JPS61440A - 光反応装置における光源の汚染防止機構 - Google Patents
光反応装置における光源の汚染防止機構Info
- Publication number
- JPS61440A JPS61440A JP11980984A JP11980984A JPS61440A JP S61440 A JPS61440 A JP S61440A JP 11980984 A JP11980984 A JP 11980984A JP 11980984 A JP11980984 A JP 11980984A JP S61440 A JPS61440 A JP S61440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light source
- vacuum
- contamination
- predetermined
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
- B01J19/122—Incoherent waves
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は光化学蒸着、光化学エツチング、光化学ド−ピ
ング、光酸化などの他、化学工業における高分子の光重
合、光触媒反応など多くの光化学反応装置に関するもの
で、励起光の光源が所定の光化学反応を起こしめる反応
性ガスによって汚染もしくは汚染によって損傷するとと
゛がなく、かつ励起光の反応容器への入射部に
おける損失が少ない光反応装置における光源の汚染防止
機構に、関するものである。
ング、光酸化などの他、化学工業における高分子の光重
合、光触媒反応など多くの光化学反応装置に関するもの
で、励起光の光源が所定の光化学反応を起こしめる反応
性ガスによって汚染もしくは汚染によって損傷するとと
゛がなく、かつ励起光の反応容器への入射部に
おける損失が少ない光反応装置における光源の汚染防止
機構に、関するものである。
従来の光反応装置としては、第７図に示すような例があ
る（文献Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、３９（１１）
。
る（文献Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、３９（１１）
。
Ｉ Ｄｅａｅｍｂｅｒ １９８１． Ｐ９２１） ｏ第
７図において、１は光源、２は反応容器、４は励起光を
平行光にするためのレンズ、７は基板、１８は基板支持
台、２２はがス導入口、２３は真空排気口、５１は窓材
、５２は集光用レンズ、５３は反射鏡である。この場合
、反応容器２への励起光の入射部に直接、励起光を透過
せしめる窓材５ノが取多付けであるため、該窓材５１の
内側の表面上に光源１から発せられた該励起光とがス導
入口２２から該反応容器２内に導入せられた反応性がス
との反応生成物が付着したシ、まだ該反応生成物により
該窓材が損傷するため、時間とともに該励起光に対する
透過率が減少し、該励起光が減衰するという欠点があっ
た。また真空紫外光を励起光とした場合、該真空紫外光
に対する該窓材５１の吸収が高く、この窓自身にょって
励起光が減衰するという欠点もあった。
７図において、１は光源、２は反応容器、４は励起光を
平行光にするためのレンズ、７は基板、１８は基板支持
台、２２はがス導入口、２３は真空排気口、５１は窓材
、５２は集光用レンズ、５３は反射鏡である。この場合
、反応容器２への励起光の入射部に直接、励起光を透過
せしめる窓材５ノが取多付けであるため、該窓材５１の
内側の表面上に光源１から発せられた該励起光とがス導
入口２２から該反応容器２内に導入せられた反応性がス
との反応生成物が付着したシ、まだ該反応生成物により
該窓材が損傷するため、時間とともに該励起光に対する
透過率が減少し、該励起光が減衰するという欠点があっ
た。また真空紫外光を励起光とした場合、該真空紫外光
に対する該窓材５１の吸収が高く、この窓自身にょって
励起光が減衰するという欠点もあった。
本発明は、光反応装置において、光源から反応容器に到
る光伝搬部の全体もしくは一部を所定の真空度に真空排
気した真空光伝搬部を設け、該真空光伝搬部への光の入
射端と光の出射端、即ち該反応容器の光入射部との間釦
所定の真空度差が生ずべく、気体の流れに対する所定の
コンダクタンスを付与してあることを特徴とし、その目
的は反応性ｆスによる光源の汚染もしくは汚染による摺
