JPH06163364A - 露光装置及びパターン形成方法 - Google Patents
露光装置及びパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH06163364A JPH06163364A JP30568792A JP30568792A JPH06163364A JP H06163364 A JPH06163364 A JP H06163364A JP 30568792 A JP30568792 A JP 30568792A JP 30568792 A JP30568792 A JP 30568792A JP H06163364 A JPH06163364 A JP H06163364A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light source
- phase shift
- light
- shift mask
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】位相シフトマスクを用いてフォトレジストを露
光する露光装置と、そのような露光工程を含む露光装置
及びパターン形成方法に関し、位相シフトマスクを使用
する場合の解像度及び焦点深度を向上すること。 【構成】位相シフトマスクを使用してパターンを形成す
る際の露光光源として、線状光源、離散した複数の点光
源、楕円光源を使用することを含む。
光する露光装置と、そのような露光工程を含む露光装置
及びパターン形成方法に関し、位相シフトマスクを使用
する場合の解像度及び焦点深度を向上すること。 【構成】位相シフトマスクを使用してパターンを形成す
る際の露光光源として、線状光源、離散した複数の点光
源、楕円光源を使用することを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、露光装置及びパターン
形成方法に関し、より詳しくは、位相シフトマスクを用
いてフォトレジストを露光する露光装置と、そのような
露光工程を含む露光装置及びパターン形成方法に関す
る。
形成方法に関し、より詳しくは、位相シフトマスクを用
いてフォトレジストを露光する露光装置と、そのような
露光工程を含む露光装置及びパターン形成方法に関す
る。
【０００２】フォトレジストを露光する場合、解像度の
向上のために、光波の位相の干渉を利用してパターン形
成を行う位相シフトマスクが注目されている。しかし、
位相シフトマスクを用いてもパターンが微細なため、充
分なフォーカス深度をとることが難しく、その改善が問
題となっている。
向上のために、光波の位相の干渉を利用してパターン形
成を行う位相シフトマスクが注目されている。しかし、
位相シフトマスクを用いてもパターンが微細なため、充
分なフォーカス深度をとることが難しく、その改善が問
題となっている。
【０００３】
【従来の技術】半導体、金属等の膜をパターニングする
場合には、フォトレジストを露光、現像してパターンを
形成し、これをマスクにして膜をエッチングすることが
行われている。
場合には、フォトレジストを露光、現像してパターンを
形成し、これをマスクにして膜をエッチングすることが
行われている。
【０００４】その露光装置としては、例えば図１に示す
ように、光源１から出た光を、絞り２、コンデンサレン
ズ３、マスク（レチクル）４、投影レンズ５に順に透過
させてフォトレジスト６の投影面に照射するものが提案
されている。
ように、光源１から出た光を、絞り２、コンデンサレン
ズ３、マスク（レチクル）４、投影レンズ５に順に透過
させてフォトレジスト６の投影面に照射するものが提案
されている。
【０００５】ところで、マスク４として位相シフタを使
用する場合には、光干渉性を高めるためにコンデンサレ
ンズ３の光軸上に光源１を設定する必要があるので、離
散的でない点状の光源を用いることにより、コンデンサ
レンズ３に対する光源の専有率、即ちコヒーレント係数
σを小さくしてマスク４のパターンをフォトレジスト６
に転写することが行われている。その点光源の正確な平
面形状は、図１２の黒色で示すような略円形である。
用する場合には、光干渉性を高めるためにコンデンサレ
ンズ３の光軸上に光源１を設定する必要があるので、離
散的でない点状の光源を用いることにより、コンデンサ
レンズ３に対する光源の専有率、即ちコヒーレント係数
σを小さくしてマスク４のパターンをフォトレジスト６
に転写することが行われている。その点光源の正確な平
面形状は、図１２の黒色で示すような略円形である。
【０００６】なお、位相シフトマスクとしては、レベン
ソン型、クロムレス型、エッジ強調型等がある（参考資
料；日経マイクロデバイス 1991. 5 No.71 p.52-5
8）。
ソン型、クロムレス型、エッジ強調型等がある（参考資
料；日経マイクロデバイス 1991. 5 No.71 p.52-5
