JPS63183176A - 光ｃｖｄ装置 - Google Patents
光ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS63183176A JPS63183176A JP1416487A JP1416487A JPS63183176A JP S63183176 A JPS63183176 A JP S63183176A JP 1416487 A JP1416487 A JP 1416487A JP 1416487 A JP1416487 A JP 1416487A JP S63183176 A JPS63183176 A JP S63183176A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、励起光を多重反射させることにより、効率よ
く光ＣＶＤ膜を形成できる光ＣｖＤ装置に関するもので
ある。
く光ＣＶＤ膜を形成できる光ＣｖＤ装置に関するもので
ある。
光ＣＶＤ法は、基板や膜に対する損傷が少なく、原料ガ
スの選択的励起ができ、堆積膜の組成、構造を制御する
ことが可能であるなどの特徴を有しているため、半導体
プロセスへの応用をはじめとして、磁気記録材料や光学
材料などのコーティング法として利用できる薄膜形成技
術であり、近年注目されている。特に、励起光源として
レーザを用いたレーザＣＶＤ法は、レーザ光の光学密度
が高いため、２光子励起など、励起の選択性に対する幅
が拡がるという長所を有している。
スの選択的励起ができ、堆積膜の組成、構造を制御する
ことが可能であるなどの特徴を有しているため、半導体
プロセスへの応用をはじめとして、磁気記録材料や光学
材料などのコーティング法として利用できる薄膜形成技
術であり、近年注目されている。特に、励起光源として
レーザを用いたレーザＣＶＤ法は、レーザ光の光学密度
が高いため、２光子励起など、励起の選択性に対する幅
が拡がるという長所を有している。
しかしながら、光ＣＶＤ法では、原料ガスの活性化を促
すため大出力の光源を用いるが、光の利用効率が悪く、
成膜速度が遅いという欠点を有する。特にレーザ光を光
源とし′て使用した場合には、光学密度が高すぎて原料
ガスの光吸収が飽和してしまい、光の利用効率は１％に
も満たない。さらに、レーザビーム径が小さいため、基
板のごく一部にしか膜が形成できないという問題があっ
た。
すため大出力の光源を用いるが、光の利用効率が悪く、
成膜速度が遅いという欠点を有する。特にレーザ光を光
源とし′て使用した場合には、光学密度が高すぎて原料
ガスの光吸収が飽和してしまい、光の利用効率は１％に
も満たない。さらに、レーザビーム径が小さいため、基
板のごく一部にしか膜が形成できないという問題があっ
た。
本発明の目的は、励起光の利用効率を向上させ、広い空
間に光を照射して光ＣＶＤ膜の高速成膜およびレーザ光
ＣＶＤ膜の大面積形成が可能な光ＣＶＤ装置を得ること
にある。
間に光を照射して光ＣＶＤ膜の高速成膜およびレーザ光
ＣＶＤ膜の大面積形成が可能な光ＣＶＤ装置を得ること
にある。
上記目的は、光ＣＶＤを行う真空処理槽に設けた励起光
の入射用窓および出射用窓の外部前面に、それぞれ反射
鏡を設置することにより達成される。
の入射用窓および出射用窓の外部前面に、それぞれ反射
鏡を設置することにより達成される。
本発明による光ＣＶＤ装置は、真空処理槽に取付けられ
た励起光の入射用窓および出射用窓の外部前面に、それ
ぞれ反射鏡を設けたことにより。
た励起光の入射用窓および出射用窓の外部前面に、それ
ぞれ反射鏡を設けたことにより。
光源から出射して上記入射用窓を通過した励起光は、上
記真空処理槽に入り反応をおこしたのち、出射用窓を通
り反射鏡に入射する。上記反射鏡で反射した励起光は上
記出射用窓から再び真空処理槽内に入り、入射用窓から
出射する。上記出射光は反射鏡で反射し再び上記入射窓
から真空処理槽内に入るが、この際、励起光の光路は前
回光路より僅かにずれている。これらの動作を複数回繰
返したのちに、上記励起光は真空処理槽の外に最終的に
出射する。すなわち、本発明による光ＣＶＤ装置は、入
射用窓および出射用窓の外部前面に取付けたそれぞれの
反射鏡により、励起光を多重反射させ、真空処理槽内に
