JPS632327A - 微細パタ−ンのエツチング方法 - Google Patents
微細パタ−ンのエツチング方法Info
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- JPS632327A JPS632327A JP14550286A JP14550286A JPS632327A JP S632327 A JPS632327 A JP S632327A JP 14550286 A JP14550286 A JP 14550286A JP 14550286 A JP14550286 A JP 14550286A JP S632327 A JPS632327 A JP S632327A
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Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、主に半導体材料もしくは金属材料から成る薄
膜のドライエツチング方法に属し、特に量子効果の期待
される半導体細線もしくけ金属細線の作成に有効な微細
パターンのエツチング方法に関するものである。
膜のドライエツチング方法に属し、特に量子効果の期待
される半導体細線もしくけ金属細線の作成に有効な微細
パターンのエツチング方法に関するものである。
（ロ） 従来の技術
薄膜状物質の微細加工方法さして、光励起エツチング法
が開発されている（例えば、応用物理第５２条第７号（
１９８３）５６０頁〜５６６頁）。光励起により期待さ
れる効果は、大別して、光による加熱作用と光化学反応
の誘起である。さらに、誘起する反応の対象が、気相反
応であるか表面反応であるかによって区別される。
が開発されている（例えば、応用物理第５２条第７号（
１９８３）５６０頁〜５６６頁）。光励起により期待さ
れる効果は、大別して、光による加熱作用と光化学反応
の誘起である。さらに、誘起する反応の対象が、気相反
応であるか表面反応であるかによって区別される。
微細加工の観点からは、等方性エツチングより異方性エ
ツチングの方が有利である。従って、物質表面での光化
学反応によるエツチングが利用されている。光化学反応
を誘起するには、−役に紫外＠ｗ：、あるいはさらに短
波長の光が必要である。
ツチングの方が有利である。従って、物質表面での光化
学反応によるエツチングが利用されている。光化学反応
を誘起するには、−役に紫外＠ｗ：、あるいはさらに短
波長の光が必要である。
ところが、従来この＠域の光源として利用されているの
は水銀ランプとエキシマレーザ−のみで、波長・強度と
もに間粗があった。また、エキシマレーザ−では、ビー
ム経全絞ってマスクレスでのエツチングが行なわれてい
るが、０．５μｍ程度が限界である。
は水銀ランプとエキシマレーザ−のみで、波長・強度と
もに間粗があった。また、エキシマレーザ−では、ビー
ム経全絞ってマスクレスでのエツチングが行なわれてい
るが、０．５μｍ程度が限界である。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
光励起エツチング法において、極めて空間分解能の高い
選択エツチングを可能とする之めには、軟Ｘ線領域の光
が有効である。この頭載では、技長が攻〜数１００ＡＬ
ニア）程度であり、固体中の電子のド・ブロイ波長と同
様Ｉ５．１！：なる。
選択エツチングを可能とする之めには、軟Ｘ線領域の光
が有効である。この頭載では、技長が攻〜数１００ＡＬ
ニア）程度であり、固体中の電子のド・ブロイ波長と同
様Ｉ５．１！：なる。
従って、この波長頭載で強度の強い光＃を用意して、こ
れ全光励起反応容器に導入する方法および装置全開発す
ることができれば、量子効果の期待される半導体細線も
しくけ金Ｊｏ４細線の作成に応用することができる。
れ全光励起反応容器に導入する方法および装置全開発す
ることができれば、量子効果の期待される半導体細線も
しくけ金Ｊｏ４細線の作成に応用することができる。
に）問題点を解決するための手段
不発＃３Ａハ、光源としてシンクロトロン放射光を用い
、真空容器中におかれたＲ膜状物質の表向上にエツチン
グガスを供給するとともに、放射光を照！Ｍ して薄膜
状物質を加工するものである。その際、放射光全単色化
し、干＄縞あるいは定在波などを利用した強度分布を作
っておくと、ある強さより光強度の強い場所だけ選択的
なエツチングが生ずる。シンクロトロン放射光は可視か
らＸＩｓにおよぶ白色光であり、故１０Ａ前後の軟Ｘ１
ｆｓを使えば干渉縞の間隔も故１ＯＡとなり、量子効果
の期待される＆１０Ａのサイズの半導体細線もしくけ金
属細線を作成することができる。
、真空容器中におかれたＲ膜状物質の表向上にエツチン
グガスを供給するとともに、放射光を照！Ｍ して薄膜
状物質を加工するものである。その際、放射光全単色化
し、干＄縞あるいは定在波などを利用した強度分布を作
っておくと、ある強さより光強度の強い場所だけ選択的
なエツチングが生ずる。シンクロトロン放射光は可視か
らＸＩｓにおよぶ白色光であり、故１０Ａ前後の軟Ｘ１
ｆｓを使えば干渉縞の間隔も故１ＯＡとなり、量子効果
の期待される＆１０Ａのサイズの半導体細線もしくけ金
属細線を作成することができる。
