KR100385581B1 - 회로 기판의 표면 처리 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 또는 무기 물질로 이루어진 기판의 표면 처리 방법에 관한 것으로, 반응성 단편, 특히 라디칼 또는 이온이 자외선 방사선에 의해 생성된다; 상기 자외선 방사선은 소정의 거리를 두고 떨어져 배치되고 기체로 채워지며 벽이 절연체로 형성되는 연장된 방전실을 구비하고, 이 방전실로부터 떨어져서 대면하는 측면상에 적어도 1개의 전극이 설치되는 적어도 1개의 자외선 방사기에 의해 수행된다; 조사되는 동안 조사되는 표면에 간단한 방법으로 강렬하고 균일한 조도를 달성하기 위하여 방사기와 기판 표면 사이의 비교적 적은 간격으로 상기 기판 및 자외선 방사기 사이에서 병진 및/또는 회전 상대 운동이 수행된다.
상기 처리는 특히 실리콘 기판 또는 유리 기판에 처리된다.
(a) 예를 들어 광저항 또는 에어로졸의 제거와 같은 기판 표면의 세척 및 자외선 방사선(상기 표면 구조를 해체하는 광자) 하에서 오존과 산소 라디칼을 포함하는 상기 기판의 표면 산화에 의하여 분자 표면 구조를 변경하기 위한 목적
(b) 기체 상(방사기와 기판 표면 사이)으로부터 형성되어 상기 기판 표면 상에 정치되는 반응 단편에 의해 기판 표면의 코팅(층의 형성)및 이 코팅을 적층하기 위한 목적

Description

회로 기판의 표면 처리 방법 및 장치{METHOD FOR TREATING SURFACES OF SUBSTRATES AND APPARATUS}
벽이 절연체로 형성되며 기체로 채워지는 연장된 방전실을 구비하고, 상기 방전실로부터 떨어져서 대면하는 측면상에 적어도 1개의 전극이 설치되며, 소정의 거리를 두고 배치되는 자외선 방사기에 의한 자외선 방사선에 의해 반응성 단편, 특히 라디칼 또는 이온이 형성되는 유기 또는 무기 물질로 된 기판의 표면 처리 방법 및 장치에 관한 것이다.
상기 방법은 특히 실리콘 기판 또는 액정 표시 장치(LCD)용 유리 기판과 같은 반도체 기술용 기판의 처리에 관한 것이다.
유럽 특허 공보 제 0 510 503 A2 호에서는 섬유, 양털, 직물 또는 필름의 형태로 형성될 수 있는 기판의 표면을 세척하거나 또는 변경하는 방법이 공지되어 있다. 상기 기판을 세척 또는 변경하기 위하여 반응성 라디칼이 60 ㎚ 내지 350 ㎚ 사이의 파장을 가지는 자외선으로 기체 분자를 조사(irradiation)함으로써 형성된다. 이렇게 형성된 라디칼은 상기 기판의 표면과 반응하게 된다. 상기 라디칼을 형성하기 위해서 산소, 암모니아, 염소, 플루오르, 염화 수소, 플루오르화 수소, 질소 산화물 분자가 자외선 방사선으로 처리되고, 유럽 특허 제 0 254 111 A1 호에 공지된 고전력 자외선 방사기가 사용되어야 한다. 이 고전력 자외선 방사기는 한 측면에서 냉각되는 금속 전극 및 절연체로 한정되며, 비활성 기체 또는 기체 혼합물로 채워지는 방전실로 구성되는 한편, 상기 절연체와, 방전실로부터 떨어져서 대면하는 절연체의 표면에 놓여진 또 다른 전극은 무성 방전에 의해 생성되는 방사선에 통과된다. 이러한 방법으로 고효율의 광역 자외선 방사기가 만들어지고, 이 방사기는 유효 전극 표면의 50 ㎾/㎡ 이상의 고전력 밀도에서 작동될 수 있다.
