５図はそれぞれ本発明の一実施例方法に係わるレジス
トパターン形成工程を説明するためのもので第２図は工
程断面図、第３図はビーム照射量に対するＸ−Ｙ寸法差
を示す特性図、第４図はビーム照射量に対する残膜率を
示す特性図、第５図はレジスト断面組織を示す顕微鏡写
真、第６図及び第７図はそれぞれ従来の問題点を説明す
るためのもので第６図はガウシアンビームの形状及びビ
ーム強度分布を示す模式図、第７図は矩形パターンを最
適照射量で露光したときのＸ方向及びＹ方向のレジスト
パターンプロファイルを示す模式図である。 １２・・・Ｘ方向ビーム分布、１３・・・Ｙ方向ビーム
分布、１５．７５・・・Ｘ方向レジスト断面プロファイ
ル、１６．７６・・・Ｙ方向レジスト断面プロファイル
、２１・・・８１基板、２２・・・レジスト。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 Ｘ方角 Ｙ方句 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (4)
- （１）電子ビームをラスタスキャン方式で走査し、試料
上のレジストを所望パターンに露光したのち、該レジス
トを現像処理してレジストパターンを形成する方法にお
いて、前記レジストを露光する際の電子ビーム照射量を
最適照射量より低くし、且つ前記レジストを現像する際
の現像時間を適正現像時間より長くしたことを特徴とす
るレジストパターン形成方法。 - （２）前記ビーム照射量を前記最適照射量の１／２．５
〜１／５に設定し、前記現像時間を前記適正現像時間の
２〜５倍としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のレジストパターン形成方法。 - （３）前記適正現像時間をレジストの未露光部の残膜率
が８０［％］となる現像時間と定義し、且つ前記最適照
射量を上記適正現像時間で現像したとき、残膜率が零と
なる露光部のビーム照射量と定義したことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のレジストパターン形成方法
。 - （４）前記試料は一方向に連続移動され、前記ビームは
この移動方向と直交する方向に走査されることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のレジストパターン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59132326A JPS6112028A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | レジストパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59132326A JPS6112028A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | レジストパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6112028A true JPS6112028A (ja) | 1986-01-20 |
Family
ID=15078700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59132326A Pending JPS6112028A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | レジストパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6112028A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS534477A (en) * | 1976-07-02 | 1978-01-17 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS55148427A (en) * | 1979-05-09 | 1980-11-19 | Nec Corp | Manufacturing of pattern |
-
1984
- 1984-06-27 JP JP59132326A patent/JPS6112028A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS534477A (en) * | 1976-07-02 | 1978-01-17 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS55148427A (en) * | 1979-05-09 | 1980-11-19 | Nec Corp | Manufacturing of pattern |
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