JP2001232317A - 基体の表面を処理するための方法および装置 - Google Patents
基体の表面を処理するための方法および装置Info
- Publication number
- JP2001232317A JP2001232317A JP2000358253A JP2000358253A JP2001232317A JP 2001232317 A JP2001232317 A JP 2001232317A JP 2000358253 A JP2000358253 A JP 2000358253A JP 2000358253 A JP2000358253 A JP 2000358253A JP 2001232317 A JP2001232317 A JP 2001232317A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- irradiator
- substrate
- irradiation
- discharge chamber
- treating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/08—Preparation of the foundation plate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
- B08B7/0057—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by ultraviolet radiation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
Abstract
(57)【要約】
【課題】 欧州特許公開第０５１０５０３号明細書を起
点として、処理したい表面にわたって均一に分配される
強度の高い照射を利用し、実際の照射時間は、ＵＶ照射
器と処理したい表面との間の距離ができるだけ小さいこ
とにより短く保ち、これにより場合によっては、既に行
われている生産方法の中間ステップとしてこのような照
射を安価に行う。さらに可能性に応じて、従来の技術の
高出力ＵＶ照射器が使用されると望ましい。 【解決手段】 照射中に、基体とＵＶ照射器との間で、
並進的な及び／又は回転的な相対運動を行わせる。
点として、処理したい表面にわたって均一に分配される
強度の高い照射を利用し、実際の照射時間は、ＵＶ照射
器と処理したい表面との間の距離ができるだけ小さいこ
とにより短く保ち、これにより場合によっては、既に行
われている生産方法の中間ステップとしてこのような照
射を安価に行う。さらに可能性に応じて、従来の技術の
高出力ＵＶ照射器が使用されると望ましい。 【解決手段】 照射中に、基体とＵＶ照射器との間で、
並進的な及び／又は回転的な相対運動を行わせる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機物または無機
物から成る基体の表面を処理するための方法および装置
であって、所定の間隔をおいて配置されたＵＶ照射器に
よるＵＶ照射によって反応性のフラグメント、特にラジ
カルまたはイオンを生ぜしめ、前記ＵＶ照射器は、ガス
充填された縦長の放電室を有しており、該放電室の壁は
誘電体によって形成されていて、該誘電体の放電室とは
反対側の面に少なくとも１つの電極が設けられている形
式の方法および装置に関する。
物から成る基体の表面を処理するための方法および装置
であって、所定の間隔をおいて配置されたＵＶ照射器に
よるＵＶ照射によって反応性のフラグメント、特にラジ
カルまたはイオンを生ぜしめ、前記ＵＶ照射器は、ガス
充填された縦長の放電室を有しており、該放電室の壁は
誘電体によって形成されていて、該誘電体の放電室とは
反対側の面に少なくとも１つの電極が設けられている形
式の方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この方法は特に、例えば液晶表示（ＬＣ
Ｄ）のためのシリコン基体またはガラス基体のような、
半導体技術のための基体を処理するために使用される。
Ｄ）のためのシリコン基体またはガラス基体のような、
半導体技術のための基体を処理するために使用される。
【０００３】欧州特許公開第０５１０５０３号明細書に
より、繊維または不織布または製織品またはシートとし
て形成することができる基体の表面を洗浄もしくは修正
するための方法が公知である。表面を洗浄もしくは修正
するために、反応性のラジカル（反応基）が、６０〜３
５０ｎｍの波長を有するＵＶ光によるガス分子の照射に
よって形成される。このように形成されたラジカルが基
体の表面に、反応させるためにもたらされる。ラジカル
を形成するために、酸素、アンモニア、塩素、フッ素、
塩化水素、フッ化水素、一酸化二窒素がＵＶ光線によっ
て処理される。この場合、ＵＶ線を形成するために、欧
州特許公開第０２５４１１１号明細書により公知のＵＶ
高出力ＵＶ照射器が使用されると有利である。この高出
力ＵＶ照射器は、片側で冷却される金属電極と誘電体と
によって制限された、希ガスまたは混合ガスを充填され
た放電室から成っており、この場合、誘電体および、誘
電体の、放電室とは反対側の表面上に位置する別の電極
とは、無声放電により生ぜしめられる照射のために透過
性である。このようにして、高い効率を有する大面積の
ＵＶ照射器が形成される。このＵＶ照射器は、アクティ
ブな電極表面の、５０ｋＷ／ｍ2までの高い電気的な出
力密度によって働く。
より、繊維または不織布または製織品またはシートとし
て形成することができる基体の表面を洗浄もしくは修正
するための方法が公知である。表面を洗浄もしくは修正
するために、反応性のラジカル（反応基）が、６０〜３
５０ｎｍの波長を有するＵＶ光によるガス分子の照射に
よって形成される。このように形成されたラジカルが基
体の表面に、反応させるためにもたらされる。ラジカル
を形成するために、酸素、アンモニア、塩素、フッ素、
塩化水素、フッ化水素、一酸化二窒素がＵＶ光線によっ
て処理される。この場合、ＵＶ線を形成するために、欧
州特許公開第０２５４１１１号明細書により公知のＵＶ
高出力ＵＶ照射器が使用されると有利である。この高出
力ＵＶ照射器は、片側で冷却される金属電極と誘電体と
によって制限された、希ガスまたは混合ガスを充填され
た放電室から成っており、この場合、誘電体および、誘
電体の、放電室とは反対側の表面上に位置する別の電極
とは、無声放電により生ぜしめられる照射のために透過
性である。このようにして、高い効率を有する大面積の
ＵＶ照射器が形成される。このＵＶ照射器は、アクティ
ブな電極表面の、５０ｋＷ／ｍ2までの高い電気的な出
力密度によって働く。
【０００４】さらにドイツ連邦共和国特許出願公開第１
９７４１６６８号明細書により公知の放電ランプは、誘
電的な材料から成る、放電室に隣接するランプ管を有し
ている。ランプ管の、放電室とは反対側の表面には、平
面上に接触する、絶縁手段により互いに電気的に絶縁さ
れている電極対が配置されている。ランプ管は、放電室
を取り囲むリングギャップを形成しながら、スリーブ管
