JPH04128381A - 薄膜製造方法およびその装置 - Google Patents
薄膜製造方法およびその装置Info
- Publication number
- JPH04128381A JPH04128381A JP25065790A JP25065790A JPH04128381A JP H04128381 A JPH04128381 A JP H04128381A JP 25065790 A JP25065790 A JP 25065790A JP 25065790 A JP25065790 A JP 25065790A JP H04128381 A JPH04128381 A JP H04128381A
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- laser beam
- substrate
- window
- thin film
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- 238000000034 method Methods 0.000 title description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 20
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 14
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レーザＣＶＤ法（化学蒸着法）を用いた薄膜
製造方法およびその装置に関するものである。
製造方法およびその装置に関するものである。
従来の技術
従来、薄膜製造方法の一例としてレーザ ＣＶＤ法が用
いられている。このレーザＣＶＤ法は、特に、レーザビ
ームを走査させ、選択的に薄膜を形成する手段として有
効であり、例えば、特開昭５９−１２９７７４号公報に
記載された方法が知られている。以下、第３図を参照し
ながら上記従来の薄膜製造方法について説明する。
いられている。このレーザＣＶＤ法は、特に、レーザビ
ームを走査させ、選択的に薄膜を形成する手段として有
効であり、例えば、特開昭５９−１２９７７４号公報に
記載された方法が知られている。以下、第３図を参照し
ながら上記従来の薄膜製造方法について説明する。
第３図は従来の薄膜製造装置（レーザＣＶＤ装置）を示
す構成図である。第３図において、１は反応容器であり
、−側に材料ガスの導入口２が設けられ、他側に排気口
３が設けられ、上部にレーザビーム透過用の窓４が設け
られている。５は反応容器１内の底部上に設けられた基
板ホルダであり、基板６を支持することができる。７は
レーザ光源であり、レーザビーム８を出射する。９は回
転ミラーであり（駆動源については図示省略）、レーザ
ビーム９を走査して窓４より基板６に照射させる。
す構成図である。第３図において、１は反応容器であり
、−側に材料ガスの導入口２が設けられ、他側に排気口
３が設けられ、上部にレーザビーム透過用の窓４が設け
られている。５は反応容器１内の底部上に設けられた基
板ホルダであり、基板６を支持することができる。７は
レーザ光源であり、レーザビーム８を出射する。９は回
転ミラーであり（駆動源については図示省略）、レーザ
ビーム９を走査して窓４より基板６に照射させる。
以上の構成において、まず、反応容器１内の基板ホルダ
５上に成膜を行うための基板６を設置し、反応容器１を
密閉して排気口３から反応容器１内の空気を排気する。
５上に成膜を行うための基板６を設置し、反応容器１を
密閉して排気口３から反応容器１内の空気を排気する。
次に、基板６を所定の温度に加熱し、導入口２から反応
容器１内に材料ガスを導入する。その後、レーザ光源７
から出射したレーザビーム８を回転ミラー９により反射
して窓４より基板６上に照射する。これに伴い、材料ガ
スはレーザビーム８により分解され、基板６上でレーザ
ビーム８が照射された部分に薄膜が形成される。ここで
、回転ミラー９を回転させ、レーザビーム８を走査する
ことにより、基板６上でレーザビーム８の走査した範囲
にのみ選択的に薄膜を形成することができる。
容器１内に材料ガスを導入する。その後、レーザ光源７
から出射したレーザビーム８を回転ミラー９により反射
して窓４より基板６上に照射する。これに伴い、材料ガ
スはレーザビーム８により分解され、基板６上でレーザ
ビーム８が照射された部分に薄膜が形成される。ここで
、回転ミラー９を回転させ、レーザビーム８を走査する
ことにより、基板６上でレーザビーム８の走査した範囲
