JP2008075179A

JP2008075179A - Ｕｖ照射チャンバーをクリーニングする方法

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Publication number: JP2008075179A
Application number: JP2007240954A
Authority: JP
Inventors: Kiyohiro Matsushita; 清広松下; Hideaki Fukuda; 秀明福田; Kenichi Kagami; 健一加々美
Original assignee: ASM Japan KK
Current assignee: ASM Japan KK
Priority date: 2006-09-19
Filing date: 2007-09-18
Publication date: 2008-04-03
Anticipated expiration: 2027-09-18
Also published as: KR20080026069A; JP5258241B2; TW200832534A

Abstract

【課題】ＵＶ照射チャンバーをクリーニングする方法を提供する。
【解決手段】ＵＶ照射チャンバーをクリーニングする方法は、（ｉ）ＵＶ照射チャンバーに設けられた光透過窓を透過したＵＶ光で基板を照射することを完了した後に、ＵＶ照射チャンバー外でクリーニングガスのラジカル種を発生させる工程と、（ii）ＵＶ照射チャンバーの外部からＵＶ照射チャンバー内へラジカル種を導入することによって、光透過窓をクリーニングする工程とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、一般に紫外線（ＵＶ）放射による半導体処理及び半導体処理用ＵＶ放射チャンバーのクリーニング、特にＵＶ照射チャンバー内に設けられた光透過窓のクリーニングに関する。

ＵＶ処理装置は、以前より様々な被処理体の紫外線による改質や光化学反応を利用した物質の作製に一般的に使用されてきた。近年のデバイスの高集積化に伴う、配線デザインの微細化、多層配線構造の結果、デバイスの高速性、低消費電力化には層間容量の低減が不可欠である。層間容量の低減にはlow-k（低誘電率膜）材が用いられるが、誘電率の低減と共に機械的強度（ＥＭ: Elastic modulus）も低下し、ＣＭＰ、配線ボンディングやパッケージの後工程で受けるストレスに耐えることが難しい。上記の問題を改善する手法の一つに、ＵＶ照射でlow-k材をキュアし機械的強度を向上させる方法が考えられる（例えば特許文献１（米国特許第6,759,098号明細書）、特許文献２（米国特許第6,296,909号明細書）。ＵＶ照射によりlow-k材は収縮・硬化し、機械的強度EMを５０〜２００%向上させることが可能である。
米国特許第6,759,098号明細書米国特許第6,296,909号明細書

また、一方近年のデバイスの高集積化に伴う別の要求として熱ＣＶＤやＰＥＣＶＤにて成膜された各種薄膜を熱やプラズマによるダメージの無い方法で得る方法として従来から光化学反応を利用する光-ＣＶＤが研究されている。

しかしながら、これら光エネルギを被処理体や反応空間に照射しようとする場合、1)反応空間の圧力と雰囲気ガスの制御を必要とすること、2)発生するガスでＵＶランプを汚すこと、3)発生したガスを安全に排気すること等の理由から、ＵＶランプと反応空間を仕切る必要がある。その仕切り板として、通常、光エネルギを透過させる合成石英製の光透過窓を用いていた。

しかしながら、高エネルギであるＵＶ光は、透過窓の材質や窓材に付着する堆積物の付着により透過率低下が生じやすく、多量にアウトガス（被照射膜が生じる分解ガス）が発生するキュアプロセスではメンテナンスサイクル（透過窓を洗浄若しくは交換するまでの処理回数・時間）を非常に短くしなければならないという問題があった。

従来は、反応空間へＯ_２を導入しＵＶを照射することでオゾンを発生させ、発生させたオゾンで堆積物を除去するクリーニング方法が一般的だったが、アウトガスが多量に発生するキュアプロセスではクリーニングに長時間を要するため、さらに効率の良い方法が望まれている。

本発明のある態様においては、クリーニング方法として、Ｏ_２をリモートプラズマ若しくはオゾン発生器にて活性化した上でチャンバーに導入しクリーニングする。また、ある態様では、上記で活性化した酸素を更にＵＶランプにて活性化を加速しクリーニングする。更に、ある態様では、このクリーニング方法と従来のＯ_２+ＵＶのオゾンクリーニングは併用させてもよい。