によって取り囲まれている。この場合、ランプ管内部
は、絶縁手段によって、電気的に互いに絶縁される部分
室に分割されている。これらの部分室の内側には電極が
配置されている。従って有利には、電極の位置決めが、
光流出の遮蔽部に関して著しく改善される。この場合、
外側の壁の過剰な加熱も回避される。
９７４１６６８号明細書により公知の放電ランプは、誘
電的な材料から成る、放電室に隣接するランプ管を有し
ている。ランプ管の、放電室とは反対側の表面には、平
面上に接触する、絶縁手段により互いに電気的に絶縁さ
れている電極対が配置されている。ランプ管は、放電室
を取り囲むリングギャップを形成しながら、スリーブ管
によって取り囲まれている。この場合、ランプ管内部
は、絶縁手段によって、電気的に互いに絶縁される部分
室に分割されている。これらの部分室の内側には電極が
配置されている。従って有利には、電極の位置決めが、
光流出の遮蔽部に関して著しく改善される。この場合、
外側の壁の過剰な加熱も回避される。
【０００５】欧州特許第０６６１１１０号明細書によ
り、対象物を酸化するための方法が公知である。この場
合、酸素を含む液体を、封入されたキセノンガスを有す
るバリア放電ランプ（誘電的に妨害された放電）からの
真空ＵＶ線によって照射することにより、オゾンと活性
酸素とが、酸素を含む液体とＵＶ照射との間の光化学的
な反応によって生ぜしめられる。この場合、処理したい
対象物がオゾンと活性酸素と接触させられ、真空ＵＶ線
による中間作用によって酸化される。この方法により、
バリア放電ランプから発せられるＵＶ線の貫通孔から対
象物へのできるだけ短い間隔「ｄ」と、放電ランプと対
象物との間の領域の酸素部分圧力ｐ（ｋＰａ）とが所定
のアルゴリズムに従って調節される。
り、対象物を酸化するための方法が公知である。この場
合、酸素を含む液体を、封入されたキセノンガスを有す
るバリア放電ランプ（誘電的に妨害された放電）からの
真空ＵＶ線によって照射することにより、オゾンと活性
酸素とが、酸素を含む液体とＵＶ照射との間の光化学的
な反応によって生ぜしめられる。この場合、処理したい
対象物がオゾンと活性酸素と接触させられ、真空ＵＶ線
による中間作用によって酸化される。この方法により、
バリア放電ランプから発せられるＵＶ線の貫通孔から対
象物へのできるだけ短い間隔「ｄ」と、放電ランプと対
象物との間の領域の酸素部分圧力ｐ（ｋＰａ）とが所定
のアルゴリズムに従って調節される。
【０００６】上記の値の「ｄ×ｐ」は、６０．８よりも
小さい。この場合、ｄは「ｃｍ」、ｐは「ａｔｍ」で測
定される。このようにして、高められた酸化率のほかに
良好な洗浄作用が短い処理時間で得られる。
小さい。この場合、ｄは「ｃｍ」、ｐは「ａｔｍ」で測
定される。このようにして、高められた酸化率のほかに
良好な洗浄作用が短い処理時間で得られる。
【０００７】公知の技術の欠点は、一方ではＵＶ照射器
と表面との間の最小間隔を確保しながら、照射される表
面の均一な照射が行われるべきであり、他方では、比較
的小さな間隔のもとでしか、即ち、不均一な照射密度を
甘受しながらしか高い照射強度が得られないことにあ
る。
と表面との間の最小間隔を確保しながら、照射される表
面の均一な照射が行われるべきであり、他方では、比較
的小さな間隔のもとでしか、即ち、不均一な照射密度を
甘受しながらしか高い照射強度が得られないことにあ
る。
【０００８】複数のＵＶ照射器を使用することにより照
射の均一性が改善されたとしても、僅かな不均一性が照
射パターンに基づきなお生じる。さらに、１つだけのＵ
Ｖ照射器が故障した場合でも、照射器の老朽化過程が異
なることによって生じる不均一性を回避するために、Ｕ
Ｖ照射器セット全体を交換しなければならない。
射の均一性が改善されたとしても、僅かな不均一性が照
射パターンに基づきなお生じる。さらに、１つだけのＵ
Ｖ照射器が故障した場合でも、照射器の老朽化過程が異
なることによって生じる不均一性を回避するために、Ｕ
Ｖ照射器セット全体を交換しなければならない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、冒頭
で述べた欧州特許公開第０５１０５０３号明細書を起点
として、処理したい表面にわたって均一に分配される強
度の高い照射を利用し、実際の照射時間は、ＵＶ照射器
と処理したい表面との間の距離ができるだけ小さいこと
により短く保ち、これにより場合によっては、既に行わ
れている生産方法の中間ステップとしてこのような照射
を安価に行うことである。さらに可能性に応じて、冒頭
で述べた形式の従来の技術の高出力ＵＶ照射器が使用さ
れると望ましい。
で述べた欧州特許公開第０５１０５０３号明細書を起点
として、処理したい表面にわたって均一に分配される強
度の高い照射を利用し、実際の照射時間は、ＵＶ照射器
と処理したい表面との間の距離ができるだけ小さいこと
により短く保ち、これにより場合によっては、既に行わ
れている生産方法の中間ステップとしてこのような照射
を安価に行うことである。さらに可能性に応じて、冒頭
で述べた形式の従来の技術の高出力ＵＶ照射器が使用さ
れると望ましい。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この課題は方法的には、
照射中に、基体とＵＶ照射器との間で並進的及び／又は
回転的な相対運動を行わせることにより解決される。
照射中に、基体とＵＶ照射器との間で並進的及び／又は
回転的な相対運動を行わせることにより解決される。
【００１１】
【発明の効果】特に有利には、高出力ＵＶ照射器の強度
が強いので、１つのＵＶ照射器、場合によっては２つ以
上のＵＶ照射器を、基体の上方で比較的小さな間隔をお
いて相対的に動かすだけで実際に十分であり、この場
合、プロセス全体における１つのプロセスステップのた
めに必要な照射時間を延長する必要はない。
が強いので、１つのＵＶ照射器、場合によっては２つ以
上のＵＶ照射器を、基体の上方で比較的小さな間隔をお
いて相対的に動かすだけで実際に十分であり、この場
合、プロセス全体における１つのプロセスステップのた
めに必要な照射時間を延長する必要はない。
【００１２】従って簡単な方法で、照射すべき表面の均
一な照射が行われる。
一な照射が行われる。
【００１３】さらに有利には本発明による方法は、
（ａ）ＵＶ照射下でのオゾンと酸素ラジカルとによる基
体の表面酸化により行う、例えばフォトレジストの除去
またはエアロゾルのの除去のような基体表面の洗浄のた
めに、もしくは分子表面構造の修正のために、（ｂ）表
面上に位置しひいては層を形成する（ＵＶ照射器と基体
表面との間の）ガス位相からの反応性のフラグメントに
よる基体表面上の被覆（若しくは層の形成）のために、
適している。
（ａ）ＵＶ照射下でのオゾンと酸素ラジカルとによる基
体の表面酸化により行う、例えばフォトレジストの除去
またはエアロゾルのの除去のような基体表面の洗浄のた
めに、もしくは分子表面構造の修正のために、（ｂ）表
面上に位置しひいては層を形成する（ＵＶ照射器と基体
表面との間の）ガス位相からの反応性のフラグメントに
