JPH04240716A - Ｘ線マスク - Google Patents
Ｘ線マスクInfo
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- JPH04240716A JPH04240716A JP3006865A JP686591A JPH04240716A JP H04240716 A JPH04240716 A JP H04240716A JP 3006865 A JP3006865 A JP 3006865A JP 686591 A JP686591 A JP 686591A JP H04240716 A JPH04240716 A JP H04240716A
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- ray
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＸ線露光用マスクに関す
る。Ｘ線露光は０．１０μｍのパターンを転写できるの
で、次世代露光技術として注目されている。
る。Ｘ線露光は０．１０μｍのパターンを転写できるの
で、次世代露光技術として注目されている。
【０００２】
【従来の技術】従来のＸ線マスクは、吸収体パターンが
マスク基板の対露光対象物側、たとえば露光すべきウェ
ハ側の面に設けられている。Ｘ線露光は、近接露光であ
るので、マスクとウェハとの距離を１０〜２０μｍとす
るが、対ウェハ側の面に設けた吸収体パターンは、偶発
的にウェハと接触すると、吸収体パターンが崩れる恐れ
がある。
マスク基板の対露光対象物側、たとえば露光すべきウェ
ハ側の面に設けられている。Ｘ線露光は、近接露光であ
るので、マスクとウェハとの距離を１０〜２０μｍとす
るが、対ウェハ側の面に設けた吸収体パターンは、偶発
的にウェハと接触すると、吸収体パターンが崩れる恐れ
がある。
【０００３】また吸収体パターンに塵が付着することも
あり、これを洗浄して除去するとき、強い洗浄によって
吸収体パターンが崩れる恐れもある。しかし、従来の吸
収体パターンの配置では、塵の付着を防止することは不
可能であった。
あり、これを洗浄して除去するとき、強い洗浄によって
吸収体パターンが崩れる恐れもある。しかし、従来の吸
収体パターンの配置では、塵の付着を防止することは不
可能であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、吸収
体パターンが露光対象物と接触する恐れのないＸ線露光
用マスクを提供することである。
体パターンが露光対象物と接触する恐れのないＸ線露光
用マスクを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題は、マスク支持
リング（３）と、その対露光対象物側の面で支持される
マスク基板（１）と、マスク基板（１）の対露光対象物
側とは反対側の面に設けた吸収体パターン（２）とを有
することを特徴とするＸ線マスクによって解決すること
ができる。
リング（３）と、その対露光対象物側の面で支持される
マスク基板（１）と、マスク基板（１）の対露光対象物
側とは反対側の面に設けた吸収体パターン（２）とを有
することを特徴とするＸ線マスクによって解決すること
ができる。
【０００６】
【作用】図１は、本発明の１つの実施態様のＸ線マスク
を示す。マスク基板１上に形成する吸収体パターン２は
支持リング３の内側に配置する。従って吸収体パターン
２は、図示しない露光対象物に対してマスク基板１の反
対側になるので、Ｘ線マスクが露光対象物に接触しても
、吸収体パターン２が崩れる恐れはない。
を示す。マスク基板１上に形成する吸収体パターン２は
支持リング３の内側に配置する。従って吸収体パターン
２は、図示しない露光対象物に対してマスク基板１の反
対側になるので、Ｘ線マスクが露光対象物に接触しても
、吸収体パターン２が崩れる恐れはない。
【０００７】さらに、支持リング３の、マスク基板１を
支持する側とは反対側の面に、Ｘ線透過性カバー膜４の
周辺を密着させて取付けて、吸収体パターン２を外部か
ら遮断することが好ましい。これによって支持リング３
の内部に塵が侵入して吸収体パターン２に付着すること
を防ぐことができるばかりでなく、マスク基板１の外側
に塵が付着しても強力に洗浄することができる。このカ
バー膜４は支持リング３の上端面に取付けることが便宜
であるが、段差部に取付けてもよい。
支持する側とは反対側の面に、Ｘ線透過性カバー膜４の
周辺を密着させて取付けて、吸収体パターン２を外部か
ら遮断することが好ましい。これによって支持リング３
の内部に塵が侵入して吸収体パターン２に付着すること
を防ぐことができるばかりでなく、マスク基板１の外側
に塵が付着しても強力に洗浄することができる。このカ
バー膜４は支持リング３の上端面に取付けることが便宜
であるが、段差部に取付けてもよい。
【０００８】なお、支持リング３に気圧調整用通気孔５
をあけておけば、支持リング３内外の気圧の変動による
、マスク基板１およびカバー膜４の変形を防止すること
ができる。
をあけておけば、支持リング３内外の気圧の変動による
、マスク基板１およびカバー膜４の変形を防止すること
ができる。
【０００９】本発明のＸ線マスクは、吸収体パターン２
をマスク基板の露光対象物側に形成する従来のマスクに
比べて、マスク基板１の厚み２μｍとパターン２の厚み
０．６μｍとの合計２．６μｍだけ、被露光ウェハより
遠ざかるが、被露光ウェハとマスク基板との間隔は通常
１０〜２０μｍであるので、パターン転写上不都合を生
じることはない。
をマスク基板の露光対象物側に形成する従来のマスクに
比べて、マスク基板１の厚み２μｍとパターン２の厚み
０．６μｍとの合計２．６μｍだけ、被露光ウェハより
遠ざかるが、被露光ウェハとマスク基板との間隔は通常
１０〜２０μｍであるので、パターン転写上不都合を生
じることはない。
【００１０】また、マスク基板１の吸収体パターンに接
して設けた四角い枠で位置合せしてＸ線露光するが、こ
の枠と同じ側に吸収体パターン２を描画するので、位置
合せが容易である。なお、カバー膜４の外側に塵が付着
した場合にも、塵の像は被露光ウェハまでの距離が数ｍ
ｍとあるため、回折が起こり、被露光ウェハに転写され
ることはない。
して設けた四角い枠で位置合せしてＸ線露光するが、こ
の枠と同じ側に吸収体パターン２を描画するので、位置
合せが容易である。なお、カバー膜４の外側に塵が付着
した場合にも、塵の像は被露光ウェハまでの距離が数ｍ
ｍとあるため、回折が起こり、被露光ウェハに転写され
ることはない。
【００１１】
【実施例】図２は、本発明の１つの実施態様であるＸ線
マスクの製造工程図である。（ａ）支持リング３は Ｓ
ｉＣ焼結体であるが、焼結前に通気孔５を数個あけてお
くことが好ましい。常法により、支持リング３の対ウェ
ハ側の面に、厚み２μｍの ＳｉＣ膜を形成してマスク
基板１とした。
マスクの製造工程図である。（ａ）支持リング３は Ｓ
ｉＣ焼結体であるが、焼結前に通気孔５を数個あけてお
くことが好ましい。常法により、支持リング３の対ウェ
ハ側の面に、厚み２μｍの ＳｉＣ膜を形成してマスク
基板１とした。
【００１２】（ｂ）マスク基板１の支持リング側に、厚
み０．６μｍのＴａ 膜を気相成長させ、この上に電子
線描画・現像した図示しないレジストパターンをマスク
として、ＣＣｌ４プラズマの反応性イオンエッチングを
行い、幅０．１〜０．２５μｍのＴａ 吸収体パターン
２を形成した。
み０．６μｍのＴａ 膜を気相成長させ、この上に電子