本発明の別の態様では、更に効率を向上させたクリーニング方法として、上記の方法のＯ_２の代わりに若しくは添加ガスとしてフッ素を含むクリーニングガスをリモートプラズマを利用して活性化した上でチャンバー内に導入する。この場合、ある態様においては、フッ素によって透過窓が腐食されない透過率の高い材料を選ぶ。そのような材料としては、ＣａＦ_２、ＭｇＦ_２、ＢａＦ_２, Ａｌ_２Ｏ_３などの結晶や合成石英へのＣａＦ_２、ＭｇＦ_２、ＢａＦ_２, Ａｌ_２Ｏ_３コーティングが使用できる。

この発明を要約し、且つ関連技術に対し達成された利点を要約するために、この発明の所定の目的及び利点がこの開示で説明される。勿論、そのような目的や利点の全てが、この発明の特別な実施形態によって必ずしも達成される必要はない、という点が理解されるべきである。かくして、当業者は、例えば、この発明が、ここで教示又は示唆される他の目的や利点を達成する必要なく、ここで教示された１つの利点又は利点のグループを達成又は最適化するように具体化又は実施されることを認識するであろう。

この発明の別の形態、特徴及び利点は、後続する好ましい実施形態の詳細な説明から明らかとなる。

この発明のこれら及び他の特徴は、好ましい実施形態の図面を参照して以下で説明される。これらの図面は、この発明を図解しようとするものであって、制限しようとするものではない。図面は、図解目的で単純化されすぎていて、比例してはいない。

この発明は、特定の実施形態を参照して更に説明されるが、これら特定の実施形態は、本発明を制限しようとするものではない。

一実施形態において、本発明は、ＵＶ照射チャンバーをクリーニングする方法を提供する。この方法は、（ｉ）ＵＶ照射チャンバーに設けられた光透過窓を透過したＵＶ光で基板を照射することを完了した後に、ＵＶ照射チャンバー外でクリーニングガスのラジカル種を発生させる工程と、（ii）ＵＶ照射チャンバーの外部からＵＶ照射チャンバー内へラジカル種を導入することによって、光透過窓をクリーニングする工程とを含む。

ＵＶ照射プロセスは、任意の好適なプロセス、例えば特許文献１（米国特許第６，７５９，０９８号明細書）及び特許文献２（米国特許第６，２９６，９０９号明細書）に開示されているプロセスであってもよい。この開示は、参照により完全にここに組み入れられる。典型的に、このプロセスは、ＵＶ照射チャンバー内に設けられたサセプタ上に載置されている基板（例えば、半導体基板）を、ＵＶチャンバー内でＵＶ光源とサセプタとの間に設けられた光透過窓を通して前記基板をＵＶ光で照射することによって、処理する工程を含む。

一実施形態では、ＵＶ照射プロセスに先行して、Ｓｉ，Ｃ，Ｈ，Ｏ、及びオプションのＮによって構成される膜が基板上に、例えばＰＥＣＶＤ、ＰＥＡＬＤ、ＰＶＤ等によって形成される。上記において、ＵＶ照射プロセスは、膜の硬化プロセスである。ＵＶ照射プロセスは、硬化プロセスに限定されるものではない。一実施形態では、ＵＶ照射プロセスは、光ＣＶＤプロセスである。

この膜は、限定されるものではないが、低誘電膜又はＳｉＯＣ膜である。基板上に形成された膜がＵＶ照射チャンバー内で硬化される時に、ＵＶ照射チャンバー内での化学構造の分解の結果として、その膜から相当な量のアウトガスが発生する。このアウトガスは、炭化水素種からなる。アウトガスは、光透過窓を含むＵＶ照射チャンバーの内壁の表面に蓄積する。蓄積したアウトガスの堆積は、ＵＶ光が光透過窓を透過することを妨害し、これにより硬化の効率を低減する。かくして、特に、光透過窓は頻繁にクリーニングされる必要がある。