8）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、そのような点
状光源を用いてコヒーレント係数σを小さくすると照度
が低下するので、照射されるエネルギーの低下によりシ
ャープなパターンを得ることが難しくなり、それを防ぐ
ためにσを上げると干渉性が低下して位相シフタの効果
が充分に現れず、しかも焦点深度も低下するといった問
題がある。
状光源を用いてコヒーレント係数σを小さくすると照度
が低下するので、照射されるエネルギーの低下によりシ
ャープなパターンを得ることが難しくなり、それを防ぐ
ためにσを上げると干渉性が低下して位相シフタの効果
が充分に現れず、しかも焦点深度も低下するといった問
題がある。
【０００８】例えば、図３(a) に示すように略等間隔に
細長いパターンが並んで形成される、いわゆるライン＆
スペースのレベンソン型位相シフトマスク４１と点光源
を使用して露光すると、図１３に示すように、焦点ズレ
が大きくなるほど光強度が低下するので、焦点深度が低
くなることがわかる。しかも、焦点ズレが大きくなると
コントラストも悪くなる。
細長いパターンが並んで形成される、いわゆるライン＆
スペースのレベンソン型位相シフトマスク４１と点光源
を使用して露光すると、図１３に示すように、焦点ズレ
が大きくなるほど光強度が低下するので、焦点深度が低
くなることがわかる。しかも、焦点ズレが大きくなると
コントラストも悪くなる。
【０００９】また、図３(b) に示すようなライン＆スペ
ースのクロムレス型位相シフトマスク４２と点光源を使
用して露光を行うと、その光強度の分布は図１４に示す
ようになり、焦点深度が浅く、しかも焦点ズレが大きい
ほどコントラストが悪くなっている。
ースのクロムレス型位相シフトマスク４２と点光源を使
用して露光を行うと、その光強度の分布は図１４に示す
ようになり、焦点深度が浅く、しかも焦点ズレが大きい
ほどコントラストが悪くなっている。
【００１０】さらに、図４に示すようなホール形成用の
エッジ強調型位相シフトマスク４３と点光源を使用する
場合の露光面の光強度分布の等高線を示すと、図１５
(a) のようになり、また、そのＸ−Ｘ線及びＹ−Ｙ線の
断面から見た光強度分布は図１５(b),(c) のようにな
る。
エッジ強調型位相シフトマスク４３と点光源を使用する
場合の露光面の光強度分布の等高線を示すと、図１５
(a) のようになり、また、そのＸ−Ｘ線及びＹ−Ｙ線の
断面から見た光強度分布は図１５(b),(c) のようにな
る。
【００１１】この試験結果によれば、複数の開口部Ｊか
ら入射した光の干渉により開口部Ｊに挟まれる狭い領域
に大きなサブピークが存在し（図１５(b))、解像度が悪
い。なお、露光の際にはコヒーレント係数σを０．３と
し、ｉ線（0.３６５μｍ）の水銀ランプを使用し、開口
数ＮＡの0.５の投影レンズ５を使用した。
ら入射した光の干渉により開口部Ｊに挟まれる狭い領域
に大きなサブピークが存在し（図１５(b))、解像度が悪
い。なお、露光の際にはコヒーレント係数σを０．３と
し、ｉ線（0.３６５μｍ）の水銀ランプを使用し、開口
数ＮＡの0.５の投影レンズ５を使用した。
【００１２】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであって、位相シフトマスクを使用して露光する場
合の解像度及び焦点深度を向上できる露光装置及びパタ
ーン形成方法を提供することを目的とする。
ものであって、位相シフトマスクを使用して露光する場
合の解像度及び焦点深度を向上できる露光装置及びパタ
ーン形成方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、図１、
２に例示するように、位相シフトマスク４１、４２を用
いてフォトレジスト６を露光するため光源１として、線
状の光源か、離散した複数の光点を有する光源か、又は
楕円状の光源のいずれかを有することを特徴とする露光
装置により達成する。
２に例示するように、位相シフトマスク４１、４２を用
いてフォトレジスト６を露光するため光源１として、線
状の光源か、離散した複数の光点を有する光源か、又は
楕円状の光源のいずれかを有することを特徴とする露光
装置により達成する。
【００１４】または、線状の光源を用いて位相シフトマ
スク４１、４２のパターンをフォトレジスト６に転写す
る工程を含むことを特徴とするパターン形成方法により
達成する。
スク４１、４２のパターンをフォトレジスト６に転写す
る工程を含むことを特徴とするパターン形成方法により
達成する。
【００１５】または、前記位相シフトマスク４１、４２
のパターンは、略等間隔に細長いパターンが並んで形成
される、いわゆるライン＆スペースであり、前記線状の
光源は、該ライン＆スペースと平行に配置されることを
特徴とするパターン形成方法により達成する。
のパターンは、略等間隔に細長いパターンが並んで形成
される、いわゆるライン＆スペースであり、前記線状の
光源は、該ライン＆スペースと平行に配置されることを
