JPS62262433A - 表面処理方法 - Google Patents
表面処理方法Info
- Publication number
- JPS62262433A JPS62262433A JP61104642A JP10464286A JPS62262433A JP S62262433 A JPS62262433 A JP S62262433A JP 61104642 A JP61104642 A JP 61104642A JP 10464286 A JP10464286 A JP 10464286A JP S62262433 A JPS62262433 A JP S62262433A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- sample
- wavelength distribution
- narrow wavelength
- gas particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 33
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
- H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
- H01L21/32137—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas of silicon-containing layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体表面を処理する表面処理方法に係り、特に
半導体素子製造に好適な、無損傷、無汚染、高選択性、
異方性の特徴を有し、かつ低温度での処理が可能な表面
処理方法に関する。
半導体素子製造に好適な、無損傷、無汚染、高選択性、
異方性の特徴を有し、かつ低温度での処理が可能な表面
処理方法に関する。
光を用いたドライプロセスとしては、
(1)光ビームを試料に平行に照射し、気体粒子のみを
励起する方法。
励起する方法。
(2)光ビームを試料に照射し、試料表面を励起する方
法、 が知られている。(1)の場合、従来の装置では波長分
布の広い光源を用いていたために、励起する気体粒子の
速さ、方向までは限定できなかった。
法、 が知られている。(1)の場合、従来の装置では波長分
布の広い光源を用いていたために、励起する気体粒子の
速さ、方向までは限定できなかった。
そのため、あらゆる方向の速度を有した気体粒子が同時
に励起され、異方性の必要な表面処理には用いることが
できなかった。異方性の必要な表面処理技術の例として
はたとえば、微細なマスクパターンを基板に転写するた
めの垂直エツチングがある。
に励起され、異方性の必要な表面処理には用いることが
できなかった。異方性の必要な表面処理技術の例として
はたとえば、微細なマスクパターンを基板に転写するた
めの垂直エツチングがある。
一方(2)の場合、試料表面を強い光で励起することに
より、光の当たった部分の反応が促進され、異方性のあ
る表面処理が可能である。しかしこの場合、試料表面に
入射する強い光により、試料の加熱、損傷等の問題が発
生する。
より、光の当たった部分の反応が促進され、異方性のあ
る表面処理が可能である。しかしこの場合、試料表面に
入射する強い光により、試料の加熱、損傷等の問題が発
生する。
このように従来技術では試料の加熱、損傷を伴わずに異
方性のある表面処理ができなかった。なお、この種の技
術として関連するものは、アプライド フィジックス
レターズ35 (2)(1979年)第175頁から第
177頁(Appl、Phys、Lett、35(2)
(1979)PPI 75−177)において論じら
れている。
方性のある表面処理ができなかった。なお、この種の技
術として関連するものは、アプライド フィジックス
レターズ35 (2)(1979年)第175頁から第
177頁(Appl、Phys、Lett、35(2)
(1979)PPI 75−177)において論じら
れている。
上記従来技術は、異方性と無損傷性の両立について十分
な配慮がされておらず、異方性を得るためには、試料表
面に強い光を照射する必要があり。
な配慮がされておらず、異方性を得るためには、試料表
面に強い光を照射する必要があり。
損傷を生じたり、試料が加熱される等の問題があった。
本発明の目的は試料表面に光を照射することなく、また
は入射する光の強度を表面損傷が発生しない程度に制限
した条件で、異方性の高い表面処理を行うことのできる
表面処理方法を提供することにある。
は入射する光の強度を表面損傷が発生しない程度に制限
した条件で、異方性の高い表面処理を行うことのできる
表面処理方法を提供することにある。
上記目的は波長分布の狭い光を用いて一定速度を有する
気体粒子のみを励起又は分解して試料の表面を処理する
ことにより達成される。
気体粒子のみを励起又は分解して試料の表面を処理する
ことにより達成される。
気体粒子は様々な速度で運動しており、それぞれの気体
粒子の吸収する光の波長は速度によってそれぞれ異なる
。ここで速度とは速さ、方向を有したベクトル量である
。ドツプラー効果の結果、光の速さをC,D止している
気体粒子の吸収する光の波長をλ0とすると、光軸方向
に速度Vを持つ気体粒子の吸収する波長は −一 となる。即ち の単色光を入射することにより、光軸方向に速度Vを持
った気体粒子だけを励起することができる。
粒子の吸収する光の波長は速度によってそれぞれ異なる
。ここで速度とは速さ、方向を有したベクトル量である
。ドツプラー効果の結果、光の速さをC,D止している
気体粒子の吸収する光の波長をλ0とすると、光軸方向