傷を防止し、かつ該反応容器への光入射部の窓材を除去
することによって窓材による励起光の減衰を防ぎ、ある
匹は窓材を設けても窓材の内側への反応生成物の付着等
による窓材の経時変化の影響を除去することにある。
る光伝搬部の全体もしくは一部を所定の真空度に真空排
気した真空光伝搬部を設け、該真空光伝搬部への光の入
射端と光の出射端、即ち該反応容器の光入射部との間釦
所定の真空度差が生ずべく、気体の流れに対する所定の
コンダクタンスを付与してあることを特徴とし、その目
的は反応性ｆスによる光源の汚染もしくは汚染による摺
傷を防止し、かつ該反応容器への光入射部の窓材を除去
することによって窓材による励起光の減衰を防ぎ、ある
匹は窓材を設けても窓材の内側への反応生成物の付着等
による窓材の経時変化の影響を除去することにある。
本発明の一実施例を第１図に示す。ｌは励起光源、２は
反応容器、３は励起光を集光するための集光用反射鏡、
４は励起光を平行光にするためのレンズ、５は該励起光
を透過せしめる窓材、６は電極、７は基板、８は電極を
兼ねた基板支持台、９は該電極の間に電圧を印加するた
めの電源、１０は真空光伝搬部、２１．２３は真空排気
口、２２は該反応容器への反応性ガスの導入口、３０は
該真空光伝搬部１０への光の入射端と光の出射端、即ち
該反応容器２の光入射部との間に、所定の真空度差を生
ぜせしめるために、励起光のビーム形状に、沿った貫通
孔が穿孔させられたコンダクタンス減少部である。
反応容器、３は励起光を集光するための集光用反射鏡、
４は励起光を平行光にするためのレンズ、５は該励起光
を透過せしめる窓材、６は電極、７は基板、８は電極を
兼ねた基板支持台、９は該電極の間に電圧を印加するた
めの電源、１０は真空光伝搬部、２１．２３は真空排気
口、２２は該反応容器への反応性ガスの導入口、３０は
該真空光伝搬部１０への光の入射端と光の出射端、即ち
該反応容器２の光入射部との間に、所定の真空度差を生
ぜせしめるために、励起光のビーム形状に、沿った貫通
孔が穿孔させられたコンダクタンス減少部である。
励起光源１からの光は、大気中を伝搬したのち反射鏡３
にて集光され、窓材５を通過した後、コンダクタンス減
少部３０の狭い穴を通シ反応容器２内に入射し基板７上
に照射される。これＫよシ該反応容器２内の反応性がス
もしくは基板７上に吸着した反応性がスを励起せしめ、
その結果反応生成物が基板７上に堆積されるか、あるい
は該反応生成物が基板７表面をエラチン（グする。この
種の光反応の例としては反応性ガスとしてシラン（Ｓｉ
Ｈ４）やジシラン（ＳｉｚＨ６）を用い、水銀シラン０
を励起光源１としてその光分解生成物として、シリコン
（Ｓｉ）を基板上に堆積させる場合や、反応性がスとし
て塩素やＳＦ４などのエツチングガスを用い、エキシマ
レーデを励起光源１として、半導体基板をエツチングす
る場合などがある。
にて集光され、窓材５を通過した後、コンダクタンス減
少部３０の狭い穴を通シ反応容器２内に入射し基板７上
に照射される。これＫよシ該反応容器２内の反応性がス
もしくは基板７上に吸着した反応性がスを励起せしめ、
その結果反応生成物が基板７上に堆積されるか、あるい
は該反応生成物が基板７表面をエラチン（グする。この
種の光反応の例としては反応性ガスとしてシラン（Ｓｉ
Ｈ４）やジシラン（ＳｉｚＨ６）を用い、水銀シラン０
を励起光源１としてその光分解生成物として、シリコン
（Ｓｉ）を基板上に堆積させる場合や、反応性がスとし
て塩素やＳＦ４などのエツチングガスを用い、エキシマ
レーデを励起光源１として、半導体基板をエツチングす
る場合などがある。
このように、真空光伝搬部１０への光の入射端と光の出
射端、即ち該反応容器２の光入射部との間に、所定の真
空度差を生ぜせしめるために、励起光のビーム形状に沿
った貫通孔が穿孔させられたコンダクタンス減少部３０
を設け、気体の流れに対する所定のコンダクタンスを付
与することにより、励起光源１が所定の光化学反応を起
こしめる反応性ガスによって汚染もしくは汚染によって
損傷することを防止することができる。
射端、即ち該反応容器２の光入射部との間に、所定の真
空度差を生ぜせしめるために、励起光のビーム形状に沿
った貫通孔が穿孔させられたコンダクタンス減少部３０
を設け、気体の流れに対する所定のコンダクタンスを付
与することにより、励起光源１が所定の光化学反応を起
こしめる反応性ガスによって汚染もしくは汚染によって
損傷することを防止することができる。
また、この種の反応を生ぜしめるための従来の光反応装
置においては、第７図に示すように、反応容器２への光