特徴とするパターン形成方法により達成する。
【００１６】または、離散した複数の光点を有する光源
を用いて位相シフトマスク４３のパターンをフォトレジ
スト６に転写する工程を含むことを特徴とするパターン
形成方法により達成する。
を用いて位相シフトマスク４３のパターンをフォトレジ
スト６に転写する工程を含むことを特徴とするパターン
形成方法により達成する。
【００１７】前記位相シフトマスク４３のパターンは複
数のホールであり、該ホールの配列の少なくともいずれ
かの方向に沿って前記光点が離散していることを特徴と
するパターン形成方法。
数のホールであり、該ホールの配列の少なくともいずれ
かの方向に沿って前記光点が離散していることを特徴と
するパターン形成方法。
【００１８】または、楕円状の光源を用いて位相シフト
マスク４３のパターンをレジスト６に転写する工程を含
むことを特徴とするパターン形成方法によって達成す
る。
マスク４３のパターンをレジスト６に転写する工程を含
むことを特徴とするパターン形成方法によって達成す
る。
【００１９】
【作 用】本発明によれば、位相シフトマスク４１〜４
３のパターン形状に応じて線状光源、離散点状光源又は
楕円光源を用いている。
３のパターン形状に応じて線状光源、離散点状光源又は
楕円光源を用いている。
【００２０】この場合、位相シフトマスク４１〜４３の
パターンの光干渉を低減したい方向、或いは、低減して
も支障がない方向に光源を広げることにより、その方向
の光干渉の効果が抑制される一方で、それ以外の方向で
は光の照度が大きくなり、位相シフトの長所が充分に生
かせる。
パターンの光干渉を低減したい方向、或いは、低減して
も支障がない方向に光源を広げることにより、その方向
の光干渉の効果が抑制される一方で、それ以外の方向で
は光の照度が大きくなり、位相シフトの長所が充分に生
かせる。
【００２１】したがって、その解像度、焦点深度は、従
来の点光源による場合に比べて向上する。
来の点光源による場合に比べて向上する。
【００２２】
【実施例】そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づ
いて説明する。図１は、露光装置の一例を示す概要構成
図である。
いて説明する。図１は、露光装置の一例を示す概要構成
図である。
【００２３】図１において、光源１０から出た光を、絞
り２、コンデンサレンズ３、位相シフトマスク４１〜４
３、投影レンズ５を通してフォトレジスト６に照射する
と、位相シフトマスク４１〜４３のパターンがフォトレ
ジスト６に潜像として転写される。
り２、コンデンサレンズ３、位相シフトマスク４１〜４
３、投影レンズ５を通してフォトレジスト６に照射する
と、位相シフトマスク４１〜４３のパターンがフォトレ
ジスト６に潜像として転写される。
【００２４】図２は、本発明に用いる光源の光放出部分
の形状の例を示す平面図である。図２(a) は、線状領域
１１から光を放出する線状光源を示し、また、図２(b)
は、光軸上の点１２とこれを挟む２つの点１３，１４か
ら光を放出する離散点状光源を、図２(c) は、光軸上の
点１５とその周辺の１つの点１６から光を放出する離散
点状光源を、図２(d) は、楕円状領域１７から光を放出
する楕円状光源を示し、また、図２(e) は、光軸上の点
１８を中心に３つの点１９、２０、２１を２方向に配置
し、これらの点から光を放出させる離散点状光源を示
し、図２(f)は、光軸上の点２２を中心に十字方向に１
つずつ点２３〜２６を配置し、これらの点から光を放出
させる離散点状光源を示している。
の形状の例を示す平面図である。図２(a) は、線状領域
１１から光を放出する線状光源を示し、また、図２(b)
は、光軸上の点１２とこれを挟む２つの点１３，１４か
ら光を放出する離散点状光源を、図２(c) は、光軸上の
点１５とその周辺の１つの点１６から光を放出する離散
点状光源を、図２(d) は、楕円状領域１７から光を放出
する楕円状光源を示し、また、図２(e) は、光軸上の点
１８を中心に３つの点１９、２０、２１を２方向に配置
し、これらの点から光を放出させる離散点状光源を示
し、図２(f)は、光軸上の点２２を中心に十字方向に１
つずつ点２３〜２６を配置し、これらの点から光を放出
させる離散点状光源を示している。
【００２５】なお、図２に示す各光源の形状の調整は、
例えばコンデンサレンズ３と光源１の間に介在させるフ
ライアイレンズ（不図示）を部分的に遮光することによ
り容易に実現できる。
例えばコンデンサレンズ３と光源１の間に介在させるフ
ライアイレンズ（不図示）を部分的に遮光することによ
り容易に実現できる。
【００２６】次に、上記光源１０と各種位相シフトマス
ク４１〜４３を使用して露光する場合の光強度の分布に
ついて例を挙げて説明する。 （１）レベンソン型位相シフトマスクを使用する場合
（その１） まず、図３(a) に示すようなレベンソン型位相シフトマ
スク４１の転写を行う場合について説明する。