に速度Vを持つ気体粒子の吸収する波長は −一 となる。即ち の単色光を入射することにより、光軸方向に速度Vを持
った気体粒子だけを励起することができる。
(特にλ=λ0の単色光によって光軸方向の速度がOの
気体粒子を選択的に励起することができる。)実際には
単色光を得るのは因業なため、波長分布の狭い光を用い
る。例えば波長分布が半値幅2×10−6λ0の光を用
いると、 O であり(1)式から ΔV==’2X10−8XC=600m/sとなる。即
ち中心波長を制御することにより、励起される気体粒子
の光軸方向の速度分布を、−300m/s〜300m/
sとすることも、0〜600m/sとすることも可能で
ある。
気体粒子を選択的に励起することができる。)実際には
単色光を得るのは因業なため、波長分布の狭い光を用い
る。例えば波長分布が半値幅2×10−6λ0の光を用
いると、 O であり(1)式から ΔV==’2X10−8XC=600m/sとなる。即
ち中心波長を制御することにより、励起される気体粒子
の光軸方向の速度分布を、−300m/s〜300m/
sとすることも、0〜600m/sとすることも可能で
ある。
本発明では上記の様にドツプラー効果を利用し、波長分
布の狭い光を用いることにより、励起されめ気体粒子の
速さ、方向を制御する。その結果、限られた方向、限ら
れた速さの励起された気体粒子の流れを生成することが
でき、異方性のある表面処理が、試料表面に光を照射す
ることなく、または入射する光の強度を表面損傷が発生
しない程度に制限した条件で可能となり、さらに反応の
選択性も向上する。
布の狭い光を用いることにより、励起されめ気体粒子の
速さ、方向を制御する。その結果、限られた方向、限ら
れた速さの励起された気体粒子の流れを生成することが
でき、異方性のある表面処理が、試料表面に光を照射す
ることなく、または入射する光の強度を表面損傷が発生
しない程度に制限した条件で可能となり、さらに反応の
選択性も向上する。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。ここ
ではレーザー発振器1より発射された狭波長分布可視レ
ーザー光を第2高調波発生器で、一部第2高調波に変換
し、この出力を狭波長分布紫外レーザー光として用いて
いる。フィルター2は紫外光のみを透過させる。このよ
うにして得られた狭波長分布紫外レーザー光はレンズ3
によって集光し、試料4の表面近傍を通り、かつ試料表
面にほぼ平行になるように入射する。ここでほぼ平行と
は光が試料に入射しない程度の角度を意味する。
ではレーザー発振器1より発射された狭波長分布可視レ
ーザー光を第2高調波発生器で、一部第2高調波に変換
し、この出力を狭波長分布紫外レーザー光として用いて
いる。フィルター2は紫外光のみを透過させる。このよ
うにして得られた狭波長分布紫外レーザー光はレンズ3
によって集光し、試料4の表面近傍を通り、かつ試料表
面にほぼ平行になるように入射する。ここでほぼ平行と
は光が試料に入射しない程度の角度を意味する。
レーザー発振器5より発射された狭波長分布可視レーザ
ー光は、試料平面にほぼ平行に入射し、試料表面近傍で
狭波長分布”紫外レーザー光と交差させる。狭波長分布
可視レーザー光と狭波長分布紫外レーザー光の交差角は
特に限定しないが、はぼ垂直にすることによって、以下
に述べる速度成分の選択の効率が良くなる。気体粒子は
上記交差領域において、狭波長分布可視レーザー光によ
り励起され中間状態に達し、さらに続けて狭波長分布紫
外レーザー光により励起され活性な準位に到達する。こ
こで上記可視及び紫外レーザー光の波長は、それぞれの
光軸方向の速度成分がOの気体粒子を選択的に励起する
様に調製しておく、この時2段階励起され活性な準位に
到達した気体粒子は試料に対し垂直な方向に運動してお
り、試料には垂直に入射する。
ー光は、試料平面にほぼ平行に入射し、試料表面近傍で
狭波長分布”紫外レーザー光と交差させる。狭波長分布
可視レーザー光と狭波長分布紫外レーザー光の交差角は
特に限定しないが、はぼ垂直にすることによって、以下
に述べる速度成分の選択の効率が良くなる。気体粒子は
上記交差領域において、狭波長分布可視レーザー光によ
り励起され中間状態に達し、さらに続けて狭波長分布紫
外レーザー光により励起され活性な準位に到達する。こ
こで上記可視及び紫外レーザー光の波長は、それぞれの
光軸方向の速度成分がOの気体粒子を選択的に励起する
様に調製しておく、この時2段階励起され活性な準位に
到達した気体粒子は試料に対し垂直な方向に運動してお
り、試料には垂直に入射する。
この原理を第2図により説明する。第2回において・は
光軸方向の速度成分が0の気体粒子、0は光軸方向の速
度成分が0以外の気体粒子を表わす。・及び0で表わさ
れる気体粒子の中で・で表わされる気体粒子だけが狭波
長分布可視レーザー光によって中間状態へ励起される。
光軸方向の速度成分が0の気体粒子、0は光軸方向の速
度成分が0以外の気体粒子を表わす。・及び0で表わさ
れる気体粒子の中で・で表わされる気体粒子だけが狭波
長分布可視レーザー光によって中間状態へ励起される。
その結果、中間状態へ励起された気体粒子の速度は紙面
に垂直な平面内に限定される。ここへさらに紙面垂直方
向から狭波長分布紫外レーザー光を照射すると。
に垂直な平面内に限定される。ここへさらに紙面垂直方
向から狭波長分布紫外レーザー光を照射すると。
上記と同様に紙面垂直方向の速度成分が0である中間状
態の気体粒子だけが励起され活性な準位に到達する0以
上の結果、活性な準位に到達した気体粒子の運動方向は
試料に対し垂直な方向に限定される。
態の気体粒子だけが励起され活性な準位に到達する0以
上の結果、活性な準位に到達した気体粒子の運動方向は
試料に対し垂直な方向に限定される。
以下、本実施例を気体粒子としてCn zを用い、多結
晶シリコンのエツチングを行う場合について説明する。
