JPH03101219A - 表面処理装置 - Google Patents
表面処理装置Info
- Publication number
- JPH03101219A JPH03101219A JP23704889A JP23704889A JPH03101219A JP H03101219 A JPH03101219 A JP H03101219A JP 23704889 A JP23704889 A JP 23704889A JP 23704889 A JP23704889 A JP 23704889A JP H03101219 A JPH03101219 A JP H03101219A
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- Japan
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- wafer
- quartz plate
- reaction gas
- gap
- surface treatment
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェーハ表面のフォトレジストを除去す
るためのアッシングプロセス、あるいは半導体ウェーハ
表面に酸化膜を形成するプロセス、あるいは有機物を除
去するクリーニング等に使用する表面処理装置に係わる
。
るためのアッシングプロセス、あるいは半導体ウェーハ
表面に酸化膜を形成するプロセス、あるいは有機物を除
去するクリーニング等に使用する表面処理装置に係わる
。
特開昭６４−４０２２の第１図、特開昭６３−３１０１
１８の第１図に記載のように、従来の有機膜除去装置に
おける反応ガスを流す層の厚さは被処理物表面に対して
一定の値とされていた。
１８の第１図に記載のように、従来の有機膜除去装置に
おける反応ガスを流す層の厚さは被処理物表面に対して
一定の値とされていた。
上記従来技術では、被処理物の処理速度が被処理物の位
置によってバラツキを有し、このため処理の均一性が不
十分になりやすいという問題があった。
置によってバラツキを有し、このため処理の均一性が不
十分になりやすいという問題があった。
本発明の目的は、処理の均一性を向上することにある。
上記目的を達成するため、本発明においては、処理速度
と密接な関係にある反応ガス流れ層の厚さを被処理物表
面の位置に対して適応的に変化させるものである。
と密接な関係にある反応ガス流れ層の厚さを被処理物表
面の位置に対して適応的に変化させるものである。
上記反応ガス流れ層の厚さは、被処理物表面と、上記表
面に対向して設置さ九、反応ガス供給ノズルを有する石
英、金属あるいは他の熱的、化学的に安定なセラミック
ス等からなる平板状の隔壁板との間に間隔を調節するこ
とによって制御される。
面に対向して設置さ九、反応ガス供給ノズルを有する石
英、金属あるいは他の熱的、化学的に安定なセラミック
ス等からなる平板状の隔壁板との間に間隔を調節するこ
とによって制御される。
本発明の一例においては、被処理表面に対する対向面形
状を、位置に応じて平面に対して偏りをもつように形成
した隔壁板を用いる。また、他の例においては被処理物
表面側を平面に対して偏りをもつようにする。
状を、位置に応じて平面に対して偏りをもつように形成
した隔壁板を用いる。また、他の例においては被処理物
表面側を平面に対して偏りをもつようにする。
本発明によれば、被処理物表面の位置の違いによる加工
速度の相違を、上記被処理物表面上の反応ガス流れ層の
厚さを上記位置に応じて調整することで相殺することが
でき、被処理物全面にわたって加工速度の均一性を高め
ることができる。
速度の相違を、上記被処理物表面上の反応ガス流れ層の
厚さを上記位置に応じて調整することで相殺することが
でき、被処理物全面にわたって加工速度の均一性を高め
ることができる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
回転可能なステージ５に被処理物となるウェーハ１を載
置する。ウェーハ１に対向して隔壁となる石英板２を設
置する。石英板２にはウェーハ１の表面上に反応ガスを
供給するノズル４を取付けている０石英板３の上には紫
外線等を発生する光源３が設けられている。石英板２の
下面は円錐面にしている。この場合、ウェーハ１と石英
板２で狭まれる空間の、上下方向の高さ即ち１反応ガス
流れ層を形成するすき間ｇは、中心部でｇｌ、周辺部で
ｇ２となっている。ｇは、０．０５〜２ｍｍの範囲が適
当であるが、本実施例の場合は、ｇｌは０ 、２〜０
、３ ｍ、 ｇ ｚは０ 、１〜０ 、２ ｔｍとして
いる。
置する。ウェーハ１に対向して隔壁となる石英板２を設
置する。石英板２にはウェーハ１の表面上に反応ガスを
供給するノズル４を取付けている０石英板３の上には紫
外線等を発生する光源３が設けられている。石英板２の
下面は円錐面にしている。この場合、ウェーハ１と石英
板２で狭まれる空間の、上下方向の高さ即ち１反応ガス
流れ層を形成するすき間ｇは、中心部でｇｌ、周辺部で
ｇ２となっている。ｇは、０．０５〜２ｍｍの範囲が適
当であるが、本実施例の場合は、ｇｌは０ 、２〜０
、３ ｍ、 ｇ ｚは０ 、１〜０ 、２ ｔｍとして
いる。
次に実施例１の動作を説明する。ステージ５にウェーハ
１を載置し、ノズル４からオゾン等の反応ガスを供給す
る。ガスは石英板２とウェーハ１のすき間を流れ、この
時、ガスがウェーハ１の表面に付着しているフォトレジ
ストと反応し、気体に置換ねることにより処理が行われ
る。この場合光源３から放射される紫外線により一層、
反応が促進される。
１を載置し、ノズル４からオゾン等の反応ガスを供給す
る。ガスは石英板２とウェーハ１のすき間を流れ、この
時、ガスがウェーハ１の表面に付着しているフォトレジ
ストと反応し、気体に置換ねることにより処理が行われ
る。この場合光源３から放射される紫外線により一層、
反応が促進される。
