JP2002176046A - 真空紫外光ｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエハ１の表面全体に均一な薄膜を形
成することができる真空紫外光ＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウエハ１の表面に均一な照度分布
の真空紫外光を照射するランプハウス１５と、ガラス窓
１４との間に、この半導体ウエハ１の中央部における照
度を低下させるための遮光マスク１９を配置する。これ
により、半導体ウエハ１の中央部に濃い濃度で滞留する
原料ガス２の真空紫外光による分解量が減少し、この半
導体ウエハ１１の表面に形成される薄膜の厚さが均等化
され、表面全体に均一な薄膜が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、真空紫外光を用い
たＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）による真空紫
外光ＣＶＤ装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図２は、従来の真空紫外光を用いたＣＶ
Ｄ薄膜形成装置の構成図である。このＣＶＤ薄膜形成装
置は、処理容器１１を有し、この中に被処理物である半
導体ウエハ１を載せるためのステージ１２が設けられて
いる。ステージ１２は、駆動部１３によって１８０°の
範囲で往復回転運動が行われるようになっている。

【０００３】ステージ１２の上方には、合成石英ガラス
のガラス窓１４を介してランプハウス１５が設けられて
おり、このランプハウス１５の中に円筒状のランプ１６
が複数配置されている。各ランプ１６は、１７２ｎｍ程
度の真空紫外光を放射するもので、平行に配置されてガ
ラス窓１４を通してステージ１２上の半導体ウエハ１の
表面を均一な照度で照らすことができるようになってい
る。

【０００４】処理容器１１の上方の壁面には注入口１７
が設けられ、この注入口１７からステージ１２上に載せ
られた半導体ウエハ１の表面に、ＴＥＯＳ（Ｓｉ（ＯＣ
_２Ｈ _５）_４）等の薄膜の原料となる原料ガス２が注入さ
れるようになっている。また、処理容器１１の下方の壁
面には、処理済みの排気ガスを排出するための排気口１
８が設けられている。

【０００５】このようなＣＶＤ薄膜形成装置では、次の
ようにして半導体ウエハ１の表面に薄膜が形成される。

【０００６】まず、ステージ１２の上に、被処理物であ
る半導体ウエハ１を薄膜形成面を上にして載せる。次
に、注入口１７から、約１５０℃の原料ガスを注入す
る。更に、ランプ１６を点灯すると共に、駆動部１３に
よってステージ１２を介して半導体ウエハ１に往復回転
運動を与える。

【０００７】これにより、半導体ウエハ１上に注入され
たＴＥＯＳ等の原料ガス２が、ランプ１６から放射され
た真空紫外光によって分解され、ＳｉＯ_２や低誘電率の
薄膜が半導体ウエハ１の表面に形成される。また、処理
済みの排気ガスは、排気口１８から排出される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＣＶＤ薄膜形成装置では、次のような課題があった。真
空紫外光は、空気等によって吸収されて極度に減衰する
ため、ガラス窓１４と半導体ウエハ１の距離を例えば１
５ｍｍ程度以下にする必要がある。このため、注入口１
７から半導体ウエハ１上に注入する原料ガス２の濃度を
均一にすることが困難で、この半導体ウエハ１の中心部
に原料ガス２が溜まりやすくなる。これにより、半導体
ウエハ１上に形成される薄膜は、中心部が厚く周辺部が
薄くなるという課題があった。

【０００９】本発明は、前記従来技術が持っていた課題
を解決し、被処理物である半導体ウエハ１の表面全体に
均一な膜厚の薄膜を形成することができる薄膜形成装置
を提供するものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の内の第１の発明は、半導体ウエハを載せる
ステージと、原料ガスを内部に注入する注入口及び排ガ
スを外部に排出する排気口を有すると共に前記ステージ
及び半導体ウエハを外気から遮蔽する処理容器と、前記
ステージに載せられた半導体ウエハの表面に均一な照度
で真空紫外光を照射するランプとを備えた真空紫外光Ｃ
ＶＤ装置において、前記ランプと前記半導体ウエハが搭
載された前記ステージ間に前記真空紫外光の一部を遮る
遮光マスクを設けている。