にのみ選択的に薄膜を形成することができる。
発明が解決しようとする課題
しかし、上記のような従来技術では、定位置で回転する
回転ミラー９のみを用いてレーザビーム８を走査してい
るため、基板６上でレーザビーム８を照射することがで
きる範囲、すなわち、成膜可能範囲は、反応容器１の窓
４の大きさで制限され、大面積の成膜を行うには反応容
器１の窓４を太きくしなければならないという問題を有
していた。
回転ミラー９のみを用いてレーザビーム８を走査してい
るため、基板６上でレーザビーム８を照射することがで
きる範囲、すなわち、成膜可能範囲は、反応容器１の窓
４の大きさで制限され、大面積の成膜を行うには反応容
器１の窓４を太きくしなければならないという問題を有
していた。
本発明は、上記のよう麿従来の問題を解決するものであ
シ、反応容器の窓の大きさに制限されることなく、基板
上に大面積の成膜を行うことができ、薄膜を有利に製造
することができるようにした薄膜製造方法およびその装
置を提供することを目的とするものである。
シ、反応容器の窓の大きさに制限されることなく、基板
上に大面積の成膜を行うことができ、薄膜を有利に製造
することができるようにした薄膜製造方法およびその装
置を提供することを目的とするものである。
課題を解決するだめの手段
上記目的を達成するため、本発明の薄膜製造方法は、レ
ーザビームを走査し、このレーザビームを反応容器内の
基板に窓から照射し、上記基板上に供給された材料ガス
の反応生成物による薄膜を形成する際に、走査レーザビ
ームが上記反応容器の窓の付近で交点を結ぶように上記
レーザビームを走査する。
ーザビームを走査し、このレーザビームを反応容器内の
基板に窓から照射し、上記基板上に供給された材料ガス
の反応生成物による薄膜を形成する際に、走査レーザビ
ームが上記反応容器の窓の付近で交点を結ぶように上記
レーザビームを走査する。
そして、レーザビームを反射する回転ミラーを回転と同
時に平行移動させることにより、レーザビームを走査す
ることができ、またはレーザビームを回転ミラーの回転
により反射させ、続いて放物面ミラーにより反射させる
ことにより、レーザビームを走査することができる。
時に平行移動させることにより、レーザビームを走査す
ることができ、またはレーザビームを回転ミラーの回転
により反射させ、続いて放物面ミラーにより反射させる
ことにより、レーザビームを走査することができる。
また、上記目的を達成するため、本発明の薄膜製造装置
は、反応容器内の基板に窓から照射し、上記基板上に供
給された材料ガスの反応生成物による薄膜を形成するだ
めのレーザビームを、上記反応容器の窓付近で交点を結
ぶように走査する走査手段を備えたものである。
は、反応容器内の基板に窓から照射し、上記基板上に供
給された材料ガスの反応生成物による薄膜を形成するだ
めのレーザビームを、上記反応容器の窓付近で交点を結
ぶように走査する走査手段を備えたものである。
そして、上記レーザビームの走査手段として回転と同時
に平行移動される回転ミラーを備えることができ、また
は回転ミラーと、この回転ミラーで反射したレーザビー
ムを反射する放物面ミラーを備えることができる。
に平行移動される回転ミラーを備えることができ、また
は回転ミラーと、この回転ミラーで反射したレーザビー
ムを反射する放物面ミラーを備えることができる。
作 用
したがって、本発明によれば、走査レーザビームが反応
容器の窓の付近で交点を結ぶようにレーザビームを走査
するので、反応容器の窓の大きさに制限されることなく
、基板上にレーザビームを照射することができる範囲を
拡げて基板上に大面積の成膜を行うことができる。
容器の窓の付近で交点を結ぶようにレーザビームを走査
するので、反応容器の窓の大きさに制限されることなく
、基板上にレーザビームを照射することができる範囲を
拡げて基板上に大面積の成膜を行うことができる。
実施例
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
まず、本発明の第１の実施例について説明する。
第１図は本発明の第１の実施例におけるレーザＣＶＤ法
を用いた薄膜製造装置を示す構成図である。
を用いた薄膜製造装置を示す構成図である。
第１図において、１は反応容器であシ、−側に材料ガス
の導入口２が設けられ、他側に排気口３が設けられ、上
部にレーザビーム透過用の窓４が設けられている。５は
反応容器１内の底部上に設けられた基板ホルダであり、
基板６を支持することができる。７はレーザ光源であり
、レーザビーム８を出射する。１０は回転ミラーであり
