JPS61129815A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS61129815A JPS61129815A JP25107084A JP25107084A JPS61129815A JP S61129815 A JPS61129815 A JP S61129815A JP 25107084 A JP25107084 A JP 25107084A JP 25107084 A JP25107084 A JP 25107084A JP S61129815 A JPS61129815 A JP S61129815A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- light
- reaction
- lamp
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造装置に関し、特に光励起ＣＶ
Ｄ （ｐｈｏｔｏ ｃｈｅｎ＋１ｃａｌ ｖａｐｏｕｒ
ｄｅｐｏｓＨｉｏｎ）法により薄膜を形成する装置に
関するものである。
Ｄ （ｐｈｏｔｏ ｃｈｅｎ＋１ｃａｌ ｖａｐｏｕｒ
ｄｅｐｏｓＨｉｏｎ）法により薄膜を形成する装置に
関するものである。
ＣψＤ法は集積回路装置における薄膜形成等において重
要な技術であるが、従来のＣＶＤ法は、主として反応ガ
スを加熱して化学反応を起こさせるようにしており、こ
のため反応温度が高温となり、これにより形成される薄
膜はダメージを受けやすいものである。
要な技術であるが、従来のＣＶＤ法は、主として反応ガ
スを加熱して化学反応を起こさせるようにしており、こ
のため反応温度が高温となり、これにより形成される薄
膜はダメージを受けやすいものである。
そこで最近、低温ＣＶＤ技術として光励起ＣＶＤ法が注
目されている。この光励起ＣＶＤ法は、ＣＶＤのエネル
ギー源として光を用いるものであり、これによれば、従
来の熱励起ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等に比較して反
応温度を低温にでき、薄膜へのダメージも少なくするこ
とができる。
目されている。この光励起ＣＶＤ法は、ＣＶＤのエネル
ギー源として光を用いるものであり、これによれば、従
来の熱励起ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等に比較して反
応温度を低温にでき、薄膜へのダメージも少なくするこ
とができる。
また、一般的に光励起ＣＶＤ法では、光の強度が薄膜の
形成速度に大きな影響を与えることが知られており、基
板温度２反応ガスの組成比、圧力を一定に保った条件下
では、薄膜の形成速度は光の照射強度に比例して速くな
ることが知られている。
形成速度に大きな影響を与えることが知られており、基
板温度２反応ガスの組成比、圧力を一定に保った条件下
では、薄膜の形成速度は光の照射強度に比例して速くな
ることが知られている。
第５図はこのような光励起ＣＶＤ法による従来の薄膜形
成装置の基本的な構成を示し、図において、１は膜形成
時にその中が高真空状態に減圧される反応室、２は線状
ランプからなる光源、３は基板加熱用ヒータ、４はシラ
ン等の反応ガス、５は＊Ｉｊｌ！が形成される基板、６
は光透過材からなる光入射窓、７は反応ガス供給口、８
は反応後のガス４ａを排出するためのガス排出口、９は
基板５を載せる固定台である。
成装置の基本的な構成を示し、図において、１は膜形成
時にその中が高真空状態に減圧される反応室、２は線状
ランプからなる光源、３は基板加熱用ヒータ、４はシラ
ン等の反応ガス、５は＊Ｉｊｌ！が形成される基板、６
は光透過材からなる光入射窓、７は反応ガス供給口、８
は反応後のガス４ａを排出するためのガス排出口、９は
基板５を載せる固定台である。
この従来装置では、反応ガス４が供給ロアから反応室１
に導入されると、該反応ガス４は入射窓６から投射され
た光線により励起分解される。そしてこれにより生じた
反応生成物がヒータ３によって低温加熱された基板５上
に堆積し、該基板５上に薄膜が形成される。反応後のガ
ス４ａは排出口８から排出される。
に導入されると、該反応ガス４は入射窓６から投射され
た光線により励起分解される。そしてこれにより生じた
反応生成物がヒータ３によって低温加熱された基板５上
に堆積し、該基板５上に薄膜が形成される。反応後のガ
ス４ａは排出口８から排出される。
ところでこの従来装置では光源２として単一の線状ラン
プを用いているが、この線状ランプは、その構造上両端
部ほど光量が少なく、そのため基板５上での光の照度も
ランプ軸方向外方ほど弱くなり、また該ランプからの光
の基板５上での照度は、そのランプ軸と直角方向外方ほ
どランプから遠くなるため弱くなり、結局基板５の周縁
部の光の照度は中央より弱くなり、そのためこの従来装
置では基板５の周縁部の膜形成速度が中央部分より遅く