の入射部に石英プラス板などの窓材５１を用いると窓材
５１の内側の表面に反応生成物が付着したシまたは窓材
５ノがエツチングされるという欠点があったが、第１図
の実施例に示すごとく該コンダクタンス減少部３０を該
ＩＣＣ先光伝搬１０内に設けることによって、このよう
な欠点は除去される。即ち、励起光を反射鏡３で細く集
光し、該反応容器２への光入射部での該励起光のビーム
径を小さくするとともに、該ビームの形状にそったほぼ
同じ大きさの穴のあいた筒から成る該コンダクタンス減
少部、９０を設置することによって、該反応容器２内の
圧力を比較的高くしたまま、真空光伝搬部１０の窓材５
に接する部分の該反応性ガスの圧力を充分に低くするこ
とができる。その結果、該反応生成物による窓材５への
影響をほとんど除去することが可能である。
置においては、第７図に示すように、反応容器２への光
の入射部に石英プラス板などの窓材５１を用いると窓材
５１の内側の表面に反応生成物が付着したシまたは窓材
５ノがエツチングされるという欠点があったが、第１図
の実施例に示すごとく該コンダクタンス減少部３０を該
ＩＣＣ先光伝搬１０内に設けることによって、このよう
な欠点は除去される。即ち、励起光を反射鏡３で細く集
光し、該反応容器２への光入射部での該励起光のビーム
径を小さくするとともに、該ビームの形状にそったほぼ
同じ大きさの穴のあいた筒から成る該コンダクタンス減
少部、９０を設置することによって、該反応容器２内の
圧力を比較的高くしたまま、真空光伝搬部１０の窓材５
に接する部分の該反応性ガスの圧力を充分に低くするこ
とができる。その結果、該反応生成物による窓材５への
影響をほとんど除去することが可能である。
１例として、第２図に示すような形状をしたコンダクタ
ンス減少部の場合について、該コンダクタンス減少部の
両端での圧力を計算してみる。ｄ１＝５間、ｄ２＝１■
、ｔ＝２０（７）とすると、分子流の場合コンダクタン
スは約５Ｘ１０−’［ｍ３／ｓｅｃ］となる。従って該
真空光伝搬部の真空排気口２１での排気速度Ｓ１をＩ
Ｃｍ３／ｓｅｅ ］とすると、該反応容器内の反応性が
スの圧力Ｐｏは１０ Ｔｏｒｒに保ちながら、該真空光
伝搬部の光入射部における圧力Ｐ１を約５ Ｘ １Ｏ−
５Ｔｏｒｒにすることができる。
ンス減少部の場合について、該コンダクタンス減少部の
両端での圧力を計算してみる。ｄ１＝５間、ｄ２＝１■
、ｔ＝２０（７）とすると、分子流の場合コンダクタン
スは約５Ｘ１０−’［ｍ３／ｓｅｃ］となる。従って該
真空光伝搬部の真空排気口２１での排気速度Ｓ１をＩ
Ｃｍ３／ｓｅｅ ］とすると、該反応容器内の反応性が
スの圧力Ｐｏは１０ Ｔｏｒｒに保ちながら、該真空光
伝搬部の光入射部における圧力Ｐ１を約５ Ｘ １Ｏ−
５Ｔｏｒｒにすることができる。
粘性流の場合は分子流の場合にくらべてコンダクタンス
が大きくなるが、それでも尚、数桁の真空度差を生ぜし
めることが可能である。従って励起光源１が反応性ガス
によって汚染するのを防止できる。また窓材５の内側へ
の該反応生成物の付着を極めて小さくできるととＫなる
。
が大きくなるが、それでも尚、数桁の真空度差を生ぜし
めることが可能である。従って励起光源１が反応性ガス
によって汚染するのを防止できる。また窓材５の内側へ
の該反応生成物の付着を極めて小さくできるととＫなる
。
しかもこの場合は、図から明らかなように該窓材５によ
り該励起光源１と該反応容器２は真空的に絶縁されて騒
るので該反応生成物による該励起光源への影響は勿論な
い。
り該励起光源１と該反応容器２は真空的に絶縁されて騒
るので該反応生成物による該励起光源への影響は勿論な
い。
第１図の実施例においては、該コンダクタンス減少部３
０に第２図に示す形状の筒を用すたが、第３図に示すよ
うに該励起光のビーム径とほぼ同じ大きさの径の穴のあ
いた板を複数枚、該励起光の光軸方向に設置したもの、
すなわち、光のビーム形状に沿って孔が穿孔せられたも
のでもよ込。穴の面積がＡｎ〔ｍ〕である１枚の板を通
して気体が外部へ流れる時のコンダクタンスは、気体の
種類にも依存するが、概そＣｎ” １１６ Ｘ Ａ ［
ｍ３／ｓｅａ ］で与えられ、この板が複数枚用しられ
ている時は、その全体のコンダクタンスは加算されると
とが知られている。従って、第３図に示した例では、全
体のコンダクタンスＣｔｏｔａｌは で与えられ、板の枚数ｎを大きくすることによって、Ｃ
ｔｏｔａｌを充分小さくでき、第２図に示した部品と同
様の効果がある。また、第３図の場合はさらに各々の板
