JPS6262514A - 光化学気相成長装置 - Google Patents
光化学気相成長装置Info
- Publication number
- JPS6262514A JPS6262514A JP20201085A JP20201085A JPS6262514A JP S6262514 A JPS6262514 A JP S6262514A JP 20201085 A JP20201085 A JP 20201085A JP 20201085 A JP20201085 A JP 20201085A JP S6262514 A JPS6262514 A JP S6262514A
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- JP
- Japan
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- light
- growth
- substrate
- polysilicon
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
光化学気相成長く光ＣＶＤ ）装置において、成長室内
の光照射領域（ウィンドウ）に成長物質が堆積し、光の
照射強度を弱くし均一な成長速度が得られなくなる。そ
のため成長室にエツチングガスを導入して光エツチング
手段を併せ持つ装置を提起する。
の光照射領域（ウィンドウ）に成長物質が堆積し、光の
照射強度を弱くし均一な成長速度が得られなくなる。そ
のため成長室にエツチングガスを導入して光エツチング
手段を併せ持つ装置を提起する。
〔産業上の利用分野］
本発明は均一な成長速度が得られる光ＣＶＤ装置の構造
に関する。
に関する。
光ＣＶＤ装置は光の照射により成長物質を含む反応ガス
を励起し、基板上に成長物質を堆積する装置で、半導体
装置の製造におけるウェハプロセスで基板上への多結晶
珪素（ボ’ＪＳＩ）、二酸化珪素（ＳｉＯ□）、窒化珪
素（Ｓｉ３ＮＯ４）等の堆積に用いられるまうになった
。
を励起し、基板上に成長物質を堆積する装置で、半導体
装置の製造におけるウェハプロセスで基板上への多結晶
珪素（ボ’ＪＳＩ）、二酸化珪素（ＳｉＯ□）、窒化珪
素（Ｓｉ３ＮＯ４）等の堆積に用いられるまうになった
。
光ＣＶＤの特徴は、光励起によるため基板を加熱しない
、または低温加熱でよいため、工程を進める上で温度の
制約を受けない点である。
、または低温加熱でよいため、工程を進める上で温度の
制約を受けない点である。
そのため、各種被膜の形成に多用されるようになってき
たが、特に連続処理装置のインプロセスにおけるウィン
ドウのくもりによる成長速度の低）が問題である。
たが、特に連続処理装置のインプロセスにおけるウィン
ドウのくもりによる成長速度の低）が問題である。
第２図（１）、（２）は従来例による光ＣＶＤ装置を模
式。
式。
的に示す断面図と側断面図である。
図において、１は成長室、２は基板、３．４は水銀ラン
プ、５は金属ベルト、６は搬入装置、７は搬出装置、８
は窒素ガスカーテン、９は反応ガス導入口である。
プ、５は金属ベルト、６は搬入装置、７は搬出装置、８
は窒素ガスカーテン、９は反応ガス導入口である。
基板２は搬入装置６により順次処理室１内の金属ベルト
５に下向きに保持される。
５に下向きに保持される。
金属ベルト５に装着された基板２は、金属ベルト５の回
転により処理室１内を移動し、他端より搬出装置７によ
り処理室工の外に搬出される。
転により処理室１内を移動し、他端より搬出装置７によ
り処理室工の外に搬出される。
一方、反応ガス導入口９より反応ガス、例えばポリＳｉ
成長の場合はモノシラン（ＳｉＨ４）や、あるいは光エ
ネルギでより活性化しやすいジシラン（Ｓｉ＝Ｈａ）等
を導入し、水銀ランプ３．４より照射される光エネルギ
により反応ガスを活性化して基板２の上にポリＳｉを成
長する。
成長の場合はモノシラン（ＳｉＨ４）や、あるいは光エ
ネルギでより活性化しやすいジシラン（Ｓｉ＝Ｈａ）等
を導入し、水銀ランプ３．４より照射される光エネルギ
により反応ガスを活性化して基板２の上にポリＳｉを成
長する。
窒素ガスカーテン８は処理室１の機密を保持するための
ものである。
ものである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の光ＣＶＤ装置においては、処理室の光照射窓に成
長物質が被着し、成長速度が不均一になると言う欠点が
あった。
長物質が被着し、成長速度が不均一になると言う欠点が
あった。
上記問題点の解決は、成長室（１）内に、成長物質を含
む反応ガスを導入して基板（２）上に成長物質を光化学
気相成長する手段と、成長室（１）内に、成長物質と反
応するエツチングガスを導入して成長室（１）内の光照
射領域に付着した成長物質を除去する手段とを有する本
発明による光化学気相成長装置により達成される。
む反応ガスを導入して基板（２）上に成長物質を光化学
気相成長する手段と、成長室（１）内に、成長物質と反
応するエツチングガスを導入して成長室（１）内の光照
射領域に付着した成長物質を除去する手段とを有する本
発明による光化学気相成長装置により達成される。
本発明は成長とエツチングが行える手段を有する装置に
より、光ＣＶＤ と光エッチングを交互に行い、光照射
窓のくもりをなくすることにより、常↓こ光の照射強度
を一定にして均一な成長速度を得るものである。工程を
中断しないで、わずかの所要時間で光照射窓のくもりを
なくすことができるため、特に連続処理の装置に効果的
である。
より、光ＣＶＤ と光エッチングを交互に行い、光照射
窓のくもりをなくすることにより、常↓こ光の照射強度
を一定にして均一な成長速度を得るものである。工程を
中断しないで、わずかの所要時間で光照射窓のくもりを
なくすことができるため、特に連続処理の装置に効果的
である。
第１図（１）、（２）は本発明による光ｃｖｎ装置を模
式的に示す断面図と側断面図である。
式的に示す断面図と側断面図である。
図において、１は成長室、２は基板、３．４は水銀ラン
プ、５は金属ベルト、６は搬入装置、７は搬出装置、８
は窒素ガスカーテン、９は反応ガス導入口、１０はエツ
チングガス導入口である。
プ、５は金属ベルト、６は搬入装置、７は搬出装置、８
は窒素ガスカーテン、９は反応ガス導入口、１０はエツ
チングガス導入口である。
基板２は搬入装置６により順次処理室１内の金属ベルト
５に下向きに保持される。
５に下向きに保持される。
保持は爪、または吸引チャックによる。
金属ベルト５に装着された基板２は、金属ベルト５の回
転により処理室１内を移動し、他端より搬出装置７によ
