JPS61108124A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPS61108124A
JPS61108124A JP23074584A JP23074584A JPS61108124A JP S61108124 A JPS61108124 A JP S61108124A JP 23074584 A JP23074584 A JP 23074584A JP 23074584 A JP23074584 A JP 23074584A JP S61108124 A JPS61108124 A JP S61108124A
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JP
Japan
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reaction gas
substrate
reaction
reaction chamber
semiconductor manufacturing
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Pending
Application number
JP23074584A
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English (en)
Inventor
Toshiyuki Kobayashi
利行 小林
Yoshimi Otomo
大友　芳視
Yoshimi Kinoshita
儀美 木之下
Masao Oda
昌雄 織田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、反応ガスに光を投射して該ガスに光化学反応
を生じさせ、反応ガス中に置かれた基板に薄膜を形成さ
せる方法（ｐｈｏｔｏ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｕ
ｒｄ６ｐｏｓｉｔｉｏｎ　　：以下光励起ＣＶＤ法と称
す）を用いて薄膜を形成する半導体製造装置に関するも
のである。
〔従来の技術〕
第２図に従来の光励起ＣＶＤ法による半導体製造装置の
基本的な構成を示す。
第２図中、１は反応室、２は線状ランプからなる光源、
３は基板加熱用ヒータ、４は反応ガス、５は基板、６は
光透過材からなる光入射窓、７は反応ガス供給口、８は
反応ガス排出口、９は基板５を載せる台である。
この装置では、反応ガス４は供給ロアから反応室１に導
入され、入射窓６がら投射された光線により反応室１内
で光化学反歳茨生じ、ヒータ３によって低温加熱された
基板５上に薄膜を形成する。
反応後のガスは排出口８から排出される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかるに、従来の半導体製造装置のように光源を基板と
水平に設置する構造では、光源と基板との距離が大きく
なって光の照度は低いものであり、また光の照射範囲は
前広がりの形状となり、基板上の照度分布は光源の各発
光部からの前広がりの照射光が重ね合わされる結果とな
り、均一な分布とならない。従って、この従来装置では
、薄膜の形成速度が低いとともに、基板上に均一な膜厚
の薄膜を形成することはできないという問題点があった
。
この発明は、このような問題点を解消するためになされ
たもので、光の照度を増加でき、かつ光を均一に照射で
きる半導体製造装置を得ることを目的とするものである
。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体製造装置は、反応室の形状を横断
面略二等辺三角形の柱状壱し、光源として該反応室の２
つの斜面の各々の外側に各１組の線状ランプ群を配列し
て構成したものである。
〔作用〕
この発明においては、横断面略二等辺三角形の反応室の
２つの斜面の各々の外側に各々線状ランプ群を配列した
から、光源と基板との距離が小さくなって照度が増大し
、基板上に光が均一に照射されて、速い薄膜形成速度で
もって均一な膜厚の薄膜が形成される。
〔実施例〕
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体製造装置を示し
、第１図において、１１は横断面略二等辺三角形の柱状
の反応室、１２は二等辺三角形の斜面の外側に各々並列
配置された反応ガスを励起させる線状ランプ群、５は基
板、３は該基板５を加熱するための基板加熱用ヒータ、
４は反応ガス、６は二等辺三角形の二等辺の位置に相対
向して形成された光透過材からなる光入射窓、７は反応
ガス供給口、８は反応ガス排出口、１７は二等辺三角形
の頂角位置に上記反応ガス供給ロアに接続されて設けら
れた反応ガス供給ノズル、１８は二等辺三角形の両底角
位置に上記反応ガス排出口８に接続されて設けられた反
応ガス排出ノズル、１９は図示左右方向に摺動可能に設
けられた基板積載用テーブルであり、これには該テーブ
ル１９に固着された連結子１９ａ、これに螺合したポー
ルネジ２３．及び該ボールネジ２３を回転駆動するモー
タ（図示せず）からなるテーブル駆動機構が設けられて
いる。
次に動作について説明する。
この装置では、反応ガス４は反応ガス供給ロアから反応
室１１に導入され、入射窓６から投射された光線により
反応室１１内で光化学反応を起こす。
反応ガス２を励起させる線状ランプ群１２は、二等辺三
角形の二等辺の外側に配列され、その結果従来構造の装
置に比してこのランプ群１２＃は基板５に近くなってお
り、照度が増大して薄膜の形成速度が向上している。ま
た両側の線状ランプ群１２の基板５中央部はど、基板５
からの距離が大きくなっているので、該配置の線状ラン
プ群１２による基板上の照度分布はほぼ均一なものとな
る。
なおこの照度分布は、二等辺三角形の底角が約１５゜の
場合に最も均一となって望ましいものである。
また、反応ガス４は、二等辺三角形の頂角位置の反応ガ
ス供給ノズル１７から基板５へ向かって吹き降ろされ、
基板５に当たった反応ガス４は、左右に広がって、反応
ガス排出口８の排気ノズル１８より排出され、そのため
反応ガス４の流れる距離は短くなっている。従来の半導
体製造装置では反応室の一端に反応ガス供給口、他端に
反応ガス排出口が配設されており、両者間の距離が大き
い場合、排出口に近づくに従って反応ガス濃度は低くな
っていたが、本実施例装置では、上述のとおり、反応ガ
ス４の流れる距離が短くなり、反応ガス濃度の均一性を
向上できる。
また、さらに基板を載せるテーブル１９を図示左右方向
に摺動させることによって、基板各部は同一強度の光に
同一時間、あるいは同一濃度の反応ガスに同一時間さら
されることとなり、線状ランプ１２からの光の照度の不
均一性や、反応ガス４の濃度の不均一性を補うことがで
きる。
なお、上記２組の線状ランプ群にそれぞれ該各組の線状
ランプ群を覆う集光用反射板を設けてもよく、これによ
り光の照度をさらに増大させることができる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明に係る半導体製造装置によれば
、反応室を横断面略二等辺三角形の柱状とし、線状ラン
プを該二等辺三角形の二等辺の外側に配置したので、光
源が基板に接近することとなって励起光の強度が増大し
て薄膜の形成速度を向上できる効果があり、また基板上
の光の照度分布が均一となって基板上に均一な膜を形成
できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による半導体製造装置を示
す断面側面図、第２図は従来の光化学気相堆積装置を示
す断面側面図である。 １１は反応室、１２は線状ランプ群（光源）、４は反応
ガス、５は基板、１７は反応ガス供給ノズル、１８は反
応ガス排出ノズルである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）反応室内の反応ガスに光源からの光を投射して光
    化学反応を生じさせ該反応ガス中に置かれた基板上に薄
    膜を形成させる半導体製造装置において、上記反応室は
    横断面略二等辺三角形の柱状であり、上記光源は上記反
    応室の２つの斜面の外側に配列された２組の線状ランプ
    群からなることを特徴とする半導体製造装置。
  2. （２）上記反応室の二等辺三角形の頂点位置に反応ガス
    供給ノズルが、両底角位置に反応ガス排気ノズルが形成
    されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
    の半導体製造装置。
  3. （３）上記光源は、各組の線状ランプ群を覆う集光用反
    射板を備えていることを特徴とする特許請求の範囲第１
    項又は第２項記載の半導体製造装置。
JP23074584A 1984-11-01 1984-11-01 半導体製造装置 Pending JPS61108124A (ja)

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