の間に真空排気口を設けることによって該コンダクタン
ス減少部の両端の真空度差をさらに大きくすることも可
能である。
０に第２図に示す形状の筒を用すたが、第３図に示すよ
うに該励起光のビーム径とほぼ同じ大きさの径の穴のあ
いた板を複数枚、該励起光の光軸方向に設置したもの、
すなわち、光のビーム形状に沿って孔が穿孔せられたも
のでもよ込。穴の面積がＡｎ〔ｍ〕である１枚の板を通
して気体が外部へ流れる時のコンダクタンスは、気体の
種類にも依存するが、概そＣｎ” １１６ Ｘ Ａ ［
ｍ３／ｓｅａ ］で与えられ、この板が複数枚用しられ
ている時は、その全体のコンダクタンスは加算されると
とが知られている。従って、第３図に示した例では、全
体のコンダクタンスＣｔｏｔａｌは で与えられ、板の枚数ｎを大きくすることによって、Ｃ
ｔｏｔａｌを充分小さくでき、第２図に示した部品と同
様の効果がある。また、第３図の場合はさらに各々の板
の間に真空排気口を設けることによって該コンダクタン
ス減少部の両端の真空度差をさらに大きくすることも可
能である。
さらにまた第１図の実施例においては、電極（、よイカ
あイ、８よ。６−エカ８゜ヵ１−１おシ、該励起光によ
って生成された反応性ガスのイオン種（特に真空紫外光
を励起光とした場合、イオン種の生成が多い）が、該反
応容器２への光の入射部から基板７の方に向って流れる
ため、この流れによって反応性ガスの該反応容器２から
該真空光伝搬部１０への流出が抑えられるとともに、ま
た該イオン種が基板７表面上の反応に寄与している場合
には、該反応の進行をよシ効率よく行うこともできる。
あイ、８よ。６−エカ８゜ヵ１−１おシ、該励起光によ
って生成された反応性ガスのイオン種（特に真空紫外光
を励起光とした場合、イオン種の生成が多い）が、該反
応容器２への光の入射部から基板７の方に向って流れる
ため、この流れによって反応性ガスの該反応容器２から
該真空光伝搬部１０への流出が抑えられるとともに、ま
た該イオン種が基板７表面上の反応に寄与している場合
には、該反応の進行をよシ効率よく行うこともできる。
第４図は本発明に係る光反応装置の他の一実施例である
。基本的構成は第１図の実施例とほぼ同じであるが、光
伝搬部の全部が真空排気され、真空光伝搬部内に励起光
源１や反射鏡゛３をも含まれておシ、その代わりｇｇ１
図の窓材に和尚するものがない点が第１図の実施例と異
なる。
。基本的構成は第１図の実施例とほぼ同じであるが、光
伝搬部の全部が真空排気され、真空光伝搬部内に励起光
源１や反射鏡゛３をも含まれておシ、その代わりｇｇ１
図の窓材に和尚するものがない点が第１図の実施例と異
なる。
第４図の符号は第１図の符号に対応している。
２０は真空排気口である。即ち、励起光が可視光や赤外
光である場合は、第１図の実施例のように、真空光伝搬
部を該反応容器の光入射部付近にのみ設置する構成でも
本発明の目的は十分達成せられるが、励起光が真空店外
光のように空気により吸収されてしまう場合には、第４
図のように光伝ｉＭ部の全体を真空にする必要がある。
光である場合は、第１図の実施例のように、真空光伝搬
部を該反応容器の光入射部付近にのみ設置する構成でも
本発明の目的は十分達成せられるが、励起光が真空店外
光のように空気により吸収されてしまう場合には、第４
図のように光伝ｉＭ部の全体を真空にする必要がある。
該真空光伝搬部の構成及び機能は第１図の実施例と同様
であるので詳細は省略するが、同図に示すごとく第１図
における窓材５に相当するものがないので、該反応容器
２から該真空光伝り部１０へ拡散した反応性ガスは反射
鏡３や励起光源１の表面に反応生成物を付層せしめるこ
とが考えられるが、第１図の説明から容易にわかるよう
に該コンダクタンス減少部３０の両端で所定の真空度差
を生ぜしめることにより、これらの悪影響を除去するこ
とができる。さらに第４図のイ苺成においては、該真空
光伝搬部１θの配管の径自体を核励起光の通過に妨害と
ならぬ程度に十分細くすることにより、該励起光源１の
方への気体の流れに対するコンダクタンスを小さくする
ことができる。
であるので詳細は省略するが、同図に示すごとく第１図
における窓材５に相当するものがないので、該反応容器
２から該真空光伝り部１０へ拡散した反応性ガスは反射
鏡３や励起光源１の表面に反応生成物を付層せしめるこ
とが考えられるが、第１図の説明から容易にわかるよう
に該コンダクタンス減少部３０の両端で所定の真空度差
を生ぜしめることにより、これらの悪影響を除去するこ
とができる。さらに第４図のイ苺成においては、該真空
