JPH0529134B2 - - Google Patents
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- JPH0529134B2 JPH0529134B2 JP62159914A JP15991487A JPH0529134B2 JP H0529134 B2 JPH0529134 B2 JP H0529134B2 JP 62159914 A JP62159914 A JP 62159914A JP 15991487 A JP15991487 A JP 15991487A JP H0529134 B2 JPH0529134 B2 JP H0529134B2
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- silicon
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ 産業上の利用分野
この発明は総括的に材料のエツチングに関する
ものであり、詳細にいえばエネルギー・ビームに
よる解離を用いた高速エツチングに関するもので
ある。
ものであり、詳細にいえばエネルギー・ビームに
よる解離を用いた高速エツチングに関するもので
ある。
Ｂ 従来技術
エツチングは多くの製品、特に電子産業用の半
導体回路製品の製造に使用される標準的な処理工
程である。エツチング媒体として湿式の化学エツ
チング浴または乾式のエツチング・プラズマのい
ずれかを使用することに基づいた、さまざまなエ
ツチング方式がある。これらの方式はすべて、マ
スク層、通常はフオトレジスト層をエツチングさ
れる表面上にまず付着し、これによつてエツチン
グされる表面パターンを画定しなければならない
ことを特徴としている。典型的な場合、このよう
なマスキング段階はマスク層の付着、この層の適
切な現像、およびエツチング段階後のマスク層の
除去という別個の段階を必要とする。エツチング
段階自体の間に希望するエツチング・パターンを
画定し、これによつて上述のマスキング段階を除
去することがきわめて望ましい。しかしながら、
このようなエツチング処理のエツチング速度は、
現在のエツチング方式を凌駕する明確な処理上の
利益をもたらすに十分な速さのものでなければな
らない。
導体回路製品の製造に使用される標準的な処理工
程である。エツチング媒体として湿式の化学エツ
チング浴または乾式のエツチング・プラズマのい
ずれかを使用することに基づいた、さまざまなエ
ツチング方式がある。これらの方式はすべて、マ
スク層、通常はフオトレジスト層をエツチングさ
れる表面上にまず付着し、これによつてエツチン
グされる表面パターンを画定しなければならない
ことを特徴としている。典型的な場合、このよう
なマスキング段階はマスク層の付着、この層の適
切な現像、およびエツチング段階後のマスク層の
除去という別個の段階を必要とする。エツチング
段階自体の間に希望するエツチング・パターンを
画定し、これによつて上述のマスキング段階を除
去することがきわめて望ましい。しかしながら、
このようなエツチング処理のエツチング速度は、
現在のエツチング方式を凌駕する明確な処理上の
利益をもたらすに十分な速さのものでなければな
らない。
この点に関し、レーザで誘起された分子の解離
によつて、エツチングされる表面に隣接してラジ
カル・エツチヤントを形成しエツチングすること
は周知である。ローパおよびタバツト（Loper
and Tabat）はアプライド・フイジツクス・レ
ター46(7)、1985年４月１日［Applied Physics
Letters 46(7)，１ April 1985］の675ページで、
ArFレーザを使用してCOF2を解離し、シリコン
をエツチングするためのフツ素基を得ることを開
示している。同様に、チユアン（Chuang）はジ
ヤーナル・オブ・ケミカル・フイジツクス、74
(2)、1981年１月15日［Journal of Chemical
Physics，74(2)，15 January 1981］の1453ペー
ジで、CO2レーザを使用してSF6を解離し、シリ
コンをエツチングするためのフツ素基を得ること
を開示している。これらの文献は両方とも、ガス
と基板の界面における、あるいはこの近傍におけ
るラジカル先駆分子と光子との相互作用によつ
て、ラジカル・エツチヤントを生成するための光
解離方式を説明したものである。界面における基
板は基板の元素を含む揮発性化合物を形成するこ
とによつて、レーザ光に露出された局部領域の基
とのエツチング反応を受ける。レーザ光に露出さ
れる局部領域を制御することによつて、サブミク
ロンの解像度で基板のパターン形成およびエツチ
ングを同時に行なうことができる。しかしなが
ら、レーザによつて誘起された解離によるラジカ
ル・エツチングは、現在利用可能なエツチング方
法よりも遅いものである。
によつて、エツチングされる表面に隣接してラジ
カル・エツチヤントを形成しエツチングすること
は周知である。ローパおよびタバツト（Loper
and Tabat）はアプライド・フイジツクス・レ
ター46(7)、1985年４月１日［Applied Physics
Letters 46(7)，１ April 1985］の675ページで、
ArFレーザを使用してCOF2を解離し、シリコン
をエツチングするためのフツ素基を得ることを開
示している。同様に、チユアン（Chuang）はジ
ヤーナル・オブ・ケミカル・フイジツクス、74
(2)、1981年１月15日［Journal of Chemical
Physics，74(2)，15 January 1981］の1453ペー
ジで、CO2レーザを使用してSF6を解離し、シリ
コンをエツチングするためのフツ素基を得ること
を開示している。これらの文献は両方とも、ガス
と基板の界面における、あるいはこの近傍におけ
るラジカル先駆分子と光子との相互作用によつ
て、ラジカル・エツチヤントを生成するための光
解離方式を説明したものである。界面における基
板は基板の元素を含む揮発性化合物を形成するこ
とによつて、レーザ光に露出された局部領域の基
とのエツチング反応を受ける。レーザ光に露出さ
れる局部領域を制御することによつて、サブミク
ロンの解像度で基板のパターン形成およびエツチ
ングを同時に行なうことができる。しかしなが
ら、レーザによつて誘起された解離によるラジカ
ル・エツチングは、現在利用可能なエツチング方
法よりも遅いものである。
Ｃ 発明が解決しようとする問題点
この発明は現在必要とされている基板のマスキ
ング段階を除去し、エネルギー・ビーム解離によ
る材料の高速なラジカル・エツチングを提供する
ことを目的とするものである。
ング段階を除去し、エネルギー・ビーム解離によ
る材料の高速なラジカル・エツチングを提供する
ことを目的とするものである。
Ｄ 問題点を解決するための手段
本発明によるシリコン半導体表面の無マスクの
高速エツチング方法は、 少なくとも１本の吸収線を有するNF3、SF6又
はCOF3のフツ素含有分子とH2から成りその圧力
比が２〜14対１である低圧混合ガス雰囲気に、シ
リコン半導体表面を露出させる段階、 上記フツ素含有分子の上記吸収線と実質的に一
致した波長を有し且つこの分子を解離させて分子
当り少なくとも１個のフツ素原子を生成するに十
分な50mJ／パルス以上のエネルギを有するレー
ザ・ビームを、上記シリコン半導体表面にエツチ
ングすべきパターンに従つて入射させる段階、 とより成り、シリコン半導体表面に対するレーザ
解離エツチングが水素分子の存在により促進され
る事を特徴とする。
高速エツチング方法は、 少なくとも１本の吸収線を有するNF3、SF6又
はCOF3のフツ素含有分子とH2から成りその圧力
比が２〜14対１である低圧混合ガス雰囲気に、シ
リコン半導体表面を露出させる段階、 上記フツ素含有分子の上記吸収線と実質的に一
致した波長を有し且つこの分子を解離させて分子
当り少なくとも１個のフツ素原子を生成するに十
分な50mJ／パルス以上のエネルギを有するレー
ザ・ビームを、上記シリコン半導体表面にエツチ
ングすべきパターンに従つて入射させる段階、 とより成り、シリコン半導体表面に対するレーザ
解離エツチングが水素分子の存在により促進され
る事を特徴とする。
一般に、従来の乾式エツチングであるプラズ
マ・エツチングにおいては、フツ素基のエツチン
グ雰囲気にH2を添加すると、シリコン半導体に
対するフツ素基のエツチング速度を減速させる傾
向にあることが知られている。この従来の教示と
は異なり、本発明によるレーザ・ビームを使用す
る乾式エツチングにおいては、NF3、SF6、
COF3のフツ素雰囲気にH2を添加した混合ガスの
各成分がレーザ・ビームのエネルギにより励起さ
れてシリコン基板との間の光誘起化学反応を促進
して高速エツチングに寄与するものである。その
際、活性化されたH2がシリコン表面上に存在し
うる酸化膜を除去するように作用し、そのため、
その下側にあるシリコン表面に活性化フツ素基を
直接接触させて高速エツチングを促進するものと
考えられる。NF3とH2の混合ガスの場合、NF3
単独の場合に比べてエツチング速度が２桁以上向
上したことが判つてきた。このため、本発明によ
る高速エツチング法は、マスクレス・エツチング
に好適である。
マ・エツチングにおいては、フツ素基のエツチン
グ雰囲気にH2を添加すると、シリコン半導体に
対するフツ素基のエツチング速度を減速させる傾
向にあることが知られている。この従来の教示と
は異なり、本発明によるレーザ・ビームを使用す
る乾式エツチングにおいては、NF3、SF6、
COF3のフツ素雰囲気にH2を添加した混合ガスの
各成分がレーザ・ビームのエネルギにより励起さ
れてシリコン基板との間の光誘起化学反応を促進
して高速エツチングに寄与するものである。その
際、活性化されたH2がシリコン表面上に存在し
うる酸化膜を除去するように作用し、そのため、
その下側にあるシリコン表面に活性化フツ素基を
直接接触させて高速エツチングを促進するものと
考えられる。NF3とH2の混合ガスの場合、NF3
単独の場合に比べてエツチング速度が２桁以上向
上したことが判つてきた。このため、本発明によ
る高速エツチング法は、マスクレス・エツチング
に好適である。
Ｅ 実施例
H2の存在下でフツ素原子基を得るための分子
の光解離が、エツチングされる隣接した半導体表
面上で、きわめて高いエツチング速度をもたらす
ことが判明した。このきわめて高いエツチング速
度は、H2の添加がフツ素基のエツチング速度を
減じるという、プラズマ・エツチングの分野にお
ける従来技術の教示するところから見ると、驚く
べきことであり、予期されないことである。この
点については、米国特許第4579623号および第
4505949号を参照されたい。
の光解離が、エツチングされる隣接した半導体表
面上で、きわめて高いエツチング速度をもたらす
ことが判明した。このきわめて高いエツチング速
度は、H2の添加がフツ素基のエツチング速度を
減じるという、プラズマ・エツチングの分野にお
ける従来技術の教示するところから見ると、驚く
べきことであり、予期されないことである。この
点については、米国特許第4579623号および第
4505949号を参照されたい。
この発明の方法および装置を、図示の装置に関
して説明する。留意しなければならないのは、図
示の装置がこの発見をなすのに利用された実験装
置だということである。この発明はいかなる態様
においても、図示の特定の実験装置に限定される
ものではない。
して説明する。留意しなければならないのは、図
示の装置がこの発見をなすのに利用された実験装
置だということである。この発明はいかなる態様
においても、図示の特定の実験装置に限定される
ものではない。
図面には、エツチングされる半導体ウエハ材料
１２を保持するための標準的なエツチング・チエ
ンバ１０が示されている。ウエハ１２はエツチン
グされる表面が中心線１１を中心とするようにし
て配置される。チエンバ１０はチエンバ内に真空
を生じさせるためポンプに接続された管１４を含
んでいる。チエンバはさらに、チエンバ内に希望
するエツチング・ガス混合物をもたらすガス入力
管１６を含んでいる。チエンバ１０は圧力計１
８、およびエツチングされるウエハ１２を保持す
るための受台２０も含んでいる。受台２０は図面
において、ウエハ１２の質量の変化を検出するた
め、水晶の微量はかりに接続されている。この微
量はかりはウエハ１２の質量に依存した周波数を
発生し、この周波数の変化を測定して、ウエハ１
２の表面におけるエツチング速度を測定するよう
に作動する。
１２を保持するための標準的なエツチング・チエ
ンバ１０が示されている。ウエハ１２はエツチン
グされる表面が中心線１１を中心とするようにし
て配置される。チエンバ１０はチエンバ内に真空
を生じさせるためポンプに接続された管１４を含
んでいる。チエンバはさらに、チエンバ内に希望
するエツチング・ガス混合物をもたらすガス入力
管１６を含んでいる。チエンバ１０は圧力計１
８、およびエツチングされるウエハ１２を保持す
るための受台２０も含んでいる。受台２０は図面
において、ウエハ１２の質量の変化を検出するた
め、水晶の微量はかりに接続されている。この微
量はかりはウエハ１２の質量に依存した周波数を
発生し、この周波数の変化を測定して、ウエハ１
２の表面におけるエツチング速度を測定するよう
に作動する。
図面において、チエンバ内に含まれているエツ
チング・ガスの分子を、エツチングされるウエハ
１２の表面の近傍で解離するための手段２２が設
けられている。図示の実施例において、この解離
手段２２はエネルギーのビームをエツチングされ
るウエハ１２の表面に送るための手段を含んでお
り、エネルギー・ビームは解離される分子の強い
吸収線にほぼ合致するエネルギーを有している。
図示の実験的な実施例において、エネルギーのビ
ームを送るための手段はレーザ２４を含み、レー
ザ２４はチエンバ１０のレーザ・ビームに対して
透明な１つまたはそれ以上の窓２６または２８を
介して、レーザ２４からのビームを送るためにさ
まざまな光学構成要素と組み合わされている。図
示の実施例において、レーザ・ビームの光学系は
アイリス絞り３０、ビーム・スプリツタ３２、フ
イルタ３４、レンズ３５、鏡３６および３８、フ
イルタ３７、ならびにレンズ４０からなつてい
る。この一連の光学構成要素は、レーザ２４から
のビームの一部が光学的な窓２８を通つてウエハ
１２の表面に直角に当たり、且つレーザ・ビーム
の一部がチエンバ１０の光学的な窓２６を通つ
て、ウエハ１２の表面に隣接し、且つ平行に伝搬
するように構成されている。
チング・ガスの分子を、エツチングされるウエハ
１２の表面の近傍で解離するための手段２２が設
けられている。図示の実施例において、この解離
手段２２はエネルギーのビームをエツチングされ
るウエハ１２の表面に送るための手段を含んでお
り、エネルギー・ビームは解離される分子の強い
吸収線にほぼ合致するエネルギーを有している。
図示の実験的な実施例において、エネルギーのビ
ームを送るための手段はレーザ２４を含み、レー
ザ２４はチエンバ１０のレーザ・ビームに対して
透明な１つまたはそれ以上の窓２６または２８を
介して、レーザ２４からのビームを送るためにさ
まざまな光学構成要素と組み合わされている。図
示の実施例において、レーザ・ビームの光学系は
アイリス絞り３０、ビーム・スプリツタ３２、フ
イルタ３４、レンズ３５、鏡３６および３８、フ
イルタ３７、ならびにレンズ４０からなつてい
る。この一連の光学構成要素は、レーザ２４から
のビームの一部が光学的な窓２８を通つてウエハ
１２の表面に直角に当たり、且つレーザ・ビーム
の一部がチエンバ１０の光学的な窓２６を通つ
て、ウエハ１２の表面に隣接し、且つ平行に伝搬
するように構成されている。
作動時に、レーザ２４からのレーザ・ビームは
ビームの大きさを画定するアイリス絞り３０を通
過する。この画定されたレーザ・ビームは次い
で、ビームの一部を経路４２に沿つて通過させ、
ビームの一部を経路４４に沿つて反射させるビー
ム・スプリツタ３２に送られる。経路４２に沿つ
た通過レーザ・ビームはフイルタ３４およびレン
ズ３５を通り、且つ窓２８を通つてチエンバ１０
中へ伝搬する。経路４２のフイルタ３４はレー
ザ・ビームのパワーを制御するためのパワー減衰
器である。レンズ３５はレーザ・ビームの焦点
を、ウエハ１２に対する中心線に沿つた点に合わ
せるためのものであつて、焦点はウエハの表面ま
たはその近傍になる。同様に、光路４４に沿つて
反射したレーザ・ビームの部分は鏡３６によつて
反射され、フイルタ３７を通り、鏡３８によつて
反射され、レンズ４０によつて焦点が合わされ、
窓２６を通つてチエンバ１０中へ伝搬する。この
場合も、フイルタ３７はレーザ・ビームのパワー
を制御するパワー減衰器である。レンズ４０はレ
ーザ・ビームの焦点を、ウエハ１２に対する中心
線１１に合わせるために利用される。
ビームの大きさを画定するアイリス絞り３０を通
過する。この画定されたレーザ・ビームは次い
で、ビームの一部を経路４２に沿つて通過させ、
ビームの一部を経路４４に沿つて反射させるビー
ム・スプリツタ３２に送られる。経路４２に沿つ
た通過レーザ・ビームはフイルタ３４およびレン
ズ３５を通り、且つ窓２８を通つてチエンバ１０
中へ伝搬する。経路４２のフイルタ３４はレー
ザ・ビームのパワーを制御するためのパワー減衰
器である。レンズ３５はレーザ・ビームの焦点
を、ウエハ１２に対する中心線に沿つた点に合わ
せるためのものであつて、焦点はウエハの表面ま
たはその近傍になる。同様に、光路４４に沿つて
反射したレーザ・ビームの部分は鏡３６によつて
反射され、フイルタ３７を通り、鏡３８によつて
反射され、レンズ４０によつて焦点が合わされ、
窓２６を通つてチエンバ１０中へ伝搬する。この
場合も、フイルタ３７はレーザ・ビームのパワー
を制御するパワー減衰器である。レンズ４０はレ
ーザ・ビームの焦点を、ウエハ１２に対する中心
線１１に合わせるために利用される。
図示の装置はさらに、レーザ・ビームをシステ
ム内で整合させるための何らかの手段を含んでい
ると有利なことがある。図示の実施例において
は、小型のHe−Neレーザ５０がビーム・スプリ
ツタ５２によつて、レーザ２４と同一の経路に沿
つて向けられている。解離用のレーザ２４をオン
にする前に、この小型レーザ５０を利用して整合
を行なうことができる。図示の装置はさらに、第
３の窓５４、および解離用のレーザ２４のビー
ム・パワーを測定するためのパワー・メータ／ビ
ーム・ストツプ５６を含んでいる。
ム内で整合させるための何らかの手段を含んでい
ると有利なことがある。図示の実施例において
は、小型のHe−Neレーザ５０がビーム・スプリ
ツタ５２によつて、レーザ２４と同一の経路に沿
つて向けられている。解離用のレーザ２４をオン
にする前に、この小型レーザ５０を利用して整合
を行なうことができる。図示の装置はさらに、第
３の窓５４、および解離用のレーザ２４のビー
ム・パワーを測定するためのパワー・メータ／ビ
ーム・ストツプ５６を含んでいる。
上述のように、この発明はエツチングされる半
導体材料の表面に隣接してH2が存在する場合に、
フツ素含有分子のエネルギー・ビームによる解離
が、この材料の表面のきわめて高速なエツチング
を生起するという予期しない発見に基づくもので
ある。この発明に関し、以下に３つの例を挙げ
る。
導体材料の表面に隣接してH2が存在する場合に、
フツ素含有分子のエネルギー・ビームによる解離
が、この材料の表面のきわめて高速なエツチング
を生起するという予期しない発見に基づくもので
ある。この発明に関し、以下に３つの例を挙げ
る。
第１の例においては、室温においてNF3および
H2のガス混合物を利用して、この発明を検証し
た。この実験において、NF3（三フツ化チツ素）
のガス圧力は一連のテストで25トルないし150ト
ルの範囲で変化し、H2の圧力は５トルないし30
トルで変化した。NF3分子を解離した場合に、２
〜14のNF3／H2の圧力比がシリコンのきわめて
高速なエツチングをもたらすことが判明した。こ
の解離は100mJ／パルスから600mJ／パルスまで
のエネルギー範囲のCO2レーザを利用することに
よつて達成された。このレーザは922cm-1の波長
を発生し、この波長はNF3の強い吸収線に合致し
ている。CO2レーザ・ビームの焦点合わせは焦点
距離15cmのセレン化亜鉛レンズ３５によつて行な
われる。好ましい実施例において、10トルのH2
を70トルのNF3とともに利用し、結果として80ト
ルの圧力を得た。水晶微量はかりによつてシリコ
ンのエツチングを監視した結果によると、CO2レ
ーザ２４からの１つのパルスで瞬時的なエツチン
グが生じ、その後ダーク・エツチングが数分間継
続することが示された。最終的なエツチング速度
が200オングストローム／cm2／パルスを超えるこ
とが判明した。これとは対照的に、70トルのNF3
を単独で使用し、かつ同一のレーザ条件を使用し
た場合、エツチング速度が約２オングストロー
ム／cm2／パルスにすぎないことが判明した。した
がつて、H2をNF3に添加することによつて、
NF3単独のばあいにくらべ、エツチング速度が２
桁以上改善されるという予期しなかつた結果が観
察された。
H2のガス混合物を利用して、この発明を検証し
た。この実験において、NF3（三フツ化チツ素）
のガス圧力は一連のテストで25トルないし150ト
ルの範囲で変化し、H2の圧力は５トルないし30
トルで変化した。NF3分子を解離した場合に、２
〜14のNF3／H2の圧力比がシリコンのきわめて
高速なエツチングをもたらすことが判明した。こ
の解離は100mJ／パルスから600mJ／パルスまで
のエネルギー範囲のCO2レーザを利用することに
よつて達成された。このレーザは922cm-1の波長
を発生し、この波長はNF3の強い吸収線に合致し
ている。CO2レーザ・ビームの焦点合わせは焦点
距離15cmのセレン化亜鉛レンズ３５によつて行な
われる。好ましい実施例において、10トルのH2
を70トルのNF3とともに利用し、結果として80ト
ルの圧力を得た。水晶微量はかりによつてシリコ
ンのエツチングを監視した結果によると、CO2レ
ーザ２４からの１つのパルスで瞬時的なエツチン
グが生じ、その後ダーク・エツチングが数分間継
続することが示された。最終的なエツチング速度
が200オングストローム／cm2／パルスを超えるこ
とが判明した。これとは対照的に、70トルのNF3
を単独で使用し、かつ同一のレーザ条件を使用し
た場合、エツチング速度が約２オングストロー
ム／cm2／パルスにすぎないことが判明した。した
がつて、H2をNF3に添加することによつて、
NF3単独のばあいにくらべ、エツチング速度が２
桁以上改善されるという予期しなかつた結果が観
察された。
上述の予期しなかつた結果は、エネルギー・ビ
ームがNF3およびH2（またはこれらの反応生成
物）と、シリコンとの間の光誘起化学反応を促進
して、高速シリコン・エツチングのための条件を
つくるように作用することによるものと考えられ
る。H2あるいは可能性としてはHFが半導体表面
上の酸化物を除去するように作用し、これによつ
て下側シリコンの高速エツチングを促進するもの
と考えられる。また、プラズマ・エツチング装置
においては、標準的なプラズマ・イオン生成物の
複雑な組合せ作用がこの効果を打ち消す傾向があ
ると考えられる。
ームがNF3およびH2（またはこれらの反応生成
物）と、シリコンとの間の光誘起化学反応を促進
して、高速シリコン・エツチングのための条件を
つくるように作用することによるものと考えられ
る。H2あるいは可能性としてはHFが半導体表面
上の酸化物を除去するように作用し、これによつ
て下側シリコンの高速エツチングを促進するもの
と考えられる。また、プラズマ・エツチング装置
においては、標準的なプラズマ・イオン生成物の
複雑な組合せ作用がこの効果を打ち消す傾向があ
ると考えられる。
NF3はかなり不活性なガスであつて、レーザに
よつて光活性化されない限り、シリコンなどの所
定の基板に作用しないから、この点でNF3による
上述の実験は重要である。レーザは本質的に、
NF3分子をきわめて反応性の高い少なくとも１個
のフツ素原子を含む構成部分に分解するものであ
る。NF3分子は比較的不活性があるが、H2の存
在下で解離した場合は非常に高速なエツチング速
度を与えるという特性は、このエツチング方法を
マスクレス・エツチングを実施するための有力な
候補技術とするものである。エツチングされるウ
エハの表面またはその隣接部にレーザ・ビームが
当たることを使用して、マスク層を用いずにウエ
ハ表面に所定のエツチング・パターンを画定する
ことができる。このような所定のパターンは、当
技術分野で公知の通り、レーザ・ビームを所定の
パターンで走査するだけで、ウエハ１２の表面上
に画定できるものである。ありいは、レーザ・ビ
ームを固定軸に沿つて送り、且つ公知の態様で、
ウエハ１２を標準的なＸ−Ｙサーボモータによつ
て移動させることもできる。両方のレーザ・ビー
ム、すなわちウエハ１２の表面に平行に送られる
ビームおよび表面に垂直に送られるビームを同時
に利用して、希望するエツチング速度を得ること
もできる。
よつて光活性化されない限り、シリコンなどの所
定の基板に作用しないから、この点でNF3による
上述の実験は重要である。レーザは本質的に、
NF3分子をきわめて反応性の高い少なくとも１個
のフツ素原子を含む構成部分に分解するものであ
る。NF3分子は比較的不活性があるが、H2の存
在下で解離した場合は非常に高速なエツチング速
度を与えるという特性は、このエツチング方法を
マスクレス・エツチングを実施するための有力な
候補技術とするものである。エツチングされるウ
