JPS62219525A - 光照射エツチング法 - Google Patents
光照射エツチング法Info
- Publication number
- JPS62219525A JPS62219525A JP6130886A JP6130886A JPS62219525A JP S62219525 A JPS62219525 A JP S62219525A JP 6130886 A JP6130886 A JP 6130886A JP 6130886 A JP6130886 A JP 6130886A JP S62219525 A JPS62219525 A JP S62219525A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- polymer
- plasma
- photomask
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 6
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 3
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ハロゲン元素を含む炭化水素をプ、ラズマ化し、半導体
基板面にポリマーを堆積させながら、エキシマレーザ光
を選択的に照射してポリマー堆積物を分解除去する。そ
れによって堆積物が除去された基板面を、プラズマ中の
ハロゲンラジカルがアタックし、選択エツチングが行わ
れる。
基板面にポリマーを堆積させながら、エキシマレーザ光
を選択的に照射してポリマー堆積物を分解除去する。そ
れによって堆積物が除去された基板面を、プラズマ中の
ハロゲンラジカルがアタックし、選択エツチングが行わ
れる。
ハロゲン元素はシリコン（Ｓｉ）のエツチングにはＣｊ
、ＳｔｏｗにはＦが適している。
、ＳｔｏｗにはＦが適している。
本発明は半導体装置の製造工程に含まれるＳｉ或いは酸
化Ｓｉの選択エツチング法に関わり、レジスト工程を必
要としない選択エツチング法（直接エツチング法）に関
わる。
化Ｓｉの選択エツチング法に関わり、レジスト工程を必
要としない選択エツチング法（直接エツチング法）に関
わる。
半導体装置製造のためのウェハープロセスには、−Ｓｔ
やＳｉＯ□を選択的にエツチングする工程が含まれる。
やＳｉＯ□を選択的にエツチングする工程が含まれる。
その場合、被エツチング体の表面に選択的にフォトレジ
ストを被着し、ぞれをエツチングマスクとしてエツチン
グ処理するのが通常の方法である。
ストを被着し、ぞれをエツチングマスクとしてエツチン
グ処理するのが通常の方法である。
しかしながら、ここでレジスト工程を省略することがで
きれば、即ちフォトレジストのバターニング工程とエソ
チング工程を一体化し得れば、工数が大幅に低減され、
大きな利益をもたらす。
きれば、即ちフォトレジストのバターニング工程とエソ
チング工程を一体化し得れば、工数が大幅に低減され、
大きな利益をもたらす。
フォトマスクを使用しないリソグラフィとしては電子線
リソグラフィがあるが、これはレジストをバターニング
するものであって、レジスト不使用という条件を満たす
ものではない。機械加工の分野では電子線或いはレーザ
光による穿孔や切削が行われているが、半導体工業で要
求される精度やパターンの複雑さとは掛は離れたレヘル
の技術である。
リソグラフィがあるが、これはレジストをバターニング
するものであって、レジスト不使用という条件を満たす
ものではない。機械加工の分野では電子線或いはレーザ
光による穿孔や切削が行われているが、半導体工業で要
求される精度やパターンの複雑さとは掛は離れたレヘル
の技術である。
現時点ではウェハープロセスに採用し得るような高精度
、高効率の直接エツチング法は知られていない。
、高効率の直接エツチング法は知られていない。
本発明の目的は、フォトマスクは使用するが、フォトレ
ジストは使用しない選択エツチング法を提供することで
あり、複雑且つ微細なパターンをフォトリソグラフィな
しに形成する方法を提供することである。
ジストは使用しない選択エツチング法を提供することで
あり、複雑且つ微細なパターンをフォトリソグラフィな
しに形成する方法を提供することである。
上記目的は特許請求の範囲の項に記された本発明の方法
によって達成されるが、実施例に従って本発明を要約す
ると次のようになる。
によって達成されるが、実施例に従って本発明を要約す
ると次のようになる。
例えばＳｉＯ□層を選択エツチングする場合、３弗化メ
タン（ＣＨＦａ）のようなハロゲン化炭化水素に電界を
印加してプラズマを発生させると、ポリマーが形成され
て基板上に堆積する。プラズマ中にはＦ・などのラジカ
ルが存在するので、エキシマレーザのような高エネルギ
線で基板を照射すると、照射された部分ではポリマーが