또한, 독일 특허 공보 제 197 41 668 A1 호에는 방전실로부터 떨어져서 대면하는 표면상에 절연 물질에 의해 서로 전기적으로 절연된 적어도 하나의 전극쌍이 표면 대 표면으로 접촉하는 방전실을 한정하는 유전 물질로된 튜브형 램프를 구비하는 방전램프가 공지되어 있다. 상기 램프 튜브는 상기 방전실을 둘러싸는 환형의 갭(gap)을 형성하는 덮개 튜브에 의해 둘러싸여져 있고, 상기 램프 튜브 내부는 상기 전극이 배치되는 곳에서 상기 절연 물질에 의해서 서로로부터 절연된 분리실로 나뉘어진다. 상기 전극의 위치 선정은 방출되는 빛의 가능한 차광에 대하여 상당히 개선되고, 이것에 의하여 어떠한 외벽의 열이라도 피할 수 있는 것이 장점이다.
유럽 특허 공보 제 0 661 110 B1 호에는 목적물의 산화를 위한 방법이 공지되는데, 여기서는 캡슐화된 크세논 기체를 포함하는 장벽 방전램프(절연적으로 방해받는 방전)로부터 진공 자외선 방사선으로 산소를 함유하는 유체를 조사함에 의해, 오존 및 활성화된 산소가 상기 산소를 함유하는 유체와 상기 자외선 방사선 사이에서 광화학적 반응에 의해 생성된다; 처리되는 목적물은 오존 및 활성화된 산소와 접촉하게 되고, 진공 자외선 방사선의 간섭에 의해 산화된다. 상기 공정에 따라 상기 장벽 방전램프에 의해 상기 목적물로 방출되는 상기 자외선 방사선의 통과 거리 "d" 는 가능한 한 짧아야 하고, 산소 부분압 p(㎪ 단위내)는 주어진 알고리즘에 따라 상기 방전램프와 상기 목적물 사이의 영역에서 설정되어야 한다.
d x p 에 대해 주어진 값은 60.8보다는 적고, 여기서 d는 센티미터 단위로 측정되며, p는 대기압 내이다. 이러한 방법으로, 상승된 산화율에 부가하여, 향상된 세척 효과가 더 짧은 처리 주기에 의해 달성되는 것으로 나타난다.
상기 기술의 기재에서, 방사기와 표면 사이의 최소 거리를 유지하는 동안 조사된 표면의 균일한 조도가 얻어지고, 다른 한편으로는 비교적 단거리에서만 다시 말해, 비록 불규칙적인 방사선 밀도가 얻어진다 하더라도 높은 방사선 강도가 유지될 수 있다는 점이 문제점임이 입증된다.
비록 몇몇 방사기를 사용함으로서 상기 방사선의 균일성을 향상시킬 수 있다 하더라도, 균일성의 어떠한 부족이 상기 방사기 레스터(raster) 때문에 일어난다. 또한, 단지 1개의 방사기라도 고장나게 되면, 방사기의 완전한 세트는 상기 방사기의 노화 진행에서의 차이에 의한 불규칙을 피하기 위하여 교체되어야만 한다.
본 발명의 목적은 상술한 유럽 특허 공보 제 0 510 503 A2 호로부터 상세히 설명된 것를 제공하고, 처리되는 표면상에 균일하게 분포되는 높은 강도의 방사선을 제공하고, 공지된 생산 공정에서의 중간 단계로서 저비용으로 상기 방사선을 사용하도록 하기 위하여 상기 방사기와 처리될 표면 사이를 가능한 한 단거리가 되도록 함으로써 실제 방사 시간을 단축시키는 것을 제공한다. 또한, 도입부에서 언급한 기술의 기재에 따라 가능한 한 고전력 방사기가 사용될 수 있다.
상기 목적은 조사되는 동안 상기 기판과 상기 자외선 방사기 사이에서 병진 운동 및/또는 상대 회전 운동이 수행되는 방법에 의해 달성된다.