よる基体表面上の被覆（若しくは層の形成）のために、
適している。
【００１４】有利な方法は請求項２〜９に記載されてい
る。有利な方法では、ラジカル（反応基）を形成するた
めに、酸素、アンモニア、塩素、フッ素、塩化水素、フ
ッ化水素、水素、一酸化二窒素、及び／又はシラン化合
物の分子を、６０ｎｍ〜３５０ｎｍの波長を有するＵＶ
線によって処理する。この場合、個々の物質または複数
の物質の混合物を処理することができる。
る。有利な方法では、ラジカル（反応基）を形成するた
めに、酸素、アンモニア、塩素、フッ素、塩化水素、フ
ッ化水素、水素、一酸化二窒素、及び／又はシラン化合
物の分子を、６０ｎｍ〜３５０ｎｍの波長を有するＵＶ
線によって処理する。この場合、個々の物質または複数
の物質の混合物を処理することができる。
【００１５】有利には、１７２ｎｍの波長を有するエキ
シマＵＶ照射器（キセノンＵＶ照射器）が使用され、こ
の場合、その強度は通常のＵＶ照射器と比べて極めて強
く、これにより相対運動の際に処理時間が比較的短くな
る。
シマＵＶ照射器（キセノンＵＶ照射器）が使用され、こ
の場合、その強度は通常のＵＶ照射器と比べて極めて強
く、これにより相対運動の際に処理時間が比較的短くな
る。
【００１６】有利には、酸素分子の分裂および反応性の
Ｏ（3Ｐ）およびＯ（1Ｄ）フラグメントの形成もしくは
オゾン形成に関して、大気条件下および大気圧下で処理
が行われる。しかしこの方法を真空中でもしくは負圧を
かけて行うこともできる。この場合、ラジカルな分子の
形成のための物質がＵＶ照射器と基体表面との間の領域
に供給される。
Ｏ（3Ｐ）およびＯ（1Ｄ）フラグメントの形成もしくは
オゾン形成に関して、大気条件下および大気圧下で処理
が行われる。しかしこの方法を真空中でもしくは負圧を
かけて行うこともできる。この場合、ラジカルな分子の
形成のための物質がＵＶ照射器と基体表面との間の領域
に供給される。
【００１７】本発明の有利な構成では、放電ランプを、
その管状の放電室の長手方向軸線に対して垂直又は平行
に、所定の軌道に沿って基体に対して相対的に運動させ
る。即ち、定置に配置された管状の放電室の長手方向軸
線に対して垂直に基体を動かすこともできる。この場
合、有利には、照射強度が強ければ、ＵＶ照射器と基体
表面との間の間隔が小さいことにより、基体を迅速に大
きな面積にわたってカバーすることができる。
その管状の放電室の長手方向軸線に対して垂直又は平行
に、所定の軌道に沿って基体に対して相対的に運動させ
る。即ち、定置に配置された管状の放電室の長手方向軸
線に対して垂直に基体を動かすこともできる。この場
合、有利には、照射強度が強ければ、ＵＶ照射器と基体
表面との間の間隔が小さいことにより、基体を迅速に大
きな面積にわたってカバーすることができる。
【００１８】別の有利な構成では、放電ランプを、管状
の放電室の長手方向軸線に対して平行に、基体に対して
相対的に動かすことができる。このようなＵＶ照射器は
特に、放電ランプが定置に配置されている場合に、縦長
の基体若しくは連続した帯状の材料としての基体のため
に有利である。
の放電室の長手方向軸線に対して平行に、基体に対して
相対的に動かすことができる。このようなＵＶ照射器は
特に、放電ランプが定置に配置されている場合に、縦長
の基体若しくは連続した帯状の材料としての基体のため
に有利である。
【００１９】本発明の別の構成では、放電ランプを、放
電室の長手方向軸線に関して回転するように基体に対し
て相対的に運動させる。これは、縦長の放電室の一方端
部は、回転の少なくともほぼ中心点に位置していて、他
方の端部は回転の中心点に対して接線方向で運動される
ことを意味している。もしくは放電ランプが定置に配置
されている場合には、基体を運動させる。従って有利に
は、基体もしくは基体としてのウェーハの個々のセクタ
を異なるように照射することができ、または他の方法で
処理することができる。
電室の長手方向軸線に関して回転するように基体に対し
て相対的に運動させる。これは、縦長の放電室の一方端
部は、回転の少なくともほぼ中心点に位置していて、他
方の端部は回転の中心点に対して接線方向で運動される
ことを意味している。もしくは放電ランプが定置に配置
されている場合には、基体を運動させる。従って有利に
は、基体もしくは基体としてのウェーハの個々のセクタ
を異なるように照射することができ、または他の方法で
処理することができる。
【００２０】さらに、縦長の放電室の中央に位置する回
転点を有した放電ランプを、基体表面上で相対的に回転
させることもできる。即ち、定置に配置された縦長の管
状の放電ランプのもとで基体を回転させることもでき
る。「相対的」および「基体表面上で」の概念は、放電
ランプ又は基体が並進的もしくは回転的に動かされ、こ
の場合、放電ランプの位置は、基体の、照射したい表面
の上側または下側に配置されていることを意味してい
る。
転点を有した放電ランプを、基体表面上で相対的に回転
させることもできる。即ち、定置に配置された縦長の管
状の放電ランプのもとで基体を回転させることもでき
る。「相対的」および「基体表面上で」の概念は、放電
ランプ又は基体が並進的もしくは回転的に動かされ、こ
の場合、放電ランプの位置は、基体の、照射したい表面
の上側または下側に配置されていることを意味してい
る。
【００２１】課題は本発明によれば、所定の間隔をおい
て配置された、ＵＶ照射器によるＵＶ照射によって、有
機物または無機物から成る基体の表面を処理するための
装置であって、前記ＵＶ照射器は、ガス充填された縦長
の放電室を有しており、該放電室の壁は誘電体によって
形成されていて、該誘電体の放電室とは反対側の面に少
なくとも１つの電極が設けられている形式の第１の実施
例において、少なくとも１つのＵＶ照射器が照射ユニッ
トに配置されており、基体とＵＶ照射器との間の相対的
な並進運動のために少なくとも１つの摺動エレメントが
設けられていることにより解決される。
て配置された、ＵＶ照射器によるＵＶ照射によって、有
機物または無機物から成る基体の表面を処理するための
装置であって、前記ＵＶ照射器は、ガス充填された縦長
の放電室を有しており、該放電室の壁は誘電体によって
形成されていて、該誘電体の放電室とは反対側の面に少
なくとも１つの電極が設けられている形式の第１の実施
例において、少なくとも１つのＵＶ照射器が照射ユニッ
トに配置されており、基体とＵＶ照射器との間の相対的
な並進運動のために少なくとも１つの摺動エレメントが
設けられていることにより解決される。
【００２２】この装置の有利な構成では、摺動エレメン
トの運動が制御可能な駆動装置によって生ぜしめられて
いる。
トの運動が制御可能な駆動装置によって生ぜしめられて
いる。
【００２３】基体とＵＶ照射器との間の相対運動が行わ
れるこのようなシステムを使用すると、実際の面積の大
きな照射ユニットよりも著しく少ないＵＶ照射器が使用
されるので、運転時にはやはり少ないＵＶ照射器が交換
されればよく、このことは最終的に運転コストを減じ
る。
れるこのようなシステムを使用すると、実際の面積の大
きな照射ユニットよりも著しく少ないＵＶ照射器が使用
されるので、運転時にはやはり少ないＵＶ照射器が交換