なお、将来実現することが期待されているＸ線レーザー
を光源に使っても、同様の効果か得られる。
を光源に使っても、同様の効果か得られる。
（ホ）作用
一般に、軟Ｘ線頭載の光のエネルギーは、原子ｉ之は分
子の内殻準位の電子を励起することができ、熱エネルギ
ーがなくとも化学反応を進行させることができる。表面
上に吸着され次ガス分子は、光のエネルギーを吸収して
励起状態となり、薄膜状物質の構成元素と反応？起こし
て薄膜のエツチングが生ずる。他方、光が当らない４ｆ
ｒでは、−度吸材されたガス分子は再び解離し何の反応
も生じない。尚、軟Ｘ線より更に波長の短かいＸ線領域
の光は物質を透過するので不適当である。
子の内殻準位の電子を励起することができ、熱エネルギ
ーがなくとも化学反応を進行させることができる。表面
上に吸着され次ガス分子は、光のエネルギーを吸収して
励起状態となり、薄膜状物質の構成元素と反応？起こし
て薄膜のエツチングが生ずる。他方、光が当らない４ｆ
ｒでは、−度吸材されたガス分子は再び解離し何の反応
も生じない。尚、軟Ｘ線より更に波長の短かいＸ線領域
の光は物質を透過するので不適当である。
（へ）実施例
次に、この発明の実施例を図面を参考にしながら詳述す
る。
る。
第１図は、この発＃ｉを実施するための装置の構成例で
ある。基板（４）を固定した試料ホルダー（ｌｊが真空
容器（２）の中に取り付けら、試１料ホルダー（１）Ｖ
ｃは基＆ｔ４１？加熱するためのヒータが内蔵されてい
る。真空容器（２）は、シンクロトロン放射光のビーム
ラインと接続されており、途中には、それ自体周知の多
層膜干渉計からなるＸ線干渉計が置かれている。！念、
エツチングガスを導入するため、ガスノズル（３）が用
意されている。
ある。基板（４）を固定した試料ホルダー（ｌｊが真空
容器（２）の中に取り付けら、試１料ホルダー（１）Ｖ
ｃは基＆ｔ４１？加熱するためのヒータが内蔵されてい
る。真空容器（２）は、シンクロトロン放射光のビーム
ラインと接続されており、途中には、それ自体周知の多
層膜干渉計からなるＸ線干渉計が置かれている。！念、
エツチングガスを導入するため、ガスノズル（３）が用
意されている。
この装置ｔ−便って、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ ）細線
を作成した例について説明する７作成条件は下記の通り
である。
を作成した例について説明する７作成条件は下記の通り
である。
基板
Ｇ ａ Ａ ｓ’ウニ／’−（１００）面 ノンドープ
、高抵抗 基板温度 約１００℃ ガス導入量 ジクロロジフルオロメタン （ＣＣ１２Ｆ２ ） ｌｃｃ／ｍｉｎ加工時
真空度 Ｉ Ｘ １０−’ Ｔ ｏ ｒ ｒエツ
チング速度 ０．２μｍ／ｈ光源 シンクロトロン放射光 ２．５Ｇｅｖ電子蓄積リング アンジェレーターライン 放射光波長 ｌＯ〜１００Ａ （可変、１％バンド
巾） 放射光強度 フォトン敗 １０〜１０ 個（蓄積電
流１００ｍＡの時） 軟Ｘ＠は、上記Ｘ線干渉計により第２図に示す如く、強
弱のくり返しパターンからなる空間的強度分布をもつ念
ものに変調されて基板（４）の表面に達する。従って、
基板（４）の表面おいて、ある値以上の強度の軟Ｘ線照
射を受けたところのみエツチングされ、ＧａＡｓ細線（
６）が形成される。故１ＯＡの軟Ｘ線を使えば、上記空
間的強度分布ておけるパターンのくり返し間隔も最小、
数１０ＡとなるのでＧａＡｓ細線（６）の幅も同程度に
なる。尚、より大なる幅のＧａＡｓ細ａを得るために、
故１００Ａｉでの波長の軟Ｘ線が適宜用いられる。
、高抵抗 基板温度 約１００℃ ガス導入量 ジクロロジフルオロメタン （ＣＣ１２Ｆ２ ） ｌｃｃ／ｍｉｎ加工時
真空度 Ｉ Ｘ １０−’ Ｔ ｏ ｒ ｒエツ
チング速度 ０．２μｍ／ｈ光源 シンクロトロン放射光 ２．５Ｇｅｖ電子蓄積リング アンジェレーターライン 放射光波長 ｌＯ〜１００Ａ （可変、１％バンド
巾） 放射光強度 フォトン敗 １０〜１０ 個（蓄積電
流１００ｍＡの時） 軟Ｘ＠は、上記Ｘ線干渉計により第２図に示す如く、強
弱のくり返しパターンからなる空間的強度分布をもつ念
ものに変調されて基板（４）の表面に達する。従って、
基板（４）の表面おいて、ある値以上の強度の軟Ｘ線照
射を受けたところのみエツチングされ、ＧａＡｓ細線（
６）が形成される。故１ＯＡの軟Ｘ線を使えば、上記空
間的強度分布ておけるパターンのくり返し間隔も最小、
数１０ＡとなるのでＧａＡｓ細線（６）の幅も同程度に
なる。尚、より大なる幅のＧａＡｓ細ａを得るために、
故１００Ａｉでの波長の軟Ｘ線が適宜用いられる。
以上は半導体細線の形成について述べたが、本発明は金
属細線のエツチング形成にも適用される。
属細線のエツチング形成にも適用される。
即ち、例えば、反応ガスとしてＣＨａＢｒを用いれば、
同様にしてアルミニウム細線を形成できる。
同様にしてアルミニウム細線を形成できる。
（ト）発明の効果
本発明の方法では、軟Ｘ線＠域の光を使うため、従来の
方法に比べ、より微細な選択的エツチングが可能となる
。また、内殻励起による化学反応を利用するので、波長
を選ぶことで、物質の意いによる選択的エツチングを行
なうこともできる。
方法に比べ、より微細な選択的エツチングが可能となる