ク４１〜４３を使用して露光する場合の光強度の分布に
ついて例を挙げて説明する。 （１）レベンソン型位相シフトマスクを使用する場合
（その１） まず、図３(a) に示すようなレベンソン型位相シフトマ
スク４１の転写を行う場合について説明する。
【００２７】図３(a) に示すレベンソン型位相シフトマ
スク４１は、幅０．２５μｍのライン＆スペースのスト
ライプ状パターンを有するもので、ガラス基板Ａの上
に、一定の間隔をおいてCrよりなる帯状の遮光部Ｂを複
数本形成するとともに、それらの遮光部Ｂの間の領域の
１つおきにシリコン窒化膜よりなる１８０°位相シフト
部Ｃを形成したもので、残りの領域から露出するガラス
基板Ａを０°位相シフト部Ｄとする。
スク４１は、幅０．２５μｍのライン＆スペースのスト
ライプ状パターンを有するもので、ガラス基板Ａの上
に、一定の間隔をおいてCrよりなる帯状の遮光部Ｂを複
数本形成するとともに、それらの遮光部Ｂの間の領域の
１つおきにシリコン窒化膜よりなる１８０°位相シフト
部Ｃを形成したもので、残りの領域から露出するガラス
基板Ａを０°位相シフト部Ｄとする。
【００２８】なお、ライン＆スペースを適用する具体例
としては、例えば半導体記憶装置におけるビット線、ワ
ード線等がある。この位相シフトマスク４１を使用し
て、図１に示す構成の露光装置によりレジスト６を露光
する。
としては、例えば半導体記憶装置におけるビット線、ワ
ード線等がある。この位相シフトマスク４１を使用し
て、図１に示す構成の露光装置によりレジスト６を露光
する。
【００２９】この露光の際には、図２(a) に示すような
１本の線状光源を使用し、その線を位相シフトマスク４
１の各ラインと平行に配置する。その光源の正確な図面
を示すと図９(a) のような平面形状になる。外周の円
は、投影レンズの開口を示す（σ＝１の場合）。
１本の線状光源を使用し、その線を位相シフトマスク４
１の各ラインと平行に配置する。その光源の正確な図面
を示すと図９(a) のような平面形状になる。外周の円
は、投影レンズの開口を示す（σ＝１の場合）。
【００３０】そして、焦点ズレを０．０〜２．０μｍの
範囲で生じさせて光強度の分布を調べてみると、図５に
示すように殆ど変化がみられなかった。しかも、線状光
源を使用しているので単一の点状光源よりも照度が大き
い。
範囲で生じさせて光強度の分布を調べてみると、図５に
示すように殆ど変化がみられなかった。しかも、線状光
源を使用しているので単一の点状光源よりも照度が大き
い。
【００３１】この場合、ライン方向に延在する光源１０
の光は光軸からずれるが、ライン方向なので光干渉効果
が低下することはなく、位相シフトマスク４１による効
果が充分に発揮される。
の光は光軸からずれるが、ライン方向なので光干渉効果
が低下することはなく、位相シフトマスク４１による効
果が充分に発揮される。
【００３２】従って、ライン＆パターンを露光する場合
に線光源を使用すると、図１３に示す従来例に比べてコ
ントラストの劣化が大幅に抑制され、しかも、焦点深度
が向上することがわかる。従来の光源は、図１２に示す
ような平面形状である。
に線光源を使用すると、図１３に示す従来例に比べてコ
ントラストの劣化が大幅に抑制され、しかも、焦点深度
が向上することがわかる。従来の光源は、図１２に示す
ような平面形状である。
【００３３】なお、この例では開口数ＮＡを０．５、発
光波長λを０．３６５μｍとした（以下の例も同様であ
る）。 （２）レベンソン型位相シフトマスクを使用する場合
（その２） 前記レベンソン型位相シフトマスクの第１例では、線状
光源を用いることにより、焦点からズレても光強度分布
は劣化しないことを示した。
光波長λを０．３６５μｍとした（以下の例も同様であ
る）。 （２）レベンソン型位相シフトマスクを使用する場合
（その２） 前記レベンソン型位相シフトマスクの第１例では、線状
光源を用いることにより、焦点からズレても光強度分布
は劣化しないことを示した。
【００３４】実用化を考えた場合には、光量を多くする
ためにある程度線幅を持たせることが必要になる。そこ
で、図６(f) に示すように、投影レンズ５の開口角度の
０．１４倍の幅を持った帯状の光源を用いて露光を行
い、焦点をずらした場合の光強度分布の劣化を調べたと
ころ、図６(a) 〜(e) に示すようになった。これによれ
ば、通常光源に比べてはるかに劣化の少ないことがわか
る。
ためにある程度線幅を持たせることが必要になる。そこ
で、図６(f) に示すように、投影レンズ５の開口角度の
０．１４倍の幅を持った帯状の光源を用いて露光を行
い、焦点をずらした場合の光強度分布の劣化を調べたと
ころ、図６(a) 〜(e) に示すようになった。これによれ
ば、通常光源に比べてはるかに劣化の少ないことがわか
る。
【００３５】なお、パターンは０．２５μｍのライン＆
スペースである。 （３）クロムレス型位相シフトマスクを使用する場合 次に、第３例として、図３(b) に示すようなクロムレス