전체 공정에서 하나의 공정 단계동안 필요한 조사 시간을 증가할 필요없이 비교적 단거리에서 기판에 걸쳐 1개의 방사기, 몇몇의 경우에는 2개 또는 그 이상의 방사기를 이동시키는 위한 실시예에 있어서 충분한 정도로 강한 고전력 방사기의 강도가 특히 유리하다는 것이 입증된다.
따라서, 방사되는 상기 표면의 균일한 조도가 간단한 방법으로 성취될 수 있다.
또한, 본 발명에 의한 방법이 하기 목적을 위해 적절하다는 것이 입증된다.
(a) 예를 들어 광저항 또는 에어로졸의 제거와 같은 기판 표면의 세척 및 자외선 방사선(상기 표면 구조를 해체하는 광자) 하에서 오존과 산소 라디칼을 포함하는 상기 기판의 표면 산화에 의하여 분자 표면 구조를 변경하기 위한 목적
(b) 기체 상(방사기와 기판 표면 사이)으로부터 형성되어 상기 기판 표면 상에 정치되는 반응 단편에 의해 기판 표면의 코팅(층의 형성)및 이 코팅을 적층하기 위한 목적(방출된 광자는 더 이상 코팅을 방해하지 않음)
상기 공정의 유리한 실시예는 청구항 2 내지 청구항 9 에 기술된다. 상기 공정의 바람직한 실시예에서, 산소, 암모니아, 염소, 플루오르, 염산, 플루오르화 수소산, 수소, 질소 산화물 분자 및/또는 실란 화합물이 상기 라디칼을 형성하기 위해 60 ㎚ 에서 350 ㎚ 사이의 파장을 가지는 자외선 방사선으로 처리되고, 개개의 물질 또는 복수 물질의 혼합물을 처리하는 것도 가능하다.
172 ㎚ 사이의 파장을 가지는 엑시머 방사기(크세논 방사기)를 사용하는 것도 바람직한데, 이 경우에 방사기의 강도는 통상의 방사기에 비해 매우 강해 상대 운동을 통한 비교적 단시간의 처리로 끝난다.
산소 분자의 분열 및 반응성 단편 O(³P) 및 O(¹D) 단편의 형성 또는 오존 형성에 관하여, 상기 처리는 대기 조건 및 대기압 하에서 수행된다; 그러나 진공 또는 감소된 압력하에서도 상기 절차를 수행하는 것이 가능한데, 이 경우에는 상기 라디칼 분자의 형성에 사용되는 물질은 상기 자외선 방사기와 상기 기판 표면 사이의 영역에 위치된다.
본 발명의 바람직한 실시예에서는 상기 방전램프가 상기 기판에 대해 그것의 튜브형 방전실의 종방향 축에 수직한 경로를 따라 이동되는데, 즉, 상기 기판이 고정된 튜브형 방전실의 종방향 축에 수직하게 움직일 수도 있다. 이러한 경우, 상기 기판의 넓은 영역의 급속 처리가 상기 자외선 방사기와 상기 기판 표면 사이에서 단거리를 통과하는 높은 자외선 강도로 인해 가능하다는 것이 유리한 것으로 입증된다.
본 발명의 추가적인 바람직한 실시예에서는 상기 방전램프가 상기 기판에 대해 그것의 튜브형 방전실의 종방향 축에 평행하게 이동된다. 이러한 조사는 고정된 상기 방전램프를 포함하는 연장된 기판 또는 연속적인 스트립(strip) 물질 형태의 기판에 특히 실용적이다.
본 발명의 또 다른 실시예에서는 상기 방전램프가 그것의 방전실의 종방향 축을 중심으로 회전되고, 상기 기판에 대해 이동되며, 이것은 연장된 방전실의 일단부는 적어도 대략적으로 회전 중심에 있으며, 반면 타단부는 상기 회전의 중심점에 접하는 방향으로 이동하고 또는 고정 방전램프의 경우 상기 기판이 이동하는 것을 의미한다. 따라서, 유리하게도 기판 또는 다른 방법에서 기판으로 사용되는 웨이퍼의 개개 영역을 조사하거나 그렇지 않으면 처리할 수 있다.