分解除去されてＦ・によるエツチングが進行する。即ち
選択エツチングが行われる。
タン（ＣＨＦａ）のようなハロゲン化炭化水素に電界を
印加してプラズマを発生させると、ポリマーが形成され
て基板上に堆積する。プラズマ中にはＦ・などのラジカ
ルが存在するので、エキシマレーザのような高エネルギ
線で基板を照射すると、照射された部分ではポリマーが
分解除去されてＦ・によるエツチングが進行する。即ち
選択エツチングが行われる。
Ｑ、 ３ ｔｏｒｒ程度に減圧されたＣＨＦ３に高周波
電界を印加してプラズマ化すると、重合反応が進行して
、（ＣＦ２ ＣＦ２ ）アの形で随所に架橋した鎖
状ポリマーが形成される。これがプラズマ内に置かれた
物体の表面を被覆するので、該プラズマにはＦ・の如き
アクティブなラジカルが存在するにもかかわらず、プラ
ズマに曝された物体の表面をエツチングすることはない
。
電界を印加してプラズマ化すると、重合反応が進行して
、（ＣＦ２ ＣＦ２ ）アの形で随所に架橋した鎖
状ポリマーが形成される。これがプラズマ内に置かれた
物体の表面を被覆するので、該プラズマにはＦ・の如き
アクティブなラジカルが存在するにもかかわらず、プラ
ズマに曝された物体の表面をエツチングすることはない
。
しかし、これにエキシマレーザ光のような高エネルギ線
を照射すると、照射された部分では堆積したポリマーが
分解除去されるので、露出した物体表面がラジカルによ
ってエツチングされる。このポリマー分解は局部的に温
度が上昇して起こる熱分解あるいは多光子過程によって
吸収されたエネルギによる分解と解せられる。
を照射すると、照射された部分では堆積したポリマーが
分解除去されるので、露出した物体表面がラジカルによ
ってエツチングされる。このポリマー分解は局部的に温
度が上昇して起こる熱分解あるいは多光子過程によって
吸収されたエネルギによる分解と解せられる。
熱分解によるものとすれば、局部的に温度を急上昇させ
て分解反応を起こさせることが必要で、緩慢な昇温では
熱放散によって非選択部も高温になり、選択的処理とい
う目的に反するものになる。
て分解反応を起こさせることが必要で、緩慢な昇温では
熱放散によって非選択部も高温になり、選択的処理とい
う目的に反するものになる。
そのためエキシマレーザのようなパルスレーザの使用が
適している。
適している。
多光子過程のエネルギ吸収によるという考えは、上記の
ポリマーは５ｅＶ程度の光に対して透明であり、エネル
ギ吸収が起こるなら２光子或いはそれ以上の多光子過程
によるということに因っており、そのための高エネルギ
レーザという観点からもエキシマレーザが適しているこ
とになる。
ポリマーは５ｅＶ程度の光に対して透明であり、エネル
ギ吸収が起こるなら２光子或いはそれ以上の多光子過程
によるということに因っており、そのための高エネルギ
レーザという観点からもエキシマレーザが適しているこ
とになる。
エツチングされる材料に適したラジカルとして、ポリ或
いは単結晶Ｓｉには塩素ラジカルが、Ｓｉの酸化物には
弗素ラジカルが挙げられる。
いは単結晶Ｓｉには塩素ラジカルが、Ｓｉの酸化物には
弗素ラジカルが挙げられる。
第１図は本発明の第１の実施例における選択エツチング
の進行状況を示す模式図であり、第２図は本発明を実施
するための装置の模式図である。
の進行状況を示す模式図であり、第２図は本発明を実施
するための装置の模式図である。
先ず、第１図を参照しながら、第１の実施例を説明する
。
。
図で、Ｓｔ基板１はＱ、 ３ ｔｏｒｒのＣＨＦ３雰囲
気中に置かれており、その表面に被着形成されたＳｉ０
３層２には生成したポリマー３が堆積している。該基板
から離れた位置にフォトマスク４が置かれ、これを通し
てエキシマレーザ光が照射されている。
気中に置かれており、その表面に被着形成されたＳｉ０
３層２には生成したポリマー３が堆積している。該基板
から離れた位置にフォトマスク４が置かれ、これを通し
てエキシマレーザ光が照射されている。
マスクの遮光部ではレーザ光が透過しないのでポリマー
の堆積は進行するが、透明部ではレーザ光が透過し、基
板上に堆積したポリマーを分解してＳｉ０２層２を露出
させる。そのためプラズマ中のＦ・によってＳｉ０２層
２がエツチングされる。
の堆積は進行するが、透明部ではレーザ光が透過し、基
板上に堆積したポリマーを分解してＳｉ０２層２を露出
させる。そのためプラズマ中のＦ・によってＳｉ０２層
２がエツチングされる。
処理条件は高周波電力が５００Ｗ、ＣＨＦ、の供給量は
標準状態に換算して１００ｃｍ／ｍｉｎである。この実
施例ではＳ ｉ Ｏｚのエツチング速度が２０００人／
ｗｉｎであるのに対し、Ｓｉのエツチング速度は２００
人／ｍｉｎと低いので、基板Ｓｔを殆どエツチングする
ことなくＳｔｏｗのエツチングを終止させることが出来
る。
標準状態に換算して１００ｃｍ／ｍｉｎである。この実