一実施形態では、ＵＶ照射以外の方法によって、ＵＶ照射チャンバー外でクリーニングガスのラジカル種が発生される。ＵＶ照射によって、クリーニングガスのラジカル種が発生され得るが、相当な量のラジカル種を得ることは、それが光の波長と光の強度に依存するものの困難である。例えば、高圧水銀ランプは、オゾンを数ｐｐｍから数１０ｐｐｍのオーダーで酸素から発生することがある。Ｘｅエキシマレーザは、数パーセントの酸素をオゾンに変換することがある。一実施形態では、ラジカル種は、リモートプラズマユニット内で発生される。クリーニングガスが酸素である場合、リモートプラズマユニットの代わりにオゾナイザー又はオゾン発生器が使用されることがある。外部で励起された種は、従来のＵＶ照射よりも高いエネルギを持つと共に、より効率的に光透過窓をクリーニングすることができる。

一実施形態では、ラジカル種は、ＵＶ照射チャンバーの外部からＵＶ照射チャンバー内へ導入され、これにより光透過窓をクリーニングする。クリーニングガスは、酸素ガスであってもよい。一実施形態では、リモートプラズマユニットによって、約８０％という高いパーセントの酸素がオゾンに変換される。しかしながら、オゾンの寿命は短く、そしてラジカルのいくつかは、ＵＶ照射チャンバーへ到達するまで維持されない。かくして、好ましい実施形態では、ラジカル種は、光透過窓を通してラジカル種をＵＶ光で照射することによって、更に励起される。

リモートプラズマユニット（例えば、ＭＫＳによって製造されるＡＳＴＲＯＮ（商標））が酸素ガスを励起することに使用されるとき、ＵＶ照射チャンバー内の圧力及び流れを制御することによって、クリーニングプロセスが制御される。一実施形態では、圧力は１０Ｔｏｏｒ以下（例えば、１〜７Ｔｏｏｒ）であり、酸素ガスの流率は０．１〜１０ｓｌｍ（例えば、０．３〜１ｓｌｍ）であり、不活性ガス、例えばＡｒ、Ｈｅ、Ｋｒ、又はＸｅの流率は０．５〜１５ｓｌｍ（例えば、１〜５ｓｌｍ；酸素ガスの流率よりも大きい）であり、クリーニング時間は５〜１０００秒（例えば、１０〜６００秒、５０〜２００秒）である。上記において、ＵＶ照射は組み合わされることが好ましい。この場合、ＵＶ光は、１ｍＷ／ｃｍ^２〜５００ｍＷ／ｃｍ^２（例えば、１００ｍＷ／ｃｍ^２〜４００ｍＷ／ｃｍ^２）の強度と、１００〜１０００ｎｍ（例えば、２００〜４００ｎｍ）の波長を持つ。

一実施形態では、クリーニングガスは、分子中にフッ素を含有するガス、例えばＮＦ_３、Ｃ_２Ｆ_６、及びＣ_３Ｆ_８であり得る。フッ素を含有するガスは高いエネルギを持ち、光透過窓を効率的にクリーニングすることができる。しかしながら、一方で、フッ素を含有するガスは、光透過窓を、その表面を腐食することによって損傷することがある。通常、光透過窓は、合成ガラス（酸化シリコン）製であり、この合成ガラスは、フッ素含有ガスによってエッチングされ易い。好ましい実施形態では、光透過窓は、フッ素含有ガスに耐性を持つ材料によって構成され得る。一実施形態では、光透過窓は、ＣａＦ_２、ＭｇＦ_２、ＢａＦ_２、又はＡｌ_２Ｏ_３の結晶によって構成され得る。もう１つの実施形態では、光透過窓は、ＣａＦ_２、ＭｇＦ_２、ＢａＦ_２、又はＡｌ_２Ｏ_３で被覆された合成石英によって構成され得る。例えば、ＣａＦ_２は、ＳｉＯ_２よりも高い光透過係数を持ち、かくして好ましいものである。

フッ素含有ガスがクリーニングガスとして使用されるときに、ＵＶ照射がさらに行われ得るが、一実施形態ではＵＶ照射チャンバー内では行われる必要がない。一実施形態では、クリーニング条件は次の通りである。圧力は１０Ｔｏｏｒ以下（例えば、１〜７Ｔｏｏｒ）であり、フッ素含有ガス（例えば、ＮＦ_３）の流率は０．１〜５ｓｌｍ（例えば、０．５〜１．５ｓｌｍ）であり、不活性ガス、例えばＡｒ、Ｈｅ、Ｋｒ、又はＸｅの流率は１〜１５ｓｌｍ（例えば、フッ素含有ガスの流率よりも大きい１〜５ｓｌｍ）であり、クリーニング時間は５〜１０００秒（例えば、１０〜６００秒、５０〜２００秒）である。

上記において、クリーニングガスとして、酸素ガスとフッ素含有ガスが組み合わせて使用されてもよい。

一実施形態では光透過窓は、基板の直径の１１０％から１５０％（例えば、１２０％から１３０％）の直径（例えば、直径３００ｍｍの基板に対して３６０ｍｍから３８０ｍｍ）と、真空中で使用されるに十分な１０ｍｍから３０ｍｍ（例えば、約２０ｍｍ）の厚みとを持つ。一実施形態では、光透過窓と基板との距離は、５ｍｍから３０ｍｍ（例えば、１０ｍｍから２０ｍｍ）であってもよい。

一実施形態では、本発明は、ＵＶ照射によって半導体処理すると共に半導体処理用ＵＶ照射チャンバーをクリーニングする方法を提供する。この方法は、（ｉ）ＵＶ照射チャンバー内に設けられたサセプタ上に載置されている半導体基板を、ＵＶ照射チャンバー内でＵＶ光源とサセプタとの間に設けられた光透過窓を通して前記基板をＵＶ光で照射することによって、処理する工程と、（ii）この処理する工程の完了後に、クリーニングガスのラジカル種をＵＶ照射チャンバーの外部から、光透過窓とサセプタとの間に規定された空間内に導入することによって、光透過窓をクリーニングする工程とを含む。処理する工程において、ＵＶ光は、１００ｎｍから５００ｎｍ（例えば、２００ｎｍから４００ｎｍ）の波長を有してもよい。

以下、本発明を限定しようとするのもではない図面及び好ましい実施形態を参照して、本発明が説明される。

諸条件及び／又は構造を特に定めない本開示では、当業者は、本開示を考慮して、そのような条件及び／又は構造を、通常実施の課題として、容易に定めることができる。

図１には本願発明のある態様で使用することができるＵＶ照射装置の模式図である。この装置では、真空から大気圧周辺を制御できるチェンバーとチェンバー上部に設置された紫外光照射ユニットから構成されている。即ち、この装置は、ＵＶランプ４、照射窓２、ガス導入口３、ＵＶ照射チャンバー１、ヒーターテーブル８、真空ポンプに繋がる排気口５、ＬＬアーム６を備えＵＶ照射チャンバーに連結されるロードロックチャンバー７、を備える。なお、ＵＶ照射が実施できる装置であれば、本図に限定されない。

該ＵＶ照射装置では、連続及びパルス状に発光する紫外光発光体４と前記発光体に平行に対向して設置されたヒーター８と紫外光発光体４とヒーター８間に平行に対向した照射窓ガラス２が配設されている。照射窓２は、均一なＵＶ照射を実現するためのものであり、リアクターを大気と遮断し、且つＵＶを透過するものである。紫外光照射ユニット内の紫外光発光体４は例えばチューブ形状で平行に複数本配置し、図1のようにその発光体の配置位置は照度の均一化を目的として適正に配置されており、各紫外光発光体からの紫外光を薄膜に対し適切に反射するように反射板９を設け（ＵＶランプの上にある傘のようなもの）、反射板９のその角度は照度の均一化が図れるよう調整可能としている。

また、図２（a）、図２（ｂ）の模式図に示すように、この装置では、照射窓ガラス２を配設したフランジ１１を介して、真空から大気圧周辺を制御できるチェンバー１内の基板処理部と連続及びパルス状に発光する紫外光発光体４を収納する紫外光発光部とが分離している。該フランジ１１にはガス導入口３が接続され、ガスが円周方向から内部に向かって均一にガスが吐出されるように、複数のガス吐出口が周方向に一定間隔で設けられている。即ち、フランジ１１を介してガス導入がなされ、ガス導入口は複数設けその配置は均一な処理雰囲気を作る為に対称配置されている。なお、紫外光発光体４は容易に取り外し交換可能な構造になっている。

また、図４の模式図に示すように、基板処理部内の圧力は、排気口５に設けられた圧力制御バルブ２１により調整される。また、紫外光発光部も密閉された空間であるが、図示しないパージガス（大気あるいはＮ_２等により常にパージされている）の取り込み口と吐き出し口が設けられている。

紫外光照射処理の工程の例を以下に示すが、本発明はこれら態様に限定されるものではない。まず、チェンバー１内をＡｒ、ＣＯ、ＣＯ_２、Ｃ_２Ｈ_４、ＣＨ_４、Ｈ_２、Ｈｅ、Ｋｒ、Ｎｅ、Ｎ_２、Ｏ_２、Ｘｅ、アルコール系ガス及び有機系ガスから選択されるガスにて、圧力を約０．１Ｔｏｏｒ〜大気圧付近（１Ｔｏｒｒ、１０Ｔｏｏｒ、５０Ｔｏｏｒ、１００Ｔｏｏｒ、１０００Ｔｏｏｒ、及び前記数値の間の数値を含む）の雰囲気とし、約０度〜約６５０度（１０℃、５０℃、１００℃、２００℃、３００℃、４００℃、５００℃、６００℃、及び前記数値の間の数値を含み、好ましくは３００℃から４５０℃）に設定されたヒーター８上にゲートバルブを経てロードロックチャンバー７から搬入された被処理体である半導体基板を載せ、紫外光発光体４から適正な距離（Ｇａｐ）（１ｃｍから１００ｃｍ）を通して波長約１００ｎｍから約４００ｎｍ（１５０ｎｍ、２００ｎｍ、２５０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、及び前記数値の間の数値を含み、好ましくは約２００ｎｍ）の紫外光を出力約１ｍＷ/ｃｍ^２から約１０００ｍＷ/ｃｍ^２(１０ｍＷ/ｃｍ^２、５０ｍＷ/ｃｍ^２、１００ｍＷ/ｃｍ^２、２００ｍＷ/ｃｍ^２、５００ｍＷ/ｃｍ^２、８００ｍＷ/ｃｍ^２、及び前記数値の間の数値を包含する）で連続もしくはパルス状に約１Ｈｚ〜約１０００Ｈｚ（１０Ｈｚ、１００Ｈｚ、２００Ｈｚ、５００Ｈｚ、及び前記数値の間の数値を含む）で半導体基盤上の薄膜に対し紫外光を照射する。照射時間は約１秒〜約２０分（5秒、１０秒、２０秒、５０秒、１００秒、２００秒、５００秒、１０００秒、及び前記数値の間の数値を包含する）である。チャンバー１内は排気口５から排気される。

この一連の処理をこの半導体製造装置は自動シーケンスで行っており、処理のステップとしてガス導入、紫外光照射、照射停止、ガス停止のステップを実施することができる。

紫外線照射により半導体基板上の薄膜よりアウトガスが発生すると、例えば合成石英製の照射窓ガラス及びチャンバー内壁に付着する。照射窓に堆積した汚れは紫外線を吸収し、キュア効率を低下させる。また、チャンバー内壁に堆積したよごれは剥離しパーティクルの原因となる。

これらの汚れを取り除くため、クリーニングを行う。クリーニングには例えばＯ_２を用い、紫外線でオゾン化し汚れ物質と反応させ取り除く。ＵＶでオゾン化するＯ_２の割合はかなり低いため、本発明のある態様ではＯ_２をチャンバーに導入する前にリモートプラズマユニットでラジカル化し、かつＵＶでオゾン化することでオゾン生成量効率を高める。図３にリモートプラズマユニット３１をＵＶチャンバー１に接続した模式図を示す。クリーニングガスはリモートプラズマユニット３１に導入され励起されてＵＶチャンバー１に導入される。