또한, 방전램프를 상기 연장된 방전실의 중심에서 회전점을 중심으로 기판 표면 위에서 회전하게 하는 것도 가능하다. 다시 말하면, 상기 기판은 연장된 그리고 정적인 튜브형 방전램프 아래에서 또한 회전될 수 있다. 따라서, "상대적" 및 "상기 기판 표면위" 라는 용어는 상기 방전램프 또는 상기 기판이 병진 또는 회전 운동되고, 반면에 상기 방전램프의 위치가 조사되는 상기 기판 표면의 위 또는 아래에 위치될 수 있음을 의미한다.기체로 채워지고 벽이 절연체로 형성되는 연장된 방전실을 포함하고, 이 방전실로부터 떨어져서 대면하는 측면에 적어도 1개의 전극이 설치되는 자외선 방사기에 의하여 유기 또는 무기 물질로 이루어지는 기판의 표면을 처리하는 장치의 제 1 실시예에서, 상기 목적은 적어도 1개의 자외선 방사기가 방사 유닛 내부에 설치되고, 여기서 이 장치는 상기 기판과 상기 자외선 방사기 사이의 상대적인 병진 운동을 위한 적어도 하나의 이동 수단을 가진다는 점에서 본 발명에 의해 해결된다.
상기 장치의 바람직한 실시예에서, 상기 대체 수단의 운동은 제어가 가능한 구동기에 의해 생성된다.
기판과 자외선 방사기(들) 사이의 이러한 상대 운동 시스템이 사용되는 경우, 실제상의 광역 방사 유닛에 비해 훨씬 더 적은 방사기가 사용되고, 따라서 작동되는 동안 더 적은 방사기가 교체되는 것이 요구되고 궁극적으로 작동 비용 또한 감소한다.
상기 목적은 벽이 절연체로 형성되며 기체로 채워지는 연장된 방전실을 구비하고, 상기 방전실로부터 떨어져서 대면하는 측면상에 적어도 1개의 전극이 설치되며, 소정의 거리를 두고 배치되는 방전램프와 같은 적어도 1개의 자외선 방사기에 의한 자외선 방사선에 의해 유리 또는 무기 물질로된 기판의 표면을 처리하는 장치의 제 2 실시예에 대한 본발명에 따라 적어도 1개의 자외선 방사기가 방사 유닛 내에 설치되고, 상기 장치는 기판과 방사 유닛 사이의 상대 회전 운동을 위한 적어도 1개의 회전 요소를 갖는다는 점에서 달성된다.
상기 장치의 제 2 실시예의 바람직한 구성에서 상기 회전 요소는 회전 운동의 생성을 위하여 제어 가능한 구동기에 연결된다.
방전램프와 기판 사이의 상대 회전 운동의 경우에 있어서, 단일 방사기를 가지고 균일한 방사선이 저렴한 방법으로 가능하고, 상기 기판의 표면이 예를 들면, 세척, 표면의 조직화 및 코팅, 그리고 층 형성 코팅과 같은 연속하는 단계를 가진 상이한 처리 구역으로 분할될 수 있다는 점이 유리한 것으로 입증된다.
이하, 도 1, 도 2, 도 3a, 및 도 3b를 참조호 본 발명의 중요한 사항이 더욱 상세히 설명된다.