【００１１】第２の発明は、前記遮光マスクを、円形、
二重円形、十字形または格子形に形成している。

【００１２】第１及び第２の発明によれば、以上のよう
に真空紫外光ＣＶＤ装置を構成したので、次のような作
用が行われる。半導体ウエハの表面で均一な照度となる
ようにランプから出力された真空紫外光は、遮光マスク
によってその照度分布が調整されて半導体ウエハの中央
部の照度が低下させられ、薄膜形成の対象となる半導体
ウエハの表面に照射される。

【００１３】第３の発明は、第１と同様の真空紫外光Ｃ
ＶＤ装置において、注入口に注入される原料ガスをステ
ージに載せられた半導体ウエハへ導くと共に、該半導体
ウエハ表面に供給するガス導入管を設けている。

【００１４】第４の発明は、前記ガス導入管を円形、半
円形または櫛形に形成している。

【００１５】第３及び第４の発明によれば、次のような
作用が行われる。処理容器の注入口に注入された薄膜の
原料ガスは、ガス導入管によって半導体ウエハの上まで
導かれ、この半導体ウエハ表面に供給される。

【００１６】第５の発明は、第１と同様の真空紫外光Ｃ
ＶＤ装置において、処理容器内の原料ガスと排ガスの流
れの分布が均一になるように整えると共に、該排ガスを
排気口に導く整流板を設けている。

【００１７】第５の発明によれば、次のような作用が行
われる。処理容器の注入口から注入された原料ガスは、
整流板によって流れの分布が均一になるように整えられ
て薄膜形成処理が行われ、その排ガスは排気口に導かれ
て処理容器から排出される。

【００１８】第６の発明は、第１と同様の真空紫外光Ｃ
ＶＤ装置において、ステージと半導体ウエハの間に配置
され、該半導体ウエハの中央部の温度が周辺部よりも高
くなるように制御する温度制御板を設けている。

【００１９】第７の発明は、第１〜第６の発明における
ステージを、半導体ウエハを載せた状態で回転運動及び
水平方向の往復運動を行うように構成している。

【００２０】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）図１は、本発
明の第１の実施形態を示すＣＶＤ薄膜形成装置の構成図
であり、図２中の要素と共通の要素には共通の符号が付
されている。

【００２１】このＣＶＤ薄膜形成装置は、図２のＣＶＤ
薄膜形成装置と同様に、処理容器１１を有し、この中に
被処理物である半導体ウエハ１を載せるためのステージ
１２が設けられている。ステージ１２は、図２のＣＶＤ
薄膜形成装置とは異なり、駆動部１３Ａによって３６０
°の回転運動と水平方向の往復運動ができるようになっ
ている。

【００２２】ステージ１２の１５ｍｍ程度上方には、厚
さ２０ｍｍ程度の合成石英ガラスを使用したガラス窓１
４が設けられている。ガラス窓１４の上には、ランプハ
ウス１５が設けられており、このランプハウス１５の中
に円筒状のランプ１６が複数配置されている。各ランプ
１６は、１７２ｎｍ程度の真空紫外光を放射するもの
で、平行に配置されて、むらの無い均一な真空紫外光を
照射することができるようになっている。

【００２３】ガラス窓１４とランプハウス１５の間に
は、このランプハウス１５からステージ１２上の半導体
ウエハ１の表面に照射される真空紫外光の照度分布を調
整するために、アルミニウム等で作製された遮光マスク
１９が配置されている。

【００２４】処理容器１１の上方の壁面には、原料ガス
２を注入するための注入口１７が設けられ、この注入口
１７からステージ１２上に載せられた半導体ウエハ１の
表面に、ＴＥＯＳ等の原料ガス２が注入されるようにな
っている。また、処理容器１１の下方の壁面には排気口
１８が設けられ、処理済みの排気ガスが排出されるよう
になっている。