されればよく、このことは最終的に運転コストを減じ
る。
【００２４】課題は本発明によれば、所定の間隔をおい
て配置された、放電ランプとしてのＵＶ照射器によるＵ
Ｖ照射によって、有機物または無機物から成る基体の表
面を処理するための装置であって、前記ＵＶ照射器は、
ガス充填された縦長の放電室を有しており、該放電室の
壁は誘電体によって形成されていて、該誘電体の放電室
とは反対側の面に少なくとも１つの電極が設けられてい
る形式の第２の実施例において、少なくとも１つのＵＶ
照射器が照射ユニットに配置されており、基体とＵＶ照
射器との間の相対的な回転運動のために少なくとも１つ
の回転エレメントが設けられていることにより解決され
る。
て配置された、放電ランプとしてのＵＶ照射器によるＵ
Ｖ照射によって、有機物または無機物から成る基体の表
面を処理するための装置であって、前記ＵＶ照射器は、
ガス充填された縦長の放電室を有しており、該放電室の
壁は誘電体によって形成されていて、該誘電体の放電室
とは反対側の面に少なくとも１つの電極が設けられてい
る形式の第２の実施例において、少なくとも１つのＵＶ
照射器が照射ユニットに配置されており、基体とＵＶ照
射器との間の相対的な回転運動のために少なくとも１つ
の回転エレメントが設けられていることにより解決され
る。
【００２５】装置の第２の実施例の有利な構成では、回
転エレメントに、回転運動を生ぜしめるための制御可能
な駆動装置が接続されている。
転エレメントに、回転運動を生ぜしめるための制御可能
な駆動装置が接続されている。
【００２６】有利には、放電ランプと基体との間の相対
回転運動の際に、唯１つのＵＶ照射器によって均一な照
射を安価に行うことができ、さらに基体表面を、例えば
洗浄、表面構造化、被覆もしくは層被覆のような順次に
続くステップの異なる処理を行うセクタに分割すること
ができる。
回転運動の際に、唯１つのＵＶ照射器によって均一な照
射を安価に行うことができ、さらに基体表面を、例えば
洗浄、表面構造化、被覆もしくは層被覆のような順次に
続くステップの異なる処理を行うセクタに分割すること
ができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】次に図面につき本発明の実施の形
態を詳しく説明する。
態を詳しく説明する。
【００２８】図１に示したように、基板１が、固定され
たホルダ３内に位置している。この場合、基体１は１つ
の平面においてピン２によって支持される。これらのピ
ン２により、例えばＩＲ照射器１７による最良の加熱
を、被覆中に基体の下面に行うことができる。このよう
なホルダは例えば米国特許第７６８７５４４号明細書に
より公知である。しかし基体を加熱する必要がない場合
は、図２につき後述するように、基体はホルダの、平面
的な切欠内に配置されてもよい。
たホルダ３内に位置している。この場合、基体１は１つ
の平面においてピン２によって支持される。これらのピ
ン２により、例えばＩＲ照射器１７による最良の加熱
を、被覆中に基体の下面に行うことができる。このよう
なホルダは例えば米国特許第７６８７５４４号明細書に
より公知である。しかし基体を加熱する必要がない場合
は、図２につき後述するように、基体はホルダの、平面
的な切欠内に配置されてもよい。
【００２９】さらに図１によると、基体１の上方に照射
ユニット５が示されている。この照射ユニット５は内部
にＵＶ照射器４を有している。照射ユニット５と基体１
との間の少なくとも１つの側方開口２０，２１を通っ
て、反応性のフラグメントを形成するためのガスが供給
される。この場合、ＵＶ光線は、ＵＶ照射器４と基体１
との間の領域におけるガスと、基体１の表面とに作用す
る。照射すべきガスとして大気を使用する場合は、供給
は自然の対流により行われる。しかし別のガスを側方の
ノズルから供給してもよい。照射ユニット５は滑動ロー
ラ１３によって保持レール１４に沿って摺動可能に配置
されている。この場合、並進運動方向は方向矢印Ｘで図
示されている。照射ユニットの並進運動はＸ方向でも反
対方向でも行われ、この場合有利には、制御可能な駆動
モータ（図示せず）、有利にはリニアモータによって行
われる。横断面図で示したＵＶ照射器４の長手方向軸線
は符号９で示されている。
ユニット５が示されている。この照射ユニット５は内部
にＵＶ照射器４を有している。照射ユニット５と基体１
との間の少なくとも１つの側方開口２０，２１を通っ
て、反応性のフラグメントを形成するためのガスが供給
される。この場合、ＵＶ光線は、ＵＶ照射器４と基体１
との間の領域におけるガスと、基体１の表面とに作用す
る。照射すべきガスとして大気を使用する場合は、供給
は自然の対流により行われる。しかし別のガスを側方の
ノズルから供給してもよい。照射ユニット５は滑動ロー
ラ１３によって保持レール１４に沿って摺動可能に配置
されている。この場合、並進運動方向は方向矢印Ｘで図
示されている。照射ユニットの並進運動はＸ方向でも反
対方向でも行われ、この場合有利には、制御可能な駆動
モータ（図示せず）、有利にはリニアモータによって行
われる。横断面図で示したＵＶ照射器４の長手方向軸線
は符号９で示されている。
【００３０】基体をできるだけ迅速かつ完全に処理する
ために、有利には縦長のＵＶ照射源４が使用される。こ
のＵＶ照射源の長さは、基体の最も小さい延在部、例え
ば、基体としての円形のウェーハの直径に相当する。基
体１とＵＶ照射器４との間の間隔は符号Ｄで示されてい
る。この間隔は大気の条件下で１〜１０ｍｍである。
ために、有利には縦長のＵＶ照射源４が使用される。こ
のＵＶ照射源の長さは、基体の最も小さい延在部、例え
ば、基体としての円形のウェーハの直径に相当する。基
体１とＵＶ照射器４との間の間隔は符号Ｄで示されてい
る。この間隔は大気の条件下で１〜１０ｍｍである。
【００３１】実際の反応は、ＵＶ照射器４と基体１との
間の領域７で行われる。この場合、ＵＶ照射器４から発
せられる照射は一方では処理したい分子によってこの分
子を変化させるために吸収され、他方では、表面処理の
ために十分な照射力を基体１上で得るために、なお十分
な照射強度が存在している。
間の領域７で行われる。この場合、ＵＶ照射器４から発
せられる照射は一方では処理したい分子によってこの分
子を変化させるために吸収され、他方では、表面処理の
ために十分な照射力を基体１上で得るために、なお十分
な照射強度が存在している。
【００３２】このような装置は、基体表面の洗浄若しく
は表面構造化のためにも、基体表面の被覆のためにも適
している。
は表面構造化のためにも、基体表面の被覆のためにも適
している。
【００３３】これに対して、ＵＶ照射器４の上方に位置
する流入開口１０を介して、窒素またはＵＶ照射を吸収
しない他の不活性ガスを供給する際に、吸収は僅かであ
るので間隔Ｄを比較的大きくなるように調節することが
できる。
する流入開口１０を介して、窒素またはＵＶ照射を吸収
しない他の不活性ガスを供給する際に、吸収は僅かであ
るので間隔Ｄを比較的大きくなるように調節することが
できる。
【００３４】さらに間隔Ｄは、基体表面の被覆もしくは
