JPS61131416A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS61131416A JPS61131416A JP25344384A JP25344384A JPS61131416A JP S61131416 A JPS61131416 A JP S61131416A JP 25344384 A JP25344384 A JP 25344384A JP 25344384 A JP25344384 A JP 25344384A JP S61131416 A JPS61131416 A JP S61131416A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- condensing
- light
- semiconductor manufacturing
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造装置に関し、特に光励起ＣＶ
Ｄ （ｐｈｏｔｏ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒ
ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により薄膜を形成する装置に
関するものである。
Ｄ （ｐｈｏｔｏ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒ
ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により薄膜を形成する装置に
関するものである。
ＣＶＤ法は集積図、路装置における薄膜形成等において
重要な技術であるが、従来のＣＶＤ法は、主として反応
ガスを加熱して化学反応を起こさせるようにしており、
このため反応温度が高温となり、これに＋り形成される
薄膜はダメージを受けやすいものである。
重要な技術であるが、従来のＣＶＤ法は、主として反応
ガスを加熱して化学反応を起こさせるようにしており、
このため反応温度が高温となり、これに＋り形成される
薄膜はダメージを受けやすいものである。
そこで最近、低温ＣＶＤ技術として光励起ＣＶＤ法が注
目されている。この光励起ＣＶＤ法は、ＣＶＤのエネル
ギー源として光を用いるものであり、これによれば、従
来の熱励起ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等に比較争て反
応温度を低温にでき、１１ＩＩＩへのダメージも少なく
することができる。
目されている。この光励起ＣＶＤ法は、ＣＶＤのエネル
ギー源として光を用いるものであり、これによれば、従
来の熱励起ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等に比較争て反
応温度を低温にでき、１１ＩＩＩへのダメージも少なく
することができる。
また、一般的に光励起ＣＶＤ法では、光の強度が薄膜の
形成速度に大きな影響を与えることが知られており、基
板温度１反応ガスの組成比、圧力を一定に保った条件下
では、薄膜の形成速度は光の照射強度に比例して速くな
ることが知られている。
形成速度に大きな影響を与えることが知られており、基
板温度１反応ガスの組成比、圧力を一定に保った条件下
では、薄膜の形成速度は光の照射強度に比例して速くな
ることが知られている。
第２図はこのような光励起ＣＶＤ法による従来のｉ膜形
成装置の基本的な構成を示し、図において、１は薄膜形
成時にその中が高真空状態に減圧される反応室、２は線
状の低圧水銀ランプからな゛る光源、３は基板加熱用ヒ
ータ、４はシラン等の反応ガス、５は薄膜が形成される
基板、６は光透過材からなる光入射窓、７は反応ガス供
給口、８は反応後のガス４ａを排出するためのガス排出
口、９は基板５を載せる固定台である。
成装置の基本的な構成を示し、図において、１は薄膜形
成時にその中が高真空状態に減圧される反応室、２は線
状の低圧水銀ランプからな゛る光源、３は基板加熱用ヒ
ータ、４はシラン等の反応ガス、５は薄膜が形成される
基板、６は光透過材からなる光入射窓、７は反応ガス供
給口、８は反応後のガス４ａを排出するためのガス排出
口、９は基板５を載せる固定台である。
この装置では、反応ガス４が供給ロアから反応室１内に
導入されると、該反応ガス４は入射窓６から投射された
光線により励起分解される。そしてこれにより生じた反
応生成物がヒータ３によって低温加熱された基板５上に
堆積し、該基板５上に薄膜が形成される。反応後のガス
４ａは排出口８から排出される。
導入されると、該反応ガス４は入射窓６から投射された
光線により励起分解される。そしてこれにより生じた反
応生成物がヒータ３によって低温加熱された基板５上に
堆積し、該基板５上に薄膜が形成される。反応後のガス
４ａは排出口８から排出される。
しかるにこの従来の装置では、光源２としで単一の線状
ランプを用いているために、ランプ軸と垂直な方向にお
ける基板５両端部の照射強度が中央部に比べて弱くなっ
てしまう、このため基板５両端部の膜形成速度が中央部
分より遅（なってその厚さが薄くなり、形成される薄膜
の膜厚が不均一になるという問題があった。
ランプを用いているために、ランプ軸と垂直な方向にお
ける基板５両端部の照射強度が中央部に比べて弱くなっ
てしまう、このため基板５両端部の膜形成速度が中央部
分より遅（なってその厚さが薄くなり、形成される薄膜
の膜厚が不均一になるという問題があった。
この発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、基板上
での照度差をなくして均一な膜厚の膜形成ができ、さら
に照射強度を増加させて、より広い面積の基板上に、速
い速度で薄膜を形成することのできる半導体製造装置を
提供することを目的としている。
での照度差をなくして均一な膜厚の膜形成ができ、さら
に照射強度を増加させて、より広い面積の基板上に、速
い速度で薄膜を形成することのできる半導体製造装置を
提供することを目的としている。
この発明に係る半導体製造装置は、線状ランプを複数個
配置したものを光源として用いるとともに、各線状ラン
プを横断面略Ｃ字状の集光反射板により覆うようにした
ものである。
配置したものを光源として用いるとともに、各線状ラン
プを横断面略Ｃ字状の集光反射板により覆うようにした
ものである。
この発明においては、複数の線状ランプにより基板全体
に均一に光を照射して該基板上での照度差をなくし、か
つ集光反射板で上記各線状ランプの光を基板上に集光さ
せ照度を増加させる。
に均一に光を照射して該基板上での照度差をなくし、か