【００２５】図３（ａ）〜（ｃ）は、図１中の遮光マス
ク１９のパターンを示す平面図である。これらの遮光マ
スク１９は、半導体ウエハ１の表面における真空紫外光
の照度分布を調整するものであり、周辺部から中心部に
かけて照度が徐々に小さくなるようなパターンとなって
いる。

【００２６】図３（ａ）の遮光マスクは、中心部の真空
紫外光を遮光する円形のパターンとなっている。例え
ば、半導体ウエハ１の直径が１５０ｍｍ程度の場合、遮
光マスク１９のパターンの直径は３０〜４０ｍｍであ
る。図３（ｂ）の遮光マスクは、直径３０ｍｍの円形
と、内径８５ｍｍ外径１００ｍｍの輪形のパターンを同
心円に配置したのものである。図３（ｃ）の遮光マスク
は、幅１０ｍｍ程度の帯状のパターンを十字型に組み合
わせたものである。また、図３（ｄ）の遮光マスクは、
幅５ｍｍ程度の帯状のパターンを格子型に組み合わせた
ものである。

【００２７】次に動作を説明する。まず、ステージ１２
の上に、被処理物である半導体ウエハ１を薄膜形成面を
上にして載せる。次に、注入口１７から、約１５０℃の
原料ガス２を注入する。更に、ランプ１６を点灯すると
共に、駆動部１３Ａによってステージ１２を介して半導
体ウエハ１に回転運動と水平方向の往復運動を与える。

【００２８】注入口１７から注入された原料ガス２は、
半導体ウエハ１とガラス窓１８の間に溜まると共に、処
理容器１１の内部にも広がる。半導体ウエハ１とガラス
窓１８の間隔は１５ｍｍ程度となっているので、この半
導体ウエハ１の中心部のガス濃度が周辺部に比較して高
くなる。一方、ランプハウス１６から照射された真空紫
外光は、遮光マスク１９によって、半導体ウエハ１の周
辺部から中心部にかけて照度が徐々に小さくなるように
照度分布が調整される。

【００２９】従って、半導体ウエハ１の中心部におい
て、原料ガス２の真空紫外光による分解が抑制される。
これにより、半導体ウエハ１の中心部に形成される薄膜
の厚さが制限され、中心部と周辺部でほぼ同一の厚さの
ＳｉＯ_２や低誘電率の薄膜が形成される。また、処理済
みの排気ガスは、処理容器１１の下方に設けられた排気
口１８から排出される。

【００３０】図４（ａ）〜（ｃ）は、図１のＣＶＤ薄膜
形成装置の効果を示す図であり、同図（ａ），（ｂ）
は、同図（ｃ）に示す半導体ウエハ１表面上の薄膜の膜
厚分布である。図４（ａ）は、半導体ウエハ１表面に形
成された横方向の直径上の点Ｘ１〜Ｘ７における膜厚分
布を、遮光マスク１９を用いた場合（実線）と、用いな
い場合（破線）について示している。同様に、図４
（ｂ）は、半導体ウエハ１表面に形成された縦方向の直
径上の点Ｙ１〜Ｙ７における膜厚分布を、遮光マスク１
９を用いた場合（実線）と、用いない場合（破線）につ
いて示している。但し、半導体ウエハ１の周辺部の６ｍ
ｍは、回路形成領域外であるので、膜厚の測定結果は示
していない。

【００３１】なお、この時の処理条件は、概略次のとお
りである。 遮光マスク１９の形状・寸法：図３（ｂ）に示す２重の
同心円型 半導体ウエハ１の直径：１５０mm 真空紫外光の強度：１０ mＷ／cm² （ガラス窓１４の半
導体ウエハ側） 原料ガス２の種類：ＴＥＯＳ（濃度１００％）及びＯ₂ 原料ガス２の注入量と温度：ＴＥＯＳ…５０cm³ ／min
，１５０℃ Ｏ₂ …５０cm³ ／min ，室温 処理容器１１内の圧力：８０Ｐa 処理時間：１０min ステージ１２の運動：固定