多層被覆を行う場合のように、光子による基体表面の照
射がもはや必要でないならば、大気条件下でも拡大する
ことができる。
多層被覆を行う場合のように、光子による基体表面の照
射がもはや必要でないならば、大気条件下でも拡大する
ことができる。
【００３５】図２には、図１と類似の原理の構成を示し
ているが、この場合、放電ランプとして働くＵＶ照射器
４を備えた照射ユニット５は固定的に配置されていて、
基体１´はホルダ３´に設けられた平面状の切欠内に位
置している。
ているが、この場合、放電ランプとして働くＵＶ照射器
４を備えた照射ユニット５は固定的に配置されていて、
基体１´はホルダ３´に設けられた平面状の切欠内に位
置している。
【００３６】ホルダ３が滑動ローラによって保持レール
１４´に沿って摺動可能に配置されているので、基体１
´はホルダ３´によってＸ軸に沿って摺動することによ
りＵＶ照射器４によって基体１の全長にわたって照射さ
れ得る。基体１´の表面全体にわたる均一な照射を得る
ために、ホルダ３´は制御可能な駆動装置（図示せず）
によってＸ軸線に沿って均一に運動される。横断面で見
てＵＶ照射器４の長手方向軸線はこの場合も符号９で示
される。
１４´に沿って摺動可能に配置されているので、基体１
´はホルダ３´によってＸ軸に沿って摺動することによ
りＵＶ照射器４によって基体１の全長にわたって照射さ
れ得る。基体１´の表面全体にわたる均一な照射を得る
ために、ホルダ３´は制御可能な駆動装置（図示せず）
によってＸ軸線に沿って均一に運動される。横断面で見
てＵＶ照射器４の長手方向軸線はこの場合も符号９で示
される。
【００３７】縦長の基体もしくは帯状材料としての基体
であって、最大の延在部に沿って、ＵＶ照射器の管状の
放電室の長手方向軸線に対して平行に相対的に運動する
ものの場合、図１及び図２に示したのと同様の装置を使
用することができる。即ちこのような場合、ＵＶ照射器
の長手方向軸線はＸ方向に対して平行に延びている。さ
らに、一貫した帯状材料としての基体の運動のために、
この基体を環状の送りベルトによって、Ｘ方向でもＵＶ
照射器長手方向軸線に対して垂直でも動かすことができ
る。
であって、最大の延在部に沿って、ＵＶ照射器の管状の
放電室の長手方向軸線に対して平行に相対的に運動する
ものの場合、図１及び図２に示したのと同様の装置を使
用することができる。即ちこのような場合、ＵＶ照射器
の長手方向軸線はＸ方向に対して平行に延びている。さ
らに、一貫した帯状材料としての基体の運動のために、
この基体を環状の送りベルトによって、Ｘ方向でもＵＶ
照射器長手方向軸線に対して垂直でも動かすことができ
る。
【００３８】照射すべきガスの供給も、図１で説明した
装置と同様に行われる。
装置と同様に行われる。
【００３９】図３ａによれば基体１´´、外輪郭が円筒
状に形成されたホルダ３´´の、基体の確実な位置決め
のために適合する切欠に位置している。このホルダ３´
´は、Ｚで示された回転軸線を中心として軸受２２によ
って回転可能に支承されている。
状に形成されたホルダ３´´の、基体の確実な位置決め
のために適合する切欠に位置している。このホルダ３´
´は、Ｚで示された回転軸線を中心として軸受２２によ
って回転可能に支承されている。
【００４０】放電ランプとして放電ユニット５内に配置
された縦長のＵＶ照射器４の長手方向軸線９は、水平方
向で、回転軸線Ｚに対して垂直に延びている。図３ｂに
よると、（長手方向軸線９に沿って断面した）縦断面図
に概略的に示したＵＶ照射器４から、矢印２４によって
シンボル的に示したＵＶ線は、（反対方向）でＺ軸に対
して平行に、基体１´´の表面の方向で流出する。この
場合、光流出開口２５を通る光線は、基体１´´の正確
に規定されたセクタに向けられる。基体１´´は制御可
能な駆動モータ（図示せず）によって回転させられる、
もしくはステップバイステップ式に回転される。この場
合、基体１´´の１つのセクタの照射中に、照射されて
いない別のセクタが他の方法で処理されるならば有利で
ある。しかし、洗浄、表面構造化、被覆のように順次に
行われる方法ステップを簡単に実行するために、第２の
もしくは第３のＵＶ照射器が使用されてもよい。
された縦長のＵＶ照射器４の長手方向軸線９は、水平方
向で、回転軸線Ｚに対して垂直に延びている。図３ｂに
よると、（長手方向軸線９に沿って断面した）縦断面図
に概略的に示したＵＶ照射器４から、矢印２４によって
シンボル的に示したＵＶ線は、（反対方向）でＺ軸に対
して平行に、基体１´´の表面の方向で流出する。この
場合、光流出開口２５を通る光線は、基体１´´の正確
に規定されたセクタに向けられる。基体１´´は制御可
能な駆動モータ（図示せず）によって回転させられる、
もしくはステップバイステップ式に回転される。この場
合、基体１´´の１つのセクタの照射中に、照射されて
いない別のセクタが他の方法で処理されるならば有利で
ある。しかし、洗浄、表面構造化、被覆のように順次に
行われる方法ステップを簡単に実行するために、第２の
もしくは第３のＵＶ照射器が使用されてもよい。
【００４１】ガス供給部は図面を見やすくするために図
３ａ及び図３ｂには示されていない。ガス供給部は図１
及び図２で説明した装置と同様に機能する。
３ａ及び図３ｂには示されていない。ガス供給部は図１
及び図２で説明した装置と同様に機能する。
【００４２】ホルダ３，３´，３´´は有利には、比較
的薄いまたは敏感な基体のために十分柔らかく、摩耗の
少ない防食性の材料から成る。
的薄いまたは敏感な基体のために十分柔らかく、摩耗の
少ない防食性の材料から成る。
【図１】定置のホルダ内に存在する基体の上方に所定の
間隔をおいて配置されたＵＶ照射器を備えた並進運動可
能な照射ユニットを（ＵＶ照射器の長手方向軸線に対し
て横方向に断面した）縦断面図で示した図である。
間隔をおいて配置されたＵＶ照射器を備えた並進運動可
能な照射ユニットを（ＵＶ照射器の長手方向軸線に対し
て横方向に断面した）縦断面図で示した図である。
【図２】並進運動可能に配置された基体を、定置のＵＶ
照射器を有した、固定的に配置された照射ユニットとと
もに、（ＵＶ照射器の長手方向軸線に対して横方向に断
面して）概略的に示した図である。
照射器を有した、固定的に配置された照射ユニットとと
もに、（ＵＶ照射器の長手方向軸線に対して横方向に断
面して）概略的に示した図である。
【図３】図３ａは、回転可能なホルダにおける基体を有
した装置を、基体の表面がＵＶ照射器としての放電ラン
プによって照射されている状態で概略的に示した図であ
り、図３ｂは図３ａの縦断面図であって、ＵＶ照射器が
基体の表面の上方に所定の間隔をおいて配置されている
状態を示した図である。
した装置を、基体の表面がＵＶ照射器としての放電ラン
プによって照射されている状態で概略的に示した図であ
り、図３ｂは図３ａの縦断面図であって、ＵＶ照射器が
基体の表面の上方に所定の間隔をおいて配置されている
状態を示した図である。
１ 基体、 ２ ピン、 ３ ホルダ、 ４ ＵＶ照射
器、 ５ 照射ユニット、 領域、 ９ 長手方向軸
線、 １０ 流入開口、 １３ 滑動ローラ、１４ 保
持レール、 １７ ＩＲ照射器、 ２０，２１ 開口、