多数回上記励起光を導入して励起光の利用効率を向上さ
せ、かつ、広い空間に上記励起光を照射し光ＣＶＤの高
速成膜、およびレーザ光ＣＶＤ膜の大面積形成を達成す
るものである。
記真空処理槽に入り反応をおこしたのち、出射用窓を通
り反射鏡に入射する。上記反射鏡で反射した励起光は上
記出射用窓から再び真空処理槽内に入り、入射用窓から
出射する。上記出射光は反射鏡で反射し再び上記入射窓
から真空処理槽内に入るが、この際、励起光の光路は前
回光路より僅かにずれている。これらの動作を複数回繰
返したのちに、上記励起光は真空処理槽の外に最終的に
出射する。すなわち、本発明による光ＣＶＤ装置は、入
射用窓および出射用窓の外部前面に取付けたそれぞれの
反射鏡により、励起光を多重反射させ、真空処理槽内に
多数回上記励起光を導入して励起光の利用効率を向上さ
せ、かつ、広い空間に上記励起光を照射し光ＣＶＤの高
速成膜、およびレーザ光ＣＶＤ膜の大面積形成を達成す
るものである。
本発明で用いる反射鏡は平面鏡あるいは凹面鏡である。
レーザのように指向性が高い光線の場合には平面鏡でよ
いが、通常の重水素ランプやＸｅランプなどを用いる場
合は、光の拡散を抑えるため入射側に凹面鏡、また出射
側には上記入射側凹面鏡と焦点距離が等しい凹面鏡を、
中央で２つに割った半円型の凹面鏡を隣り合わせて２枚
設置することにより、励起光の拡散を抑え有効的に反射
回数を増すことができる。
いが、通常の重水素ランプやＸｅランプなどを用いる場
合は、光の拡散を抑えるため入射側に凹面鏡、また出射
側には上記入射側凹面鏡と焦点距離が等しい凹面鏡を、
中央で２つに割った半円型の凹面鏡を隣り合わせて２枚
設置することにより、励起光の拡散を抑え有効的に反射
回数を増すことができる。
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。
第１図は本発明による光ＣＶＤ装置の一実施例を示す平
面概略図である。第１図において、真空処理槽１内には
基板２を設置し、ヒータにより２００℃に加熱している
。つぎに、ガス導入口３よりＳ Ｉ Ｈ４トＮ ａとＮ
Ｏ，ト（７）１ ：１０：５０混合ガスを５００ＳＣＣ
！ｌの流量で導入し、繰返し速さ１００七、平均パワー
５０Ｗ／ｃｍ”のエキシマレーザ光源４（ＡｒＦ、１９
３ｎｍ）から出射した励起光を、コリメートレンズ５お
よび反射鏡６を経て、基板２に平行に２ｎｍの距離を保
つように上記真空処理槽１に導入した。
面概略図である。第１図において、真空処理槽１内には
基板２を設置し、ヒータにより２００℃に加熱している
。つぎに、ガス導入口３よりＳ Ｉ Ｈ４トＮ ａとＮ
Ｏ，ト（７）１ ：１０：５０混合ガスを５００ＳＣＣ
！ｌの流量で導入し、繰返し速さ１００七、平均パワー
５０Ｗ／ｃｍ”のエキシマレーザ光源４（ＡｒＦ、１９
３ｎｍ）から出射した励起光を、コリメートレンズ５お
よび反射鏡６を経て、基板２に平行に２ｎｍの距離を保
つように上記真空処理槽１に導入した。
ここで、レーザ励起光は入射用平面反射鏡７と出射用平
面反射鏡８との間で１５回反射させ、上記真空処理槽１
を１６回通過させたのち系外に放出した。
面反射鏡８との間で１５回反射させ、上記真空処理槽１
を１６回通過させたのち系外に放出した。
なお、真空処理槽１の入射用石英窓９および出射用石英
窓１０に反応生成物が堆積しないように、ノズル１１．
１２によりＮ；を上記各石英窓１１．１２に吹き付けて
、光入射室１３と光出射室１４は差動排気をした。上記
のようにして、基板２上の１０ｃ＋ａ”の領域に、１０
０Ａ／ｓｅｅの速度でＳｉＯ□膜が形成できた。
窓１０に反応生成物が堆積しないように、ノズル１１．
１２によりＮ；を上記各石英窓１１．１２に吹き付けて
、光入射室１３と光出射室１４は差動排気をした。上記
のようにして、基板２上の１０ｃ＋ａ”の領域に、１０
０Ａ／ｓｅｅの速度でＳｉＯ□膜が形成できた。
第１図に示した１５．１６．１７はそれぞれ真空処理槽
１、光入射室１３、光出射室１４を排気するための排気
系であり、１８は放出されたレーザ光の強度を測定する
ためのパワーメータである。比較のため、上記多重反射
鏡７．８を取り除き、真空処理槽１に１回だけ励起光を