型位相シフトマスク４２を用いる露光について説明す
る。
スペースである。 （３）クロムレス型位相シフトマスクを使用する場合 次に、第３例として、図３(b) に示すようなクロムレス
型位相シフトマスク４２を用いる露光について説明す
る。
【００３６】このクロムレス型位相シフトマスク４２
は、ライン＆スペースのストライプ状パターンを形成す
るもので、ガラス基板Ｅの上には、一定間隔をおいて帯
状の１８０°位相シフト部Ｆが複数本形成され、その間
の領域は０°位相シフト部Ｇとなっている。
は、ライン＆スペースのストライプ状パターンを形成す
るもので、ガラス基板Ｅの上には、一定間隔をおいて帯
状の１８０°位相シフト部Ｆが複数本形成され、その間
の領域は０°位相シフト部Ｇとなっている。
【００３７】この位相シフトマスク４２を用いて露光を
行う際の光源１０として、図２(a)に示すような１本の
線状光源を用いて光強度の分布を調べた。これによれ
ば、図７に示すように、焦点ズレが０．０〜±１．５μ
ｍの範囲で生じても、その光強度分布は殆ど変わらず、
しかも図１４に示す従来例に比べて大きなコントラスト
が得られた。これにより、解像度が良く、焦点深度が向
上したことがわかる。
行う際の光源１０として、図２(a)に示すような１本の
線状光源を用いて光強度の分布を調べた。これによれ
ば、図７に示すように、焦点ズレが０．０〜±１．５μ
ｍの範囲で生じても、その光強度分布は殆ど変わらず、
しかも図１４に示す従来例に比べて大きなコントラスト
が得られた。これにより、解像度が良く、焦点深度が向
上したことがわかる。
【００３８】これにより、フォトレジスト６に転写する
パターン精度が向上する。 （４）エッジ強調型位相シフトマスク７を使用する場合 次に、第４例として、図４に示すようなエッジ強調型位
相シフトマスク４３のパターン転写について説明する。
パターン精度が向上する。 （４）エッジ強調型位相シフトマスク７を使用する場合 次に、第４例として、図４に示すようなエッジ強調型位
相シフトマスク４３のパターン転写について説明する。
【００３９】このエッジ強調型位相シフトマスク４３
は、ホール形成用のパターンを転写するもので、ガラス
基板Ｈを覆うCrの遮光部Ｉにホール用の開口部Ｊを形成
し、その開口部Ｊの中央の狭い領域に１８０°位相シフ
ト部Ｋを形成するとともに、開口部Ｊから露出したガラ
ス基板Ｈを０°位相シフト部Ｌとしたものである。この
場合、Ｘ方向（図中横方向）とＹ方向（図中縦方向）の
繰り返しピッチはそれぞれ２μｍ、１μｍである。
は、ホール形成用のパターンを転写するもので、ガラス
基板Ｈを覆うCrの遮光部Ｉにホール用の開口部Ｊを形成
し、その開口部Ｊの中央の狭い領域に１８０°位相シフ
ト部Ｋを形成するとともに、開口部Ｊから露出したガラ
ス基板Ｈを０°位相シフト部Ｌとしたものである。この
場合、Ｘ方向（図中横方向）とＹ方向（図中縦方向）の
繰り返しピッチはそれぞれ２μｍ、１μｍである。
【００４０】そして、図２(b) に示すような離散した光
源を用いてパターンの転写を行う。この場合の光源は、
中心の大きな点１２とこれを挟む小さな点１３，１４か
らそれぞれ光を放出するもので、その小さな点１３、１
４の光は、中心の点１２の光のノイズとして作用する。
なお、小さな点１３、１４の配置の向きは、開口部Ｊの
短い方のピッチ側とする。
源を用いてパターンの転写を行う。この場合の光源は、
中心の大きな点１２とこれを挟む小さな点１３，１４か
らそれぞれ光を放出するもので、その小さな点１３、１
４の光は、中心の点１２の光のノイズとして作用する。
なお、小さな点１３、１４の配置の向きは、開口部Ｊの
短い方のピッチ側とする。
【００４１】この場合、開口部Ｊに挟まれた１μｍピッ
チの狭い領域で生じる光干渉によるサブピークが問題に
なるが、その短いピッチ方向に光のノイズを入れている
ので位相シフタの干渉効果が抑制されることになり、光
強度分布は図８に示すようになり、ピッチの狭い領域の
サブピークは殆ど消滅する。
チの狭い領域で生じる光干渉によるサブピークが問題に
なるが、その短いピッチ方向に光のノイズを入れている
ので位相シフタの干渉効果が抑制されることになり、光
強度分布は図８に示すようになり、ピッチの狭い領域の
サブピークは殆ど消滅する。
【００４２】なお、光のノイズを発生させる光源として
は、図２(c) に示すような離散点状光源でもよいし、図
２(d) に示すような楕円状光源でもよい。ところで、図
２(e),(f) に示すように、ノイズ発生用の光点を光軸の
周囲に設けた光源を用いると、それらの方向にある位相
シフトマスクの光干渉効果を弱めることになり、その方
向のサブピークは大幅に抑制される。
は、図２(c) に示すような離散点状光源でもよいし、図
２(d) に示すような楕円状光源でもよい。ところで、図
２(e),(f) に示すように、ノイズ発生用の光点を光軸の
周囲に設けた光源を用いると、それらの方向にある位相
シフトマスクの光干渉効果を弱めることになり、その方
向のサブピークは大幅に抑制される。
【００４３】なお、図２(b),(c),(d),(e),(f) に示す光
源の正確な図面は、それぞれ図９(b),図１０(a),図１０
(b),図１１(a),図１１(b) に示すようになる。 （５）その他の説明 上記した第１〜第４の例では、レベンソン型、クロムレ
ス型、エッジ強調型の位相シフトマスクについて説明し
たが、多段型、補助パターン型、シフター遮光型、その
他の位相シフトマスクを使用して露光する際にも、図２
に示すような光源を使用してもよい。
源の正確な図面は、それぞれ図９(b),図１０(a),図１０
(b),図１１(a),図１１(b) に示すようになる。 （５）その他の説明 上記した第１〜第４の例では、レベンソン型、クロムレ
ス型、エッジ強調型の位相シフトマスクについて説明し
たが、多段型、補助パターン型、シフター遮光型、その
他の位相シフトマスクを使用して露光する際にも、図２
に示すような光源を使用してもよい。
【００４４】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、位相
シフトマスクのパターン形状に応じて線状光源、離散点
状光源又は楕円光源を用いている。この場合、位相シフ
トマスクのパターンの光干渉を低減したい方向、或い
は、低減しても支障がない方向に光源を広げることによ
り、その方向の光干渉の効果が抑制される一方で、それ
以外の方向では光の照度が大きくなり、位相シフトの長
所を十分に生かすことができる。
シフトマスクのパターン形状に応じて線状光源、離散点
状光源又は楕円光源を用いている。この場合、位相シフ
トマスクのパターンの光干渉を低減したい方向、或い
は、低減しても支障がない方向に光源を広げることによ
り、その方向の光干渉の効果が抑制される一方で、それ
以外の方向では光の照度が大きくなり、位相シフトの長
所を十分に生かすことができる。
【００４５】したがって、その解像度、焦点深度は、従
来の点光源による場合に比べて大幅に向上できる。
来の点光源による場合に比べて大幅に向上できる。
【図１】露光装置の一例を示す概要構成図である。
【図２】本発明の実施例に使用する光源の形状を示す平
面図である。
面図である。
【図３】レベンソン型位相シフトマスクとクロムレス型
位相シフトマスクの一例を示す平面図、側面図である。
位相シフトマスクの一例を示す平面図、側面図である。
【図４】エッジ強調型位相シフトマスクの一例を示す平
面図、断面図である。
面図、断面図である。
【図５】本発明の光源とレベンソン型位相シフトマスク
を用いたライン＆スペースの光強度分布図（その１）で
ある。
を用いたライン＆スペースの光強度分布図（その１）で
ある。
【図６】本発明の光源とレベンソン型位相シフトマスク
を用いたライン＆スペースの光強度分布図（その２）で
ある。
を用いたライン＆スペースの光強度分布図（その２）で
ある。
【図７】本発明の光源とクロムレス型位相シフトマスク
を用いたライン＆スペースの光強度分布図である。
を用いたライン＆スペースの光強度分布図である。
【図８】本発明の光源とエッジ強調型位相シフトマスク
を用いたホールの光強度分布図である。
を用いたホールの光強度分布図である。
【図９】本発明の実施例に用いる光源の詳細な形状を示
す平面図（その１）である。
す平面図（その１）である。
【図１０】本発明の実施例に用いる光源の詳細な形状を
示す平面図（その２）である。
示す平面図（その２）である。
【図１１】本発明の実施例に用いる光源の詳細な形状を
示す平面図（その３）である。
示す平面図（その３）である。
【図１２】従来使用されている光源の詳細な形状を示す
平面図である。
平面図である。
【図１３】従来の光源とレベンソン型位相シフトマスク
を用いたライン＆スペースの光強度分布図である。
を用いたライン＆スペースの光強度分布図である。
【図１４】従来の光源とクロムレス型位相シフトマスク
を用いたライン＆スペースの光強度分布図である。
を用いたライン＆スペースの光強度分布図である。
【図１５】従来の光源とエッジ強調型位相シフトマスク
を用いたホールの光強度分布図である。
を用いたホールの光強度分布図である。
２ 絞り ３ コンデンサレンズ ４ マスク ５ 投影レンズ ６ フォトレジスト １０ 光源 ４１ レベンソン型位相シフトマスク ４２ クロムレス型位相シフトマスク ４３ エッジ強調型位相シフトマスク
Claims (6)
- 【請求項１】位相シフトマスク（４１、４２）を用いて
フォトレジスト（６）を露光するため光源（１）とし
て、線状の光源か、離散した複数の光点を有する光源
か、又は楕円状の光源のいずれかを有することを特徴と
する露光装置。 - 【請求項２】線状の光源を用いて位相シフトマスク（４
１、４２）のパターンをフォトレジスト（６）に転写す
る工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項３】前記位相シフトマスク（４１、４２）のパ