２２ 軸受、２４ 矢印、 ２５ 光流出開口
器、 ５ 照射ユニット、 領域、 ９ 長手方向軸
線、 １０ 流入開口、 １３ 滑動ローラ、１４ 保
持レール、 １７ ＩＲ照射器、 ２０，２１ 開口、
２２ 軸受、２４ 矢印、 ２５ 光流出開口
Claims (13)
- 【請求項１】 有機物または無機物から成る基体の表面
を処理するための方法であって、所定の間隔をおいて配
置された、放電ランプとしてのＵＶ照射器によるＵＶ照
射によって反応性のフラグメント、特にラジカルまたは
イオンを生ぜしめ、前記ＵＶ照射器は、ガス充填された
縦長の放電室を有しており、該放電室の壁は誘電体によ
って形成されていて、該誘電体の放電室とは反対側の面
に少なくとも１つの電極が設けられている形式のもにお
いて、 照射中に、基体とＵＶ照射器との間で、並進的な及び／
又は回転的な相対運動を行わせることを特徴とする、基
体の表面を処理するための方法。 - 【請求項２】 ラジカルを形成するために、酸素、アン
モニア、塩素、フッ素、塩化水素、フッ化水素、水素、
一酸化二窒素、及び／又はシラン化合物の分子にＵＶ線
を照射する、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記分子を、ラジカル形成のために、６
０ｎｍ〜３５０ｎｍの波長を有するＵＶ線で照射する、
請求項１又は２記載の方法。 - 【請求項４】 前記分子を、１７２ｎｍの波長を有する
エキシマ放射によって照射する、請求項３記載の方法。 - 【請求項５】 ＵＶ照射を行うために、ドイツ連邦共和
国特許出願公開第１９７４１６６８号明細書または欧州
特許公開第０５１０５０３号明細書に記載のＵＶ高出力
ＵＶ照射器（３）を使用する、請求項１から４までのい
ずれか１項記載の方法。 - 【請求項６】 処理を大気条件下および大気圧下で行
う、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項７】 処理を、負圧を有する反応器または真空
下で行う、請求項１から５までのいずれか１項記載の方
法。 - 【請求項８】 放電ランプを、その管状の放電室の長手
方向軸線に対して垂直又は平行に、所定の軌道に沿って
基体に対して相対的に運動させる、請求項１から７まで
のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項９】 放電ランプを、その放電室の長手方向軸
線に関して回転するように、基体に対して相対的に運動
させる、請求項１から７までのいずれか１項記載の方
法。 - 【請求項１０】 所定の間隔をおいて配置された、放電
ランプとしての少なくとも１つのＵＶ照射器によるＵＶ
照射によって、有機物または無機物から成る基体の表面
を処理するための装置であって、前記ＵＶ照射器は、ガ
ス充填された縦長の放電室を有しており、該放電室の壁
は誘電体によって形成されていて、該誘電体の放電室と
は反対側の面に少なくとも１つの電極が設けられている
形式のもにおいて、 少なくとも１つのＵＶ照射器（４）が照射ユニット
（５）に配置されており、基体（１，１´）と照射ユニ
ット（５）との間の相対的な並進運動のために少なくと
も１つの摺動エレメントが設けられていることを特徴と
する、基体の表面を処理するための装置。 - 【請求項１１】 前記摺動エレメントが制御可能な駆動
モータに接続されている、請求項１０記載の装置。 - 【請求項１２】 所定の間隔をおいて配置された、放電
ランプとしてのＵＶ照射器によるＵＶ照射によって、有
機物または無機物から成る基体の表面を処理するための
装置であって、前記ＵＶ照射器は、ガス充填された縦長
の放電室を有しており、該放電室の壁は誘電体によって
形成されていて、該誘電体の放電室とは反対側の面に少
なくとも１つの電極が設けられている形式のもにおい
て、 少なくとも１つのＵＶ照射器（４）が照射ユニット
（５）に配置されており、基体（１´´）と照射ユニッ
ト（５）との間の相対回転運動のために少なくとも１つ
の回転エレメントが設けられていることを特徴とする、
基体の表面を処理するための装置。 - 【請求項１３】 前記回転エレメントが制御可能な駆動
モータに接続されている、請求項１２記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19957034.5 | 1999-11-26 | ||
| DE19957034A DE19957034B4 (de) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | Verfahren zur Behandlung von Oberflächen von Substraten und Vorrichtung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001232317A true JP2001232317A (ja) | 2001-08-28 |
Family
ID=7930481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000358253A Pending JP2001232317A (ja) | 1999-11-26 | 2000-11-24 | 基体の表面を処理するための方法および装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6409842B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001232317A (ja) |
| KR (1) | KR100385581B1 (ja) |
| DE (1) | DE19957034B4 (ja) |
| TW (1) | TWI255206B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006092994A1 (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | 基板洗浄装置およびその洗浄方法 |
| US7105101B2 (en) | 2002-10-03 | 2006-09-12 | Tokyo Electron Limited | Method of removing oxide film on a substrate with hydrogen and fluorine radicals |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040154641A1 (en) * | 2002-05-17 | 2004-08-12 | P.C.T. Systems, Inc. | Substrate processing apparatus and method |
| RU2295271C2 (ru) | 2002-07-25 | 2007-03-20 | Джае-Кун ЛИИ | Устройство для окрашивания волос с использованием контейнера для краски |
