JP2004272049A - Si−O−Si結合を含む固体化合物膜の形成方法、固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法、パターン形成方法及びリソグラフイー用レジスト - Google Patents
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Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 55
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 47
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 35
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 238000002715 modification method Methods 0.000 title description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000002407 reforming Methods 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 80
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 229920006268 silicone film Polymers 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000001157 Fourier transform infrared spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010571 fourier transform-infrared absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【解決手段】成膜チャンバー容器1内にSi−O−Si結合を含む化合物をターゲット10として設置し、その表面にレーザー光を低エネルギー密度で照射しアブレーションを行う。ターゲット10と対向した基板20上には、ターゲット組成と同一の膜が形成する。また、Si−O−Si結合を含む固体化合物膜に真空紫外レーザー光を照射することにより、露光部分のみ酸化ケイ素(SiO2)に改質される。したがって、化学薬品の種類を選択することにより、露光部あるいは未露光部のみを化学エッチングでき、Si−O−Si結合を含む固体化合物膜あるいは酸化ケイ素膜の微細パターンが形成できる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、Si−O−Si結合を含む固体化合物膜の形成方法、固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法、パターン形成方法及びリソグラフイー用レジストに係り、とくにSi−O−Si結合を含む固体化合物のレーザーアブレーションを利用した膜形成方法、Si−O−Si結合を含む固体化合物膜への真空紫外光照射による酸化ケイ素への改質方法、その後のエッチングとを組み合わせたパターン形成方法及びリソグラフイー用レジストに関するものであり、従来困難とされてきたSi−O−Si結合を含む固体化合物の薄膜化、並びに同化合物膜あるいは酸化ケイ素膜の微細パターン形成が可能となる。これらの結果は、Si−O−Si結合を含む固体化合物膜が、次世代のF2レーザーリソグラフィー用レジストとして適用可能になる等、その用途は電気、電子のみならずあらゆる分野で有用である。
【0002】
【従来の技術】
従来、Si−O−Si結合を含む固体化合物膜は、一部の種類において溶液のスピンコート法により形成されている。しかし、膜厚1μm以下の薄膜領域では、膜厚の精密な制御が困難である。また、Si−O−Si結合を含む固体化合物膜の微細パターン形成は、露光光源に合わせた新規のSi−O−Si結合を含む固体化合物膜を開発し、リソグラフィー技術を利用して行う必要がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
従来の方法で困難とされてきた、Si−O−Si結合を含む固体化合物の薄膜化を、膜厚を精密に制御しながら行うこと、並びにSi−O−Si結合を含む固体化合物膜の真空紫外光源による汎用的な改質方法及びその改質方法を利用した同化合物膜の微細パターン形成方法の確立を課題とする。
【0004】
本発明は、上記の点に鑑み、膜厚を精密に制御可能なレーザー光を用いたSi−O−Si結合を含む固体化合物膜の形成方法を提供することを目的とする。
【0005】
また、本発明は、真空紫外光によるSi−O−Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法及びその改質方法を利用した前記化合物膜あるいは酸化ケイ素膜のパターン形成方法を提供することをもう一つの目的とする。
【0006】
さらに、本発明は、前記固体化合物膜が真空紫外光で改質でき、改質部あるいは未改質部がエッチングできる性質を利用したリソグラフイー用レジストを提供することをさらにもう一つの目的とする。
【0007】
本発明のその他の目的や新規な特徴は後述の実施の形態において明らかにする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願請求項1の発明に係るレーザー光を用いたSi−O−Si結合を含む固体化合物膜の形成方法は、Si−O−Si結合を含む固体化合物にレーザー光を照射し、アブレーションにより対向した基体上に同一組成の膜を形成することを特徴としている。