施例ではＳ ｉ Ｏｚのエツチング速度が２０００人／
ｗｉｎであるのに対し、Ｓｉのエツチング速度は２００
人／ｍｉｎと低いので、基板Ｓｔを殆どエツチングする
ことなくＳｔｏｗのエツチングを終止させることが出来
る。
第２の実施例は、図示されないが、ポリＳｉを選択エツ
チングするもので、使用ガスはＣＨＣｌ ｓ 、０．２
ｔｏｒｒ、供給量は標準状態で１００ｃｍ／ｍｉｎ、高
周波電力３００Ｗという条件で同様に処理される。そし
て、ポリＳｔのエツチング速度が６０００人／ｍｉｎで
あるのに対し、５ｉ０２のエツチング速度は２００人／
ｍｉｎと低く、ここでも十分な選択比が得られている。
チングするもので、使用ガスはＣＨＣｌ ｓ 、０．２
ｔｏｒｒ、供給量は標準状態で１００ｃｍ／ｍｉｎ、高
周波電力３００Ｗという条件で同様に処理される。そし
て、ポリＳｔのエツチング速度が６０００人／ｍｉｎで
あるのに対し、５ｉ０２のエツチング速度は２００人／
ｍｉｎと低く、ここでも十分な選択比が得られている。
これ等の実施例で使用されるエキシマレーザは平均出力
ＩＷ、ピーク出力５ＭＷ、パルス幅１０ｎｓ、繰り返し
回数２０ｃｐｓのもので、周知のものである。
ＩＷ、ピーク出力５ＭＷ、パルス幅１０ｎｓ、繰り返し
回数２０ｃｐｓのもので、周知のものである。
本発明を実施するための装置の一例が第２図に模式的に
示されている。１０は例えばＡＩ製のチェンバで、内部
にＳｉ基板１とフォトマスク４を保持するステージ１３
が設けられ、その上部にレーザ光を入射させるための窓
１２があり、さらにプラズマの原料ガスの導入口と減圧
のための排気口が設けられている。
示されている。１０は例えばＡＩ製のチェンバで、内部
にＳｉ基板１とフォトマスク４を保持するステージ１３
が設けられ、その上部にレーザ光を入射させるための窓
１２があり、さらにプラズマの原料ガスの導入口と減圧
のための排気口が設けられている。
ステージ１３の内部には冷却水の配管１９が設けられ、
チェンバ１０との間には絶縁相１８が介挿されている。
チェンバ１０との間には絶縁相１８が介挿されている。
高周波電源１６の出力はカップリングコンデンサ１７を
介してステージに接続され、プラズマを発生させる。
介してステージに接続され、プラズマを発生させる。
チェンバ１０の上部の窓１２を通じてエキシマレーザ１
５の出力光が入射するが、このビームの太さは３０關Ｘ
１０ｍｍ程度であり、常用されるウェハー全面を処理
するには、図示のようにＸ、Ｙ方向にビームを掃引する
ことが必要である。その場合、掃引速度が緩やかである
と、既に多量に被着したポリマ一層を分解しなければな
らず、処理が困難になるので、高速に掃引することが望
ましい。
５の出力光が入射するが、このビームの太さは３０關Ｘ
１０ｍｍ程度であり、常用されるウェハー全面を処理
するには、図示のようにＸ、Ｙ方向にビームを掃引する
ことが必要である。その場合、掃引速度が緩やかである
と、既に多量に被着したポリマ一層を分解しなければな
らず、処理が困難になるので、高速に掃引することが望
ましい。
これはステージを移動させるものでもよいが、ミラーの
回転によるビームの掃引は、厳密に垂直な入射が求めら
れる場合には不適当である。
回転によるビームの掃引は、厳密に垂直な入射が求めら
れる場合には不適当である。
本発明ではフォトマスクを使用するが、発明技術はその
位置合わせに関与するものではないから、位置合わせ手
段は別に設けなければならない。これは通常の方法が利
用可能で、予め準備された合わせマークを光学的手段に
よって検知し、機械的手段によって整合させればよい。
位置合わせに関与するものではないから、位置合わせ手
段は別に設けなければならない。これは通常の方法が利
用可能で、予め準備された合わせマークを光学的手段に
よって検知し、機械的手段によって整合させればよい。
以上説明したように、本発明によればフォトレジストの
塗布、現像工程なしに選択エツチングが行われるので、
ＩＣの製造工程が短縮され、製造コストが大幅に低減さ
れる。
塗布、現像工程なしに選択エツチングが行われるので、
ＩＣの製造工程が短縮され、製造コストが大幅に低減さ
れる。
第１図は本発明の第１の実施例における選択エツチング
の進行状況を示す模式図、 第２図は本発明を実施するための装置の模式図である。 図において、 １はＳｔ基板、 ２はＳ ｉ Ｏｔ、 ３はポリマー、 ４はフォトマスク、 １０はチェンバ １２は窓、 １３はステージ、 １５はエキシマレーザ、 １６は高周波電源、 １７はカップリングコンデンサ、 １８は絶縁材、 １９は冷却水配管である。 エキシマレーザ照射 本発明の第１の実施例における選択 エツチングの進行状況を示す模式図 第１図 本発明を実施するための装置の模式図 第２図