| US20040108059A1 (en) * | 2002-09-20 | 2004-06-10 | Thomas Johnston | System and method for removal of materials from an article |
| KR100935401B1 (ko) * | 2003-03-06 | 2010-01-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 자외선을 이용하는 기판세정장치 및 이의 구동방법 |
| DE102004048005A1 (de) * | 2004-10-01 | 2006-04-13 | Dr. Hönle AG | Gasentladungslampe, System und Verfahren zum Härten von durch UV-Licht härtbare Materialien sowie durch UV-Licht gehärtetes Material |
| US20080296258A1 (en) * | 2007-02-08 | 2008-12-04 | Elliott David J | Plenum reactor system |
| US7755064B2 (en) * | 2007-03-07 | 2010-07-13 | Tdk Corporation | Resist pattern processing equipment and resist pattern processing method |
| DE102007020655A1 (de) | 2007-04-30 | 2008-11-06 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Herstellen dünner Schichten und entsprechende Schicht |
| WO2009146744A1 (de) * | 2008-06-05 | 2009-12-10 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur behandlung von oberflächen, strahler für dieses verfahren sowie bestrahlungssystem mit diesem strahler |
| US8525139B2 (en) * | 2009-10-27 | 2013-09-03 | Lam Research Corporation | Method and apparatus of halogen removal |
| US8980751B2 (en) | 2010-01-27 | 2015-03-17 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Methods and systems of material removal and pattern transfer |
| CN101875048A (zh) * | 2010-06-30 | 2010-11-03 | 国电光伏(江苏)有限公司 | 一种去除硅片表面杂质的方法 |
| US20130344246A1 (en) * | 2012-06-21 | 2013-12-26 | Xuesong Li | Dual-Chamber Reactor for Chemical Vapor Deposition |
| JP6844292B2 (ja) * | 2017-02-09 | 2021-03-17 | ウシオ電機株式会社 | 光照射器および光照射装置 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH670171A5 (ja) | 1986-07-22 | 1989-05-12 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
| US5173638A (en) | 1986-07-22 | 1992-12-22 | Bbc Brown, Boveri Ag | High-power radiator |
| KR910003742B1 (ko) * | 1986-09-09 | 1991-06-10 | 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 | Cvd장치 |
| US5618388A (en) * | 1988-02-08 | 1997-04-08 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Geometries and configurations for magnetron sputtering apparatus |
| US5024968A (en) * | 1988-07-08 | 1991-06-18 | Engelsberg Audrey C | Removal of surface contaminants by irradiation from a high-energy source |
| FR2641718B1 (fr) * | 1989-01-17 | 1992-03-20 | Ardt | Procede de nettoyage de la surface de matieres solides et dispositif de mise en oeuvre de ce procede, utilisant un laser impulsionnel de puissance, a impulsions courtes, dont on focalise le faisceau sur la surface a nettoyer |
| DE4113523A1 (de) | 1991-04-25 | 1992-10-29 | Abb Patent Gmbh | Verfahren zur behandlung von oberflaechen |
| US5328517A (en) * | 1991-12-24 | 1994-07-12 | Mcdonnell Douglas Corporation | Method and system for removing a coating from a substrate using radiant energy and a particle stream |
| JP2727481B2 (ja) * | 1992-02-07 | 1998-03-11 | キヤノン株式会社 | 液晶素子用ガラス基板の洗浄方法 |
| US5482561A (en) * | 1993-06-11 | 1996-01-09 | Hughes Aircraft Company | Method for removing organic deposits from sand particles with laser beam |
