JPH03266399A - X線照射装置 - Google Patents

X線照射装置

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JPH03266399A
JPH03266399A JP2063269A JP6326990A JPH03266399A JP H03266399 A JPH03266399 A JP H03266399A JP 2063269 A JP2063269 A JP 2063269A JP 6326990 A JP6326990 A JP 6326990A JP H03266399 A JPH03266399 A JP H03266399A
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JP
Japan
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ray
window
beryllium
vacuum chamber
oxide layer
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Pending
Application number
JP2063269A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihiko Osada
俊彦 長田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPH03266399A publication Critical patent/JPH03266399A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus

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  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 X線照射装置、特に真空室よりX線を取り出すベリリウ
ム窓に関し、 その環境耐性を改善せしめることを目的とし、X線源を
収容した真空室に設けられたX線取り出し用ベリリウム
窓の外表面に、酸化ベリリウム層が形成されてなること
を特徴と構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明はX線照射装置、特にX線源を収容した真空室よ
りX線を取り出すベリリウム窓の改良に関する。
短波長のX線を利用したX線露光装置およびX線分析装
置において、真空室に設けられたX線源が発生するX線
は、一般にヘリリウムにてなる窓から真空室外に取り出
される。
半導体装置の製造において、紫外線より1かに短波長で
あり高解像度が達成されるX線を利用したX線露光装置
は、0.1μmのパターン転写を可能ならしめる次世代
リソグラフィーの一つとして注目されている。
〔従来の技術〕
第4図は従来のX線照射装置の要部を示す概略図である
第4図において、X線照射装置要部は真空室1にX線源
2を収容し、真空室lには厚さ25μm程度のベリリウ
ム窓3が設けられ、X線源2より出射したX線4は、ベ
リリウム窓3を通り真空室1の外に取り出されるように
なる。
真空室1は、10− ’Torr以上の高真空にされる
[発明が解決しようとする課題] 従来のX線照射装置において、ベリリウム窓3はX線照
射下における環境耐性が悪く、X線4を真空室1より大
気中に取り出して利用するとき、ベリリウム窓3の外表
面が大気中の酸素、水分と反応してコロ−ジョンが発生
(腐食)する。
その結果、真空リークを引き起こし真空室1の高真空が
維持できないようなる。
第5図は前記コロ−ジョン対策が施された従来のX線照
射装置要部の一例を示す概略図である。
第5図において、ベリリウム窓3の外側に不活性であり
比較的X線透過率がよいヘリウムガス5の流通路6と、
ポリイミド膜等にてなるX線透過窓7を設ける。
このような装置では、ヘリウムガス5がへゾリウム窓3
の外表面を覆うため、ベリリウム窓3にコロ−ジョンが
発生し難くなる。
しかし、高価なヘリウムガス5の流出防止、用通路6を
設けることによって装置構成が複雑化される、X線透過
窓7によってX線強度が減衰するという欠点があった。
〔課題を解決するための手段〕
装置構成が複雑化しX線強度が減衰する前記欠点の除去
を目的とした本発明のX線照射装置は、その実施例を示
す第1図によれば、X線源2を収容した真空室1に設け
られたX線取り出し用へゾリウム窓11の外表面に、酸
化ベリリウム層12が形成されてなることを特徴とする
〔作用〕
上記手段によれば、ベリリウム窓の外表面に酸化ベリリ
ウム層を形成したことにより、ベリリウム窓の環境耐性
が向上し、X線強度が確保されるようになる。そして、
それらは装置構成を変えることな〈実施できる。
〔実施例〕
以下に、図面を用いて本発明の実施例によるX線照射装
置を説明する。
第1図は本発明の一実施例によるX線照射装置の要部を
示す概略図、第2図は第1図に示すベリリウム窓の斜視
図、第3図は第1図に示すベリリウム窓の製造例の工程
図である。
前出の第4図と共通部分に同一符号を使用した第1図に
おいて、X線照射装置要部は真空室1にX線源2を収容
し、真空室1には厚さ25μm程度のベリリウム窓11
が設けられ、X線源2より出射したX線4は、ベリリウ
ム窓11を通り真空室1の外に取り出されるようになる
ベリリウム窓11は、外表面にヘリルと俗称される酸化
ベリリウムJ’i12が形成され、第2図に示す如く例
えばステンレスにてなる環状フランジエ3に気密保持さ
れる。
第3図(イ)において、ベリリウム板14は従来のベリ
リウム窓3と同様に製造される。
第3図(Ill)において、ベリリウム板14の表面に
酸素のイオン・インプラチージョン、例えば80KV程
度の高エネルギが与えた酸素イオン15をベリリウム板
14に注入させると、第3図(ハ)に示す如く厚さ0.
1μm程度の酸化ベリリウム層12が形成され、−、ゾ
リウム窓11が完成する。
かかる酸化ベリリウム層12は、ベリリウム窓11のX
線透過率を損なうことなく、大気中の酸素および水分に
対し安定であり、従来のベリリウム窓3におけるコロ−
ジョンが発生しないようになる。
〔発明の効果〕
以上説明したよう日本発明によれば、X線透過率を損な
うことなくベリリウム窓の環境耐性が向上し、xH強度
が確保されるようになり、構成を変えることなくX線照
射装置の安定使用が可能になる効果を存する。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の一実施例によるX線照射装置の要部、 第2図は第1図に示すベリリウム窓の斜視図、第3図は
第1図に示すベリリウム窓の製造例の工程図、 第4図は従来のX線照射装置の要部、 第5図はベリリウム窓のコロ−ジョン対策が施された従
来のX線照射装置の要部、 である。 図中において、 1は真空室、 2はX線源、 11はベリリウム窓、 12は酸化ベリリウム層、 を示す。 オ発明カー実た帝IEよろX糸駆領射装置のヤ部王 1
 目 ′#2 虱3

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. X線源(2)を収容した真空室(1)に設けられたX線
    取り出し用ベリリウム窓(11)の外表面に、酸化ベリ
    リウム層(12)が形成されてなることを特徴とするX
    線照射装置。
JP2063269A 1990-03-14 1990-03-14 X線照射装置 Pending JPH03266399A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015111504A (ja) * 2013-12-06 2015-06-18 株式会社東芝 X線管及びx線管の製造方法
JP2020521303A (ja) * 2017-05-19 2020-07-16 イマジン サイエンティフィック,インコーポレイテッド 単色x線撮像システム及び方法
US11744536B2 (en) 2018-02-09 2023-09-05 Imagine Scientific, Inc. Monochromatic x-ray imaging systems and methods
US11903754B2 (en) 2009-04-16 2024-02-20 Imagine Scientific, Inc. Monochromatic X-ray methods and apparatus

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