【００３２】これらの図４（ａ），（ｂ）に示すよう
に、遮光マスク１９を用いない場合には、図中の破線の
ように、半導体ウエハ１の中央部と周辺部で形成される
膜厚の差が大きくなっている。一方、遮光マスク１９を
使用することにより、図中の実線で示すように、中央部
と周辺部の膜厚の差が小さくなり、ほぼ均一な膜厚を持
つＣＶＤ膜が形成されることがわかる。

【００３３】以上のように、この第１の実施形態のＣＶ
Ｄ薄膜形成装置は、半導体ウエハ１に照射する真空紫外
光の照度分布を、周辺部から中心部にかけて照度が徐々
に小さくなるように調整するための遮光マスク１９を有
している。これにより、半導体ウエハ１の中心部と周辺
部でほぼ同一の厚さの薄膜を形成することができる。更
に、半導体ウエハ１を載せるステージ１２を回転させる
と共に、水平方向に往復運動を与える駆動部１３Ａを有
している。これにより、半導体ウエハ１に供給される原
料ガス２の濃度分布や、真空紫外光の照度分布を、均一
にすることが可能になり、厚さが均一でむらのない薄膜
を形成することができる。

【００３４】（第２の実施形態）図５は、本発明の第２
の実施形態を示すＣＶＤ薄膜形成装置の構成図であり、
図１中の要素と共通の要素には共通の符号が付されてい
る。

【００３５】このＣＶＤ薄膜形成装置は、図１のＣＶＤ
薄膜形成装置における遮光マスク１９及び駆動部１３Ａ
を削除すると共に、新たにガス導入管２０を設けたもの
である。ガス導入管２０は、半導体ウエハ１とガラス窓
１４の間に設けられ、注入口１７に注入された原料ガス
２を、半導体ウエハ１上に効率良く供給するためのもの
である。その他の構成は、図１と同様である。

【００３６】図６（ａ）〜（ｃ）は、図５中のガス導入
管２０の形状を示す平面図である。これらのガス導入管
２０は、内径６ｍｍ外径８ｍｍ程度の管を、円形、半円
形、または櫛形等に形成したもので、原料ガス２や真空
紫外光で侵されないようにアルミニウムやステンレス鋼
（ＳＵＳ）等の材料が用いられている。また、ガス導入
管２０の円形や櫛形の部分には、ステージ１２上の半導
体ウエハ１の表面に、原料ガス２を均一に吹き出すため
に直径１ｍｍ以下の吹出穴が多数設けられている。

【００３７】このようなＣＶＤ薄膜形成装置では、次の
ようにして半導体ウエハ１の表面に薄膜が形成される。

【００３８】まず、ステージ１２の上に、被処理物であ
る半導体ウエハ１を薄膜形成面を上にして載せる。次
に、ランプ１６を点灯すると共に、注入口１７から原料
ガス２を注入する。

【００３９】これにより、注入口１７から注入されたＴ
ＥＯＳ等の原料ガス２は、ガス導入管２０によって半導
体ウエハ１上に導かれ、このガス導入管２０に設けられ
た吹出穴から半導体ウエハ１の表面に供給される。

【００４０】半導体ウエハ１の表面に供給された原料ガ
ス２に、ランプ１６から放射された真空紫外光が均一照
射される。これによって、原料ガス２が分解され、Ｓｉ
Ｏ_２や低誘電率の薄膜が半導体ウエハ１の表面に形成さ
れる。また、処理済みの排気ガスは、処理容器１１の下
方に設けられた排気口１８から排出される。

【００４１】以上のように、この第２の実施形態のＣＶ
Ｄ薄膜形成装置は、注入口１７から半導体ウエハ１の上
まで原料ガス２を導くと共に、この半導体ウエハ１の表
面に原料ガス２を均一に供給するガス導入管２０を有し
ている。これにより、半導体ウエハ１の中心部と周辺部
でほぼ同一の厚さの薄膜を形成することができる。更
に、処理容器１１の内部に拡散される原料ガス２の量が
少なくできるので、原料の使用効率が高くなる。