エハの表面またはその隣接部にレーザ・ビームが
当たることを使用して、マスク層を用いずにウエ
ハ表面に所定のエツチング・パターンを画定する
ことができる。このような所定のパターンは、当
技術分野で公知の通り、レーザ・ビームを所定の
パターンで走査するだけで、ウエハ１２の表面上
に画定できるものである。ありいは、レーザ・ビ
ームを固定軸に沿つて送り、且つ公知の態様で、
ウエハ１２を標準的なＸ−Ｙサーボモータによつ
て移動させることもできる。両方のレーザ・ビー
ム、すなわちウエハ１２の表面に平行に送られる
ビームおよび表面に垂直に送られるビームを同時
に利用して、希望するエツチング速度を得ること
もできる。
NF3がマスクレス・エツチングに有利なのは、
その分子が比較的小さく、解離された成分が、た
とえば何らかの形態のポリマをエツチング表面へ
付着させるような望ましくない二次的な反応を生
起することがないからである。また、NF3は長い
波長によつて解離できるという点でも有利であ
る。
その分子が比較的小さく、解離された成分が、た
とえば何らかの形態のポリマをエツチング表面へ
付着させるような望ましくない二次的な反応を生
起することがないからである。また、NF3は長い
波長によつて解離できるという点でも有利であ
る。
NF3分子には、解離に利用できる他の強い吸収
線が多数存在することに、留意されたい。たとえ
ば、エキサイマUVレーザを利用し、NF3分子を
解離することができる。
線が多数存在することに、留意されたい。たとえ
ば、エキサイマUVレーザを利用し、NF3分子を
解離することができる。
この発明の他の例としては、H2の存在下でSP6
のレーザ解離を利用して、シリコンなどの基板の
望ましい高速エツチングを行なうことが挙げられ
る。この点に関し、H2の存在しないSF6の一般的
な解離が、上述のジヤーナル・オブ・ケミカル・
フイジツクス、74(2)、1981年１月15日［Journal
of Chemical Physics，74(2)，15 January
1981］、1453ページのＴ・Ｊ・チユアン（T.J.
Chuang）による「シリコン表面との多重光子励
起SF6の相互作用（Multiple Photon−Excited
SF6 Interaction with Silicon Surfaces）」とい
う記事で説明されている。この場合は、１〜50ト
ルの圧力のSF6を十分な圧力のH2とともに利用し
て、１〜10という範囲のSF6／H2圧力比を実現す
る。波長が10.6ミクロンで、エネルギーの範囲が
100〜600mJ／パルスのCO2赤外線レーザによつ
て、SF6分子の解離を行なうことができる。
のレーザ解離を利用して、シリコンなどの基板の
望ましい高速エツチングを行なうことが挙げられ
る。この点に関し、H2の存在しないSF6の一般的
な解離が、上述のジヤーナル・オブ・ケミカル・
フイジツクス、74(2)、1981年１月15日［Journal
of Chemical Physics，74(2)，15 January
1981］、1453ページのＴ・Ｊ・チユアン（T.J.
Chuang）による「シリコン表面との多重光子励
起SF6の相互作用（Multiple Photon−Excited
SF6 Interaction with Silicon Surfaces）」とい
う記事で説明されている。この場合は、１〜50ト
ルの圧力のSF6を十分な圧力のH2とともに利用し
て、１〜10という範囲のSF6／H2圧力比を実現す
る。波長が10.6ミクロンで、エネルギーの範囲が
100〜600mJ／パルスのCO2赤外線レーザによつ
て、SF6分子の解離を行なうことができる。
３番目の例として、H2の存在下にCOF2をエネ
ルギー・ビームで解離し、材料の高速エツチング
を行なうこともできる。H2の存在しないCOF2の
解離は、上述のアプライド・フイジツクス・レタ
ー46(7)、1985年４月１日［Applied Physics
Letters 46(7)，１ April 1985］、654ページの
Ｇ・Ｌ・ローパおよびＭ・Ｄ・タバツト（G.L.
Loper and M.D.Tabat）の「UVレーザによつ
て発生するフツ素原子による多結晶Si、Moおよ
びTiのエツチング（UVLaser−Generated
Fluorine Atom Etching of polycrystalline Si，
Mo，and Ti）」という記事で検討されている。
この場合は、50〜500トルの圧力のCOF2を50トル
のH2とともに利用して、１〜10の範囲のCOF2／
H2比を実現することができるる。COF2は、波長
0.193ミクロン、パワー50〜100mJ／パルスのア
ルゴン・フツ素UVレーザによつて解離すること
ができる。
ルギー・ビームで解離し、材料の高速エツチング
を行なうこともできる。H2の存在しないCOF2の
解離は、上述のアプライド・フイジツクス・レタ
ー46(7)、1985年４月１日［Applied Physics
Letters 46(7)，１ April 1985］、654ページの
Ｇ・Ｌ・ローパおよびＭ・Ｄ・タバツト（G.L.