晶シリコンのエツチングを行う場合について説明する。
CQzは500〜520nmの可視レーザー光により中
間状態Bδn(ou+)に励起され、さらに続けて23
0〜255nmの紫外レーザー光により励起されf(O
s÷)状態に到達する。ここでレーザー発振器l及び5
として波長分布が半値巾1pmの色素レーザーを用いる
と、生成されるf(Os÷)状態のCl22の試料表面
方向の速度成分の分布は、半値幅600 m / sと
なる。試料表面に垂直な方向の速度成分は光によって限
定されていないため、温度1(100Kにおいては半値
幅は1600m / sとなり、f(Og+)状態のC
QZ分子は試料4にほぼ垂直に入射し、垂直エツチング
が可能となる。
間状態Bδn(ou+)に励起され、さらに続けて23
0〜255nmの紫外レーザー光により励起されf(O
s÷)状態に到達する。ここでレーザー発振器l及び5
として波長分布が半値巾1pmの色素レーザーを用いる
と、生成されるf(Os÷)状態のCl22の試料表面
方向の速度成分の分布は、半値幅600 m / sと
なる。試料表面に垂直な方向の速度成分は光によって限
定されていないため、温度1(100Kにおいては半値
幅は1600m / sとなり、f(Og+)状態のC
QZ分子は試料4にほぼ垂直に入射し、垂直エツチング
が可能となる。
この時、上記レーザー光の交差領域を試料から気体粒子
の平均自由行程以内とすることにより異方性がさらに向
上することは言うまでもない。
の平均自由行程以内とすることにより異方性がさらに向
上することは言うまでもない。
本実施例は以下の利点を有している。
1、垂直エツチングが可能である。
2、試料に対し光が入射しないため光による加熱損傷が
ない5 3、局所的なエツチングが可能である。
ない5 3、局所的なエツチングが可能である。
4、光により選択的な励起を行っているため、高エネル
ギー粒子による汚染、損傷が少なく。
ギー粒子による汚染、損傷が少なく。
反応の選択性が高い。
なお、本実施例においてはCQ zを用いてエツチング
を行ったが、反応ガス、励起波長等を変えることにより
、膜形成1表面改質等も可能である。
を行ったが、反応ガス、励起波長等を変えることにより
、膜形成1表面改質等も可能である。
またレーザーの波長を変えることにより、試料に対し斜
め方向から入射する励起気体粒子を得ることも可能であ
り、垂直方向以外の表面処理も可能である。
め方向から入射する励起気体粒子を得ることも可能であ
り、垂直方向以外の表面処理も可能である。
第3図は本発明の別の実施例を示している。レーザー発
振器11より発射された狭波長分布レーザーは試料14
に対しほぼ垂直に入射する。レーザー発振器12より発
射された赤外レーザーは試料表面近傍を試料14に入射
しない程度の角度で照射し、試料表面近傍で上記狭波長
分布レーザーと交差させる。気体粒子として金屑化合物
分子を用い、赤外レーザーの波長を金属化合物分子の励
起状態の振動エネルギー間隔と一致させておく。
振器11より発射された狭波長分布レーザーは試料14
に対しほぼ垂直に入射する。レーザー発振器12より発
射された赤外レーザーは試料表面近傍を試料14に入射
しない程度の角度で照射し、試料表面近傍で上記狭波長
分布レーザーと交差させる。気体粒子として金屑化合物
分子を用い、赤外レーザーの波長を金属化合物分子の励
起状態の振動エネルギー間隔と一致させておく。
この時、狭波長分布レーザーによって下方に向かう金屑
化合物分子だけを励起する。励起された金属化合物分子
はさらに赤外レーザーにより多光子解離を行い、金属原
子を生成する。この金属原子は親分子の速度分布を反映
し、試料に対しほぼ垂直に入射する。この結果として試
料表面に平行な面にだけ薄膜が生成する。
化合物分子だけを励起する。励起された金属化合物分子
はさらに赤外レーザーにより多光子解離を行い、金属原
子を生成する。この金属原子は親分子の速度分布を反映
し、試料に対しほぼ垂直に入射する。この結果として試
料表面に平行な面にだけ薄膜が生成する。
本実施例においては試料表面に狭波長レーザー光が入射
しているが、気体中での反応を利用しているため試料表
面に対し強い光を照射する必要はなく、レンズ13の焦
点を1外レーザーとの交差点に調整することにより、試
料表面の損傷の起きない条件で膜形成が可能である。
しているが、気体中での反応を利用しているため試料表
面に対し強い光を照射する必要はなく、レンズ13の焦
点を1外レーザーとの交差点に調整することにより、試
料表面の損傷の起きない条件で膜形成が可能である。
なお、本実施例においては選択性を上げるために狭波長
分布レーザーに加えて赤外レーザーを用いたが、狭波長
分布レーザーだけで反応を起こすことも可能である。ま
た気体粒子を変えることにより表面改質、エツチング等
にも用いることができる。さらに、狭波長分布レーザー
の試料に対する入射角度を変えることにより、一定方向
のパターン側壁への膜形成を行うことも、また斜めにエ
ツチングを行うことも可能である。
分布レーザーに加えて赤外レーザーを用いたが、狭波長
分布レーザーだけで反応を起こすことも可能である。ま
た気体粒子を変えることにより表面改質、エツチング等
にも用いることができる。さらに、狭波長分布レーザー
の試料に対する入射角度を変えることにより、一定方向
のパターン側壁への膜形成を行うことも、また斜めにエ
ツチングを行うことも可能である。
以上、本発明の実施例をレーザー光を用いる場合につい
て説明したが、通常光であってもその波長が十分に限定
されていれば、同様の表面処理が可能なことは当然であ
る。
て説明したが、通常光であってもその波長が十分に限定
されていれば、同様の表面処理が可能なことは当然であ
る。
本発明によれば速さ、方向の限定された活性な気体粒子
