JPS6370527A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体製造装置に係り、特に処理ガスを光励起
して処理するものに好適な半導体製造装置に関するもの
である。

〔従来の技術〕

従来の装置は、特開昭６０−１５２０２３号に記載のよ
うに、基板を入れる反応室と、反応室に原料ガスを導入
する手段と、反応室に光を導入する窓とを具備し、単に
光を反応室に入射するだけの構造となっていた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術は、反応室に入射する光の再利用の点につ
いて配慮がされておらず、反応室内を光が一度通加する
だけであり、光による原料ガスの励起効率が少な曵、基
板との反応効率を向上するうえで問題があった。

本発明の目的は、反応室内に導入される処理ガスの励起
効率を向上させ、試料との反応効率を向上することので
きる半導体製造装置を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、試料が入る反応室と、反応室に光を投光す
る光源と、反応室に取り付けられ光源力）らの光を導入
する窓と、反応室に設けられ窓から入射した光を反射す
る反射手段と、窓に設けられ処理内の光を反射するハー
フミラ−とを具備することにより達成される。

〔作　　用〕

光源から発した光を反応室に設けた窓から反応室内へ導
入し１反応室に設けた反射手段および窓に設けたハーフ
ミラ−によって、ｙｌ応室内に導入された光を反応室内
で反射させる。これにより処理室内に導入された処理ガ
スが充分に励起され、反応室内の試料を効率良（処理で
きる。

〔実　施　例〕

以下、本発明の一実施例を第１図および第２図により説
明する。

反応室１内の下面には試料台２が設けられ、試料台２上
には図示しない搬送装置により試料、この場合はウェハ
３が載置される。

この場合は、反応室１の一方の側壁にウェハ３の径と同
等もしくは大なる幅を有する窓６が設けてあり、対向す
る側の明徴には窓６と同幅を有する窓７が設けである。

窓６にはハーフミラ−５ａが取り付けてあり、窓７には
反射手段、この場合は反射ミラー８ａが取り付けである
。

上記構成により、反応室１に図示しないガス供給装置か
ら処理ガスが導入され、図示しない排気装置によって、
反応室１内は所定の処理圧力に減圧排気される。この状
態で５図示しない光源から発せられた光４ａを窓６から
反応室１内に入射すると、光はウェハ３上面を通過し処
理ガスを励起し、さらに窓７部の反射ミラー８ａで反射
され、再度ウェハ３上面を逆方向に通過し処理ガスを励
起し、次には窓６部のハーフミラ−５ａによって反射さ
れ、またウェハ３上面を通過し処理ガスを励起する。

以上、本−実施例によれば、一度反応室１内に入射され
た光は、反射ミラー８ａおよびハーフミラ−５ａによっ
て再度ウェハ３上面を通過させられるので、処理ガスを
効率良ｑ励起することができるという効果がある。

次に、本発明の第２の実施例を第３図により説明する。

本図において、第２図と同符号は同一部材を示し、本図
が第２図と異なる点は、窓６の一部、この場合は紙面上
の上側にハーフミラ−５ｂを取り付け、その他の部分に
反射ミラー８ｂを取り付けた点にある。

上記構成により、光４ｂを窓６のハーフミラ−５ｂ部か
ら反応室１内に入射すると、光は対向する反射ミラー８
ａとハーフミラ−５ｂおよび反射ミラー８ｂとの間でジ
グザクに進み光路９のように流れ、ウェハ３の全体に亘
って処理ガスを励起する。

以上、末男２の実施例によれば、光に入射角を付けるか
、または反射ミラーを少し傾けるかすることにより、光
をウェハの径方向に移動させることができるので、小さ
い光源でも大１ｒｌｌのウェハを処理させるだけの処理
ガスを効率良く励起させることができるという効果があ
る。

次に、本発明の第３の実施例を第４図により説明する。

この嚇合の反応室は円形で、側壁の円周に窓６ａが設け
られ、窓６ａの一部にハーフミラ−５ｃが取り付けられ
、他の部分には反射ミラー８Ｃが取り付けである。

上記溝或により、光４Ｃをハーフミラ−５０部から反応
室内に入射すると、光は円形の反射ミラー８ｃによって
、反応室内に光＠１０のように次々に反射して拡がり、
処理ガスを励起する。

以上、末男３の実施例によれば、反射ミラーが曲面を有
しているので、反応室内に光が万逼なく拡がり、処理ガ
スを効率良く均一に励起することができるという効果が
ある。

次に、本発明の第４の実施例を第５図により説明する。

本図において第１図と同符号は同一部材を示す。本図が
第１図と異なる点は、ウェハ３に対向する反応室ｌの上
面に、ウェハ径と同等もしくは大なる径の窓６１）が設
けられ、窓６ｂにハーフミラ−５ｄが取り付けられてい
る点である。

上記構成により、光４ｄを窓６ｂから反応室１内へ入射
すると、光はウェハ３の上面で反射され、上部の窓６ｂ
側に進み、さらに窓６ｂ部のハーフミラ−５ｄによって
再び下側に反射され、反応室１内の処理ガスを励起する
。

以上、末男４の実施例によれば、ウェハ３の上面を反射
ミラーとして代用しているので、簡単な構成で処理ガス
を効率良く励起することができるという効果がある。

なお、本実施例では、反射手段として反射ミラーを使用
しているが、窓や壁に直接蒸着膜を付けたりすることも
できる。

また、本実施例では、光励起だけを用いて処理する場合
について述べたが、平行平板型の電極を有するものやマ
イクロ波放電を用いたものと並用したり、光の方向を一
方向だけでなく横と縦の方向を組み合わせたりして使用
し、処理の効率向上に寄与可能である。

また、試料台を回転させることにより、処理の均一化の
向上に有利である。

〔発明の効果〕

本発明によれば、反応室に入射した光を反応室内で反射
させ有効に利用することができるので、反応室内に導入
される処理ガスの励起効率を向上させることができ、試
料との反応効率を向上させることができるという効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の半導体製造装置の一実施例を示す縦断
面図、＠２図は第１図のＡ−Ａ断面図、第３図は本発明
の半導体製造装置の第２の実施例を示す平断面図、第４
図は本発明の半導体製造装置の第３の実施例を示す平断
面図、第５図は本発明の半導体製造装置の第４の実施例
を示す＃２断面図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、試料が入り処理ガスが供給され所定圧力に減圧排気
   される反応室と、該反応室に光を投光する光源と、前記
   反応室に取り付けられ前記光源からの光を導入する窓と
   、前記反応室に設けられ前記窓から入射した光を反射す
   る反射手段と、前記窓に設けられ前記反応室内の光を反
   射するハーフミラーとを具備したことを特徴とする半導
   体製造装置。