通過させたところ、基板２上における２ 、 ３ｃｍ”
の領域に４０Ａ／ｓａｃの速度でしかＳ ｉ Ｏ、膜が
形成されなかった。上記の結果から、励起光の利用効率
が向上し、大面積にわたって光ＣＶＤ膜を高速度で形成
できることが明らかである。
１、光入射室１３、光出射室１４を排気するための排気
系であり、１８は放出されたレーザ光の強度を測定する
ためのパワーメータである。比較のため、上記多重反射
鏡７．８を取り除き、真空処理槽１に１回だけ励起光を
通過させたところ、基板２上における２ 、 ３ｃｍ”
の領域に４０Ａ／ｓａｃの速度でしかＳ ｉ Ｏ、膜が
形成されなかった。上記の結果から、励起光の利用効率
が向上し、大面積にわたって光ＣＶＤ膜を高速度で形成
できることが明らかである。
上記のように本発明による光ＣＶＤ装置は、ガス導入口
および光入射用と光出射用との少なくとも２個の窓を有
する真空槽と、励起用光源と、励起光導入用光学系とか
らなる光ＣＶＤ装置において、上記光入射用窓と光出射
用窓の真空槽外部前面に、それぞれ反射鏡を設置したこ
とにより、上記真空槽を通過して励起光を多重反射させ
ることができるため、上記励起光の利用効率を向上させ
、広い空間に光を照射して高速成膜を可能とし、レーザ
光ＣＶＤ膜の大面積形成を行うことができる。
および光入射用と光出射用との少なくとも２個の窓を有
する真空槽と、励起用光源と、励起光導入用光学系とか
らなる光ＣＶＤ装置において、上記光入射用窓と光出射
用窓の真空槽外部前面に、それぞれ反射鏡を設置したこ
とにより、上記真空槽を通過して励起光を多重反射させ
ることができるため、上記励起光の利用効率を向上させ
、広い空間に光を照射して高速成膜を可能とし、レーザ
光ＣＶＤ膜の大面積形成を行うことができる。
第１図は本発明による光ＣＶＤ装置の一実施例を示す平
面概略図である。 １・・・真空処理槽 ３・・・ガス導入口４・・
・励起用光源 ５・・・レンズ６・・・反射鏡
７・・・入射用反射鏡８・・・出射用反射鏡
９・・・光入射用窓１０・・・光出射用窓 代理人弁理士 中 村 純之助 括
面概略図である。 １・・・真空処理槽 ３・・・ガス導入口４・・
・励起用光源 ５・・・レンズ６・・・反射鏡
７・・・入射用反射鏡８・・・出射用反射鏡
９・・・光入射用窓１０・・・光出射用窓 代理人弁理士 中 村 純之助 括
Claims (1)
- １、ガス導入口および光入射用と光出射用との少なくと
も２個の窓を有する真空槽と、励起用光源と、励起光導
入用光学系とからなる光ＣＶＤ装置において、上記光入
射用窓と光出射用窓の真空槽外部前面に、それぞれ反射
鏡を設置したことを特徴とする光ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1416487A JPS63183176A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | 光ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1416487A JPS63183176A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | 光ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63183176A true JPS63183176A (ja) | 1988-07-28 |
Family
ID=11853502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1416487A Pending JPS63183176A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | 光ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63183176A (ja) |
-
1987
- 1987-01-26 JP JP1416487A patent/JPS63183176A/ja active Pending
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