（駆動源については図示省略）、回転と同時に、駆動手
段（図示省略）により平行移動される。
の導入口２が設けられ、他側に排気口３が設けられ、上
部にレーザビーム透過用の窓４が設けられている。５は
反応容器１内の底部上に設けられた基板ホルダであり、
基板６を支持することができる。７はレーザ光源であり
、レーザビーム８を出射する。１０は回転ミラーであり
（駆動源については図示省略）、回転と同時に、駆動手
段（図示省略）により平行移動される。
以上の構成において、以下、薄膜の製造方法について説
明すると、まず、反応容器１内の基板ホルダ５上に成膜
を行うだめの基板６を設置し、反応容器１を密閉して排
気口３から反応容器１内の空気を排気する。次に、基板
６を所定の温度に加熱し、導入口２から反応容器１内に
材料ガスを導入する。その後、レーザ光源７から出射し
たレザビーム８を回転ミラー１０により反射して窓４よ
シ基板６上に照射する。これに伴い、材料ガスはレーザ
ビーム８により分解され、基板６上でし一ザビーム８が
照射された部分に薄膜が形成される。ここで、回転ミラ
ー１０を回転させると同時に、入射レーザビーム８に対
して平行に移動させることによシ、走査レーザビームが
窓４の付近で交点を結ぶようにレーザビーム８を走査す
ることができ、したがって、窓４の大きさに制限される
ことなく、基板６上にレーザビーム８を照射することが
できる範囲、すなわち、成膜可能範囲を拡げることがで
き、大面積の成膜が可能となる。
明すると、まず、反応容器１内の基板ホルダ５上に成膜
を行うだめの基板６を設置し、反応容器１を密閉して排
気口３から反応容器１内の空気を排気する。次に、基板
６を所定の温度に加熱し、導入口２から反応容器１内に
材料ガスを導入する。その後、レーザ光源７から出射し
たレザビーム８を回転ミラー１０により反射して窓４よ
シ基板６上に照射する。これに伴い、材料ガスはレーザ
ビーム８により分解され、基板６上でし一ザビーム８が
照射された部分に薄膜が形成される。ここで、回転ミラ
ー１０を回転させると同時に、入射レーザビーム８に対
して平行に移動させることによシ、走査レーザビームが
窓４の付近で交点を結ぶようにレーザビーム８を走査す
ることができ、したがって、窓４の大きさに制限される
ことなく、基板６上にレーザビーム８を照射することが
できる範囲、すなわち、成膜可能範囲を拡げることがで
き、大面積の成膜が可能となる。
次に、本発明の第２の実施例について説明する。
第２図は本発明の第２の実施例におけるレーザＣＶＤ法
を用いた薄膜製造装置を示す構成図である。
を用いた薄膜製造装置を示す構成図である。
本実施例においては、上記第１の実施例と同一部分につ
いては同一符号を付してその説明を省略し、異なる構成
について説明する。
いては同一符号を付してその説明を省略し、異なる構成
について説明する。
本実施例の特徴とするところは、第２図に示すように、
レーザ光源７から出射されたレーザビーム８を回転ミラ
ー（駆動源については図示省略）１１ および放物面ミ
ラー１２で反射し、反応容器１の窓４よシ容器１内に設
置された基板６上に照射する。そして、上記回転ミラー
１１および反応容器１の窓４の位置を放物面ミラー１２
の放物面の２焦点となるように設置し、回転ミラー１１
を回転させることにより、走査レーザビームが窓４の付
近で交点を結ぶようにレーザビーム８を走査することが
できる。
レーザ光源７から出射されたレーザビーム８を回転ミラ
ー（駆動源については図示省略）１１ および放物面ミ
ラー１２で反射し、反応容器１の窓４よシ容器１内に設
置された基板６上に照射する。そして、上記回転ミラー
１１および反応容器１の窓４の位置を放物面ミラー１２
の放物面の２焦点となるように設置し、回転ミラー１１
を回転させることにより、走査レーザビームが窓４の付
近で交点を結ぶようにレーザビーム８を走査することが
できる。
このように、本実施例においても、上記第１の実施例と
同様、走査レーザビームが反応容器１の窓４の付近で交
点を結ぶようにレーザビーム８を走査することにより、
窓の大きさに制限されることなく、基板６上にレーザビ
ーム８を照射することができる範囲、すなわち、成膜可
能範囲を拡げることができ、大面積の成膜が可能となる
。
同様、走査レーザビームが反応容器１の窓４の付近で交
点を結ぶようにレーザビーム８を走査することにより、
窓の大きさに制限されることなく、基板６上にレーザビ
ーム８を照射することができる範囲、すなわち、成膜可
能範囲を拡げることができ、大面積の成膜が可能となる
。
発明の詳細
な説明したように本発明によれば、走査レザビームが反