光伝搬部１θの配管の径自体を核励起光の通過に妨害と
ならぬ程度に十分細くすることにより、該励起光源１の
方への気体の流れに対するコンダクタンスを小さくする
ことができる。
第１図、第４図の実施例において用いられる集光用部品
としては、反射鏡の他、町睨光や赤外光に対してはガラ
スレンズ、真空店外光やＸ線に対［７ては、それらの波
長の光に対しても集光作用をもつフレネルゾーンプレー
トが利用できる。
としては、反射鏡の他、町睨光や赤外光に対してはガラ
スレンズ、真空店外光やＸ線に対［７ては、それらの波
長の光に対しても集光作用をもつフレネルゾーンプレー
トが利用できる。
第５図に本発明に係る光反応装置の他の一実施例を示す
。基本的構成は第４図の実施例とほぼ同じであり光伝搬
部の全体を真空光伝搬部１０として因る。第５図でも第
４図と同様に、コンダクタンス減少部３０の両端で所定
の真空度差を生ぜしめることにより、反応容器２から真
空光伝搬部１０へ拡散する反応性がスによる反射鏡３や
励起光源１の表面への汚染を防止することができる。ま
た、第５図では真空光伝搬部１０の途中に該励起光を透
過せしめる金属あるいは有機化合物から成るフィルタ４
ｏを挿入し、該フィルタ４０の上、下流を真空的に絶縁
する構成である点が異なシ、その結果、第４図の実施例
に比べ、励起光源１や反射鏡３の表面への反応生成物に
よる汚染やｈｌ 鴎をよシ確実に除去することができ、
さらに、該フィルタ４゜により真空的に絶縁されている
のでコンダクタンス減少部３０を第１図の実施例の場合
より短く、従って励起光の基板７に致るまでの距離を短
くできるという利点もある。
。基本的構成は第４図の実施例とほぼ同じであり光伝搬
部の全体を真空光伝搬部１０として因る。第５図でも第
４図と同様に、コンダクタンス減少部３０の両端で所定
の真空度差を生ぜしめることにより、反応容器２から真
空光伝搬部１０へ拡散する反応性がスによる反射鏡３や
励起光源１の表面への汚染を防止することができる。ま
た、第５図では真空光伝搬部１０の途中に該励起光を透
過せしめる金属あるいは有機化合物から成るフィルタ４
ｏを挿入し、該フィルタ４０の上、下流を真空的に絶縁
する構成である点が異なシ、その結果、第４図の実施例
に比べ、励起光源１や反射鏡３の表面への反応生成物に
よる汚染やｈｌ 鴎をよシ確実に除去することができ、
さらに、該フィルタ４゜により真空的に絶縁されている
のでコンダクタンス減少部３０を第１図の実施例の場合
より短く、従って励起光の基板７に致るまでの距離を短
くできるという利点もある。
第１図、第４図、第５図の実施例において用いられる励
起光源としては水銀ランプなどの各種放電ランプ、レー
デなどが適切である他、真空店外光源としてはシンクロ
トロン放射光、レーデゾラズマ、Ｈｅ ＋ Ａｒなとの
放電管などが適している。第６図に示すごとく電子銃６
１から射出された重子ビーム６０を電子ビーム加速系６
２で加速し、偏向用磁場６３により、該電子ビームの進
行方向を曲げることにより発生する放射光６４を光源と
することも、本発明装置においては可能である。６５は
偏向させられた電子ビームである。この種の光源におい
てはレーザや放電ランプでは発生が困難であるような２
０００久以下の短波長光を発生できる長所があるが、励
起光源自体が超高真空下（１Ｏ−９Ｔｏｒｒ（以下）に
設置されねばならないという条件が要求される。第６図
に示した原理に基づく、あるいは類似の原理に基づく光
源としてはシンクロトロン放射光がある。また第６図に
おいては、電子ビームの進行方向全磁場で曲げることに
より電子ビームに加速度を与えているが、これをマイク
ロ波の印加などにより１■線的に加速することも可能で
あり、この場合も電子の進行方向にむかい真空紫外線が
放射される。このような放射光源はりニアツクと呼ばれ
る。
起光源としては水銀ランプなどの各種放電ランプ、レー
デなどが適切である他、真空店外光源としてはシンクロ
トロン放射光、レーデゾラズマ、Ｈｅ ＋ Ａｒなとの
放電管などが適している。第６図に示すごとく電子銃６
１から射出された重子ビーム６０を電子ビーム加速系６
２で加速し、偏向用磁場６３により、該電子ビームの進
行方向を曲げることにより発生する放射光６４を光源と
することも、本発明装置においては可能である。６５は
偏向させられた電子ビームである。この種の光源におい
てはレーザや放電ランプでは発生が困難であるような２
０００久以下の短波長光を発生できる長所があるが、励
起光源自体が超高真空下（１Ｏ−９Ｔｏｒｒ（以下）に