この時、ウェーハ１表面での処理速度は反応ガス中の活
性種の濃度に強く依存し、ノズル４の開口から遠ざかる
につれ上記活性種の濃度が低下するため、その位置での
処理速度が低下する。一方。
性種の濃度に強く依存し、ノズル４の開口から遠ざかる
につれ上記活性種の濃度が低下するため、その位置での
処理速度が低下する。一方。
処理速度は石英板２とウェーハ１のすき間の大きさに対
しても強く依存し、狭いほど処理速度が大きくなる。
しても強く依存し、狭いほど処理速度が大きくなる。
本実施例では１石英板２の下面を円錐面としたことによ
り、ガス濃度の高いノズル近傍でのすき間ｇ１に対し、
ガス濃度の低下するウェーハ１の外周部でのすき間をｇ
ｌより小さいｇ２にすることにより、ウェーハ１内の処
理速度のバラツキを最小化できる。以上本実施例によれ
ば均一性が向上できる効果がある。
り、ガス濃度の高いノズル近傍でのすき間ｇ１に対し、
ガス濃度の低下するウェーハ１の外周部でのすき間をｇ
ｌより小さいｇ２にすることにより、ウェーハ１内の処
理速度のバラツキを最小化できる。以上本実施例によれ
ば均一性が向上できる効果がある。
本発明の他の実施例を以下に示す。
第２図の例は１石英板２の下面の形状を段差のある同心
円状平面で構成したものである。また、第３図の例では
石英板２の下面形状を曲面で構成したものであり、どち
らの例も第１図と同じようにすき間を制御することによ
り、ウェーハ１の処理速度のバラツキを小さくできる。
円状平面で構成したものである。また、第３図の例では
石英板２の下面形状を曲面で構成したものであり、どち
らの例も第１図と同じようにすき間を制御することによ
り、ウェーハ１の処理速度のバラツキを小さくできる。
第４図の実施例は、ステージ５の上面を曲面にし、これ
に沿わせてウェーハ１を固定する。石英板２の下面は、
この例では平坦面としであるが、他の実施例と同様に、
すき間を制御でき、これにより処理速度のバラツキを小
さくできる。
に沿わせてウェーハ１を固定する。石英板２の下面は、
この例では平坦面としであるが、他の実施例と同様に、
すき間を制御でき、これにより処理速度のバラツキを小
さくできる。
なお、本発明の実施例はいずれも光源３からの光をウェ
ーハに照射するため、石英板２を用いているが、光源３
を用いず、ガスのみで処理する場合であっても、本発明
が有効であることは言うまでもない。光源３を用いない
場合にあっては、石英板２は不透明な金属、セラミック
ス等の材料であってもよい。
ーハに照射するため、石英板２を用いているが、光源３
を用いず、ガスのみで処理する場合であっても、本発明
が有効であることは言うまでもない。光源３を用いない
場合にあっては、石英板２は不透明な金属、セラミック
ス等の材料であってもよい。
本発明によれば、被処理物の表面の位置に応じて処理速
度を制御できるので、処理の均一性が向上でき、これに
よりスループットの向上１歩留向上が図れる。
度を制御できるので、処理の均一性が向上でき、これに
よりスループットの向上１歩留向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第４図は本発明の実施例の表面処理装置の縦断
面図である。 １・・・ウェーハ、２・・・石英板、３・・・光源、４
・・・ノズル。 ５・・・ステージ。 ■ 図 第 ？ 図
面図である。 １・・・ウェーハ、２・・・石英板、３・・・光源、４
・・・ノズル。 ５・・・ステージ。 ■ 図 第 ？ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、励起酸素原子を生成する反応ガスを被処理物表面に
流して、上記被処理物表面を処理または改質する表面処
理装置において、上記反応ガスを流す層の厚さを、一定
とせず被処理物表面の位置に応じて変化させたことを特
徴とする表面処理装置。 ２、反応ガスを流す層の厚さを０．０５〜２ｍｍの範囲
で、被処理物表面の位置に応じて変化させたことを特徴
とする請求項１記載の表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23704889A JPH03101219A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23704889A JPH03101219A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 表面処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03101219A true JPH03101219A (ja) | 1991-04-26 |
Family
ID=17009636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23704889A Pending JPH03101219A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03101219A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0778751A (ja) * | 1993-09-07 | 1995-03-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
-
1989
- 1989-09-14 JP JP23704889A patent/JPH03101219A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0778751A (ja) * | 1993-09-07 | 1995-03-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
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