。また、内殻励起による化学反応を利用するので、波長
を選ぶことで、物質の意いによる選択的エツチングを行
なうこともできる。
第１図は、この発明を実施するための装置の構成図、第
２図は干渉縞を用いた半導体細線作成の概念図である。 （１）・・・試料ホルダー、 （２）・・・真空容器、
（３）・・・エツチングガス用ノズＡ／、 ＋４１
・・・基板、（６）・・・半導体細線。
２図は干渉縞を用いた半導体細線作成の概念図である。 （１）・・・試料ホルダー、 （２）・・・真空容器、
（３）・・・エツチングガス用ノズＡ／、 ＋４１
・・・基板、（６）・・・半導体細線。
Claims (1)
- （１）真空容器中で、基板上に反応ガスを供給すると同
時に、数ないし数１００Åの波長をもつ軟Ｘ線を照射し
て行なう光励起エッチング法において、空間的強度分布
を有する軟Ｘ線を用いて、選択的エッチングを行なうこ
とを特徴とする微細パターンのエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14550286A JPS632327A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 微細パタ−ンのエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14550286A JPS632327A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 微細パタ−ンのエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS632327A true JPS632327A (ja) | 1988-01-07 |
Family
ID=15386741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14550286A Pending JPS632327A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 微細パタ−ンのエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS632327A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01228540A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-12 | Seiko Epson Corp | Ｘ線化学反応処理法 |
| JPH02304924A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 | Nec Corp | 原子層ドライエッチング方法 |
| US5499823A (en) * | 1994-02-17 | 1996-03-19 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Grommet with filler inlet opening |
| US5641942A (en) * | 1993-10-04 | 1997-06-24 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Waterproof construction of wiring harness |
| US6088875A (en) * | 1997-03-21 | 2000-07-18 | Yazaki Corporation | Grommet |
-
1986
- 1986-06-20 JP JP14550286A patent/JPS632327A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01228540A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-12 | Seiko Epson Corp | Ｘ線化学反応処理法 |
| JPH02304924A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 | Nec Corp | 原子層ドライエッチング方法 |
| US5641942A (en) * | 1993-10-04 | 1997-06-24 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Waterproof construction of wiring harness |
| US5499823A (en) * | 1994-02-17 | 1996-03-19 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Grommet with filler inlet opening |
| US6088875A (en) * | 1997-03-21 | 2000-07-18 | Yazaki Corporation | Grommet |
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