【0009】
本願請求項2の発明に係る真空紫外光を用いたSi−O−Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法は、Si−O−Si結合を含む固体化合物膜に波長200nm以下の光を照射し、露光部分のみを酸化ケイ素に改質することを特徴としている。
【0010】
本願請求項3の発明に係る真空紫外光を用いたSi−O−Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法は、Si−O−Si結合を含む固体化合物膜に波長200nm以下の光を照射し、露光部分のみを酸化ケイ素に改質し、前記Si−O−Si結合を含む固体化合物膜の光吸収係数に制限されずに当該酸化ケイ素への改質部を透過させて前記波長200nm以下の光をより深く侵入させることを特徴としている。
【0011】
請求項3の発明では、改質層(酸化ケイ素)の光の吸収係数が低いことを利用して真空紫外光をより深部へ侵入させ、Si−O−Si結合を含む固体化合物膜の光吸収係数に制限されずに、1μm以上の膜厚を有する厚膜にも適用可能である。
【0012】
本願請求項4の発明に係るパターン形成方法は、Si−O−Si結合を含む固体化合物膜に波長200nm以下の光を照射し、露光部分のみを酸化ケイ素に改質した後、改質部あるいは未改質部いずれかを化学的あるいは物理的にエッチングして、Si−O−Si結合を含む固体化合物膜あるいは酸化ケイ素膜のパターンを形成することを特徴としている。
【0013】
本願請求項5の発明に係る波長200nm以下の露光光源を用いるリソグラフイー用レジストは、Si−O−Si結合を含む固体化合物膜であって、波長200nm以下の光照射で露光部分のみが酸化ケイ素に改質でき、改質部あるいは未改質部いずれかを化学的あるいは物理的にエッチングできることを特徴としている。
【0014】
請求項5の発明は、大規模集積回路製作のためのリソグラフィー用レジストとして好適に利用できる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るレーザー光を用いたSi−O−Si結合を含む固体化合物膜の形成方法、真空紫外光を用いたSi−O−Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法、パターン形成方法及びリソグラフイー用レジストの実施の形態を図面に従って説明する。
【0016】
図1は本発明の実施の形態で用いる成膜装置の例であり、1は成膜チャンバー容器であり、真空ポンプ(例えば、ターボ分子ポンプ)2で真空排気されている。この成膜チャンバー容器1内にSi−O−Si結合を含む固体化合物としてのシリコーン(有機ポリシロキサン)ターゲット10が配置され、またこれに対向してシリコン(Si)基板20が配置されている。そして、合成石英製の入射窓3が成膜チャンバー容器1に設けられており、その入射窓3を通して外部のレーザー光源よりレーザー光5が前記シリコーンターゲット10に照射されるように設定されている。
【0017】
図1の構成において、成膜チャンバー容器1内を真空ポンプ2により4.4
×10−5Torr以下に真空排気した後、ArFエキシマレーザー光(波長193nm)を、入射窓3を通して、シリコーンターゲット10に照射し、ターゲット10と対向した位置に設置されたシリコン基板20に対して、基板温度を室温(常温)としてアブレーション(パルスレーザーデポジション)による成膜を行う。
【0018】
ターゲット10上でのレーザー光の照射エネルギー密度を、50〜90mJ/cm2の範囲で変化させて成膜を行った。レーザー光の繰り返し周波数は5Hzとし、形成膜の膜厚が120〜150nmとなるようにレーザー光照射時間を変化させた。
【0019】
図2は、前記レーザー光のエネルギー密度を65mJ/cm2及び90mJ/cm2としたときの、シリコン基板20上の形成膜のフーリエ変換赤外吸収(FT−IR)スペクトルを示している。比較のため、シリコーンターゲットのスペクトルも併せて示してある。レーザーエネルギー密度が65mJ/cm2の場合、前記形成膜のFT−IRスペクトルには2900cm−1付近のCH3基のピーク及び1260cm−1のSi−CH3結合のピークが見られた。前記形成膜のスペクトルはターゲットとほぼ同じであり、形成膜とターゲットとの組成はほぼ同一であることがわかった。
【0020】
しかし、レーザー光の照射エネルギー密度を90mJ/cm2まで高くすると、CH3基やSi−CH3結合のピークはほとんど見られなくなり、また形成膜中のSi−O−Si結合を示す1000cm−1付近のピーク形状も変化した(ターゲット10と同一組成の膜ではないことを示す)。
【0021】
なお、図示していないが、レーザー光の照射エネルギー密度が50mJ/cm2の場合は、前記ターゲット組成と同一の形成膜が形成できたが、形成膜の堆積速度は減少した。
【0022】
従って、ArFレーザー光を用いる場合、ターゲットのアブレーションしきい値以上で90mJ/cm2未満の低い照射エネルギー密度のレーザー光照射により、シリコーン膜が形成できることが判明した。また、その膜厚はレーザーのパルス数で制御可能であり、その膜厚制御はナノメートルオーダーであること、つまり高精度の膜厚制御が可能であることがわかった。
【0023】
なお、ArFエキシマレーザー光(波長193nm)を使用した場合を説明したが、使用するレーザー光はこれに限定されず(波長200nm以下に限定されない)、Si−O−Si結合を含む固体化合物ターゲットと同一組成の形成膜が得られるものを選択する。