の進行状況を示す模式図、 第２図は本発明を実施するための装置の模式図である。 図において、 １はＳｔ基板、 ２はＳ ｉ Ｏｔ、 ３はポリマー、 ４はフォトマスク、 １０はチェンバ １２は窓、 １３はステージ、 １５はエキシマレーザ、 １６は高周波電源、 １７はカップリングコンデンサ、 １８は絶縁材、 １９は冷却水配管である。 エキシマレーザ照射 本発明の第１の実施例における選択 エツチングの進行状況を示す模式図 第１図 本発明を実施するための装置の模式図 第２図
Claims (2)
- （１）チェンバ（１０）に第１の炭化水素化合物の一部
或いは全部の水素をハロゲン元素に置換した化合物気体
または該化合物と水素或いは第２の炭化水素との混合気
体を導入し、該気体をプラズマ化することによって前記
第１の炭化水素化合物のポリマーを被エッチング体（２
）、（１０）の表面に堆積させながら、該被エッチング
体（２）、（１０）の表面に高エネルギ線を選択的に照
射することを特徴とする光照射エッチング法。 - （２）前記高エネルギ線がエキシマレーザ光であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光照射エッチ
ング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6130886A JPS62219525A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 光照射エツチング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6130886A JPS62219525A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 光照射エツチング法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62219525A true JPS62219525A (ja) | 1987-09-26 |
Family
ID=13167413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6130886A Pending JPS62219525A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 光照射エツチング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62219525A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0415910A (ja) * | 1990-05-10 | 1992-01-21 | Canon Inc | エッチングパターンの形成方法 |
| US5344522A (en) * | 1990-05-09 | 1994-09-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming process and process for preparing semiconductor device utilizing said pattern forming process |
| EP0735578A1 (en) * | 1995-03-31 | 1996-10-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Ablation patterning of multi-layered structures |
-
1986
- 1986-03-19 JP JP6130886A patent/JPS62219525A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5344522A (en) * | 1990-05-09 | 1994-09-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming process and process for preparing semiconductor device utilizing said pattern forming process |
| US5413664A (en) * | 1990-05-09 | 1995-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for preparing a semiconductor device, photo treatment apparatus, pattern forming apparatus and fabrication apparatus |