線描画・現像した図示しないレジストパターンをマスク
として、ＣＣｌ４プラズマの反応性イオンエッチングを
行い、幅０．１〜０．２５μｍのＴａ 吸収体パターン
２を形成した。
【００１３】（ｃ）次に吸収体パターン２の検査を行い
、Ｇａ イオンでフォーカスドイオンビームエッチング
を行って、不要部分を除去し、有機タングステンビーム
を吹付けて欠損部分を補完する、パターン修正を行った
後、マスク基板１を支持する側とは反対側の面に、厚み
０．５μｍの ＳｉＣ膜の周辺を接着して、防塵用カバ
ー膜４を形成した。
、Ｇａ イオンでフォーカスドイオンビームエッチング
を行って、不要部分を除去し、有機タングステンビーム
を吹付けて欠損部分を補完する、パターン修正を行った
後、マスク基板１を支持する側とは反対側の面に、厚み
０．５μｍの ＳｉＣ膜の周辺を接着して、防塵用カバ
ー膜４を形成した。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、Ｘ線露光用マスクの吸
収体パターンの露光対象物との接触による損傷を防止す
ることができ、Ｘ線露光に不都合を生じることもない。 またカバー膜を設けて吸収体パターンに塵の付着を防止
することもできる。
収体パターンの露光対象物との接触による損傷を防止す
ることができ、Ｘ線露光に不都合を生じることもない。 またカバー膜を設けて吸収体パターンに塵の付着を防止
することもできる。
【００１５】
【図１】本発明の１つの実施態様を示すＸ線マスクの断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の１つの実施態様のＸ線マスクの製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
１…マスク基板
２…吸収体パターン
３…支持リング
４…カバー膜
５…気圧調整用通気孔
Claims (3)
- 【請求項１】 マスク支持リング（３）と、その対露
光対象物側の面で支持されるマスク基板（１）と、マス
ク基板（１）の対露光対象物側とは反対側の面に設けた
吸収体パターン（２）とを有することを特徴とするＸ線
マスク。 - 【請求項２】 前記マスク支持リング（３）の、前記
マスク基板（１）を支持する側とは反対側の面に、Ｘ線
透過性カバー膜（４）を取付けて、前記吸収体パターン
（２）を外部から遮断している、請求項１記載のＸ線マ
スク。 - 【請求項３】 前記マスク支持リング（３）に気圧調
整用通気孔（５）を設けてある、請求項２記載のＸ線マ
スク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3006865A JPH04240716A (ja) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | Ｘ線マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3006865A JPH04240716A (ja) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | Ｘ線マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04240716A true JPH04240716A (ja) | 1992-08-28 |
Family
ID=11650137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3006865A Withdrawn JPH04240716A (ja) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | Ｘ線マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04240716A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5781607A (en) * | 1996-10-16 | 1998-07-14 | Ibm Corporation | Membrane mask structure, fabrication and use |
| US6009143A (en) * | 1997-08-08 | 1999-12-28 | International Business Machines Corporation | Mirror for providing selective exposure in X-ray lithography |
| US6101237A (en) * | 1996-08-28 | 2000-08-08 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask and X-ray exposure method using the same |
| US6317479B1 (en) | 1996-05-17 | 2001-11-13 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask, and exposure method and apparatus using the same |
-
1991
- 1991-01-24 JP JP3006865A patent/JPH04240716A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6317479B1 (en) | 1996-05-17 | 2001-11-13 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask, and exposure method and apparatus using the same |
| US6728332B2 (en) | 1996-05-17 | 2004-04-27 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask, and exposure method and apparatus using the same |
| US7072438B2 (en) | 1996-05-17 | 2006-07-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflection type mask |
| US6101237A (en) * | 1996-08-28 | 2000-08-08 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask and X-ray exposure method using the same |
| US5781607A (en) * | 1996-10-16 | 1998-07-14 | Ibm Corporation | Membrane mask structure, fabrication and use |
| US6009143A (en) * | 1997-08-08 | 1999-12-28 | International Business Machines Corporation | Mirror for providing selective exposure in X-ray lithography |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |