JPS61108123A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPS61108123A
JPS61108123A JP23074484A JP23074484A JPS61108123A JP S61108123 A JPS61108123 A JP S61108123A JP 23074484 A JP23074484 A JP 23074484A JP 23074484 A JP23074484 A JP 23074484A JP S61108123 A JPS61108123 A JP S61108123A
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JP
Japan
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substrate
lamps
light
reaction gas
reaction
Prior art date
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Pending
Application number
JP23074484A
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English (en)
Inventor
Toshiyuki Kobayashi
利行 小林
Yoshimi Otomo
大友　芳視
Yoshimi Kinoshita
儀美 木之下
Masao Oda
昌雄 織田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS61108123A publication Critical patent/JPS61108123A/ja
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    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、反応ガスに光を投射して該ガスに光化学反
応を生じさせ、反応ガス中に置かれた基板に薄膜を形成
させる方法（ｐｈｏｔｏ　　ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏ
ｕｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　　：以下光励起ＣＶＤ法
と称す）を用いて薄膜を形成する半導体製造装置に関す
るものである。
〔従来の技術〕
第３図に従来の光励起ＣＶＤ法による薄膜形成装置の基
本的な構成を示し、第４図は第３図の■−■線断面図を
示す。両図において、１は反応室、２は線状ランプから
なる光源、３は基板加熱用ヒータ、４は反応ガス、５は
基板、６は光透過材からなる光入射窓、７は反応ガス供
給口、８は反応ガス排出口、９は基板５を載せる固定台
である。
この装置では、反応ガス４は供給ロアから反応室１に導
入され、入射窓６から投射された光線により反応室１内
で光化学反応を生じ、ヒータ３によって低温加熱された
基板５上に薄膜を形成する。
反応後のガス４は排出口８から排出される。
また、一般的に光励起ＣＶＤ法では、光の強度が薄膜の
形成速度に大きな影響を与えることが知られており、基
板温度９反応ガスの組成比、圧力を一定に保った条件下
では、薄膜の形成速度は光の照射強度に比例して速くな
ることが知られている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかるにこの従来の装置では、光源２として単一の線状
ランプを用いているため、基板５上では、光源である線
状ランプ２の軸に直角な方向において著しく光の強度に
差が生じ、線状ランプ２の真下では基板５上の他の部分
より薄膜の形成速度が速くなって薄膜の厚さが厚くなり
、そのため薄膜の膜厚が全体では不均一になり、高性能
の半導体を効率よく生産することが困難であった。
この発明は、このような問題点を解消するためになされ
たもので、基板上の線状ランプの軸直角方向に沿って光
の強度を均一にできる半導体製造装置を得ることを目的
とするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体製造装置は、線状ランプを複数個
並列配置したものを光源として用いたものである。
〔作用〕
この発明においては、光源として複数の線状ランプを並
列配置したものを用いたから、該線状ランプの軸に直角
な方向に沿った基板上の光の強度差がなくなり、該方向
に均一な膜厚の薄膜が形成される。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体製造装置を示し
、第２図は第１図のｎ−ｎ線断面図を示す。両図におい
て、１は反応室、１２は複数の線状ランプをその中央か
ら外側に行くにつれその間隔をせばめて並列配置したも
のからなる光源、３は基板加熱用ヒータ、４は反応ガス
、５は基板、６は光透過材からなる光入射窓、７は反応
ガス供給口、８は反応ガス排出口、１９は基板積載用の
移動テーブル、２０は該テーブル１９を線状ランプの軸
方向に沿って揺動運動させるテーブル移動機構であり、
これは上記テーブル１９に固着された連結子１９ａに螺
合したボールネジ２３とこれを回転駆動するモータ２４
とから構成されている。
この装置では、線状ランプをその中央から外側に行くに
つれその間隔をせばめて並列配置したものを光源１２と
することにより、線状ランプの軸に垂直な方向に沿って
の基板５上の光の強度を均一にすることができ、これに
より反応ガス供給ロアから供給された反応ガス４を上記
方向に沿って均一に励起させることができ、該方向に均
一な厚さの薄膜を基板５上に形成できる。また、基板積
載用の移動テーブル１９を線状ランプの軸の方向に揺動
運動させることにより、基板５の上記揺動方向の各部は
同一強度の光線に同一時間照射されることとなり、上記
基板５上には線状ランプの軸の方向においても均一な膜
厚の薄膜を形成することができる。従って本装置では、
基板５全面にわたり均一な膜厚の薄膜を形成でき、高精
度な半導体を効率よく製造できる。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明に係る半導体製造装置によれば、
線状ランプを複数個並列配置したものを光源として用い
たので、該線状ランプの軸に直角な方向に沿って基板上
に均一な厚さの薄膜を形成できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例による半導体製造装置の断面
側面図、第２図は第１図のｎ−ｎ線断面図、第３図は従
来の半導体製造装置の薄膜形成装置の断面側面図、第４
図は第３図のＩＶ−ＩＶ線断面図である。 １は反応室、１２は線状ランプからなる光源、４は反応
ガス、５は基板、６は光透過材からなる光入射窓、７は
反応ガス供給口、８は反応ガス排出口である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）光源と、光投射用窓と反応ガス供給口及びガス排
    出口とを有する反応室とを備え、反応ガスに光を投射し
    て光化学反応を生じさせ該反応ガス中に置かれた基板上
    に薄膜を形成させる半導体製造装置において、上記光源
    は複数の線状ランプが並列配置されてなるものであるこ
    とを特徴とする半導体製造装置。
  2. （２）上記複数の線状ランプが、その中央から外側に向
    かうにつれ間隔をせばめて配列されていることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項記載の半導体製造装置。
JP23074484A 1984-11-01 1984-11-01 半導体製造装置 Pending JPS61108123A (ja)

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JP23074484A JPS61108123A (ja) 1984-11-01 1984-11-01 半導体製造装置

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JP23074484A JPS61108123A (ja) 1984-11-01 1984-11-01 半導体製造装置

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JPS61108123A true JPS61108123A (ja) 1986-05-26

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JP23074484A Pending JPS61108123A (ja) 1984-11-01 1984-11-01 半導体製造装置

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