도 1은 고정 홀더(holder) 내에 포함된 기판 위에 소정의 거리를 두고 배치되는 자외선 방사기를 포함하며 병진적으로 구동되는 방사 유닛의 개략적인 종방향 단면(자외선 방사기의 종방향 축을 가로질러 획득됨)도,
도 2는 고정 자외선 방사기(자외선 방사기의 종방향 축을 가로지르는 단면에서)가 배치된 고정 방사 유닛을 갖는 및 병진 운동을 위해 설치되는 기판의 개략도,
도 3a는 회전 마운팅(mounting)내에 기판을 포함하고, 여기서 상기 기판의 표면은 방사 유닛으로부터 자외선 방사기로 작용하는 방전램프에 의해 조사되는 장치의 개략도,
도 3b는 방사기가 기판 표면 위에서 소정의 거리를 두고 떨어져서 위치됨을 도시하는, 도 3a에 의한 개략적인 종방향 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 설명 *
1, 1′, 1″: 기판 2 : 핀
3 : 고정 마운팅 3′, 3″: 마운팅
4 : 자외선 방사기 5 : 방사 유닛
7 : 기판과 자외선 방사기 사이의 영역
9 : 자외선 방사기의 종방향 축 10 : 유입구
13 : 휠 14, 14′: 레일
17 : 적외선 방사기 20, 21 : 측면 개구부
22 : 베어링 24 : 자외선 방사선
25 : 광 출구 홈
도 1에서 상기 기판(1)은 고정 마운팅(3)에 존재하고, 예를 들어 코팅 작동 동안 상기 기판(1)의 저면에서 적외선 방사기(17)에 의해 최적의 가열을 허용하는 핀(2)에 의해 일정한 레벨에서 지지된다; 이러한 마운팅은 예를 들어 미국 특허 공보 제 4,687,544 호에서 공지된다. 그러나 상기 기판(1)의 가열이 필요되지 않는 경우에는 상기 기판은 이하 도 2와 연관하여 기술되는 바와 같이 마운팅 내의 넓은 홈에 배치될 수도 있다.
또한, 도 1에서 방사 유닛(5)은 상기 기판(1) 위에 도시되고, 이것의 내부에 자외선 방사기(4)를 갖는다. 상기 방사 유닛(5)와 상기 기판(1) 사이의 적어도 1개의 측면 개구부(20, 21)를 통하여, 기체가 반응성 단편을 형성하기 위해 전달되는 한편, 상기 자외선 방사가 자외선 방사기(4)와 상기 기판(1) 사이의 영역내의 기체상 뿐만 아니라 상기 기판(1)의 표면상에 작용된다. 조사되는 기체로서 대기 공기가 사용되는 경우에는, 자연적인 대류에 의해 전달될 수 있다; 그러나 측면 노즐을 통해 다른 기체를 전달하는 것도 또한 가능하다. 상기 방사 유닛(5)은 레일(14)을 따라 휠(13)의 이동에 의해 배치되고, 이 병진 운동 방향은 화살표(X) 에 의해 표현된다; 상기 방사 유닛(5)의 병진 운동은 도시되지 않은 제어 가능한 모터, 바람직하게는 선형 모터에 의해 방향(X) 및 그 반대 방향으로 일어난다. 단면으로 도시되는 상기 자외선 방사기(4)의 종방향 축은 번호(9)에 의해 인지된다.
매우 신속하면서도 완벽한 상기 기판(1)의 처리를 가능하게 하기 위해서는 연장된 자외선 방사선 공급원(4)이 바람직하고, 이것의 길이는 예를 들어 기판으로서 사용되는 원형 웨이퍼(wafer)의 직경과 같이 적어도 기판의 최소 크기에 상응한다. 상기 기판(1)과 상기 자외선 방사기(4) 사이의 거리는 D 로 표시된다. 대기 조건이 존재하는 경우에 이것은 1 내지 10 ㎜의 범위를 가진다.
실제적인 반응은 상기 방사기(4)와 기판(1) 사이의 영역(7)에서 발생하는 한편, 상기 방사기(4)에 의해 방출되는 방사선은 처리되는 분자에 의해 그것을 변화시킬 목적으로 흡수되며, 다른 한편으로 상기 표면 처리를 위한 상기 기판(1) 상에 방사선의 충분한 세기를 달성하기 위해 여전히 충분한 방사선의 강도가 존재한다.
이러한 배치는 기판 표면의 코팅뿐만 아니라 세척 및 표면 조직화에 적합하다.
다른 한편으로, 자외선 방사선을 흡수하지 못하는 질소 또는 다른 비활성 기체가 상기 방사기(4)의 상부에 위치되는 유입구(10)를 통해 공급되는 경우, 더 낮은 흡수로 인하여 더 큰 거리(D)를 설정하는 것이 가능하다.
