JPS61244021A - 光誘起反応装置 - Google Patents

光誘起反応装置

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Publication number
JPS61244021A
JPS61244021A JP8362385A JP8362385A JPS61244021A JP S61244021 A JPS61244021 A JP S61244021A JP 8362385 A JP8362385 A JP 8362385A JP 8362385 A JP8362385 A JP 8362385A JP S61244021 A JPS61244021 A JP S61244021A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser light
wafer
mirror
reaction
reacting
Prior art date
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Pending
Application number
JP8362385A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuuji Soshiro
勇治 十代
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP8362385A priority Critical patent/JPS61244021A/ja
Publication of JPS61244021A publication Critical patent/JPS61244021A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、広い面積を有する基板表面に均一な膜を形成
し、あるいは基板表面をエツチングすることが可能な光
誘起反応装置に関するものである。
（従来の技術） 光エネルギーを利用して反応ガスを分解させ、基板表面
に膜を形成する手段としてレーザーＣＶＤ装置がある。
この装置は、レーザー光を基板表面に直接照射するので
なく、基板に略平行にレーザー光を通し、反応ガスの光
誘起反応と熱分解作用とを行なわせて基板上に膜を形成
する。
従来のレーデ−ＣＶＤ装置の一例を第２図を用いて説明
する。
この装置の基本構成は、レーザー発振器１と反応室２と
からなり、反応室２には薄膜を形成させるウェハー１０
をのせる基板加熱台１１が設置され、薄膜を形成するた
めのガスを導入する反応ガス導入口８および排気口９が
設けられている。また基板加熱台１１にはヒーター１２
がとシつけられ、基板温度コントローラ１３によって基
板温度が制御される。光誘起反応を起こすためのレーザ
ー光４はレーザー発振器１よシレーデー光入射口５を通
してウェハーに平行に入射される。レーザー光照射によ
シ反応ガスが励起され、薄膜形成のための化学反応が促
進されて、ウェハー１０上に薄膜が形成される。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記レーザーＣＶＤ装置により光誘起反
応を発生させる場合、レーザー光を照射した領域でしか
反応ガスの励起が生じないため、ウェハー全体あるいは
広範囲にわたって膜を均一に形成することは難しい。
本発明は、上記問題点を解決するもので、レーザー光が
ウェハー上全域にわたって走査するようにして、広範囲
に均一な膜を形成することができる装置を提供するもの
である。またこの装置は、反応ガスにエツチング性ガス
生成物を用いれば、ウェハー全面にわたってエツチング
を行なうことも可能である。
（問題点を解決するための手段） 本発明の、光誘起反応装置は反応室内に移動可能な反射
鏡を設置し、反射鏡を移動させることによりレーデ−光
がウェハー上部全域を走査するようにした構成となって
いる。
（作用） 反応室内に設置した反射鏡を移動させることによシ、レ
ーザー光がウェハー上部全面を通過しウェハー上の反応
ガスを一様に励起するため、反応ガスに膜生成用のガス
を用いる場合はウェハー上に均一な膜を形成することが
でき、また反応ガスにエツチング性ガス生成物を用いる
場合は、ウェハー全面を均一にエツチングすることも可
能である。
（実施例） 第１図は、本発明の一実施例による光誘起反応装置を示
したものである。薄膜形成またはエツチングを行なうた
めの反応室２の内部に移動可能な反射鏡３を設置しであ
る。レーザー発振器１で発振したレーザー光４は、第１
図（、）に示すように、レーザー光入射口５より反応室
２の内部に導入され、反射鏡３で反射されてウェハー上
部を通過した後、反対側の鏡で反射されレーザー光出口
６に達する。
レーザー光が照射された領域では反応ガスが励起され、
ウニ・・−上に膜の形成が起こる。また反応ガスを選ぶ
ことによって基板をエツチングすることもできる。
ここでレーザー光を照射しながら反射鏡３を駆動系７に
より、レーザー光入射方向と同一方向に移動させ、レー
ザー光４がウェハー上部全域を走査するようにする。こ
れにより、ウェハー上部の反応ガスを一様に励起し、ウ
ェハー上全域で均一な光誘起反応を行なわせることがで
きる。従ってウェハー上には均一な膜が形成され、ある
いはエツチングされる。
（発明の効果） 本発明によれば、レーザー光が反応室内のウェハー全面
にわたりその上部を通過するため、光励起反応が広い範
囲にわたシ促進される。その結果、広範囲にわたって膜
の形成が可能となシ、ウェハー全面に均一な膜を形成す
ることができる。また、反応ガスにエツチング性ガス生
成物を用いれば、ウェハー全面を均一にエツチングする
ことができ、エツチング装置としても利用することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例の構成図、第２図は、従来
例の構成図である。 ｌ・・・レーザー発振器、２・・・反応室、３・・・反
射鏡４・・・レーザー光、７・・・駆動系、８・・・反
応ガス導入口、９・・・排気口、１０−・・ウェハー、
１１・・・基板加熱台。 特許出願人　　松下電子工業株式会社 ２（りｌ 第１図 （ａ） 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　反応ガスを導入する反応室と、前記反応ガスを励起す
    るためのレーザー光を入射するレーザー手段と、入射し
    たレーザー光を反射して、反応室内にセットした試料基
    板の上方を、その試料表面と略平行に通過させる反射鏡
    と、前記試料基板の上方を通過するレーザー光が試料基
    板の表面上の全域を走査するように前記反射鏡を移動さ
    せる手段とからなることを特徴とする光誘起反応装置。
JP8362385A 1985-04-20 1985-04-20 光誘起反応装置 Pending JPS61244021A (ja)

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JP8362385A JPS61244021A (ja) 1985-04-20 1985-04-20 光誘起反応装置

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JP8362385A JPS61244021A (ja) 1985-04-20 1985-04-20 光誘起反応装置

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JPS61244021A true JPS61244021A (ja) 1986-10-30

Family

ID=13807603

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JP8362385A Pending JPS61244021A (ja) 1985-04-20 1985-04-20 光誘起反応装置

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