の流れを作ることができるので、試料表面に光を照射す
ることなく、または入射する光の強度を表面損傷が発生
しない程度に制限した条件で異方性の高い表面処理が可
能であり、反応の選択性も向上する。
の流れを作ることができるので、試料表面に光を照射す
ることなく、または入射する光の強度を表面損傷が発生
しない程度に制限した条件で異方性の高い表面処理が可
能であり、反応の選択性も向上する。
第1図は本発明の実施例を示す表面処理装置の構成図、
第2図は本発明の詳細な説明する説明図、第3図は本発
明の他の実施例を示す構成図である。 1・・・狭波長分布レーザー発振器、2・・・フィルタ
ー、3・・・レンズ、4・・・試料、5・・・狭波長分
布レーザー発振器、6・・・第2高調波発生器、7・・
・窓、8・・・ガス導入口、9・・・ガス排気口、11
・・・狭波長分布レーザー発振器、12・・・赤外レー
ザー発振器、13・・・レンズ、14・・・試料、15
・・・窓、16・・・ガス導代理人 弁理士 小川勝男
1、 °゛ 第 2 図 第 3 口
第2図は本発明の詳細な説明する説明図、第3図は本発
明の他の実施例を示す構成図である。 1・・・狭波長分布レーザー発振器、2・・・フィルタ
ー、3・・・レンズ、4・・・試料、5・・・狭波長分
布レーザー発振器、6・・・第2高調波発生器、7・・
・窓、8・・・ガス導入口、9・・・ガス排気口、11
・・・狭波長分布レーザー発振器、12・・・赤外レー
ザー発振器、13・・・レンズ、14・・・試料、15
・・・窓、16・・・ガス導代理人 弁理士 小川勝男
1、 °゛ 第 2 図 第 3 口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、気体粒子を試料表面に照射して固体表面を処理する
方法において、一定速度を有した気体粒子のみを励起又
は分解することが可能な光を気体粒子に照射することを
特徴とする表面処理方法。 2、特許請求の範囲第1項記載のものにおいて、上記の
光として狭波長分布レーザー光を用いることを特徴とす
る表面処理方法。 3、特許請求の範囲第2項記載のものにおいて上記狭波
長分布レーザー光を試料に照射することを特徴とする表
面処理方法。 4、特許請求の範囲第3項記載のものにおいて、試料表
面に入射することなく、上記狭波長分布レーザー光と交
差するように、第2の光を気体粒子に照射することを特
徴とする表面処理方法。 5、特許請求の範囲第2項記載のものにおいて、狭波長
分布レーザー光を2方向から照射し、試料近傍で交差さ
せ、該交差領域で気体粒子を多段階光励起または光分解
し、励起気体粒子または分解生成粒子を用いて試料表面
の処理を行うことを特徴とする表面処理方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61104642A JPS62262433A (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 表面処理方法 |
KR870004340A KR870011679A (ko) | 1986-05-09 | 1987-05-04 | 표면처리방법 및 그 장치 |
US07/046,166 US4828874A (en) | 1986-05-09 | 1987-05-05 | Laser surface treatment method and apparatus for practicing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61104642A JPS62262433A (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 表面処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62262433A true JPS62262433A (ja) | 1987-11-14 |
Family
ID=14386105
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61104642A Pending JPS62262433A (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 表面処理方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4828874A (ja) |
JP (1) | JPS62262433A (ja) |
KR (1) | KR870011679A (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4346553A (en) * | 1979-11-09 | 1982-08-31 | Conshohocken Cotton Co., Inc. | Helically wrapped yarn |
JPH0774452B2 (ja) * | 1986-11-27 | 1995-08-09 | キヤノン株式会社 | 光化学気相成長法による機能性堆積膜の形成方法 |
US4966887A (en) * | 1988-06-24 | 1990-10-30 | The Research Foundation Of State University Of Ny | Method for the production of oxide superconducting films by laser assisted molecular beam epitaxy |
US4962057A (en) * | 1988-10-13 | 1990-10-09 | Xerox Corporation | Method of in situ photo induced evaporation enhancement of compound thin films during or after epitaxial growth |