【0024】
図3は、図2のシリコーンターゲットと同一組成の形成膜(レーザー光の照射エネルギー密度65mJ/cm2)に、F2エキシマレーザー光(波長157nm)を照射したときのFT−IRスペクトルである。レーザー光の照射エネルギー密度は21mJ/cm2、パルス繰り返し周波数10Hz、照射時間5分とした。F2レーザー光照射後、2900cm−1付近のCH3基のピーク及び1260cm−1のSi−CH3結合のピークは全く見られなくなり、さらにSi−O−Si結合を示すピークの形状変化とともに、そのピーク位置が1060cm−1にシフトした。この新たなピーク位置は、熱酸化ケイ素膜の場合と一致することが判明した。従って、シリコーン膜へのF2レーザー光の照射により、露光部分のみが酸化ケイ素(SiO2)に改質されることが明らかとなった。
【0025】
なお、酸化ケイ素への改質のために使用する光はF2レーザー光に限定されず、波長200nm以下の真空紫外光を使用できる。
【0026】
図2のシリコーンターゲットと同一組成の形成膜(すなわちシリコーン薄膜)上に金属マスク(貫通穴の直径約1mm)を予め密着させ、F2レーザー光を照射した。その後、露光された試料を1wt%のフッ酸に30秒間浸漬し光学顕微鏡により観察した。その結果を図4に示す。表面粗さ計を用いた計測からも、露光部分のみが完全に化学エッチングされ、シリコーン薄膜のパターン形成が可能となることが判明した。フッ酸の代わりに、シリコーンを溶かす有機溶媒を用いれば、酸化ケイ素膜の微細パターン形成が可能となることもわかった。
【0027】
このことから、Si−O−Si結合を含む固体化合物膜であって、波長200nm以下の光照射で露光部分のみが酸化ケイ素に改質でき、改質部あるいは未改質部いずれかを化学的にエッチングできる波長200nm以下の露光光源を用いるリソグラフイー用レジストを実現できていることがわかる。なお、上記例では化学的エッチングであるが、改質部又は未改質部の物理的エッチング処理も可能である。
【0028】
なお、Si−O−Si結合を含む固体化合物膜に波長200nm以下の光を照射し、露光部分のみを酸化ケイ素に改質し、その後、さらに当該酸化ケイ素への改質部を透過させて前記波長200nm以下の光を照射する方法をとれば、改質層(酸化ケイ素)の光の吸収係数が低いことを利用して真空紫外光をより深部へ侵入させ、Si−O−Si結合を含む固体化合物膜の光吸収係数に制限されずに、1μm以上の膜厚を有する厚膜にも適用できる。
【0029】
以上本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当業者には自明であろう。
【0030】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、従来困難とされてきたSi−O−Si結合を含む固体化合物の薄膜化を、膜厚を精密に制御しながら行うことができ、またSi−O−Si結合を含む固体化合物膜の真空紫外光源による汎用的な改質方法及びその改質方法を利用した同化合物膜の微細パターン形成方法が確立でき、次世代のF2レーザーリソグラフィー用レジストとしても利用可能である等、大規模集積回路製作のための必要不可欠な技術となる。また本発明は、これらエレクトロニクス分野にとどまらず、マイクロマシーニングやマイクロ化学分析システム等、今後微細加工を利用して発展するデバイス製作分野に多大に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態で用いる成膜のための装置を示す模式的な構成図である。
【図2】本発明の実施の形態に係る膜形成方法において、シリコーンのArFエキシマレーザーアブレーションにより堆積した形成膜ついて、レーザ光の照射エネルギー密度を変化させて形成した場合の、波数と透過率との関係を示すフーリエ変換赤外吸収スペクトル図である。
【図3】本発明の実施の形態に係る改質方法において、図2において形成したシリコーン膜(エネルギー密度約65mJ/cm2)と、その膜にF2エキシマレーザーを照射して酸化ケイ素に改質した膜の、波数と透過率との関係を示すフーリエ変換赤外吸収スペクトル図である。
【図4】本発明の実施の形態に係るパターン形成について、シリコーン膜上に金属マスク(直径約1mm)を密着させ、F2レーザーを照射した後、1wt%のフッ酸で30秒間化学エッチングしたときの光学顕微鏡写真図である。
【符号の説明】
1 成膜チャンバー容器
2 真空ポンプ
3 入射窓
5 レーザー光
10 シリコーンターゲット
20 シリコン基板
Claims (5)
- Si−O−Si結合を含む固体化合物にレーザー光を照射し、アブレーションにより対向した基体上に同一組成の膜を形成することを特徴とするレーザー光を用いたSi−O−Si結合を含む固体化合物膜の形成方法。
- Si−O−Si結合を含む固体化合物膜に波長200nm以下の光を照射し、露光部分のみを酸化ケイ素に改質することを特徴とする真空紫外光を用いたSi−O−Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法。
- Si−O−Si結合を含む固体化合物膜に波長200nm以下の光を照射し、露光部分のみを酸化ケイ素に改質し、前記Si−O−Si結合を含む固体化合物膜の光吸収係数に制限されずに当該酸化ケイ素への改質部を透過させて前記波長200nm以下の光をより深く侵入させることを特徴とする真空紫外光を用いたSi−O−Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法。