【００４２】（第３の実施形態）図７は、本発明の第３
の実施形態を示すＣＶＤ薄膜形成装置の構成図であり、
図５中の要素と共通の要素には共通の符号が付されてい
る。

【００４３】このＣＶＤ薄膜形成装置は、図５のＣＶＤ
薄膜形成装置におけるガス導入管２０を削除すると共
に、新たに整流板２１を設けたものである。整流板２１
は、処理容器１１の底部から一定の距離を隔てて配置し
た板であり、原料ガス２及び排気ガスがこの処理容器１
１内部を均一に流れるように適切な寸法の穴を適切な間
隔で設けたものである。その他の構成は、図５と同様で
ある。

【００４４】このようなＣＶＤ薄膜形成装置では、注入
口１７から注入された原料ガス２は、処理容器１１内部
を均一に流れ、排気ガスが整流板２１に設けられた穴を
介して排気口１８に集められ、外部に排出される。

【００４５】以上のように、この第３の実施形態のＣＶ
Ｄ薄膜形成装置は、処理容器１１内の原料ガス２の流れ
を均一にするための整流板２１を有している。これによ
り、半導体ウエハ１上の原料ガス２の流れが均一にな
り、膜厚分布の均一な薄膜を形成することができる。

【００４６】（第４の実施形態）図８は、本発明の第４
の実施形態を示すＣＶＤ薄膜形成装置の構成図であり、
図５中の要素と共通の要素には共通の符号が付されてい
る。

【００４７】このＣＶＤ薄膜形成装置は、図５のＣＶＤ
薄膜形成装置におけるガス導入管２０を削除すると共
に、新たに温度制御板２２を設けたものである。温度制
御板２２は、ステージ１２上に設けられ、半導体ウエハ
１の表面温度分布を制御するするものである。即ち、温
度制御板２２は、半導体ウエハ１に対して周辺部から中
心部に向けて徐々に温度が高くなるような温度分布を形
成するようになっている。その他の構成は、図５と同様
である。

【００４８】このようなＣＶＤ薄膜形成装置では、半導
体ウエハ１の中心部のガス濃度が高くなり、真空紫外光
による原料ガス２の分解量が多くなる。しかし、半導体
ウエハ１の中心部は、温度制御板２２によって高い温度
になるように制御されているので、分解されたＳｉＯ_２
等が付着しにくくなり、表面の薄膜の形成量が減少す
る。これにより、半導体ウエハ１の中心部の薄膜の厚さ
が抑制され、膜厚分布の均一な薄膜を形成することがで
きる。

【００４９】以上のように、この第４の実施形態のＣＶ
Ｄ薄膜形成装置は、半導体ウエハ１の表面温度分布を制
御するための温度制御板２２を有している。これによ
り、半導体ウエハ１上の原料ガス２による薄膜形成速度
が制御され、膜厚分布の均一な薄膜を形成することがで
きる。

【００５０】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。この変形例としては、例
えば、次の（ａ）〜（ｅ）のようなものがある。

【００５１】（ａ） 説明中に示した材料や寸法は一例
であり、被処理物の材質や寸法に応じて適切なものを用
いることができる。

【００５２】（ｂ） 図１のＣＶＤ薄膜形成装置では、
ランプハウス１６とガラス窓１４の間に、照射する真空
紫外光の光量を制御するための遮光マスク１９を設けて
いるが、ランプ１７の表面の一部にアルミニウム等によ
る遮光マスクを取り付けても良い。

【００５３】（ｃ） 図１中の遮光マスク１９に代え
て、複数のランプ１７に供給する電力を制御し、これら
のランプ１７から出力される真空紫外光の強度を制御す
るようにしても良い。

【００５４】（ｄ） 図１中の駆動部１３Ａと遮光マス
ク１９、図５中のガス導入管２０、図７中の整流板２
１、及び図８中の温度制御板２２は、それぞれ単独で用
いているが、これらを任意に組み合わせて用いることが
できる。特に、処理対象の半導体ウエハ１のサイズが大
きい場合には、これらを組み合わせることにより、効果
的に均一な膜厚分布を有する薄膜を形成することができ
る。