US5198411A (en) * | 1988-12-02 | 1993-03-30 | Hewlett-Packard Company | Chemical vapor phase method for forming thin films of high temperature oxide superconductors |
US5001001A (en) * | 1989-09-25 | 1991-03-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Process for the fabrication of ceramic monoliths by laser-assisted chemical vapor infiltration |
EP0477890B1 (en) * | 1990-09-26 | 2001-04-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing method and apparatus |
JPH05330806A (ja) * | 1992-05-26 | 1993-12-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 立方晶窒化ホウ素の加工方法 |
US5366559A (en) * | 1993-05-27 | 1994-11-22 | Research Triangle Institute | Method for protecting a substrate surface from contamination using the photophoretic effect |
US6165688A (en) * | 1996-05-15 | 2000-12-26 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of Commerce | Method of fabricating of structures by metastable atom impact desorption of a passivating layer |
JPH1187247A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-03-30 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造装置及びその製造方法 |
US6951827B2 (en) | 2000-03-15 | 2005-10-04 | Tufts University | Controlling surface chemistry on solid substrates |
US20030225385A1 (en) * | 2002-05-28 | 2003-12-04 | Glaug Frank S. | Absorbent article with multiple core |
US7166094B2 (en) * | 2002-05-28 | 2007-01-23 | Tyco Healthcare Retail Services Ag | Multiple layer absorbent article |
US20040230184A1 (en) * | 2003-05-01 | 2004-11-18 | Babusik Kimberly H. | Multiple layer absorbent system |
KR101813662B1 (ko) * | 2011-10-05 | 2017-12-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 레이저 프로세싱 시스템들 내의 입자 제어 |
KR102049806B1 (ko) | 2018-04-25 | 2020-01-22 | 한국과학기술연구원 | 특정 파장의 광원 및 반응성 가스를 이용하여 대상물의 표면을 평탄화하는 방법 및 장치 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4260649A (en) * | 1979-05-07 | 1981-04-07 | The Perkin-Elmer Corporation | Laser induced dissociative chemical gas phase processing of workpieces |
US4579750A (en) * | 1980-07-07 | 1986-04-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Laser heated CVD process |
US4615904A (en) * | 1982-06-01 | 1986-10-07 | Massachusetts Institute Of Technology | Maskless growth of patterned films |
US4490211A (en) * | 1984-01-24 | 1984-12-25 | International Business Machines Corporation | Laser induced chemical etching of metals with excimer lasers |
US4581248A (en) * | 1984-03-07 | 1986-04-08 | Roche Gregory A | Apparatus and method for laser-induced chemical vapor deposition |