応容器の窓付近で交点を結ぶようにレーザビームを走査
するので、窓の大きさに制限されることなく、基板上に
レーザビームを照射することができる範囲を拡げて基板
上に大面積の成膜を行うことができる。したがって、薄
膜の製造上、有利である。
応容器の窓付近で交点を結ぶようにレーザビームを走査
するので、窓の大きさに制限されることなく、基板上に
レーザビームを照射することができる範囲を拡げて基板
上に大面積の成膜を行うことができる。したがって、薄
膜の製造上、有利である。
第１図は本発明の第１の実施例におけるレーザＣＶＤ法
を用いた薄膜製造装置を示す構成図、第２図は本発明の
第２の実施例におけるレーザビームを用いた薄膜製造装
置を示す構成図、第３図は従来例のレーザＣＶＤ法を用
いた薄膜製造装置を示す構成図である。 １・・・反応容器、２ 材料ガスの導入口、３・・・排
気口、４・・・窓、５ ・基板ホルダ、６ 基板、７・
・・レーザ光源、８・・レーザビーム、１０．１１
回転ミラー １２ 放物面ミラー。 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名椛 ズ 帥 に
を用いた薄膜製造装置を示す構成図、第２図は本発明の
第２の実施例におけるレーザビームを用いた薄膜製造装
置を示す構成図、第３図は従来例のレーザＣＶＤ法を用
いた薄膜製造装置を示す構成図である。 １・・・反応容器、２ 材料ガスの導入口、３・・・排
気口、４・・・窓、５ ・基板ホルダ、６ 基板、７・
・・レーザ光源、８・・レーザビーム、１０．１１
回転ミラー １２ 放物面ミラー。 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名椛 ズ 帥 に
Claims (6)
- （１）レーザビームを走査し、このレーザビームを反応
容器内の基板に窓から照射し、上記基板上に供給された
材料ガスの反応生成物による薄膜を形成する際に、走査
レーザビームが上記反応容器の窓の付近で交点を結ぶよ
うに上記レーザビームを走査する薄膜製造方法。 - （２）レーザビームを反射する回転ミラーを回転と同時
に平行移動させることにより、レーザビームを走査する
請求項１記載の薄膜製造方法。 - （３）レーザビームを回転ミラーの回転により反射させ
、続いて放物面ミラーにより反射させることにより、レ
ーザビームを走査する請求項１記載の薄膜製造方法。 - （４）反応容器内の基板に窓から照射し、上記基板上に
供給された材料ガスの反応生成物による薄膜を形成する
ためのレーザビームを、上記反応容器の窓付近で交点を
結ぶように走査する走査手段を備えた薄膜製造装置。 - （５）レーザビームの走査手段が回転と同時に平行移動
される回転ミラーを備えた請求項４記載の薄膜製造装置
。 - （６）レーザビームの走査手段が回転ミラーと、この回
転ミラーで反射したレーザビームを反射する放物面ミラ
ーを備えた請求項４記載の薄膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25065790A JPH04128381A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 薄膜製造方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25065790A JPH04128381A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 薄膜製造方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04128381A true JPH04128381A (ja) | 1992-04-28 |
Family
ID=17211112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25065790A Pending JPH04128381A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 薄膜製造方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04128381A (ja) |
-
1990
- 1990-09-19 JP JP25065790A patent/JPH04128381A/ja active Pending
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