JPS63228621A - 光励起プロセス装置 - Google Patents
光励起プロセス装置Info
- Publication number
- JPS63228621A JPS63228621A JP6094387A JP6094387A JPS63228621A JP S63228621 A JPS63228621 A JP S63228621A JP 6094387 A JP6094387 A JP 6094387A JP 6094387 A JP6094387 A JP 6094387A JP S63228621 A JPS63228621 A JP S63228621A
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- Japan
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- light
- reacting
- excited
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光励起反応によりエツチング或いは膜の堆積を
するのに好適な光励起プロセス装置に関する。
するのに好適な光励起プロセス装置に関する。
光励起反応を利用し、たプロセスは低温反応５ダメージ
がない、選択性が大きい等の点から将来有望なプロセス
として注目されている。
がない、選択性が大きい等の点から将来有望なプロセス
として注目されている。
上記従来技術では光の利用率が低く、反応速度が高める
ことが困難であるという問題がある。
ことが困難であるという問題がある。
本発明は上記従来技術の欠点を除いて反応速度の大きい
光励起プロセス装置を提供することにある。
光励起プロセス装置を提供することにある。
上記目的は一度反応に用いた光を反射鏡を用いて反射さ
せ、更に反応に用いることにより、光の利用効率を高め
て反応速度を大きくする。更に、この反射鏡の角度を制
御することにより大面積に均一に光が照射される様にし
、反応の均一性を高める。
せ、更に反応に用いることにより、光の利用効率を高め
て反応速度を大きくする。更に、この反射鏡の角度を制
御することにより大面積に均一に光が照射される様にし
、反応の均一性を高める。
反射鏡を設ける事により、一度反応の励起に用いた光を
再び反応容器内に導入し１反応の励起に用いる。
再び反応容器内に導入し１反応の励起に用いる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。光源
１０にはエキシマレーザ−を用いてＨＣαガスを励起し
て、試料３０のシリコンをエツチングする装置である。
１０にはエキシマレーザ−を用いてＨＣαガスを励起し
て、試料３０のシリコンをエツチングする装置である。
光源１０から出た光は石英窓２１を通って反応容器２０
内に入り、反応容器内の反応ガスＭＣＩ２を励起する。
内に入り、反応容器内の反応ガスＭＣＩ２を励起する。
励起されたＨＣＩＩＩは試料１０シリコンをエツチング
する。一度ＨＣＱを励起した光は石英窓２１を通過し、
反射９４０に当って反射し、再び石英窓２１を通って反
応容器２０中に入り、再びＨＣＱを励起する。従って。
する。一度ＨＣＱを励起した光は石英窓２１を通過し、
反射９４０に当って反射し、再び石英窓２１を通って反
応容器２０中に入り、再びＨＣＱを励起する。従って。
同一光が２度反応ガスを励起するのに使用されるため、
光の利用効率が高められ、エツチング速度を高めること
ができる。更に、入射光に対する反射鏡の角度を調整し
、かつ、反射鏡を多数説ければ、反応容器内に光を多数
回通し、同一光で多数回の光、励起に使用することがで
きる。
光の利用効率が高められ、エツチング速度を高めること
ができる。更に、入射光に対する反射鏡の角度を調整し
、かつ、反射鏡を多数説ければ、反応容器内に光を多数
回通し、同一光で多数回の光、励起に使用することがで
きる。
第２図は別な実施例を示す。本装置は光源ｌＯに低圧水
銀ランプを用いて試料３０表面及び反応ガスを励起し、
膜を堆積させるものである。三面に反射ｔＡ４０を設け
る事により、試料３０に当って反射してきた光１反応ガ
ス中を通った光を反射させ、再び、反射光を試料或いは
反応ガスに照射させる。この事により光の利用効率を高
め、反応速度を高める。
銀ランプを用いて試料３０表面及び反応ガスを励起し、
膜を堆積させるものである。三面に反射ｔＡ４０を設け
る事により、試料３０に当って反射してきた光１反応ガ
ス中を通った光を反射させ、再び、反射光を試料或いは
反応ガスに照射させる。この事により光の利用効率を高
め、反応速度を高める。
同一光を何度も反応ガス、試料に照射することにより光
の利用効率を上げるので、反応速度を高めることができ
る。
の利用効率を上げるので、反応速度を高めることができ
る。
第１図及び第２図は本発明の一実施例の光励起プロセス
装置の概念図を示す。
装置の概念図を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光励起によりエッチングまたは膜の堆積を行う装置
に於いて光源から出た光が少く共１回以上試料表面或い
は反応ガスに照射される様にした事を特徴とする光励起
プロセス装置。 ２、請求の範囲第１項に於いて、反射鏡を少なく共１個
以上設けて光を反射させ、試料表面或いは反応ガスに同
一光を少なく共一回以上照射することを特徴とする光励
起プロセス装置。 ３、請求の範囲第２項に於いて、反射鏡の入射光に対す
る角度を制御する事により、反応の均一性をはかる事を
特徴とする光励起プロセス装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6094387A JPS63228621A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 光励起プロセス装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6094387A JPS63228621A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 光励起プロセス装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63228621A true JPS63228621A (ja) | 1988-09-22 |
Family
ID=13156966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6094387A Pending JPS63228621A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 光励起プロセス装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63228621A (ja) |
-
1987
- 1987-03-18 JP JP6094387A patent/JPS63228621A/ja active Pending
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