Loper and M.D.Tabat）の「UVレーザによつ
て発生するフツ素原子による多結晶Si、Moおよ
びTiのエツチング（UVLaser−Generated
Fluorine Atom Etching of polycrystalline Si，
Mo，and Ti）」という記事で検討されている。
この場合は、50〜500トルの圧力のCOF2を50トル
のH2とともに利用して、１〜10の範囲のCOF2／
H2比を実現することができるる。COF2は、波長
0.193ミクロン、パワー50〜100mJ／パルスのア
ルゴン・フツ素UVレーザによつて解離すること
ができる。
Ｆ 発明の効果
H2の存在下でフツ素含有分子をエネルギー・
ビームによつて解離することによつて、きわめて
高速なエツチング速度を達成することができる。
本発明によれば、表面のマスクレス・エツチング
が可能となり、標準的なマスク形成工程およびマ
スク除去工程をなくすことができる。
ビームによつて解離することによつて、きわめて
高速なエツチング速度を達成することができる。
本発明によれば、表面のマスクレス・エツチング
が可能となり、標準的なマスク形成工程およびマ
スク除去工程をなくすことができる。
図面はこの発明を実施するために利用できる装
置の一実施例の図面である。 １０……エツチング・チエンバ、１１……中心
線、１２……半導体ウエハ、１８……圧力計、２
０……受台、２２……解離手段、２４……レー
ザ、２６，２８，５４……窓、３０……アイリス
絞り、３２，５２……ビーム・スプリツタ、３
６，３８……鏡、３４，３７……フイルタ、３
５，４０……レンズ、５０……He−Neレーザ、
５６……パワー・メータ／ビーム・ストツプ。
置の一実施例の図面である。 １０……エツチング・チエンバ、１１……中心
線、１２……半導体ウエハ、１８……圧力計、２
０……受台、２２……解離手段、２４……レー
ザ、２６，２８，５４……窓、３０……アイリス
絞り、３２，５２……ビーム・スプリツタ、３
６，３８……鏡、３４，３７……フイルタ、３
５，４０……レンズ、５０……He−Neレーザ、
５６……パワー・メータ／ビーム・ストツプ。
１ トランジスタのコレクタ電流を制限する機能
を有するものであつて、第一導電形の半導体素体
の一面にトランジスタのベース・エミツタ接合の
数より多い数の第二導電形のベース領域が形成さ
れ、さらに各該領域内に第一導電形のエミツタ領
域が形成されて各ベース領域およびエミツタ領域
にそれぞれベース電極およびエミツタ電極が設け
られ、各ベース電極が隣接べース領域内のエミツ
タ電極に順次接続されてなるダーリントントラン
ジスタが前記トランジスタと同一導電形構成を有
し、トランジスタと同一基板上にトランジスタと
絶縁して支持され、トランジスタのベース電極が
前記半導体素体の他面に設けられたダーリントン
トランジスタのコレクタ電極ならびにエミツタ電
極と接続されていない端部のベース電極と接続さ
れ、トランジスタのエミツタ電極が前記ダーリン
トントランジスタのベース電極と接続されていな
い端部のエミツタ電極と接続されたことを特徴と
する半導体装置。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の装置において、
を有するものであつて、第一導電形の半導体素体
の一面にトランジスタのベース・エミツタ接合の
数より多い数の第二導電形のベース領域が形成さ
れ、さらに各該領域内に第一導電形のエミツタ領
域が形成されて各ベース領域およびエミツタ領域
にそれぞれベース電極およびエミツタ電極が設け
られ、各ベース電極が隣接べース領域内のエミツ
タ電極に順次接続されてなるダーリントントラン
ジスタが前記トランジスタと同一導電形構成を有
し、トランジスタと同一基板上にトランジスタと
絶縁して支持され、トランジスタのベース電極が
前記半導体素体の他面に設けられたダーリントン
トランジスタのコレクタ電極ならびにエミツタ電
極と接続されていない端部のベース電極と接続さ
れ、トランジスタのエミツタ電極が前記ダーリン
トントランジスタのベース電極と接続されていな
い端部のエミツタ電極と接続されたことを特徴と
する半導体装置。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の装置において、
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US906490 | 1986-09-12 | ||
| US06/906,490 US4731158A (en) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | High rate laser etching technique |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6370528A JPS6370528A (ja) | 1988-03-30 |
| JPH0529134B2 true JPH0529134B2 (ja) | 1993-04-28 |
Family
ID=25422528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62159914A Granted JPS6370528A (ja) | 1986-09-12 | 1987-06-29 | シリコン半導体表面の無マスクの高速エッチング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4731158A (ja) |
| EP (1) | EP0259572B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6370528A (ja) |
| DE (1) | DE3773312D1 (ja) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62262433A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-14 | Hitachi Ltd | 表面処理方法 |
| JPH0682643B2 (ja) * | 1987-03-13 | 1994-10-19 | 科学技術庁長官官房会計課長 | 表面処理方法 |
| IL84255A (en) * | 1987-10-23 | 1993-02-21 | Galram Technology Ind Ltd | Process for removal of post- baked photoresist layer |
| JPH01134932A (ja) * | 1987-11-19 | 1989-05-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 基板清浄化方法及び基板清浄化装置 |
| US4897361A (en) * | 1987-12-14 | 1990-01-30 | American Telephone & Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Patterning method in the manufacture of miniaturized devices |
| JPH0277124A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-03-16 | Tokyo Electron Ltd | ドライエッチング方法 |
| GB2234631B (en) * | 1989-07-27 | 1993-02-17 | Stc Plc | Selective etching of insulating materials |
| US5139606A (en) * | 1989-12-05 | 1992-08-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Laser bilayer etching of GaAs surfaces |
| US5195163A (en) * | 1991-09-27 | 1993-03-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Fabrication and phase tuning of an optical waveguide device |
| US5814156A (en) * | 1993-09-08 | 1998-09-29 | Uvtech Systems Inc. | Photoreactive surface cleaning |
| AU7682594A (en) * | 1993-09-08 | 1995-03-27 | Uvtech Systems, Inc. | Surface processing |
| US6015503A (en) * | 1994-06-14 | 2000-01-18 | Fsi International, Inc. | Method and apparatus for surface conditioning |
| US5580421A (en) * | 1994-06-14 | 1996-12-03 | Fsi International | Apparatus for surface conditioning |
| US5607601A (en) * | 1995-02-02 | 1997-03-04 | The Aerospace Corporation | Method for patterning and etching film layers of semiconductor devices |