또한, 거리 D 는 상기 기판 표면의 코팅 또는 층 코팅의 경우처럼 광자를 가진 기판 표면의 방사선이 더 이상 필요하지 않을 경우에는 대기 조건하에서 또한 증가될 수 있다.
도 2는 도 1에서 도시된 것과 유사한 기본적 구성을 도시하지만, 여기서는 방전램프로서 작용하는 상기 자외선 방사기(4)를 포함하는 방사 유닛(5)이 고정되는 반면, 상기 기판(1´)은 마운팅(3´)내의 넓은 홈에 존재한다.
상기 마운팅(3´)은 휠(13) 상에서 레일(14´)을 따라 이동이 가능하고, 따라서, 상기 기판(1´)이 상기 자외선 방사기(4)의 X 축을 따라 이동하면서 전체 길이에 걸쳐 조사될 수 있다. 상기 기판(1´)의 전체 표면에 걸쳐 균일한 노출을 획득하기 위해서 상기 마운팅(3´)은 도시되지 않은 제어 가능한 구동 수단에 의해 X 축을 따라 구동된다. 여기서, 단면으로 도시된 상기 자외선 방사기(4)의 종방향 축은 참조 번호(9)에 의해 인지된다.
최대 치수에 따라 자외선 방사기의 튜브형 방전실의 종방향 축에 평행하게 이동되는 연장된 기판 또는 리본 형태의 기판의 경우에는, 도 1 및 도 2에 도시된 것과 유사한 장치가 사용된다; 즉, 이러한 경우에는 상기 자외선 방사기의 종방향 축은 X 방향에 평행하게 뻗는다.
또한, 상기 연속적인 리본형 물체의 이동을 위해서 회전하는 컨베이어 벨트에 의해 X 방향 및 상기 종방향 축에 수직하게 이것을 이동시키는 것이 가능하다.
또한 조사되는 기체의 전달은 도 1과 관련하여 기술된 장치에서와 비슷한 방법으로 수행된다.
도 3a에 있어서, 상기 기판(1˝)은 외부 윤곽에서 원통형 마운팅(3˝) 내에 안전하게 자리잡기 위하여 꼭들어맞는 홈 내에 끼워지며, Z 축에 대해 회전하기 위하여 베어링(22) 상에 지지된다.
방사 유닛(5) 내에서 방전램프로서 작용하는 상기 연장된 자외선 방사기(4)의 종방향 축(9)은 상기 회전축 Z 에 수직한 수평 방향으로 뻗어 있다. 도 3b에 있어서, 화살표(24)에 의해 상징적으로 도시되는 자외선 방사선은 종방향 단면(종방향 축(9)을 따라 획득됨)에서 개략적으로 도시되는 상기 자외선 방사기(4)로부터 발생하고, 상기 기판(1˝)의 표면을 향하여 상기 축(Z)에 평행(반대 방향으로)하며, 이 방사선은 광 출구 홈(25)을 통해 상기 기판(1˝)의 정확히 한정된 영역으로 직접 향한다. 상기 기판(1˝)은 도시되지 않은 제어 가능한 모터에 의해 회전되거나 또는 순차 진행 회전된다. 상기 기판(1˝)의 영역이 방사되는 동안 방사선에 의해 충돌되지 않는 영역은 또 다른 방법에 의해 가공될 수 있다면, 또한 세척, 표면 텍스쳐링 및 코팅과 같은 다음의 공정 단계를 연속적으로 그리고 간단한 방법으로 수행하기 위하여 제 2 및 제 3 방사기를 사용하는 것도 가능하다는 것이 유리한 것으로 입증되었다.
기체의 전달은 더 용이한 이해를 위하여 도 3a 및 도 3b에서 생략된다; 이것은 도 1 및 도 2에서 설명된 장치와 유사한 방법으로 수행된다.