り処理室１の外に搬出される。
転により処理室１内を移動し、他端より搬出装置７によ
り処理室１の外に搬出される。
図においては、簡明のために、搬入装置６より金属ベル
ト５へ装着するアーム、および金属ベルト５より搬出装
置７へ装着するアームは省略されている。
ト５へ装着するアーム、および金属ベルト５より搬出装
置７へ装着するアームは省略されている。
一方、反応ガス導入口９より反応ガス、例えばポリＳｉ
成長の場合はＳｉＨ４や、あるいは光エネルギでより活
性化しゃすいＳ ｉ ２１１ 、等を導入し、水銀ラン
プ３．４より照射される光エネルギにより反応ガスを活
性化して基板２の上にポリＳｉを成長する。
成長の場合はＳｉＨ４や、あるいは光エネルギでより活
性化しゃすいＳ ｉ ２１１ 、等を導入し、水銀ラン
プ３．４より照射される光エネルギにより反応ガスを活
性化して基板２の上にポリＳｉを成長する。
成長時間は成長室１内の移動時間となる。
この場合基板は特に加熱しないでよい。
窒素ガスカーテン８は処理室１の機密を保持するための
ものであるが、これの代わりにロードロツタ室を設けて
もよい。
ものであるが、これの代わりにロードロツタ室を設けて
もよい。
以上までの構造は従来例の第２図と同様であるが、本発
明の特徴はエツチングガス導入口１０を設けた点である
。
明の特徴はエツチングガス導入口１０を設けた点である
。
光照射窓を清浄化するときは、エツチングガス導入口１
０より、例えばポリＳｉ成長の場合はエツチングガスと
して四弗化炭素（ＣＦ４） 、三弗化窒素（ＮＦ：ｌ）
等に、これらのガスを活性化するため酸素（０□）を数
％混入して導入し、光照射窓に被着したポリＳｉ膜が除
去されるまで、水銀ランプ３．４より照射される光エネ
ルギにより光エッチングを行う。
０より、例えばポリＳｉ成長の場合はエツチングガスと
して四弗化炭素（ＣＦ４） 、三弗化窒素（ＮＦ：ｌ）
等に、これらのガスを活性化するため酸素（０□）を数
％混入して導入し、光照射窓に被着したポリＳｉ膜が除
去されるまで、水銀ランプ３．４より照射される光エネ
ルギにより光エッチングを行う。
実施例の装置は防塵のため基板表面を下に向けた成長で
あるが、通常の上向きの成長の場合も本発明は同様の効
果がある。
あるが、通常の上向きの成長の場合も本発明は同様の効
果がある。
以上詳細に説明したように本発明による光ＣＶＤ装置に
おいては、処理室の光照射窓に被着した成長物質を容易
に除去でき、均一な成長速度が得られる。
おいては、処理室の光照射窓に被着した成長物質を容易
に除去でき、均一な成長速度が得られる。
第１図（１）、（２）は本発明による光ＣＶＤ装置を模
式的に示す断面図と側断面図、 第２図（１）、（２）は従来例による光ＣＶＤ装置を模
式的に示す断面図と側断面図である。 図において、 １は成長室、 ２は基十反、 ３．４は水銀ランプ、 ５は金属ベルト、 ６は搬入装置、 ７は搬出装置、 ８は窒素ガスカーテン、 ９は反応ガス導入口、 １０はエツチングガス導入口
式的に示す断面図と側断面図、 第２図（１）、（２）は従来例による光ＣＶＤ装置を模
式的に示す断面図と側断面図である。 図において、 １は成長室、 ２は基十反、 ３．４は水銀ランプ、 ５は金属ベルト、 ６は搬入装置、 ７は搬出装置、 ８は窒素ガスカーテン、 ９は反応ガス導入口、 １０はエツチングガス導入口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 成長室（１）内に、成長物質を含む反応ガスを導入して
基板（２）上に成長物質を光化学気相成長する手段と、 成長室（１）内に、成長物質と反応するエッチングガス
を導入して成長室（１）内の光照射領域に付着した成長
物質を除去する手段 とを有することを特徴とする光化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20201085A JPS6262514A (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 光化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20201085A JPS6262514A (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 光化学気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6262514A true JPS6262514A (ja) | 1987-03-19 |
Family
ID=16450427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20201085A Pending JPS6262514A (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 光化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6262514A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010500777A (ja) * | 2006-08-16 | 2010-01-07 | サンパワー コーポレイション | 片面エッチング方法及び装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6064426A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-13 | Hitachi Ltd | 気相反応薄膜形成方法および装置 |
-
1985
- 1985-09-12 JP JP20201085A patent/JPS6262514A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6064426A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-13 | Hitachi Ltd | 気相反応薄膜形成方法および装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010500777A (ja) * | 2006-08-16 | 2010-01-07 | サンパワー コーポレイション | 片面エッチング方法及び装置 |
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