設置されねばならないという条件が要求される。第６図
に示した原理に基づく、あるいは類似の原理に基づく光
源としてはシンクロトロン放射光がある。また第６図に
おいては、電子ビームの進行方向全磁場で曲げることに
より電子ビームに加速度を与えているが、これをマイク
ロ波の印加などにより１■線的に加速することも可能で
あり、この場合も電子の進行方向にむかい真空紫外線が
放射される。このような放射光源はりニアツクと呼ばれ
る。
以上説明したように、本発明に係る光反応装置において
は、励起光源から反応容器に到る光伝搬部の全体もしく
は一部を真空排気した真空光伝搬部を設け、該真空光伝
搬部内に気体の流れに対する所定のコンダクタンスを付
与し所定の真空度差を生ずべく、コンダクタンス減少部
が設置せられているために次のような利点がある。
は、励起光源から反応容器に到る光伝搬部の全体もしく
は一部を真空排気した真空光伝搬部を設け、該真空光伝
搬部内に気体の流れに対する所定のコンダクタンスを付
与し所定の真空度差を生ずべく、コンダクタンス減少部
が設置せられているために次のような利点がある。
■ 励起光源等が所定の光化学反応を起こしめる反応性
ガスによって汚染もしくは汚染によって損傷することが
ない。
ガスによって汚染もしくは汚染によって損傷することが
ない。
■ 励起光に対する窓材やフィルタを設けても、該励起
光と反応性がスとの反応によって生ずる反応生成物によ
る付着やそれに伴う窓材の経時変化を防ぐことができる
。
光と反応性がスとの反応によって生ずる反応生成物によ
る付着やそれに伴う窓材の経時変化を防ぐことができる
。
■ 特に気体による吸収が激しく超高真空内に設置する
必要のある真空紫外光用光源をも、励起用光源として用
いることができる。
必要のある真空紫外光用光源をも、励起用光源として用
いることができる。
■ ■において、超高真空内に設置した励起用光源への
反応性がスによる悪影響を除去することができる。
反応性がスによる悪影響を除去することができる。
■ 比較的短い距離で、所定の真空度差を生せしめるた
め、励起光が基板へ致るまでの距離を短かくでき、励起
光を効率よく利用できる。
め、励起光が基板へ致るまでの距離を短かくでき、励起
光を効率よく利用できる。
第１図は本発明の一実施例を示す構成説明図、第２図及
び第３図はそれぞれ本発明装置に設置せられたコンダク
タンス減少部の例を示す断面図、第４図及び第５図は本
発明の他の実施例を示す構成説明図、第６図は真空紫外
光用光源の発生原理を説明するための図面、第７図は従
来の光反応装置を示す構成説明図である。 １・・・光源、２・・・反応容器、３・・・集光用反射
鏡、４・・・励起光を平行光にするためのレンズ、５゜
５１・・・窓材、６・・・電極、７・・・基板、８・・
・電極を兼ねた基板支持台、９・・・電極間に印加する
ための電源、１０・・・真空光伝搬部、１８・・・基板
支持台、２０，２１．２３・・・真空排気口、２２・・
・がス導入口、３０・・・コンダクタンス減少部、４０
・・・フィルタ、５２・・・集光用レンズ、５３・・・
反射清、６０・・・電子ビーム、６１・・・電子銃、６
２・・・電子ビーム加速系、６３・・・偏向用磁場、６
４・・・放射光、６５・・・偏向させられた電子ビーム
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 Ｐｌ−５１ ］Ｌ
び第３図はそれぞれ本発明装置に設置せられたコンダク
タンス減少部の例を示す断面図、第４図及び第５図は本
発明の他の実施例を示す構成説明図、第６図は真空紫外
光用光源の発生原理を説明するための図面、第７図は従
来の光反応装置を示す構成説明図である。 １・・・光源、２・・・反応容器、３・・・集光用反射
鏡、４・・・励起光を平行光にするためのレンズ、５゜
５１・・・窓材、６・・・電極、７・・・基板、８・・
・電極を兼ねた基板支持台、９・・・電極間に印加する
ための電源、１０・・・真空光伝搬部、１８・・・基板
支持台、２０，２１．２３・・・真空排気口、２２・・
・がス導入口、３０・・・コンダクタンス減少部、４０
・・・フィルタ、５２・・・集光用レンズ、５３・・・
反射清、６０・・・電子ビーム、６１・・・電子銃、６
２・・・電子ビーム加速系、６３・・・偏向用磁場、６
４・・・放射光、６５・・・偏向させられた電子ビーム
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 Ｐｌ−５１ ］Ｌ
Claims (8)