なってその厚さが薄くなり、形成される薄膜の膜厚が不
均一になるという問題があった。
プを用いているが、この線状ランプは、その構造上両端
部ほど光量が少なく、そのため基板５上での光の照度も
ランプ軸方向外方ほど弱くなり、また該ランプからの光
の基板５上での照度は、そのランプ軸と直角方向外方ほ
どランプから遠くなるため弱くなり、結局基板５の周縁
部の光の照度は中央より弱くなり、そのためこの従来装
置では基板５の周縁部の膜形成速度が中央部分より遅く
なってその厚さが薄くなり、形成される薄膜の膜厚が不
均一になるという問題があった。
この発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもの
で、基板上での照度差をなくして均一な膜厚の薄膜を形
成できる半導体製造装置を提供することを目的としてい
る。
で、基板上での照度差をなくして均一な膜厚の薄膜を形
成できる半導体製造装置を提供することを目的としてい
る。
この発明に係る半導体製造装置は、相互に平行な複数の
上方に凸の円弧状の線状部分を有する１本の線状ランプ
を光源として用いたものである。
上方に凸の円弧状の線状部分を有する１本の線状ランプ
を光源として用いたものである。
この発明においては、複数の線状部分により基板全体に
均一に光が照射され、該基板上での照度差がなくなる。
均一に光が照射され、該基板上での照度差がなくなる。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図ないし第３図は本発明の一実施例による半導体製
造装置を示し、図において、１は反応室、３は基板加熱
用ヒータ、４は反応ガス、５は基板、６は光透過材から
なる光入射窓、７，８はそれぞれ反応ガス供給口、排出
口、９は基板積載用の固定台である。
造装置を示し、図において、１は反応室、３は基板加熱
用ヒータ、４は反応ガス、５は基板、６は光透過材から
なる光入射窓、７，８はそれぞれ反応ガス供給口、排出
口、９は基板積載用の固定台である。
１２は反応室１の光入射窓６上方に配設された線状ラン
プであり、該線状ランプ１２の照射部１２ａは６つの線
状部分１２ｂが上方に凸の円弧状に折り曲げ形成されて
なり、この線状部分１２ｂは相互に平行で、かつその間
隔は中央ほど広くなっている。ここで上記線状部分１２
ｂを上方に凸の円弧状にし、その間隔を中央ほど広くし
たのは、基板５上の照度を均一にするためである。即ち
上述のとおり線状ランプはその両端ほど光量が少ないか
ら両端ほど基板に近づけ、また並列配置した場合は中央
ほど光の重なりにより照度が強くなるから間隔を広くし
てこの重なりによる照度を補正し、もって基板５全面の
照度を均一にするものである。従って上記線状部分１２
ｂの曲率１間隔は基板５上での照度分布が均一になるよ
う適宜選択されるものである。また上記照射部１２ａの
両端には２つの連結部１２ｃが一体形成され、該再連結
部１２ｃの上端には上記照射部１２ａに電源を供給する
ための１つの電極部１２ｄが形成されている。
プであり、該線状ランプ１２の照射部１２ａは６つの線
状部分１２ｂが上方に凸の円弧状に折り曲げ形成されて
なり、この線状部分１２ｂは相互に平行で、かつその間
隔は中央ほど広くなっている。ここで上記線状部分１２
ｂを上方に凸の円弧状にし、その間隔を中央ほど広くし
たのは、基板５上の照度を均一にするためである。即ち
上述のとおり線状ランプはその両端ほど光量が少ないか
ら両端ほど基板に近づけ、また並列配置した場合は中央
ほど光の重なりにより照度が強くなるから間隔を広くし
てこの重なりによる照度を補正し、もって基板５全面の
照度を均一にするものである。従って上記線状部分１２
ｂの曲率１間隔は基板５上での照度分布が均一になるよ
う適宜選択されるものである。また上記照射部１２ａの
両端には２つの連結部１２ｃが一体形成され、該再連結
部１２ｃの上端には上記照射部１２ａに電源を供給する
ための１つの電極部１２ｄが形成されている。
次に作用効果について説明する。
本実施例装置においても上記従来装置と同様に、反応室
１内に導入された反応ガス４が線状ランプ１２からの光
によって光化学反応を生じ、これによる反応生成物がヒ
ータ３にて加熱された基板５上に堆積し、該基板５上に
薄膜が形成される。
１内に導入された反応ガス４が線状ランプ１２からの光
によって光化学反応を生じ、これによる反応生成物がヒ
ータ３にて加熱された基板５上に堆積し、該基板５上に
薄膜が形成される。
この際、上記従来例では、線状ランプ２の軸直角方向及
び軸方向において基板５上の光の照度分布が不均一にな
るという問題があったが、本実施例では６本の線状部分
１２ｂが形成されており、しかもこの線状部分１２ｂは
上方に凸の円弧状で、かつその間隔が中央ほど広くなっ
ているので、上記光の照度分布は均一になり、これによ
り基板５上の反応ガスは均一に励起され、従って本実施