- Si−O−Si結合を含む固体化合物膜に波長200nm以下の光を照射し、露光部分のみを酸化ケイ素に改質した後、改質部あるいは未改質部いずれかを化学的あるいは物理的にエッチングして、Si−O−Si結合を含む固体化合物膜あるいは酸化ケイ素膜のパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。
- Si−O−Si結合を含む固体化合物膜であって、波長200nm以下の光照射で露光部分のみが酸化ケイ素に改質でき、改質部あるいは未改質部いずれかを化学的あるいは物理的にエッチングできることを特徴とする波長200nm以下の露光光源を用いるリソグラフイー用レジスト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003064586A JP3950967B2 (ja) | 2003-03-11 | 2003-03-11 | 真空紫外光を用いたSi−O−Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法及びパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003064586A JP3950967B2 (ja) | 2003-03-11 | 2003-03-11 | 真空紫外光を用いたSi−O−Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法及びパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004272049A true JP2004272049A (ja) | 2004-09-30 |
JP3950967B2 JP3950967B2 (ja) | 2007-08-01 |
Family
ID=33125840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003064586A Expired - Lifetime JP3950967B2 (ja) | 2003-03-11 | 2003-03-11 | 真空紫外光を用いたSi−O−Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法及びパターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3950967B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009276511A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Renias:Kk | 反射防止樹脂とその製造方法 |
JP2010222403A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence | レーザーアブレーションを利用した発光膜形成方法及び発光素子 |
JP2011256379A (ja) * | 2011-05-16 | 2011-12-22 | Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence | デバイス作製法 |
US9533327B2 (en) | 2008-03-04 | 2017-01-03 | Kabushiki Kaisha Reniasu | Transparent resin plate and a method for producing the same |
-
2003
- 2003-03-11 JP JP2003064586A patent/JP3950967B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9533327B2 (en) | 2008-03-04 | 2017-01-03 | Kabushiki Kaisha Reniasu | Transparent resin plate and a method for producing the same |
JP2009276511A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Renias:Kk | 反射防止樹脂とその製造方法 |
JP2010222403A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence | レーザーアブレーションを利用した発光膜形成方法及び発光素子 |
JP2011256379A (ja) * | 2011-05-16 | 2011-12-22 | Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence | デバイス作製法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3950967B2 (ja) | 2007-08-01 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060501 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060920 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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EXPY | Cancellation because of completion of term |