一方、オゾンで分解されない付着物や多量の付着物を発生する膜のキュアの場合、オゾンだけでは十分にクリーニングが期待できない場合、本発明のある態様では、クリーニングガスにＮＦ_３等を用いることができる。具体的には、ＮＦ_３をリモートプラズマユニット（図３参照）に導入・分解しフッ素ラジカルを生成した後、チャンバー導入し、フッ素ラジカルで照射窓、チャンバー内壁の汚れを分解し取り除く。

このフッ素ラジカルはリアクター内の汚れを分解除去する効果があるものの、その反面、合成石英製の照射窓表面を侵食し紫外線透過率を低下させるという副作用がある。

図５は分光光度計を用い、照射窓ガラス（厚み２０ｍｍ）がどの波長の光をどれくらい通すか測定した結果である。使用したガラスは合成石英（ＳｉＯ_２）とＣａＦ_２ガラスである。図５では、まず、照射ガラスのＵＶ透過率（％）を測定し、次に、Low-k膜（ＳｉＣＯＨ系）を成膜した基板（３００ｍｍ）をＵＶチャンバーに搬入し以下の条件でキュアを実施した。
圧力：1−１００Ｔｏｏｒ、導入ガス：Ｎ_２、温度：３００−４５０℃、基板と照射窓との距離：０．１−１０ｃｍ、ＵＶ波長：１００−４００ｎｍ、出力：５−４００ｍＷ/ｃｍ^２、照射時間：６０−６００秒。

Low-k膜を上記条件でＵＶキュアした後、該照射窓ガラスのＵＶ透過率（％）を再び測定した。

次に、ＵＶチャンバー内をクリーニングする。クリーニング条件は以下であった。
リモートプラズマユニット：ASTRON（商標）、クリーニングガス：ＮＦ_３、チャンバー内圧力：１−１０Ｔｏｏｒ、クリーニングガス流量：０．５−２ｓｌｍ、Ａｒガス流量：２−５ｓｌｍ、クリーニング時間：１分。
クリーニング後、該照射窓ガラスのＵＶ透過率（％）を再び測定した。

以上の結果、図５に示すように、合成石英(ＳｉＯ_２)は初期状態で２００ｎｍ以上の波長のＵＶを９０％以上透過させるが、Low-k膜をＵＶキュアした後は３００ｎｍ以下の波長の光の透過率が１〜２％程度低下しているのが確認された。リモートプラズマユニットによるＮＦ_３クリーニングを1分間行った場合、透過率が大幅に低下し、２００ｎｍの光では１０％の低下が確認された。また、目視でもガラス表面の白濁と荒れが確認された。

一方、図５に示すように、ＣａＦ_２製ガラス窓を用いてＳｉＯ_２同様の実験を行った結果、照射窓をフッ素耐性のあるＣａＦ_２にした場合、フッ素による侵食を防ぎかつＮＦ_３のラジカルクリーニングによるクリーニング効果の改善を行うことができることが分かった。今回ＣａＦ_２は耐フッ素用を考えて利用したわけだが、ＣａＦ_２自身、透過率は全体的にＳｉＯ_２より高い点も有利な点である。具体的に見ると、初期状態で９２％〜９４％、low-k膜のキュア後には約1%程度透過率が低下し、リモートプラズマユニットによるＮＦ_３クリーニングを1分間行った後は初期状態の透過率に回復するのが確認された（なお、クリーニング後では透過率が初期状態を上回っているが、これは測定誤差もしくはクリーニングによって初期状態に付着していた汚れも取り除いたためと考えられる）。目視でも表面の白濁や荒れは観測されなかった。これにより、ＣａＦ_２ガラスのフッ素耐性が確認された。

以上説明したように、本発明のある態様によれば、ＵＶ照射窓のクリーニングに対して、リモートプラズマを利用したクリーニング、またはフッ素耐性のある照射窓を用いてクリーニング性能の高いフッ素系クリーニングガスを用いることで、ＵＶチャンバーのクリーニングスピードを大幅に高めることができる。