例では均一な厚さのｉ膜を基板５上に形成できる。
び軸方向において基板５上の光の照度分布が不均一にな
るという問題があったが、本実施例では６本の線状部分
１２ｂが形成されており、しかもこの線状部分１２ｂは
上方に凸の円弧状で、かつその間隔が中央ほど広くなっ
ているので、上記光の照度分布は均一になり、これによ
り基板５上の反応ガスは均一に励起され、従って本実施
例では均一な厚さのｉ膜を基板５上に形成できる。
また、本実施例では６つの線状部分１２ｂに１つの電極
部１２ｄにより電源を供給するようにしたので、例えば
６本の線状ランプを並列配置した場合に比べて電極数は
１／６で済み、電源供給部の構造を非常に簡単にできる
。
部１２ｄにより電源を供給するようにしたので、例えば
６本の線状ランプを並列配置した場合に比べて電極数は
１／６で済み、電源供給部の構造を非常に簡単にできる
。
なお、上記実施例では、光源が６つの線状部分１２ｂか
らなる場合について説明したが、この線状部分１２ｂは
６つに限定されるものではなく、薄膜を形成しようとす
る基板５の大きさ等によって適宜選択されるものである
。また上記実施例では線状部分１２ｂ間の間隔が中央ほ
ど広くなっている場合について説明したが、本発明では
この間隔は必ずしもこの実施例のようにしなくてもよく
、例えば第４図に示すように、全ての線状部分１２ｂを
等間隔にしてもよく、このようにしても１本の線状ラン
プを配設した場合に比べて基板５上の光の照度分布を均
一にできる。
らなる場合について説明したが、この線状部分１２ｂは
６つに限定されるものではなく、薄膜を形成しようとす
る基板５の大きさ等によって適宜選択されるものである
。また上記実施例では線状部分１２ｂ間の間隔が中央ほ
ど広くなっている場合について説明したが、本発明では
この間隔は必ずしもこの実施例のようにしなくてもよく
、例えば第４図に示すように、全ての線状部分１２ｂを
等間隔にしてもよく、このようにしても１本の線状ラン
プを配設した場合に比べて基板５上の光の照度分布を均
一にできる。
以上のように、本発明に係る半導体製造装置によれば、
光源として複数の上方に凸の円弧状の線状部分を有する
１本の線状ランプを設けたので、簡単な構造でもって基
板全面にわたって均一な厚さの薄膜を形成でき、膜質を
大きく向上できる効果がある。
光源として複数の上方に凸の円弧状の線状部分を有する
１本の線状ランプを設けたので、簡単な構造でもって基
板全面にわたって均一な厚さの薄膜を形成でき、膜質を
大きく向上できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例による半導体製造装置の断面
正面図、第２図はその平面図、第３図はその断面側面図
、第４図は上記実施例の変形例を示す平面図、第５図は
従来の半導体製造装置の断面側面図である。 １・・・反応室、４・・・反応ガス、５・・・基板、１
２・・・線状ランプ（光源）、１２ｂ・・・線状部分。
正面図、第２図はその平面図、第３図はその断面側面図
、第４図は上記実施例の変形例を示す平面図、第５図は
従来の半導体製造装置の断面側面図である。 １・・・反応室、４・・・反応ガス、５・・・基板、１
２・・・線状ランプ（光源）、１２ｂ・・・線状部分。
Claims (2)
- （１）反応室内の反応ガスに光源からの光を投射して光
化学反応を生じさせ該反応ガス中に置かれた基板上に薄
膜を形成させる半導体製造装置において、上記光源が相
互に平行な複数の上方に凸の円弧状の線状部分を有する
１本の線状ランプであることを特徴とする半導体製造装
置。 - （２）上記線状部分間の間隔は、中央ほど広くなってい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25107084A JPS61129815A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25107084A JPS61129815A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61129815A true JPS61129815A (ja) | 1986-06-17 |
Family
ID=17217174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25107084A Pending JPS61129815A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61129815A (ja) |
-
1984
- 1984-11-28 JP JP25107084A patent/JPS61129815A/ja active Pending
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