【００５５】（ｅ） 真空紫外光を用いたＣＶＤ薄膜形
成装置は、原料ガス２を常温で使用することが特徴とな
っている。しかし、第４の実施形態で述べたように、温
度の高い箇所は薄膜が形成され難いという性質があるの
で、図１中の遮光マスク１９や図５中のガス導入管２０
を暖めることにより、ガラス窓１４が暖まり、これによ
ってガラス窓１４の薄膜による曇り防止ができる。

【００５６】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１及び第
２の発明によれば、半導体ウエハの中央部に照射される
真空紫外光の照度を低下させる遮光マスクを有してい
る。これにより、半導体ウエハの中央部において原料ガ
スの濃度が高くなっても、真空紫外光による分解量が減
少し、半導体ウエハ表面に均一な膜厚分布の薄膜を形成
することができる。

【００５７】第３及び第４の発明によれば、処理容器の
注入口に注入される原料ガスをステージに載せられた半
導体ウエハ上に導いて、この半導体ウエハ表面に供給す
るガス導入管を有している。これにより、半導体ウエハ
表面の原料ガスの濃度分布を均一に保つことが可能にな
り、この半導体ウエハ表面に均一な膜厚分布の薄膜を形
成することができる。更に、原料ガスの処理容器内への
拡散量が減少し、原料の効率的な利用が可能になる。

【００５８】第５の発明によれば、処理容器内の原料ガ
スと排ガスの流れの分布を均一になるように整える整流
板を有している。これにより、半導体ウエハ表面の原料
ガスの濃度分布を均一に保つことが可能になり、この半
導体ウエハ表面に均一な膜厚分布の薄膜を形成すること
ができる。

【００５９】第６の発明によれば、半導体ウエハの中央
部の温度が周辺部よりも高くなるように制御する温度制
御板を、この半導体ウエハとステージとの間に設けてい
る。これにより、半導体ウエハの中央部において原料ガ
スの濃度が高くなっても、この半導体ウエハの中央部の
温度が高くなっているので、形成される薄膜が薄くな
り、この半導体ウエハ表面に均一な膜厚分布の薄膜を形
成することができる。

【００６０】第７の発明によれば、半導体ウエハを載せ
るステージを、この半導体ウエハを載せた状態で回転運
動及び水平方向の往復運動が行えるように構成してい
る。これにより、半導体ウエハ表面に照射される真空紫
外光の照度や、原料ガスの濃度や、温度のむらがなくな
り、むらのない均一な膜厚分布の薄膜を形成することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態を示すＣＶＤ薄膜形成
装置の構成図である。