ターンは、ライン＆スペースであり、前記線状の光源
は、該ライン＆スペースと平行に配置されることを特徴
とする請求項２記載のパターン形成方法。 - 【請求項４】離散した複数の光点を有する光源を用いて
位相シフトマスク（４３）のパターンをフォトレジスト
（６）に転写する工程を含むことを特徴とするパターン
形成方法。 - 【請求項５】前記位相シフトマスク（４３）のパターン
は複数のホールであり、該ホールの配列の少なくともい
ずれかの方向に沿って前記光点が離散していることを特
徴とする請求項４記載のパターン形成方法。 - 【請求項６】楕円状の光源を用いて位相シフトマスク
（４３）のパターンをレジスト（６）に転写する工程を
含むことを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30568792A JPH06163364A (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | 露光装置及びパターン形成方法 |
| US08/132,165 US5415952A (en) | 1992-10-05 | 1993-10-05 | Fine pattern lithography with positive use of interference |
| US08/387,008 US5637424A (en) | 1992-10-05 | 1995-02-10 | Fine pattern lithography with positive use of interference |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30568792A JPH06163364A (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | 露光装置及びパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163364A true JPH06163364A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=17948154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30568792A Withdrawn JPH06163364A (ja) | 1992-10-05 | 1992-11-16 | 露光装置及びパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163364A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002324743A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
| JP2003234285A (ja) * | 2001-04-24 | 2003-08-22 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
| US7107573B2 (en) | 2002-04-23 | 2006-09-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for setting mask pattern and illumination condition |
| US7217503B2 (en) | 2001-04-24 | 2007-05-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
| US7898644B2 (en) | 2004-10-12 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
1992
- 1992-11-16 JP JP30568792A patent/JPH06163364A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002324743A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
| JP2003234285A (ja) * | 2001-04-24 | 2003-08-22 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
| US7217503B2 (en) | 2001-04-24 | 2007-05-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
| US7107573B2 (en) | 2002-04-23 | 2006-09-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for setting mask pattern and illumination condition |