- （１）所定の光反応を誘起せしめる励起光を発する光源
と、該励起光によつて励起される反応性がスを満たした
反応容器と、該光源から該反応容器の光入射部に到る光
伝搬部から構成される光反応装置において、該光伝搬部
の全体もしくは該光伝搬部の該光入射部に接する一部を
所定の真空度に真空排気し、この真空排気せられた真空
光伝搬部の光の入射端と光の出射端との間に所定の真空
度差が生ずべく、気体の流れに対する所定のコンダクタ
ンスを付与してあることを特徴とする光反応装置におけ
る光源の汚染防止機構。 - （２）特許請求の範囲第１項記載の光反応装置における
光源の汚染防止機構において、光のビーム形状に沿つて
貫通孔が穿孔せられた筒を該真空光伝搬部内に設け、気
体の流れに対する所定のコンダクタンスを付与しレンズ
もしくは反射鏡もしくは所謂ゾーンプレートにより光を
この孔に集光して、該反応容器内に光を入射する構成と
することを特徴とする光反応装置における光源の汚染防
止機構。 - （３）特許請求の範囲第１項記載の光反応装置における
光源の汚染防止機構において、光のビーム形状に沿つて
孔が穿孔せられた１枚もしくは複数枚の板を該真空光伝
搬部内に設け所定のコンダクタンスを付与する構成とす
ることを特徴とする光反応装置における光源の汚染防止
機構。 - （４）特許請求の範囲第１項記載の光反応装置における
光源の汚染防止機構において、該光伝搬部の一部を真空
排気せられた真空光伝搬部の光の入射端と光の出射端と
の間に所定の真空度差が生ずべく、気体の流れに対する
所定のコンダクタンスを付与し、かつ該真空光伝搬部の
光の入射端に該励起光を透過せしめる窓材を取りつけ、
該真空光伝搬部と大気を真空的に絶縁する構成とするこ
とを特徴とする光反応装置における光源の汚染防止機構
。 - （５）特許請求の範囲第１項記載の光反応装置における
光源の汚染防止機構において、該光伝搬部の全部を真空
排気せられた真空光伝搬部の光の入射端と光の出射端と
の間に所定の真空度差が生ずべく、気体の流れに対する
所定のコンダクタンスを付与し、かつ該真空光伝搬部の
途中に該励起光を透過せしめる金属や有機化合物から成
るフィルタを取り付け、該フィルタの上下流において、
所定の真空度差を生ずるように構成せられることを特徴
とする光反応装置における光源の汚染防止機構。 - （６）特許請求の範囲第１項記載の光反応装置における
光源の汚染防止機構において、該反応容器の光入射部と
該反応容器内の他の所定の位置にそれぞれ電極を設置し
、該両電極の間に所定の電圧が印加されるよう構成され
ていることを特徴とする光反応装置における光源の汚染
防止機構。 - （７）特許請求の範囲第１項記載の光反応装置における
光源の汚染防止機構において、該励起光の光源として、
真空紫外光もしくはＸ線を用いることを特徴とする光反
応装置における光源の汚染防止機構。 - （８）特許請求の範囲第１項記載の光反応装置における
光源の汚染防止機構において、該励起光の光源として荷
電粒子を加速する時、放射せられる放射光を用いること
を特徴とする光反応装置における光源の汚染防止機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11980984A JPS61440A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 光反応装置における光源の汚染防止機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11980984A JPS61440A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 光反応装置における光源の汚染防止機構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61440A true JPS61440A (ja) | 1986-01-06 |