つ集光反射板で上記各線状ランプの光を基板上に集光さ
せ照度を増加させる。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体製造装置を示し
、図において、１は反応室、３は基板加熱用ヒータ、４
は反応ガス、５は基板、６は光透過材からなる光入射窓
、７．８はそれぞれ反応ガス供給口、排出口、９は基板
積載用の固定台であり、これらは第２図に示したものと
同様のものである。
、図において、１は反応室、３は基板加熱用ヒータ、４
は反応ガス、５は基板、６は光透過材からなる光入射窓
、７．８はそれぞれ反応ガス供給口、排出口、９は基板
積載用の固定台であり、これらは第２図に示したものと
同様のものである。
また、２は線状ランプであり、この線状ランプ２は反応
室１の外側上方に複数個並列配置されている。１０はこ
の線状ランプ２を覆うように配設された横断面略Ｃ字状
の集光反射板であり、これはその外周の一部に開口ＬＯ
ａを有する例えばアルミ等の金属製円筒で構成されてお
り、その内壁面は鏡面仕上げが施されている。また各集
光反射板１０は、線状ランプ２からの光が基板５上へ照
射されるよう、その開口部１０ａを基板５方向へ向けて
配置されている。
室１の外側上方に複数個並列配置されている。１０はこ
の線状ランプ２を覆うように配設された横断面略Ｃ字状
の集光反射板であり、これはその外周の一部に開口ＬＯ
ａを有する例えばアルミ等の金属製円筒で構成されてお
り、その内壁面は鏡面仕上げが施されている。また各集
光反射板１０は、線状ランプ２からの光が基板５上へ照
射されるよう、その開口部１０ａを基板５方向へ向けて
配置されている。
次に作用効果について説明する。
反応室１内に導入された反応ガス４が、線状ランプ２か
らの光によって光化学反応を生じ、これによる反応生成
物がヒータ３によって加熱された基板５上に堆積し、該
基板５上に薄膜が形成されるという過程は従来と同様で
ある。
らの光によって光化学反応を生じ、これによる反応生成
物がヒータ３によって加熱された基板５上に堆積し、該
基板５上に薄膜が形成されるという過程は従来と同様で
ある。
この際、本実施例装置では、線状ランプ２を複数個並列
配置しているので、広い面積の基＃ｉ！５上に均一な照
度で光が照射されることになり、これにより基板５上に
おける反応ガス４は均一に励起され、従って広い面積の
基板５上に均一な厚さの薄膜を形成することができる。
配置しているので、広い面積の基＃ｉ！５上に均一な照
度で光が照射されることになり、これにより基板５上に
おける反応ガス４は均一に励起され、従って広い面積の
基板５上に均一な厚さの薄膜を形成することができる。
またこの実施例装置では、線状ランプ２から発せられた
光は集光反射板１０により、全て基板５上に照射される
こととなり、光の照射強度は従来装置に比し著しく増加
し、これにより膜形成速度を大きく向上させることがで
きる。さらにこの集光反射板ｌＯの開口部１０ａの向き
、幅を変更することにより基板５上での光の照度分布を
調整することができ、該基板５上での照度分布をより均
一なものとすることができる。
光は集光反射板１０により、全て基板５上に照射される
こととなり、光の照射強度は従来装置に比し著しく増加
し、これにより膜形成速度を大きく向上させることがで
きる。さらにこの集光反射板ｌＯの開口部１０ａの向き
、幅を変更することにより基板５上での光の照度分布を
調整することができ、該基板５上での照度分布をより均
一なものとすることができる。
以上のように、本発明に係る半導体製造装置によれば、
光源として線状ランプを複数個並列配置するとともに、
この各線状ランプを覆う集光反射板を設け、これにより
上記各線状ランプからの光を基板上に集光させるように
したので、広い面積の基板全面にわたって均一な厚さの
薄膜を速い速度で形成でき、高精度な半導体を効率よく
製造できる効果がある。
光源として線状ランプを複数個並列配置するとともに、
この各線状ランプを覆う集光反射板を設け、これにより
上記各線状ランプからの光を基板上に集光させるように
したので、広い面積の基板全面にわたって均一な厚さの
薄膜を速い速度で形成でき、高精度な半導体を効率よく
製造できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例による半導体製造装置の断面
構成図、第２図は従来の半導体製造装置の断面構成図で
ある。 １・・・反応室、２・・・線状ランプ（光源）、４・・
・反応ガス、５・・・基板、６・・・光入射窓、７・・
・反応ガス供給口、８・・・反応ガス排出口、１０・・
・集光反射板なお図中、同一符号は同−又は相当部分を
示す。
構成図、第２図は従来の半導体製造装置の断面構成図で
ある。 １・・・反応室、２・・・線状ランプ（光源）、４・・
・反応ガス、５・・・基板、６・・・光入射窓、７・・
・反応ガス供給口、８・・・反応ガス排出口、１０・・
・集光反射板なお図中、同一符号は同−又は相当部分を
示す。
Claims (1)
- （１）光源と、光投射用窓と反応ガス供給口及びガス排
出口とを有する反応室とを備え、反応ガスに光を投射し
て光化学反応を生じさせ該反応ガス中に置かれた基板上
に薄膜を形成させる半導体製造装置において、上記光源
は複数の横断面略Ｃ字状の集光反射板により覆われた線
状ランプが並列配置されてなるものであることを特徴と
する半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25344384A JPS61131416A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25344384A JPS61131416A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61131416A true JPS61131416A (ja) | 1986-06-19 |
Family
ID=17251465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25344384A Pending JPS61131416A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61131416A (ja) |
-
1984
- 1984-11-29 JP JP25344384A patent/JPS61131416A/ja active Pending
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