| US5490896A (en) * | 1990-05-09 | 1996-02-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Photomask or a light shielding member having a light transmitting portion and a light shielding portion |
| EP0714119A2 (en) | 1990-05-09 | 1996-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming process, apparatus for forming said pattern and process for preparing semiconductor device utilizing said pattern forming process |
| JPH0415910A (ja) * | 1990-05-10 | 1992-01-21 | Canon Inc | エッチングパターンの形成方法 |
| EP0735578A1 (en) * | 1995-03-31 | 1996-10-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Ablation patterning of multi-layered structures |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0714119B1 (en) | Pattern forming process and process for preparing semiconductor device utilizing said pattern forming process | |
| JP3410720B2 (ja) | 導電性溶液を用いた水晶基板のクリーニング方法 | |
| CN105359256B (zh) | 用于高管芯破裂强度和平滑的侧壁的激光划片和等离子体蚀刻 | |
| CN106077965B (zh) | 多步骤和非对称塑形的激光束划线 | |
| CN100403167C (zh) | 图案形成方法和半导体器件的制造方法 | |
| EP0259572B1 (en) | High rate laser etching technique | |
| JPH06138638A (ja) | マスク及びその製造方法 | |
| WO2007120814A2 (en) | Photo-patterned carbon electronics | |
| CN108780778A (zh) | 使用旋转光束激光刻划工艺及等离子体蚀刻工艺的混合式晶片切割方法 | |
| JP4818524B2 (ja) | 半導体素子の感光膜パターンの形成方法 | |
| Ehrlich et al. | Laser direct writing for VLSI | |
| KR101165084B1 (ko) | 레이저빔을 이용한 감광성 유리 기판의 미세패턴 형성방법 | |
| JP2004335873A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS62219525A (ja) | 光照射エツチング法 | |
| JPS58165330A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20040030501A (ko) | Ｘ-ｒａｙ/ｅｕｖ 투사 리소그래피에 의한 금속/반도체화합물 구조의 형성 | |
| JP3104080B2 (ja) | 半導体基体の処理方法 | |
| JP2966036B2 (ja) | エッチングパターンの形成方法 | |
| JP3125004B2 (ja) | 基材の表面加工方法 | |
| JP2004272049A (ja) | Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む固体化合物膜の形成方法、固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法、パターン形成方法及びリソグラフイー用レジスト | |
| JP2004304147A (ja) | 加熱装置、加熱方法及び処理基板 | |
| Loper et al. | Submicrometer linewidth production on integrated circuit materials by UV laser radical etching | |
| KR20230072442A (ko) | Euv 레지스트의 uv 처리 | |
| Elliott et al. | Materials surface processing with excimer lasers | |
| JPH05102032A (ja) | 窒化シリコン膜のパターン形成方法 |