| US5350480A (en) * | 1993-07-23 | 1994-09-27 | Aspect International, Inc. | Surface cleaning and conditioning using hot neutral gas beam array |
| TW260806B (ja) | 1993-11-26 | 1995-10-21 | Ushio Electric Inc | |
| DE19741668C2 (de) * | 1997-09-22 | 2003-04-17 | Heraeus Noblelight Gmbh | Entladungslampe für Oberflächen-Gleitentladung |
| TW466542B (en) * | 1999-02-26 | 2001-12-01 | Nippon Kogaku Kk | A stage device and a method of manufacturing same, a position controlling method, an exposure device and a method of manufacturing same, and a device and a method of manufacturing same |
-
1999
- 1999-11-26 DE DE19957034A patent/DE19957034B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-11-08 US US09/709,130 patent/US6409842B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-16 KR KR10-2000-0068032A patent/KR100385581B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-11-24 JP JP2000358253A patent/JP2001232317A/ja active Pending
-
2001
- 2001-01-19 TW TW089124665A patent/TWI255206B/zh not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-04-26 US US10/134,005 patent/US6588122B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7105101B2 (en) | 2002-10-03 | 2006-09-12 | Tokyo Electron Limited | Method of removing oxide film on a substrate with hydrogen and fluorine radicals |
| WO2006092994A1 (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | 基板洗浄装置およびその洗浄方法 |
| JP2006239604A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Sprout Co Ltd | 基板洗浄装置およびその洗浄方法 |
| KR101098726B1 (ko) | 2005-03-04 | 2011-12-23 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 기판 세정 장치 및 그 세정 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6409842B1 (en) | 2002-06-25 |
| KR100385581B1 (ko) | 2003-05-27 |
| US6588122B2 (en) | 2003-07-08 |
| TWI255206B (en) | 2006-05-21 |
| KR20010051736A (ko) | 2001-06-25 |
| DE19957034A1 (de) | 2001-06-21 |
| DE19957034B4 (de) | 2006-04-13 |
| US20020112739A1 (en) | 2002-08-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100677661B1 (ko) | 자외광 조사장치 및 방법 | |
| JP2001232317A (ja) | 基体の表面を処理するための方法および装置 | |
| JP2705023B2 (ja) | 被処理物の酸化方法 | |
| JP2009535825A (ja) | 誘電体バリア放電ランプアセンブリを用いた基板処理チャンバ | |
| KR20010051998A (ko) | 유전체 버리어 엑시머램프 및 이를 구비한 자외선조사장치 | |
| EP1348483A1 (en) | Excimer uv photo reactor | |
| JP5317852B2 (ja) | 紫外線照射装置 | |
| JP2003133301A (ja) | 半導体製造酸化膜生成装置及び方法、並びに紫外線照射装置 | |
| JP2002016033A (ja) | 基板ドライ洗浄装置及び基板ドライ洗浄方法 | |
| JP4286158B2 (ja) | オゾン処理装置 | |
| JP2002316041A (ja) | 誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法 | |
| JP2003159571A (ja) | 紫外線照射装置 | |
| JP3085128B2 (ja) | 光洗浄方法 | |
| JPH06210287A (ja) | 誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法 | |
| KR100476904B1 (ko) | 효율적 표면세정방법 및 장치 | |
| JPH09120950A (ja) | 紫外線洗浄装置 | |
| JP2004152842A (ja) | 紫外光照射による処理方法および紫外光照射装置 | |
| JPH06283503A (ja) | 半導体基板の熱処理装置及び方法 | |
| JP2702697B2 (ja) | 処理装置および処理方法 | |
| JP3248320B2 (ja) | レジスト除去方法及びレジスト除去装置 | |
| JP2022148647A (ja) | 基板処理方法 | |
| JP3716762B2 (ja) | 光処理装置 | |
| JP2001217216A (ja) | 紫外線照射方法及び装置 | |
| JP2656232B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP2002346378A (ja) | 誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040408 |