| TW350095B (en) * | 1995-11-21 | 1999-01-11 | Daido Hoxan Inc | Cutting method and apparatus for semiconductor materials |
| IL119246A (en) * | 1996-09-12 | 2000-10-31 | Oramir Semiconductor Ltd | Laser removal of foreign materials from surfaces |
| US6165273A (en) | 1997-10-21 | 2000-12-26 | Fsi International Inc. | Equipment for UV wafer heating and photochemistry |
| KR100271763B1 (ko) * | 1997-12-05 | 2001-02-01 | 윤종용 | 폴리실리콘식각방법및그식각장치 |
| US6451217B1 (en) * | 1998-06-09 | 2002-09-17 | Speedfam-Ipec Co., Ltd. | Wafer etching method |
| DE10018255C2 (de) * | 2000-04-13 | 2003-08-28 | Leica Microsystems | Laserschneid-Verfahren und Laserschneid-Vorrichtung zum Laserschneiden mit mikroskopischer Proben |
| US20030155328A1 (en) * | 2002-02-15 | 2003-08-21 | Huth Mark C. | Laser micromachining and methods and systems of same |
| GB2399311B (en) * | 2003-03-04 | 2005-06-15 | Xsil Technology Ltd | Laser machining using an active assist gas |
| US6969822B2 (en) * | 2003-05-13 | 2005-11-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Laser micromachining systems |
| US7754999B2 (en) | 2003-05-13 | 2010-07-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Laser micromachining and methods of same |
| GB2404280B (en) * | 2003-07-03 | 2006-09-27 | Xsil Technology Ltd | Die bonding |
| US20050279453A1 (en) * | 2004-06-17 | 2005-12-22 | Uvtech Systems, Inc. | System and methods for surface cleaning |
| US20080191163A1 (en) * | 2007-02-09 | 2008-08-14 | Mocella Michael T | Laser-Assisted Etching Using Gas Compositions Comprising Unsaturated Fluorocarbons |
| KR20150063581A (ko) | 2008-01-23 | 2015-06-09 | 솔베이 플루오르 게엠베하 | 태양전지의 제조 방법 |
| US9790090B2 (en) * | 2013-02-13 | 2017-10-17 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Laser-induced gas plasma machining |
| RU2537101C1 (ru) * | 2013-08-08 | 2014-12-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) | Способ прецизионной лазерно-плазмохимической резки пластин |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6153732A (ja) * | 1984-08-23 | 1986-03-17 | Daikin Ind Ltd | シリコン酸化膜の光照射によるエツチング方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3095341A (en) * | 1961-06-30 | 1963-06-25 | Bell Telephone Labor Inc | Photosensitive gas phase etching of semiconductors by selective radiation |
| US4038117A (en) * | 1975-09-04 | 1977-07-26 | Ilc Technology, Inc. | Process for gas polishing sapphire and the like |
| US4361461A (en) * | 1981-03-13 | 1982-11-30 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Hydrogen etching of semiconductors and oxides |
| US4435898A (en) * | 1982-03-22 | 1984-03-13 | International Business Machines Corporation | Method for making a base etched transistor integrated circuit |
| US4535531A (en) * | 1982-03-22 | 1985-08-20 | International Business Machines Corporation | Method and resulting structure for selective multiple base width transistor structures |
| US4546536A (en) * | 1983-08-04 | 1985-10-15 | International Business Machines Corporation | Fabrication methods for high performance lateral bipolar transistors |
| US4579628A (en) * | 1983-10-28 | 1986-04-01 | International Paper Company | Process for chlorine bleaching of kraft pulp using a sulfite extraction stage |
| US4505949A (en) * | 1984-04-25 | 1985-03-19 | Texas Instruments Incorporated | Thin film deposition using plasma-generated source gas |
| GB8516984D0 (en) * | 1985-07-04 | 1985-08-07 | British Telecomm | Etching method |
-
1986
- 1986-09-12 US US06/906,490 patent/US4731158A/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-06-29 JP JP62159914A patent/JPS6370528A/ja active Granted
- 1987-07-14 DE DE8787110154T patent/DE3773312D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-07-14 EP EP87110154A patent/EP0259572B1/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6153732A (ja) * | 1984-08-23 | 1986-03-17 | Daikin Ind Ltd | シリコン酸化膜の光照射によるエツチング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6370528A (ja) | 1988-03-30 |
| DE3773312D1 (de) | 1991-10-31 |
| EP0259572A3 (en) | 1988-06-01 |
| EP0259572B1 (en) | 1991-09-25 |
| EP0259572A2 (en) | 1988-03-16 |
| US4731158A (en) | 1988-03-15 |
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