상기 마운팅(3, 3´, 3˝)은 비교적 얇거나 또는 정교한 기판을 위하여 충분히 부드러운 저마멸의 방식성 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명은 유기 또는 무기 물질로 이루어진 기판의 표면 처리 방법에 관한 것으로, 조사되는 동안 상기 기판과 상기 자외선 방사기 사이에서 상대 병진 운동 및/또는 상대 회전 운동을 통하여 처리되는 표면상에 균일하게 분포되는 높은 강도의 방사선을 제공하고, 공지된 생산 공정에서의 중간 단계로서 저비용으로 상기 방사선을 사용하도록 하기 위하여 상기 방사기와 처리될 표면 사이를 가능한 한 단거리가 되도록 함으로써 실제 방사 시간을 단축시키는 효과가 있다.

Claims (13)

  1. 벽이 절연체로 형성되며 기체로 채워지는 연장된 방전실을 구비하고, 상기 방전실로부터 떨어져서 대면하는 측면상에 적어도 1개의 전극이 설치되며, 소정의 거리를 두고 배치되는 방전램프와 같은 적어도 하나의 자외선 방사기에 의한 자외선 방사선에 의해 반응성 단편, 특히 라디칼 또는 이온이 형성되는 유기 또는 무기 물질로 된 기판의 표면 처리 방법에 있어서,
    방사되는 동안, 상기 기판과 상기 자외선 방사기 사이에 상대 병진 운동 및/또는 상대 회전 운동이 발생하는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 라디칼의 형성을 위하여 산소, 암모니아, 염소, 플루오르, 염산, 플루오르화 수소산, 수소, 질소 산화물 분자 및/또는 실란 화합물이 자외선에 의해 조사되는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 방법.
  3. 제 1항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 라디칼의 형성을 위하여 상기 분자가 60 ㎚ 내지 350 ㎚ 사이의 파장을 가지는 자외선 방사선에 의해 조사되는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 분자가 172 ㎚ 의 파장을 가지는 엑시머 방사선에 의해 조사되는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 자외선 방사기로 고전력 자외선 방사기가 사용되는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 처리가 대기 조건 및 대기압 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 처리가 감소된 압력 또는 진공하의 반응기내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 방전램프는 상기 기판에 대하여 그것의 튜브형 방전실의 종방향 축에 수직 또는 평행한 경로를 따라 이동되는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 방전램프는 상기 기판에 대하여 그것의 방전실의 종방향 축을 중심으로 회전하며 이동되는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 방법.
  10. 벽이 절연체로 형성되며 기체로 채워지는 연장된 방전실을 구비하고, 상기 방전실로부터 떨어져서 대면하는 측면상에 적어도 1개의 전극이 설치되며, 소정의 거리를 두고 배치되는 방전램프와 같은 적어도 1개의 자외선 방사기에 의한 자외선 방사선에 의해 유기 또는 무기 물질로 된 기판의 표면을 처리하는 장치에 있어서,
    적어도 1개의 자외선 방사기(4)가 방사 유닛(5) 내에 설치되고, 상기 장치가 기판(1, 1´)과 방사 유닛(5) 사이의 상대 병진 운동을 위하여 적어도 1개의 이동 요소를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 이동 요소는 제어 가능한 구동 모터에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 장치.
  12. 벽이 절연체로 형성되며 기체로 채워지는 연장된 방전실을 구비하고, 상기 방전실로부터 떨어져서 대면하는 측면상에 적어도 1개의 전극이 설치되며, 소정의 거리를 두고 배치되는 방전램프와 같은 적어도 1개의 자외선 방사기에 의한 자외선 방사선에 의해 유기 또는 무기 물질로 된 기판의 표면을 처리하는 장치에 있어서,
    적어도 1개의 자외선 방사기(4)가 방사 유닛(5) 내에 설치되고, 상기 장치가 기판(1˝)과 방사 유닛(5) 사이의 상대 회전 운동을 위한 적어도 1개의 회전 요소를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 회전 요소가 제어 가능한 구동 모터에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 장치.
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