【図２】従来の真空紫外光を用いたＣＶＤ薄膜形成装置
の構成図である。

【図３】図１中の遮光マスク１９のパターンを示す平面
図である。

【図４】図１のＣＶＤ薄膜形成装置の効果を示す図であ
る。

【図５】本発明の第２の実施形態を示すＣＶＤ薄膜形成
装置の構成図である。

【図６】図５中のガス導入管２０の形状を示す平面図で
ある。

【図７】本発明の第３の実施形態を示すＣＶＤ薄膜形成
装置の構成図である。

【図８】本発明の第４の実施形態を示すＣＶＤ薄膜形成
装置の構成図である。

【符号の説明】

１ 半導体ウエハ ２ 原料ガス １１ 処理容器 １２ ステージ １３Ａ 駆動部 １４ ガラス窓 １５ ランプハウス １６ ランプ １７ 注入口 １８ 排気口 １９ 遮光マスク ２０ ガス導入管 ２１ 整流板 ２２ 温度制御板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 歳川 清彦 宮崎県宮崎郡清武町大字木原727番地 宮 崎沖電気株式会社内 (72)発明者 本山 理一 宮崎県宮崎郡清武町大字木原727番地 宮 崎沖電気株式会社内 (72)発明者 本川 洋右 宮崎県宮崎郡清武町大字木原727番地 宮 崎沖電気株式会社内 (72)発明者 八木 裕輔 宮崎県宮崎郡清武町大字木原727番地 宮 崎沖電気株式会社内 (72)発明者 横山 哲郎 宮崎県宮崎郡清武町大字木原727番地 有 限会社 宮崎マシンデザイン内 (72)発明者 宮野 淳一 宮崎県宮崎郡清武町大字木原727番地 有 限会社 宮崎マシンデザイン内 (72)発明者 市木 豊 宮崎県宮崎郡清武町大字木原727番地 有 限会社 宮崎マシンデザイン内 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA09 AA14 BA44 CA04 EA05 FA08 GA06 JA10 KA45 LA15 5F045 AA11 AB32 AC09 AC11 AD05 AE19 AF01 BB02 DP04 EB02 EB03 EG02 EK12 EM10

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウエハを載せるステージと、原料
   ガスを内部に注入する注入口及び排ガスを外部に排出す
   る排気口を有すると共に前記ステージ及び半導体ウエハ
   を外気から遮蔽する処理容器と、前記ステージに載せら
   れた半導体ウエハの表面に均一な照度で真空紫外光を照
   射するランプとを備えた真空紫外光ＣＶＤ装置におい
   て、 前記ランプと前記半導体ウエハが搭載された前記ステー
   ジ間に前記真空紫外光の一部を遮る遮光マスクを設けた
   ことを特徴とする真空紫外光ＣＶＤ装置。
2. 【請求項２】 前記遮光マスクは、円形、二重円形、十
   字形または格子形であることを特徴とする請求項１記載
   の真空紫外光ＣＶＤ装置。
3. 【請求項３】 半導体ウエハを載せるステージと、原料
   ガスを内部に注入する注入口及び排ガスを外部に排出す
   る排気口を有すると共に前記ステージ及び半導体ウエハ
   を外気から遮蔽する処理容器と、前記ステージに載せら
   れた半導体ウエハの表面に均一な照度で真空紫外光を照
   射するランプとを備えた真空紫外光ＣＶＤ装置におい
   て、 前記注入口に注入される原料ガスを前記ステージに載せ
   られた半導体ウエハへ導くと共に、該半導体ウエハ表面
   に供給するガス導入管を設けたことを特徴とする真空紫
   外光ＣＶＤ装置。
4. 【請求項４】 前記ガス導入管は、円形、半円形または
   櫛形であることを特徴とする請求項３記載の真空紫外光
   ＣＶＤ装置。
5. 【請求項５】 半導体ウエハを載せるステージと、原料
   ガスを内部に注入する注入口及び排ガスを外部に排出す
   る排気口を有すると共に前記ステージ及び半導体ウエハ
   を外気から遮蔽する処理容器と、前記ステージに載せら
   れた半導体ウエハの表面に均一な照度で真空紫外光を照
   射するランプとを備えた真空紫外光ＣＶＤ装置におい
   て、 前記処理容器内の前記原料ガスと排ガスの流れの分布が
   均一になるように整えると共に、該排ガスを前記排気口
   に導く整流板を設けたことを特徴とする真空紫外光ＣＶ
   Ｄ装置。
6. 【請求項６】 半導体ウエハを載せるステージと、原料
   ガスを内部に注入する注入口及び排ガスを外部に排出す
   る排気口を有すると共に前記ステージ及び半導体ウエハ
   を外気から遮蔽する処理容器と、前記ステージに載せら
   れた半導体ウエハの表面に均一な照度で真空紫外光を照
   射するランプとを備えた真空紫外光ＣＶＤ装置におい
   て、 前記ステージと半導体ウエハの間に配置され、該半導体
   ウエハの中央部の温度が周辺部よりも高くなるように制
   御する温度制御板を設けたことを特徴とする真空紫外光
   ＣＶＤ装置。
7. 【請求項７】 前記ステージは、前記半導体ウエハを載
   せた状態で回転運動及び水平方向の往復運動を行うよう
   に構成したことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか
   に記載した真空紫外光ＣＶＤ装置。