当業者によって理解されるように、本発明の思想から逸脱することなく、多数且つ種々の変形がなされる。それ故、本発明の形状は図解するだけのものであって、本発明の範囲を限定しようとするものではない、と明瞭に理解されるべきである。

本発明の一実施形態で使用可能なＵＶ照射装置を示す模式図である。図２（ａ）は本発明の一実施形態で使用可能なＵＶ照射チャンバーを示す模式図で、図２（ｂ）は図２（ａ）に示されたＵＶ照射チャンバーの上面図である。本発明の一実施形態で使用可能なリモートプラズマユニットが取り付けられたＵＶ照射チャンバーを示す模式図である。本発明の一実施形態で使用可能なＵＶ照射チャンバーを示す模式図である。複数の例におけるＵＶ透過係数（％）と波長（ｎｍ）との関係を示すグラフである。

符号の説明

１ＵＶ放射チャンバー
２照射窓ガラス
３ガス導入口
４ＵＶランプ
５排気口
６ＬＬアーム
７ロードロックチャンバー
８ヒーターテーブル
９反射板
１１フランジ
２１圧力制御弁
３１リモートプラズマユニット

Claims

ＵＶ照射チャンバーをクリーニングする方法であって、
ＵＶ照射チャンバーに設けられた光透過窓を透過したＵＶ光で基板を照射することを完了した後に、ＵＶ照射チャンバー外でクリーニングガスのラジカル種を発生させる工程と、
ＵＶ照射チャンバーの外部からＵＶ照射チャンバー内へラジカル種を導入することによって、光透過窓をクリーニングする工程と
を含む方法。
クリーニングガスは、酸素ガスである請求項１に記載の方法。
光透過窓を通してラジカル種をＵＶ光で照射することによって、ラジカル種を更に励起する工程を更に含む請求項２に記載の方法。
クリーニングガスは、分子中にフッ素を含有したガスである請求項１に記載の方法。
光透過窓は、ＣａＦ_２、ＭｇＦ_２、ＢａＦ_２、又はＡｌ_２Ｏ_３の結晶によって構成される請求項４に記載の方法。
光透過窓は、ＣａＦ_２、ＭｇＦ_２、ＢａＦ_２、又はＡｌ_２Ｏ_３で被覆された合成石英によって構成される請求項４に記載の方法。
発生させる工程は、ＵＶ照射以外の方法によってラジカル種を発生させる工程を含む請求項１に記載の方法。
発生させる工程は、リモートプラズマユニット内でラジカル種を発生させる工程を含む請求項１に記載の方法。
ＵＶ照射によって半導体処理すると共に半導体処理用ＵＶ照射チャンバーをクリーニングする方法であって、
ＵＶ照射チャンバー内に設けられたサセプタ上に載置されている半導体基板を、ＵＶ照射チャンバー内でＵＶ光源とサセプタとの間に設けられた光透過窓を通して前記基板をＵＶ光で照射することによって、処理する工程と、
この処理する工程の完了後に、クリーニングガスのラジカル種をＵＶ照射チャンバーの外部から、光透過窓とサセプタとの間に規定された空間内に導入することによって、光透過窓をクリーニングする工程と
を備えることを特徴とする方法。
ＵＶ光は、２００ｎｍから４００ｎｍの波長を有する請求項９に記載の方法。
処理する工程において、低誘電膜又はＣｉＯＣ膜が基板上に形成される請求項９に記載の方法。
クリーニングガスは、酸素ガスである請求項９に記載の方法。
光透過窓を通してラジカル種をＵＶ光で照射することによって、ラジカル種を更に励起する工程を更に備える請求項１２に記載の方法。
クリーニングガスは、分子中にフッ素を含有したガスである請求項９に記載の方法。
処理する工程において、基板は、ＣａＦ_２、ＭｇＦ_２、ＢａＦ_２、又はＡｌ_２Ｏ_３の結晶によって構成された光透過窓を通して照射される請求項１４に記載の方法。
処理する工程において、基板は、ＣａＦ_２、ＭｇＦ_２、ＢａＦ_２、又はＡｌ_２Ｏ_３で被覆された合成石英によって構成された光透過窓を通して照射される請求項１４に記載の方法。