| US7898644B2 (en) | 2004-10-12 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2986087B2 (ja) | 位相シフト・リソグラフィ・マスクおよびその製造方法 | |
| JP5143356B2 (ja) | 二重露光技術を用いた二重露光方法及びこの二重露光方法のためのフォトマスク | |
| US5827623A (en) | Optical proximity correction halftone type phase shift photomask | |
| JP3197484B2 (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
| US7537870B2 (en) | Lithography process optimization and system | |
| JP2004069841A (ja) | マスクパターンおよびそれを用いたレジストパターンの形成方法 | |
| JP2002351046A (ja) | 位相シフトマスクおよびその設計方法 | |
| US5642183A (en) | Spatial filter used in a reduction-type projection printing apparatus | |
| US6214494B1 (en) | Serif mask design methodology based on enhancing high spatial frequency contribution for improved printability | |
| US5637424A (en) | Fine pattern lithography with positive use of interference | |
| US20050147927A1 (en) | Patterning semiconductor layers using phase shifting and assist features | |
| US8298729B2 (en) | Microlithography masks including image reversal assist features, microlithography systems including such masks, and methods of forming such masks | |
| US5418093A (en) | Projection exposure method and an optical mask for use in projection exposure | |
| JP3588212B2 (ja) | 露光用マスク及びその作製方法並びに半導体装置の製造方法 | |
| US6210841B1 (en) | Approach to increase the resolution of dense line/space patterns for 0.18 micron and below design rules using attenuating phase shifting masks | |
| JPH06163364A (ja) | 露光装置及びパターン形成方法 | |
| US6451488B1 (en) | Single-level masking with partial use of attenuated phase-shift technology | |
| US20040002010A1 (en) | Vortex phase shift mask for optical lithography | |
| JP2005157022A (ja) | 補助パターン付きマスクの製造方法 | |
| TW505823B (en) | Phase-mask | |
| JP3214455B2 (ja) | 投影露光方法 | |
| JPH09288347A (ja) | ダミーパターン付きレチクルおよびこのレチクルを用いて製造された半導体装置 | |
| US6576376B1 (en) | Tri-tone mask process for dense and isolated patterns | |
| US8927198B2 (en) | Method to print contact holes at high resolution | |
| JP2002278040A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク及びホールパターン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000201 |