US4505949A (en) * | 1984-04-25 | 1985-03-19 | Texas Instruments Incorporated | Thin film deposition using plasma-generated source gas |
US4670063A (en) * | 1985-04-10 | 1987-06-02 | Eaton Corporation | Semiconductor processing technique with differentially fluxed radiation at incremental thicknesses |
US4668304A (en) * | 1985-04-10 | 1987-05-26 | Eaton Corporation | Dopant gettering semiconductor processing by excimer laser |
US4685976A (en) * | 1985-04-10 | 1987-08-11 | Eaton Corporation | Multi-layer semiconductor processing with scavenging between layers by excimer laser |
US4649059A (en) * | 1985-05-29 | 1987-03-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Photoionization technique for growth of metallic films |
US4731158A (en) * | 1986-09-12 | 1988-03-15 | International Business Machines Corporation | High rate laser etching technique |
-
1986
- 1986-05-09 JP JP61104642A patent/JPS62262433A/ja active Pending
-
1987
- 1987-05-04 KR KR870004340A patent/KR870011679A/ko not_active IP Right Cessation
- 1987-05-05 US US07/046,166 patent/US4828874A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR870011679A (ko) | 1987-12-26 |
US4828874A (en) | 1989-05-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS62262433A (ja) | 表面処理方法 | |
Maracas et al. | On the origin of periodic surface structure of laser‐annealed semiconductors | |
US6048588A (en) | Method for enhancing chemisorption of material | |
US5958268A (en) | Removal of material by polarized radiation | |
JPS6370528A (ja) | シリコン半導体表面の無マスクの高速エッチング方法 | |
JPH08509652A (ja) | 照射による表面汚染物質の除去方法及び装置 | |
JP2000094163A (ja) | 透明材料のレーザー微細加工法 | |
JPH0244632B2 (ja) | ||
JPS595621A (ja) | 薄膜形成方法 | |
Harradine et al. | Reactive etching of semiconductor surfaces by laser-generated free radicals | |
Chuang | Laser chemical etching of conducting and semiconducting materials | |
JPH03267374A (ja) | レーザcvd装置 | |
JPS632327A (ja) | 微細パタ−ンのエツチング方法 | |
JPS5961919A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
JPS61141141A (ja) | ドライエツチング装置 | |
JPH0429220B2 (ja) | ||
JPH057064B2 (ja) | ||
JPS59208065A (ja) | レ−ザ金属堆積方法 | |
Eden | Photochemical processing of semiconductors: New applications for visible and ultraviolet lasers | |
Carroll et al. | Advanced mixing nozzle concepts for COIL | |
JPS609116A (ja) | 半導体製造方法 | |
JPS59205720A (ja) | エツチング装置 | |
Magee et al. | Scanning UV laser removal of contaminants from semiconductor and optical surfaces | |
JPS63248132A (ja) | 半導体素子の製造方法およびその装置 | |
JPS60124816A (ja) | 薄膜成長方法 |