| JPH0533096B2 JPH0533096B2 (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=14770764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11980984A Granted JPS61440A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 光反応装置における光源の汚染防止機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61440A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4858173A (en) * | 1986-01-29 | 1989-08-15 | Digital Equipment Corporation | Apparatus and method for responding to an aborted signal exchange between subsystems in a data processing system |
-
1984
- 1984-06-13 JP JP11980984A patent/JPS61440A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4858173A (en) * | 1986-01-29 | 1989-08-15 | Digital Equipment Corporation | Apparatus and method for responding to an aborted signal exchange between subsystems in a data processing system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0533096B2 (ja) | 1993-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0661110B1 (en) | Process for oxidation of an article surface | |
| JPH0620956A (ja) | 光ｃｖｄ装置及び光ｃｖｄ法 | |
| US8279397B2 (en) | Method for removing contamination on optical surfaces and optical arrangement | |
| JP2008075179A (ja) | Ｕｖ照射チャンバーをクリーニングする方法 | |
| JP5448402B2 (ja) | ガスフロー式ｓｐｆを備えた極端紫外光源装置 | |
| JPH07505577A (ja) | 照射による表面汚染物の除去 | |
| JP2005108834A5 (ja) | ||
| JP2008251913A (ja) | 耐紫外線材料、ならびにこれを用いたシール部材、緩衝部材、遮光部材、光源装置、及び処理装置 | |
| JP3077422B2 (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPS61440A (ja) | 光反応装置における光源の汚染防止機構 | |
| EP0054189A1 (en) | Improved photochemical vapor deposition method | |
| JPS62183512A (ja) | レ−ザ誘起薄膜堆積装置 | |
| JPH049373B2 (ja) | ||
| US5145649A (en) | Apparatus for cleaning an optical element for use with a radiation beam | |
| JP2934601B2 (ja) | 真空装置、この真空装置を使用した排気方法および前記真空装置を利用した装置 | |
| JP2004119942A (ja) | 紫外線照射装置 | |
| JPH0429220B2 (ja) | ||
| JPH0128830B2 (ja) | ||
| JP2840419B2 (ja) | 光処理法及び光処理装置 | |
| JPH07105346B2 (ja) | ラジカルビ−ム光ｃｖｄ装置 | |
| JPS5994824A (ja) | 紫外線洗浄装置 | |
| JPS61242022A (ja) | 光照射装置 | |
| JP6590252B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPS63313814A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS60165723A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |