JP2009535825A - 誘電体バリア放電ランプアセンブリを用いた基板処理チャンバ - Google Patents

Abstract

誘電体バリア放電（ＤＢＤ）ランプアセンブリを用いた熱処理チャンバおよび該処理チャンバを使用する方法が提供される。一実施形態において、熱処理チャンバは、チャンバ本体と、誘電体バリア放電ランプアセンブリとを含む。該誘電体バリア放電ランプアセンブリは、第１の電極と、第２の電極と、誘電体バリアとをさらに備える。該誘電体バリア放電ランプアセンブリは、該第１の電極と第２の電極との間に位置決めされている。該誘電体バリアは、該誘電体バリアと該第２の電極との間に、放電空間を画定する。回路構成が、該第１の電極および第２の電極に結合されており、該誘電体バリア放電ランプアセンブリを作動させるようになっている。
【選択図】 図２

Description

発明の背景

発明の分野
[0001]本発明は、一般的に、半導体処理ツールに関し、より具体的には、誘電体バリア放電ランプアセンブリを有する熱処理ツールに関する。

関連技術の説明
[0002]ＲＴＰ（急速加熱処理）は、半導体製造中に基板をアニーリングするプロセスである。このプロセス中には、制御された環境下で、基板を、９００℃以上の温度まで急速に加熱するために、熱放射が利用される。この温度は、該プロセスに応じて、１秒未満から数分間の特定の時間、維持される。該基板は、次に、さらなる処理の前に冷却される。

[0003]従来、ＲＴＰチャンバは、典型的には、放射熱源またはランプと、チャンバ本体と、基板支持アセンブリとを含む。該基板支持アセンブリは、該チャンバ本体内に配置され、処理中に基板を支持する。該放射熱源は、典型的には、該熱源によって生成された放射エネルギが、該基板支持アセンブリ上に位置決めされた該基板に作用するように、該チャンバ本体の上面に載置され、または、該チャンバの内壁部に埋め込まれている。石英窓は、典型的には、放射熱源と、プロセスチャンバ内の典型的に該基板が配置されている内部プロセス領域とを分離するために、該チャンバの上面に配置されている。

[0004]該ランプによって生成された放射エネルギは、熱放射の波の形をしている。この放射は、広帯域であり、典型的には、約８００ｎｍ〜約１５００ｎｍのピーク波長を有する。該石英窓を通って該基板表面への透過の間に、放射エネルギの一部は、失われてもよい。例えば、約４０００ｎｍ超の波長は、透過しない。従って、該石英窓は、約４００ｎｍ〜約４０００ｎｍ、またはさらにそれ以上、および赤外線領域（ＩＲ）の、該石英窓を通過する放射エネルギの波長の変化を引き起こす。これらの波長の放射エネルギは、該基板表面での光化学反応を促進するのには不十分であり、また、反応して該基板上に多量の膜を形成する際に利用可能な生成反応種の数を不十分なものとする場合がある。

[0005]そのため、熱処理チャンバ用の改良されたランプアセンブリに対する要求がある。

発明の概要

[0006]誘電体バリア放電（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｂａｒｒｉｅｒ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ；ＤＢＤ）ランプアセンブリおよび該アセンブリを利用する方法を提供する。一実施形態において、熱処理チャンバは、チャンバ本体と、誘電体バリア放電ランプアセンブリとを含む。該誘電体バリア放電ランプアセンブリは、第１の電極と、第２の電極と、誘電体バリアとをさらに備える。該誘電体バリア放電ランプアセンブリは、該第１の電極と第２の電極との間に位置決めされる。該誘電体バリアは、該誘電体バリアと第２の電極との間に放電空間を画定する。回路構成が、該第１および第２の電極に結合され、該誘電体バリア放電ランプアセンブリを作動させるようになっている。

[0007]別の実施形態においては、該熱処理チャンバは、内部容積を画定するチャンバ本体と、該チャンバ本体の内部容積に配置された基板支持アセンブリとを含む。放射加熱アセンブリは、該チャンバ本体を貫通して形成されたウィンドウを通して、該基板支持体に放射を向けるように位置決めされている。該放射加熱アセンブリと基板支持体との間に位置決めされた誘電体バリア放電ランプアセンブリは、該チャンバ本体の内部容積に放射するようになっているアセンブリである。

[0008]また別の実施形態においては、基板を処理する方法は、処理チャンバ内に配置された基板支持アセンブリ上に基板を位置決めすることと、該基板を、放射加熱アセンブリによって生成された放射エネルギに曝露させることと、該基板を、誘電体バリア放電ランプアセンブリによって生成された第２の放射エネルギに曝露させることとを含む。

[0009]上に列挙した本発明の特徴部を詳細に理解できるように、上記で簡単にまとめた本発明のより具体的な説明を、そのいくつかを添付図面に図示されている本発明の実施形態を参照して行う。しかし、該添付図面は、この発明の典型的な実施形態のみを図示しており、そのため、本発明の範囲を限定するものと考えるべきではなく、従って、本発明は、他の等しく有効な実施形態を許容可能なことに留意すべきである。

[0016]理解を容易にするために、図面に共通している同一の要素を指し示すために、可能であれば、同一の参照数字を用いている。一実施形態の該要素および特徴部は、追加的な詳述なしに、他の実施形態に有利に組み込むことができることが意図されている。

[0017]しかし、添付図面は、本発明の例示的な実施形態のみを図示しており、そのため、本発明の範囲を限定するものと考えるべきではなく、従って、本発明は、他の同様に有効な実施形態を許容可能なことに留意すべきである。

発明の詳細な説明

[0018]本発明の実施形態は、ＩＲとＵＶが組み合わされたエネルギを熱処理システム内で生成する装置および方法を提供する。こが組み合わされたエネルギは、基板表面での光化学反応を促進するのに利用され、それにより、該基板上での均一な熱処理を可能にする。該組み合わさった放射エネルギは、熱処理システム内で、誘電体バリア放電（ＤＢＤ）ランプアセンブリを利用して得られ、それにより、有効かつ均一な基板処理を有利に容易にする。

[0019]図１は、ＤＢＤランプアセンブリ１５０を有する急速熱処理チャンバ１００の一実施形態の簡素化した断面斜視図である。本発明の利益を享受するように適応させることのできる急速熱処理チャンバの実例は、ＸＥｐｌｕｓおよびＲａｄｉａｎｃｅＰｌｕｓ（商標）ＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）熱処理システムであり、これらは共に、カリフォルニア州サンタクララにあるＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ，Ｉｎｃ．から入手可能である。誘電体バリア放電ランプアセンブリ１５０は、図示されている急速熱処理チャンバ１００内で利用されるものとして記載されているが、誘電体バリア放電ランプアセンブリ１５０は、堆積チャンバ、エッチングチャンバおよび露光チャンバ等の他の熱処理システムでも利用することができる。

[0020]処理チャンバ１００は、チャンバ壁部１０４と、底部１１０と、内部容積１２０を画定する上部１１２とを有するチャンバ本体１０２を含む。壁部１０４は、典型的には、基板１４０の出し入れを容易にするための少なくとも１つの基板アクセスポート１４８を含む。石英窓１１４は、チャンバ本体１０２の上部１１２に載置されている放射加熱アセンブリ１０６内に含まれている。放射加熱アセンブリ１０６は、基板支持体１０８内に位置決めされた基板１４０を加熱するのに利用される。放射加熱アセンブリ１０６は、ウォータージャケットアセンブリ１６２内に、複数のランプチューブ１６０を含む。各チューブ１６０は、リフレクタおよびタングステンハロゲンランプアセンブルを収容できる。ランプチューブ１６０は、ハニカムライトパイプ構成内に置かれている。ライトパイプのこの集密化された六角形構成は、高出力密度の約４００ｎｍ〜約４０００ｎｍの波長を有するＩＲ放射および／またはより長波長のＵＶ放射等の放射エネルギを生成する。一実施形態において、放射加熱アセンブリ１０６は、該基板を熱処理するための、例えば、基板１４０上に配置されたシリコン層をアニーリングするための放射エネルギを生成する。本発明の利益を享受するように適応させることのできる１つの放射加熱アセンブリ１０６は、Ｇｒｏｎｅｔ等に対して発行された米国特許第５，４８７，１２７号明細書に記載されており、その全体は参照により本明細書に組み込まれている。

[0021]誘電体バリア放電（ＤＢＤ）ランプアセンブリ１５０は、放射加熱アセンブリ１０６と基板支持体１０８との間に配置されている。ＤＢＤランプ１５０は、放射加熱アセンブリ１０６の内面である接地電極と、該チャンバ本体と絶縁されている（図には示されていない絶縁）高電圧電極２０２と、誘電体バリア１１４とを備える。一実施形態において、該誘電体バリアは、放射加熱アセンブリ２２０のための石英窓である。ＤＢＤランプアセンブリ１５０は、基板処理を促進するのに利用される短波長の放射エネルギを生成する。放電空間１５２は、その中に放電ガスが供給されるＤＢＤランプアセンブリ１５０内に画定されている。電源１５６は、放電空間１５２内に存在する放電ガスを活性化させる。活性化された放電ガスは、紫外線（ＵＶ）を放出し、それにより、該基板に、加熱アセンブリ１０６単独で生成されるものよりも高い流束のＵＶ放射を照射する。一実施形態において、ＤＢＤランプアセンブリ１５０によって生成された放射エネルギは、約１００ｎｍ〜約４０００ｎｍの波長を有するＵＶとＩＲが組み合わされた放射を含む。別の実施形態においては、ＤＢＤランプアセンブリ１５０によって生成された放射エネルギは、波長が約１００ｎｍ〜１５００ｎｍのＵＶ放射および／またはＩＲ放射を有する。

[0022]基板支持アセンブリ１０８は、その上に位置決めされる基板１４０を収容するために、チャンバ１０２の底部１１０上に配置されている。基板支持アセンブリ１０８は、基板１４０を回転させるように構成することができ、それにより、基板１４０を、放射加熱アセンブリ１０６およびＤＢＤランプアセンブリ１５０によって生成された放射エネルギによって、コンフォーマルに加熱できるようにする。

[0023]回路構成１５４は、電源１５６によって、誘電体バリア放電ランプアセンブリ１５０に結合している。回路構成１５４は、電力をＤＢＤランプアセンブリ１５０に与えるようになっている。作動時には、ＤＢＤランプアセンブリ１５０に印加される電圧が、電界を確立して、ＤＢＤランプアセンブリ１５０による放射エネルギの生成を可能にし、これにより、基板１４０の表面での反応および光化学プロセスが促進され、それによって、基板１４０上での熱処理を可能にする。また、放射加熱アセンブリ１６０は、熱エネルギを生成するランプ１０６に電力を供給するための独立した回路構成（図示せず）を有してもよい。放射加熱アセンブリ１０６から生成された熱エネルギは、基板１４０の表面に放射されて、十分な熱エネルギを与える。放射加熱アセンブリ１０６から生成された熱エネルギはまた、基板１４０の表面に放射されて基板１４０の表面を活性化させる、ＤＢＤランプアセンブリ１５０から生成された放射エネルギを増大させることもでき、それにより、基板１４０の表面での反応を促進する。

[0024]雰囲気制御システム１６４は、チャンバ本体１０２の内部容積１２０に結合されている。雰囲気制御システム１６４は、チャンバ圧力を制御するための絞り弁および真空ポンプを含む。また、雰囲気制御システム１６４は、追加的にプロセスガスまたは他のガスを内部容積１２０へ供給するガス源を含んでもよい。一実施形態において、雰囲気制御システム１６４は、熱堆積プロセスのためのプロセスガスを供給する。別の実施形態においては、雰囲気制御システム１６４は、アニーリングプロセスのためのガスを供給する。領域１５２内の放電ガスは、該雰囲気制御システムまたは独立した入口（図示せず）によって供給することができる。

[0025]図２は、熱処理チャンバ２００内に配置されたＤＢＤランプアセンブリ１５０の一実施形態である。ＤＢＤランプアセンブリ１５０は、第１の電極２２０と、誘電体バリア１１４と、第２の電極２０２とを含む。第１の電極２２０は接地されている。第２の電極２０２は、チャンバ本体と絶縁されている（図には示されていない絶縁）。誘電体バリア１１４は、第１の電極２２０と第２の電極２０２との間に配置されており、第１の電極２２０と第２の電極２０２を離間関係に保つ。ＤＢＤランプアセンブリ１５０は、放射エネルギを生成して、基板１４０の表面を活性化するように構成されている。一実施形態において、第１の電極２２０は、図１に記載されている放射加熱アセンブリ１０６である。別の実施形態においては、第１の電極２２０は、放射エネルギを該基板に供給するのに適した他の構造を有してもよい。

[0026]第２の電極２０２は、電気を送り込んで、生成された放射エネルギを該第２の電極を通ることができるように構成された導電性材料である。一実施形態において、第２の電極２０２は、ワイヤグリッド、メタルメッシュ、有孔金属、エキスパンドメタルまたは導電性ウェブメタルである。第２の電極２０２の適切な材料は、限定されるものではないが、アルミニウム、ステンレス鋼、タングステン、銅、モリブデン、ニッケルおよび他の金属材料を含む。別の実施形態においては、第２の電極２０２は、上述したような導電性材料であって、誘電体層で被覆されているものであってもよい。また別の実施形態においては、第２の電極２０２は、隙間のあるパターンで誘電体層上に被覆された導電性材料であってもよい。該誘電体層は、放射エネルギの透過を容易にする透明な誘電体層または十分に薄い誘電体層とすることができる。該誘電体層の適切な材料は、限定されるものではないが、特に、ＭｇＯ、ＳｉＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＦ_２、ＬｉＦ_２およびＣａＦ_２を含む。該導電性材料は、インジウムスズ酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）、ＳｎＯ_２、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕまたは別の金属とすることができる。

[0027]誘電体バリア１１４は、プロセスを活性化する間、電流リミッタとして機能し、放射エネルギが、持続性のアーク放電に変わることを防ぐ。一実施形態において、誘電体バリア１１４は、放射エネルギを該誘電体バリアを通して放出できるようにする透明な誘電体材料である。別の実施形態においては、誘電体バリア１１４は、ガラス、石英、セラミックまたは他の適切なポリマー等の透明な誘電体材料である。また別の実施形態においては、該誘電体材料は、図１に記載されているような石英窓１１４である。

[0028]放電空間２１２は、処理チャンバ２００内の誘電体バリア１１４と第２の電極２０２との間に画定されている。放電ガスは、放電空間２１２内に供給される。放電空間２１２は、放電容積に、放電空間２１２内で実行される、電子と該放電ガスとの間の十分な衝突を可能にさせる選択された放電距離２１０を有する。該放電容積は、エキシマーを含む励起された種を発生させることができ、それによって所望によりにＵＶ放射を生成するように、電子と放電ガスの衝突を十分に促進するように構成される。一実施形態において、放電距離２１０は、放電空間２１２内での該衝突を促進するように適切な範囲内で選択される。別の実施形態においては、放電距離２１０は、約０．１ｃｍ〜約１００ｃｍ、例えば、約２ｃｍ〜約２０ｃｍに選択される。加えて、放電空間２１２内の圧力は、約０．５トール〜約６００トールに保つことができる。

[0029]電子と放電ガスの衝突は、エネルギを該放電ガスに与えて、放電プラズマ種およびエキシマーを含む反応種を発生させる。一部の活性化された反応種は、放射エネルギ、例えば、光子を放出して、基板１４０の表面へ放出するＵＶ放射を引き起こす。基板１４０の表面は、該光子を吸収して、基板１４０の表面をエネルギ活性化状態にする。基板１４０のエネルギ活性化された表面は、該基板の反応、例えば、アニーリングプロセスまたは表面再構成を促進する。一実施形態において、放電ガスは、酸素ガス（Ｏ_２）とすることができる。別の実施形態においては、該放電ガスは、酸素ガス（Ｏ_２）、およびキセノンガス（Ｘｅ）、クリプトンガス（Ｋｒ）、アルゴンガス（Ａｒ）、ネオンガス（Ｎｅ）、ヘリウムガス（Ｈｅ）等の希ガスを含む群より選択されたガス混合物であってもよい。また別の実施形態においては、該放電ガスは、酸素ガス（Ｏ_２）、希ガス、ハロゲン含有ガス、フッ素、臭素、塩素ガス、ヨウ素含有ガス、Ｈ_２ＯおよびＮＨ_３のうちの少なくとも１つを含むガス混合物であってもよい。

[0030]要求に応じて、プロセス条件を最適化するために、プロセスガスを、プロセスチャンバ２００の内部容積１２０に供給することができる。内部容積１２０に供給されたプロセスガスは、ＤＢＤランプアセンブリ１５０からのＵＶ放射によって励起され、基板１４０の表面に対して、励起されたガス種を与える。該励起されたガス種ならびに該放電ガスによってエネルギ活性化された反応種は、該基板の表面をエネルギ活性化し、それにより、基板１４０上での光化学反応を誘発し、基板１４０が集中的かつ均一に処理されることを可能にする。図２に描かれている実施形態のように、第２の電極２０２は、金属メッシュまたはワイヤグリッド材料であるように構成されているため、該放電ガスは、第２の電極２０２を通って、基板表面１４０の全域にプロセスガスとして流れることができる。別の実施形態においては、該プロセスガスは、基板１４０の表面に個々に供給される該放電ガスとは異なっていてもよい。該プロセスガスは、酸素ガス（Ｏ_２）、希ガス、ハロゲン含有ガス、Ｈ_２Ｏ、Ｎ_２Ｏ、Ｎ_２またはＮＨ_３のうちの少なくとも１つを含むことができる。

[0031]回路構成２２０は、電源２５０からの作動電圧を、第１の電極２２０および第２の電極２０２へ印加する。動作中、２つの電極２２０、２０２に印加された電圧は、放電空間２１２内での電子の衝突を促進する電界を確立する。この電子衝突は、放電空間２１２内で、該放電ガスへのエネルギを生成し、それにより、該放電ガスを、典型的には、反応種、放電種またはエキシマーと呼ばれる励起状態に活性化させる。該反応種は、後に再結合して、放射のかたちでエネルギ、例えばＵＶ光子を放出する。放射エネルギ２０８は、基板１４０へ移動して、光化学的なプロセスおよび反応を促進する。ＵＶ放射２０８は、高い光子エネルギを生じ、それにより、基板１４０の表面に生じる光化学反応を促進し、該基板を均一に処理できるようにする。加えて、放射加熱アセンブリ１０６も、放射エネルギ２０８と同様に基板１０４の表面へ拡散する熱放射エネルギ２０６を生成して、それにより、組み合わされたＩＲおよびＵＶ放射を生じさせて該基板反応を促進する。一実施形態において、ＤＢＤランプアセンブリ１５０によって生成されたＵＶ放射２０８は、約１００ｎｍ〜約４００ｎｍの波長を有する。別の実施形態においては、ＤＢＤランプアセンブリ１５０および放射加熱アセンブリ１０６によって生成された、組み合わされた熱放射エネルギ２０６およびＵＶ放射２０８は、約１００ｎｍ〜約４０００ｎｍの波長の組み合わされたＩＲおよびＵＶ放射を有する。

[0032]電源２５０から回路構成２０４によって印加された電圧は、上述したようなエネルギを生成するのに十分である電界を確立することができるように選択される。一実施形態において、該電圧は、約１００Ｖ〜約２０，０００Ｖ、例えば、約１，０００Ｖ〜約５，０００Ｖの範囲で印加することができる。

[0033]図３は、熱処理チャンバ内のＤＢＤランプアセンブリ１５０の一実施形態を描いた図である。ＤＢＤランプアセンブリ１５０は、第１の電極３２０と、第２の電極３０２と、誘電体バリア１１４とを含む。第１の電極３２０は、接地されている。第２の電極３０２は、該チャンバ本体と絶縁されている（図３には示されていない絶縁）。誘電体バリア１１４は、第１の電極３２０と第２の電極３０２との間に配置されており、第１の電極３２０と第２の電極３０２を離間関係に保つ。透明窓３０４は、ＤＢＤランプアセンブリ１５０の下に配置されている。図３に描かれている実施形態は、透明窓３０４を、任意選択的に、ＤＢＤランプアセンブリ１５０の下に配置することができることを除いて、図２に記載されている実施形態と実質的に同じであることに留意されたい。

[0034]プロセスチャンバ３００内に配置された透明窓３０４は、ＤＢＤランプアセンブリ１５０と内部容積３１８とを分離する。分離されたＤＢＤランプアセンブリ１５０は、放電空間３１４内の放電ガスを、ＤＢＤランプアセンブリ１５０内に収容できるようにし、それによって、該放電ガスの使用量を最小限にする。また、透明窓３０４は、ＤＢＤランプアセンブリ１５０と、処理チャンバ３００の内部容積３１８とを分離し、それにより、無用のプラズマ種および他の放電種がＤＢＤランプアセンブリ１５０から出るのを防ぐ。ＤＢＤランプアセンブリ１５０に関連する望ましくないスパッタされた物質、例えば、誘電体材料の衝撃に由来する粒子または汚染物質が、処理チャンバ３００の内部容積３１８に入るのを有利に防ぐことができる。加えて、分離された放電空間３１４は、内部容積３１８に供給されたプロセスガスが、放電空間３１４内の放電ガスと混合するのを防ぎ、それにより、様々なプロセス要件に対する該プロセスガスおよび放電ガスの選択を最適化する。一実施形態において、該プロセスガスは、該放電ガスと同じでもよい。別の実施形態においては、内部容積３１８に供給される該プロセスガスは、酸素ガス（Ｏ_２）、希ガス、ハロゲン含有ガス、Ｈ_２Ｏ、Ｎ_２Ｏ、Ｎ_２およびＮＨ_３を含む群より選択される。

[0035]透明窓３０４は、ＤＢＤランプアセンブリ１５０および放射加熱アセンブリ１０６内で生成された放射エネルギが、著しくエネルギを損失することなくことなく、該窓を通過できるように選択された材料で作られる。一実施形態において、透明窓３０４は、石英、ガラス基板、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２またはＬｉＦ_２のうちの少なくとも１つで作られる。

[0036]図４は、熱処理チャンバ４００内の内部分離された誘電体バリア放電ランプアセンブリ１５０の別の実施形態を描いた図である。図１に記載されているようなハニカムチューブ１６０および石英窓１１４を含む放射加熱アセンブリ１０６は、プロセスチャンバ４００の上部面に配置されている。放射加熱アセンブリ１０６および誘電体バリア放電ランプアセンブリ１５０は、基板表面１４０に放射エネルギを与える。一実施形態において、放射加熱アセンブリ１０６から生成された放射エネルギは、ＩＲおよび／またはより長波長のＵＶ放射を有する。別の実施形態においては、放射加熱アセンブリ１０６から生成された放射エネルギは、約４００ｎｍ〜約４０００ｎｍの波長を有する。

[0037]第１の電極４０２、第２の電極４０８および誘電体バリア４０４および４０６を含む誘電体バリア放電ランプアセンブリ１５０は、放射加熱アセンブリ１０６の下に配置されている。ＤＢＤランプ１５０は、セグメント（図示せず）により、処理チャンバ４００の壁部１０４から分離されていてもよく、または、該電極の一方を接地してもよい。一実施形態において、電極４０２、４０８は、電気を送り込み、および電圧の印加時に、放射エネルギを生成できるように構成された導電性材料である。別の実施形態においては、電極４０２、４０８は、ワイヤグリッド、メタルメッシュ、有孔金属、エキスパンドメタルまたは導電性ウェブ材料である。電極４０２、４０８の適切な材料は、限定されるものではないが、アルミニウム、ステンレス鋼、タングステン、銅、モリブデン、ニッケルおよび他の金属合金を含む。別の実施形態においては、電極４０２、４０８は、上述したような導電性材料であって、誘電体層で被覆されているものであってもよい。また別の実施形態においては、電極４０２、４０８は、符号４０４または４０６のような誘電体層上に被覆された導電性材料であってもよい。該誘電体層は、放射エネルギの透過を容易にする十分に薄い厚さを有する透明層または誘電体層とすることができる。該誘電体層の適切な材料は、限定されるものではないが、特に、ＭｇＯ、ＳｉＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＦ_２、ＬｉＦ_２およびＣａＦ_２を含む。該導電性材料は、前述したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）またはＳｎＯ_２とすることができる。

[0038]誘電体層４０４および４０６は、第１の電極４０２と第２の電極４０８との間に配置されている。誘電体バリア４０４、４０６は、エネルギ活性化プロセスとの間、電流リミッタとして機能し、放射エネルギが、持続性のアーク放電に変わることを防ぐ。一実施形態において、誘電体バリア４０４、４０６は、放射エネルギを該誘電体バリアを通して放出できるようにする透明な誘電体材料である。別の実施形態においては、誘電体バリア４０４、４０６は、ガラス、石英、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２およびＬｉＦ_２、セラミックまたは他の適切なポリマー等の透明な誘電体材料である。

[0039]また、誘電体バリア４０６は、透明窓としても役に立つことができる。透明窓４０６は、著しくエネルギを損失することなくことなく、ＤＢＤランプアセンブリ１５０および放射加熱アセンブリ１０６によって生成された放射エネルギの基板表面１４０への転送を容易にする材料で作られている。一実施形態において、該透明窓は、特に、石英、ガラス基板、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２またはＬｉＦ_２から作られる。別法として、２つの電極４０２、４０８が透明な誘電体層で被覆されている実施形態においては、透明窓４０６および誘電体層４０４は、省いて、任意選択的に、被覆された透明な誘電体層と置き換えてもよい。

[0040]放電空間４１８は、処理チャンバ４００内の誘電体バリア４０４と透明窓４０６との間に画定されている。放電ガスは、放電空間４１８に供給される。放電空間４１８は、放電空間４１８内での電子と放電ガスとの十分な衝突を可能にする放電容積を生じる選択された放電距離４１０を有する。この放電容積は、エキシマーを含む励起された種が生じて、それにより、所望によりにＵＶ放射が生成されるように、該電子と放電ガスとの衝突を十分に促進するように構成されている。一実施形態において、放電距離４１０は、放電空間４１８内でのこの衝突を促進するように、適切な範囲内で選択される。別の実施形態においては、放電距離４１０は、約０．１ｃｍ〜約１００ｃｍ、例えば、約２ｃｍ〜約２０ｃｍに選択される。また、放電空間４１８内の圧力は、約０．５トール〜約６００トールに保つことができる。

[0041]放電空間４１８内での電子の衝突は、該放電ガスにエネルギを与えて、放電プラズマ種およびエキシマーを含む反応種を生じさせる。該反応種は、放射エネルギ、例えば、光子を放出して、基板１４０の表面へ放出するＵＶ放射を生じさせる。透明窓４０６がＤＢＤランプアセンブリ１５０内に配置されているため、該放電ガスは、該ＤＢＤランプアセンブリから出ることが防止され、それにより、プロセスガスを、処理チャンバ４００の内部容積４２０に個々に供給することを可能にする。ＤＢＤランプアセンブリ１５０から生成されたＵＶ放射は、内部容積４２０内の該プロセスガスを活性化して、該反応種を生じさせる。基板１４０の表面は、該プロセスガスから生成された反応種を吸収し、それにより、該基板の光化学的なプロセスおよび反応、例えば、酸化または窒化プロセスを促進する。また、放射加熱アセンブリ１０６から生成された放射エネルギは、該基板表面に放射され、それにより、組み合わされたＩＲおよびＵＶ放射を生成して、該基板の表面を活性化し、基板１４０上での均一かつ強力なプロセス反応を可能にする。一実施形態において、該放電ガスおよびプロセスガスは、酸素ガス（Ｏ_２）とすることができる。別の実施形態においては、該放電ガスおよびプロセスガスは、酸素ガス（Ｏ_２）、およびキセノンガス（Ｘｅ）、クリプトンガス（Ｋｒ）、アルゴンガス（Ａｒ）、ネオンガス（Ｎｅ）、ヘリウムガス（Ｈｅ）等の希ガスを含む群より選択されたガス混合物であってもよい。また別の実施形態においては、該放電ガスおよびプロセスガスは、酸素ガス（Ｏ_２）、希ガス、ハロゲン含有ガス、フッ素、臭素、塩素ガス、ヨウ素含有ガス、Ｈ_２Ｏ、Ｎ_２Ｏ、Ｎ_２およびＮＨ_３のうちの少なくとも１つを含むガス混合物であってもよい。さらに別の実施形態においては、該プロセスガスは、任意選択的に、該放電ガスと異なっていてもよい。

[0042]回路構成４１２は、電源４５０からの作動電圧を、第１の電極４０２および第２の電極４０８に印加する。動作中、２つの電極４０２、４０８に印加された電圧は、放電空間４１８内での電子の衝突を促進する電界を確立する。この電子衝突は、放電空間４１８内で、該放電ガスへのエネルギを生成し、それにより、該放電ガスを、典型的には、反応種、放電種またはエキシマーと呼ばれる励起状態に活性化させる。これらの種の一部は、後に、放射４１６のかたちでエネルギ、例えば光子および／またはＵＶ放射をＤＢＤランプアセンブリ１５０から放出することによって、基底状態になる。放射エネルギ４１６は、基板１４０の表面に移動して、光化学的なプロセスおよび反応を促進する。ＵＶ放射４１６は、高い光子エネルギを生じ、それにより、基板１４０の表面に生じる光化学反応を促進し、該基板を均一に処理できるようにする。加えて、放射加熱アセンブリ１０６も、放射エネルギ４１６と同様に基板１４０の表面へ放射する熱放射エネルギ４１０を生成して、それにより、組み合わされたＩＲおよびＵＶ放射を生じさせて該基板反応を促進する。一実施形態において、ＤＢＤランプアセンブリ１５０によって生成されたＵＶ放射４１６は、約１００ｎｍ〜約４００ｎｍの波長を有する。別の実施形態においては、ＤＢＤランプアセンブリ１５０および放射加熱アセンブリ１０６によって生成された、組み合わされた熱放射エネルギ４１４およびＵＶ放射４１６は、約１００ｎｍ〜約４０００ｎｍの波長の組み合わされたＩＲおよびＵＶ放射を有する。

[0043]電源４５０を介して回路構成４１２によって印加された電圧は、十分な電界を確立してエネルギを生成できるように選択されてもよい。一実施形態において、該電圧は、約１００Ｖ〜約２０，０００Ｖ、例えば、約１，０００Ｖ〜約５，０００Ｖの範囲で印加することができる。

[0044]プロセスチャンバ４００内に配置された透明窓４０６は、内部分離された放電空間４１８と内部容積４２０とを分離する。分離された放電空間４１８は、該放電ガスを、ＤＢＤランプアセンブリ１５０内に収容できるようにし、それによって、該放電ガスの使用量を最小限にする。また、透明窓４０６は、放電ガスと、処理チャンバ４００の内部容積４２０とを分離し、それにより、無用のプラズマ種および他の放電種が、ＤＢＤランプアセンブリ１５０から出るのを防ぐ。ＤＢＤランプアセンブリ１５０に関連する望ましくないスパッタされた物質、例えば、誘電体材料の衝撃に由来する粒子または汚染物質が、処理チャンバ４００の内部容積４２０に入るのを有利に防ぐことができる。加えて、分離された放電空間４１８は、内部容積４２０に供給されたプロセスガスが、該放電ガスと混合するのを防ぎ、それにより、様々なプロセス要件に対する該プロセスガスおよび放電ガスの選択を最適化する。一実施形態において、該プロセスガスは、該放電ガスと同じでもよい。別の実施形態においては、内部容積３１８に供給される該プロセスガスは、酸素ガス（Ｏ_２）、希ガス、ハロゲン含有ガス、Ｈ_２Ｏ、Ｎ_２Ｏ、Ｎ_２およびＮＨ_３を含む群より選択される。

[0045]図５は、熱処理チャンバ５００内の内部分離されたＤＢＤランプアセンブリ１５０の別の実施形態を描いた図である。図１に記載されているようなハニカムチューブ１６０および石英窓１１４を含む放射加熱アセンブリ１０６は、プロセスチャンバ５００の上部面に配置されている。放射加熱アセンブリ１０６は、ＤＢＤランプアセンブリ１５０を介して基板表面１４０に放射エネルギ５０８を与える。一実施形態において、放射加熱アセンブリ１０６から生成された放射エネルギ５０８は、ＩＲおよび／またはより長波長のＵＶ放射を有する。別の実施形態においては、ランプアセンブリ１０６から生成された放射エネルギ５０８は、約４００ｎｍ〜約４０００ｎｍの波長の放射を有する。

[0046]ＤＢＤランプアセンブリ１５０は、第１の電極５０２および第２の電極５０４を含む。電極５０２、５０４は、シリンダ５２２の中心に中空流路５２４を有する導電性シリンダ５２２上に被覆された誘電体層５２０を含み、それにより、冷却流体が該流路から流れることができるようになっている。一実施形態において、電極５０２、５０４は、互いに平行に位置決めされた２行のアレイを構成する。別の実施形態においては、電極５０２、５０４は、互いに平行に位置決めされた２枚の導電性シートであってもよい。また別の一実施形態において、電極５０２、５０４は、電気を送り込み、および電圧の印加時に、放射エネルギを生成できるように構成された導電性材料である。該電極の適切な材料は、限定されるものではないが、アルミニウム、ステンレス鋼、ニッケルおよび他の金属合金を含む。

[0047]シリンダ５２２上に被覆された誘電体層５２０は、誘電体材料である。該誘電体層は、放射エネルギの放出を容易にする十分に薄い厚さを有する透明層または誘電体層とすることができる。一実施形態において、該誘電体材料は、特に、ＭｇＯ、ＳｉＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＦ_２、ＬｉＦ_２およびＣａＦ_２を含む群より選択される。これらの電極間には、大きな空間があるため、該誘電体に対する透明性の要件は、緩和される場合がある。

[0048]必要に応じて、シリンダ５２２の温度を調節するために、冷却流体５２４を、シリンダ５２２の中空流路５２４に供給することができる。一実施形態において、該冷却流体は、脱イオン水または他の適切な熱伝導媒体とすることができる。

[0049]放電空間５２６は、誘電体バリア５０２と第２の電極５０４との間に画定されている。放電ガスは、放電空間５２６内に供給される。放電空間５２６は、放電容積に、放電空間５２６内での電子と該放電ガスとの間の十分な衝突を可能にさせる選択された放電距離５１４を有する。一実施形態において、放電距離５１４は、放電空間５２６内での該衝突を促進するように適切な範囲内で選択される。別の実施形態においては、放電距離５１４は、約０．１ｃｍ〜約１００ｃｍ、例えば、約２ｃｍ〜約２０ｃｍに選択される。加えて、放電空間５２６内の圧力は、約０．５トール〜約６００トールに保つことができる。

[0050]放電空間５２６内での電子の衝突は、エネルギを該放電ガスに与えて、放電プラズマ種およびエキシマーを含む反応種を発生させる。一実施形態において、該放電ガスは、酸素ガス（Ｏ_２）とすることができる。別の実施形態においては、該放電ガスは、酸素ガス（Ｏ_２）、およびキセノンガス（Ｘｅ）、クリプトンガス（Ｋｒ）、アルゴンガス（Ａｒ）、ネオンガス（Ｎｅ）、ヘリウムガス（Ｈｅ）等の希ガスを含む群より選択されたガス混合物であってもよい。また別の実施形態においては、該放電ガスは、酸素ガス（Ｏ_２）、希ガス、ハロゲン含有ガス、フッ素、臭素、塩素ガス、ヨウ素含有ガス、Ｈ_２ＯおよびＮＨ_３のうちの少なくとも１つを含むガス混合物であってもよい。

[0051]透明窓５１６は、任意選択的に、第２の電極５０４の下に配置することができる。透明窓５０６は、著しくエネルギを損失することなくことなく、生成された放射エネルギの、ＤＢＤランプアセンブリ１５０から基板表面１４０への転送を容易にする材料で作られる。一実施形態において、該透明窓は、石英、ガラス基板、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２またはＬｉＦ_２で作られる。

[0052]回路構成５０６は、電源５５０からの作動電圧を、第１の電極５０２および第２の電極５０４へ印加する。動作中、２つの電極５０２、５０４に印加された電圧は、放電空間５２６内での電子の衝突を促進する電界を確立する。この電子衝突は、放電空間５２６内で、該放電ガスへのエネルギを生成し、それにより、該放電ガスを、典型的には、反応種、放電種またはエキシマーと呼ばれる励起状態に活性化させる。励起された該反応種は、放射５１０のかたちでエネルギ、例えば光子および／またはＵＶ放射をＤＢＤランプアセンブリ１５０から放出する。透明窓５１６は、ＤＢＤランプアセンブリ１５０内に配置されているため、該放電ガスは、該ＤＢＤランプアセンブリから抜け出ないように防止され、それにより、プロセスガスを処理チャンバ５００の内部容積５３０に個々に供給することを可能にする。ＤＢＤランプアセンブリ１５０から生成されたＵＶ放射は、内部容積５３０内のプロセスガスを活性化して反応種を生じさせる。該基板の表面は、該プロセスガスから生成された反応種を吸収し、それにより、該基板の光化学的なプロセスおよび反応、例えば、酸化または酸窒化プロセスを促進する。加えて、放射加熱アセンブリ１０６は、放射エネルギ５１０と共に、基板１０４の表面へ拡散する熱放射エネルギ５０８を生成し、それにより、組み合わされたＩＲおよびＵＶ放射を生じさせて該基板反応を促進する。一実施形態において、ＤＢＤランプアセンブリ１５０によって生成されたＵＶ放射５１０は、約１００ｎｍ〜約４００ｎｍの波長を有する。別の実施形態においては、ＤＢＤランプアセンブリ１５０および放射加熱アセンブリ１０６によって生成された、組み合わされた放射エネルギ５０８およびＵＶ放射５１０は、約１００ｎｍ〜約４０００ｎｍの波長の組み合わされたＩＲおよびＵＶ放射を有する。

[0053]電源５５０を介して回路構成５０６によって印加された電圧は、十分な電界を確立して放電ガスを活性化できるように選択される。一実施形態において、該電圧は、約１００Ｖ〜約２０，０００Ｖ、例えば、約１，０００Ｖ〜約５，０００Ｖの範囲で印加することができる。より複雑な電極電力供給構成を採用してもよく、それにより、電力は、電極セット全体に均一に印加されなくてもよいが、該ＤＢＤランプアセンブリの均一性を向上させるために、該電極のサブセット間で急速に交番させてもよい。

[0054]プロセスチャンバ５００内に配置された透明窓５１６は、ＤＢＤランプアセンブリ１５０と内部容積５３０とを分離する。分離されたＤＢＤランプアセンブリ１５０は、放電空間５２６内の放電ガスを、ＤＢＤランプアセンブリ１５０内に収容できるようにし、それによって、該放電ガスの使用量を最小限にする。また、透明窓５０４は、放電ガスと、処理チャンバ５００の内部容積５３０とを分離し、それにより、無用のプラズマ種および他の放電種が、ＤＢＤランプアセンブリ１５０から出るのを防ぐ。ＤＢＤランプアセンブリ１５０に関連する望ましくないスパッタされた物質、例えば、誘電体材料の衝撃に由来する潜在的な粒子または汚染物質は、処理チャンバ５００の内部容積５３０に入るのを有利に防止される。加えて、分離されたＤＢＤランプアセンブリ１５０は、内部容積５３０に供給されたプロセスガスが、該放電ガスと混合するのを防ぎ、それにより、様々なプロセス要件に対する該プロセスガスおよび放電ガスの選択を最適化する。一実施形態において、該プロセスガスは、該放電ガスと同じでもよい。別の実施形態においては、内部容積５３０に供給される該プロセスガスは、酸素ガス（Ｏ_２）、希ガス、ハロゲン含有ガス、Ｈ_２Ｏ、Ｎ_２Ｏ、Ｎ_２およびＮＨ_３を含む群より選択される。

[0055]図６は、熱処理チャンバ６００内の内部分離された誘電体バリア放電ランプアセンブリ１５０の別の実施形態を描いた図である。プロセスチャンバ６００は、チャンバ６００の上部に取付けられたチャンバ蓋６０２を含む。加熱アセンブリ６２２は、プロセスチャンバ６００の底部１１０上に配置された基板支持体１０８に埋め込まれている。第１の電極６０６、第２の電極６１２および誘電体バリア６０８を含む誘電体バリア放電ランプアセンブリ１５０は、チャンバ蓋６０２の下に配置されている。別法として、第１の電極６０６は、処理チャンバ６００のチャンバ蓋６０２になるように構成してもよい。一実施形態において、電極６０６、６１２は、電気を送り込み、電圧の印加時に、放射エネルギを生成できるように構成された導電性材料である。別の実施形態においては、該電極は、ワイヤグリッド、メタルメッシュ、有孔金属、エキスパンドメタルまたは他の導電性ウェブ材料である。電極６０６、６１２の適切な材料は、限定されるものではないが、アルミニウム、ステンレス鋼、ニッケルおよび他の金属合金を含む。また別の実施形態においては、電極６０６、６１２は、誘電体層で被覆されている導電性材料であってもよい。該誘電体層の適切な材料は、限定されるものではないが、特にＭｇＯ、ＳｉＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＦ_２、ＬｉＦ_２およびＣａＦ_２を含む。

[0056]チャンバ蓋６０２と誘電体バリア放電ランプアセンブリ１５０との間には、内部容積６１６が形成されている。内部容積６１６は、チャンバ蓋６０２およびＤＢＤランプアセンブリ１５０を離間関係に保つように構成された距離６０４を有する。距離６０４は、処理中の、チャンバ蓋６０２とＤＢＤランプアセンブリ１５０の接触を防ぐように選択される。一実施形態において、距離６０４は、０．１〜２００ｍｍ、例えば、１〜６０ｍｍに選択される。

[0057]冷却流体を、任意選択的に、該内部容積に供給して、ＤＢＤランプアセンブリ１５０によって生成された熱を除去してもよい。一実施形態において、該冷却流体は、脱イオン水または他の適切な熱伝導媒体とすることができる。

[0058]誘電体バリア６０８は、第１の電極６０６および第２の電極６１２の下に配置されている。誘電体バリア６０８は、プロセスを活性化する間、電流リミッタとして機能し、放射エネルギが、持続性のアーク放電に変わることを防ぐ。該誘電体バリアは、ＤＢＤ放電空間６２０からの放射エネルギを該誘電体バリアを通して伝達できるようにする。一実施形態において、誘電体バリア６０８および／または第１の電極６０６は、ＤＢＤ放電空間６２０からの放射エネルギを反射するように構成されたリフレクタとすることができ、それにより、ＤＢＤアセンブリ１５０から該基板へ送られる放射エネルギを最大化する。別の実施形態においては、該誘電体バリアは、透明な誘電体層、または、放射エネルギの透過を容易にする十分に薄い厚さを有する誘電体層とすることができる。一実施形態において、誘電体バリア６０８は、ガラス、石英、セラミックまたは他の適切なポリマー等の透明な誘電体材料である。誘電体バリア６０８がリフレクタとして構成されている実施形態においては、誘電体バリア６０８は、多層誘電体干渉膜として構成することができる。

[0059]誘電体バリア６０８と第２の電極６１２との間には、透明窓６１０が配置されている。透明窓６１０は、著しくエネルギを損失することなくことなく、ＤＢＤランプアセンブリ１５０によって生成された放射エネルギの基板表面１４０への転送を容易にする材料で作られている。一実施形態において、該透明窓は、特に、石英、ガラス基板、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２およびＬｉＦ_２から作られる。別法として、２つの電極６０６、６１２が透明な誘電体層で被覆されている実施形態においては、透明窓６１０および誘電体層６０８は、省いて、任意選択的に、被覆された透明な誘電体層と置き換えてもよい。

[0060]放電空間６２０は、誘電体バリア６０８と透明窓６１０との間に画定されている。放電ガスは、放電空間６２０内に供給することができる。放電空間６２０は、放電容積に、放電空間６２０内で実行される、電子と該放電ガスとの間の十分な衝突を可能にさせる選択された放電距離６１４を有する。一実施形態において、放電距離６１４は、放電空間６２０内での該衝突を促進するように適切な範囲内で選択される。別の実施形態においては、放電距離６１４は、約０．１ｃｍ〜約１００ｃｍ、例えば、約２ｃｍ〜約２０ｃｍに選択される。加えて、放電空間６２０内の圧力は、約０．５トール〜約６００トールに保つことができる。一実施形態において、放電ガスは、酸素ガス（Ｏ_２）とすることができる。別の実施形態においては、該放電ガスは、酸素ガス（Ｏ_２）、およびキセノンガス（Ｘｅ）、クリプトンガス（Ｋｒ）、アルゴンガス（Ａｒ）、ネオンガス（Ｎｅ）、ヘリウムガス（Ｈｅ）等の希ガスを含む群より選択されたガス混合物であってもよい。また別の実施形態においては、該放電ガスは、酸素ガス（Ｏ_２）、希ガス、ハロゲン含有ガス、フッ素、臭素、塩素ガス、ヨウ素含有ガス、Ｈ_２Ｏ、Ｎ_２Ｏ、Ｎ_２およびＮＨ_３のうちの少なくとも１つを含むガス混合物であってもよい。

[0061]要求に応じて、プロセス条件を最適化するために、プロセスガスを、プロセスチャンバ６００の内部容積６２６に供給することができる。一実施形態において、該放電ガスと同じでもよい。別の実施形態においては、該プロセスガスは、基板１４０の表面に個々に供給される該放電ガスとは異なっていてもよい。該プロセスガスは、酸素ガス（Ｏ_２）、希ガス、ハロゲン含有ガス、Ｈ_２Ｏ、Ｎ_２Ｏ、Ｎ_２またはＮＨ_３のうちの少なくとも１つを含むことができる。

[0062]回路構成６２４は、電源６５０からの作動電圧を、第１の電極６０６および第２の電極６１２へ印加する。動作中、２つの電極６０６、６１２に印加された電圧は、放電空間６２０内での電子の衝突を促進する電界を確立する。この電子衝突は、放電空間６２０内で、該放電ガスへのエネルギを生成し、それにより、該放電ガスを、典型的には、反応種、放電種またはエキシマーと呼ばれる励起状態に活性化させる。該反応種は、後に再結合して、放射６１８のかたちでエネルギ、例えば光子および／またはＵＶ放射をＤＢＤランプアセンブリ１５０から放出する。放射エネルギ６１８は、基板１４０の表面へ移動して、光化学的なプロセスおよび反応を促進する。透明窓６１０を、ＤＢＤランプアセンブリ１５０内に配置することができるため、該放電ガスは、該ＤＢＤランプアセンブリから出ることが防止され、それにより、該プロセスガスを、処理チャンバ６００の内部容積６２６に個々に供給することを可能にする。ＤＢＤランプアセンブリ１５０から生成されたＵＶ放射は、内部容積６２６内の該プロセスガスを活性化して、該反応種を生じさせる。該基板の表面は、該プロセスガスから生成された反応種を吸収し、それにより、該基板の光化学的なプロセスおよび反応、例えば、酸化または窒化プロセスを促進する。一実施形態において、ＤＢＤランプアセンブリ１５０によって生成されたＵＶ放射６１８は、約１００ｎｍ〜約４００ｎｍの波長を有する。別の実施形態においては、ＤＢＤランプアセンブリ１５０によって生成されたＵＶ放射６１８は、約１００ｎｍ〜約２０００ｎｍのより長い波長を含む。

[0063]プロセスチャンバ６００内に配置された透明窓６１０は、処理チャンバ６００の放電空間６２０と内部容積６２６を分離する。分離された放電空間６２０は、該放電ガスを、ＤＢＤランプアセンブリ１５０内に収容できるようにし、それによって、該放電ガスの使用量を最小限にする。また、透明窓６１０は、放電ガスと、処理チャンバ６００の内部容積６２６とを分離し、それにより、無用のプラズマ種および他の放電種が、ＤＢＤランプアセンブリ１５０から出るのを防ぐ。ＤＢＤランプアセンブリ１５０に関連する望ましくないスパッタされた物質、例えば、誘電体材料の衝撃に由来する潜在的な粒子または汚染物質が、処理チャンバ６００の内部容積６２６に入るのを有利に防ぐこともできる。加えて、分離された放電空間６１４は、内部容積６２６に供給されたプロセスガスが、該放電ガスと混合するのを防ぎ、それにより、様々なプロセス要件に対する該プロセスガスおよび放電ガスの選択を最適化する。一実施形態において、該プロセスガスは、該放電ガスと同じでもよい。別の実施形態においては、内部容積６２６に供給される該プロセスガスは、酸素ガス（Ｏ_２）、希ガス、ハロゲン含有ガス、Ｈ_２Ｏ、Ｎ_２Ｏ、Ｎ_２およびＮＨ_３を含む群より選択される。

[0064]従って、誘電体バリア放電ランプアセンブリを用いた熱処理チャンバの装置および該装置を使用する方法が提供される。本願明細書に記載されている該装置および方法は、組み合わされたＩＲおよびＵＶ放射エネルギを有利に生成し、それにより、従来の熱処理チャンバと比較して、基板をより効率的に処理できる。

[0065]上記の内容は、本発明の好適な態様に注力しているが、本発明の他の態様および追加的な態様も、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく考案することができ、また、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって判断される。

誘電体バリア放電アセンブリを用いた熱処理チャンバの一実施形態の断面斜視図である。 誘電体バリア放電アセンブリを用いた熱処理チャンバの一実施形態の別の断面斜視図である。 誘電体バリア放電ランプアセンブリを用いた熱処理チャンバの別の実施形態の断面斜視図である。 内部が分離された誘電体バリア放電ランプアセンブリを用いた熱処理チャンバの一実施形態の断面斜視図である。 内部が分離された誘電体バリア放電ランプアセンブリを用いた熱処理チャンバの別の実施形態の断面斜視図である。 基板支持体内に配置された加熱アセンブリを用いた誘電体バリア放電ランプアセンブリを用いる熱処理チャンバの別の実施形態の断面斜視図である。

符号の説明

１０４…チャンバ壁部、１０６…放射加熱アセンブリ、１０８…基板支持アセンブリ、１１４…誘電体バリア、１２０…内部容積、１４０…基板、１５０…誘電体バリア放電ランプアセンブリ、２００…熱処理チャンバ、２０２…第２の電極、２０４…回路構成、２０６…熱放射エネルギ、２０８…放射エネルギ、２１０…放電距離、２１２…放電空間、２２０…第１の電極、２５０…電源。

Claims (30)

1. チャンバ本体と、
   前記チャンバ本体内に配置された基板支持体と、
   プロセスチャンバ内に位置決めされた誘電体バリア放電ランプアセンブリであって、前記誘電体バリア放電ランプアセンブリが、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置決めされた誘電体バリアと、前記誘電体バリアと前記第２の電極との間に画定された放電空間とをさらに備える誘電体バリア放電ランプアセンブリと、
   を備えるプロセスチャンバ。
2. 前記第１の電極が、熱放射を提供するように構成された放射加熱アセンブリである、請求項１に記載の装置。
3. 前記誘電体バリアが、石英窓と、ガラス基板と、セラミック材料またはポリマー層をさらに備える、請求項１に記載の装置。
4. 前記誘電体バリア放電ランプアセンブリに対向して配置された透明窓をさらに備える、請求項１に記載の装置。
5. 前記誘電体バリア放電ランプアセンブリが、前記誘電体バリアと前記第２の電極との間に配置された透明窓をさらに備える、請求項１に記載の装置。
6. 前記プロセスチャンバ上に配置され、前記基板支持体に熱放射を向けるように構成された放射加熱アセンブリをさらに備える、請求項１に記載の装置。
7. 前記放射加熱アセンブリが、前記チャンバ本体内に形成された透明窓の上に位置決めされたハロゲンランプアセンブリをさらに備える、請求項６に記載の装置。
8. 前記放電空間内に収容された放電ガスをさらに含む、請求項１に記載の装置。
9. 前記放電ガスが、酸素ガス（Ｏ_２）、キセノンガス（Ｘｅ）、クリプトンガス（Ｋｒ）、アルゴンガス（Ａｒ）、ネオンガス（Ｎｅ）およびヘリウムガス（Ｈｅ）を含む群より選択される、請求項８に記載の装置。
10. 前記放電ガスが、ハロゲンガス、Ｈ_２Ｏガス、Ｎ_２Ｏガス、Ｎ_２ガスおよびＮＨ_３ガスを含む群より選択される追加的なガスをさらに含む、請求項９に記載の装置。
11. 前記第１の電極および第２の電極が、アレイ状に構成される、請求項１に記載の装置。
12. 前記電極が、冷却流体を流すようになっている中空流路を有する、請求項１１に記載の装置。
13. 前記電極が、誘電体膜をさらに備える、請求項１１に記載の装置。
14. 前記基板支持体が、加熱アセンブリをさらに備える、請求項１に記載の装置。
15. 前記チャンバ本体が、冷却流体を受け容れるように構成されている空間と、前記誘電体バリア放電ランプアセンブリとを結合するチャンバ蓋をさらに備える、請求項１に記載の装置。
16. 前記第２の電極が、ワイヤグリッド、メタルメッシュ、有孔金属、エキスパンドメタルまたはウェブ材料のうちの少なくとも１つである、請求項１に記載の装置。
17. 前記チャンバの内部容積に供給されるプロセスガスをさらに含む、請求項８に記載の装置。
18. 前記プロセスガスが、透明窓によって前記放電ガスと分離されている、請求項１７に記載の装置。
19. 前記プロセスガスが、酸素ガス（Ｏ_２）、キセノンガス（Ｘｅ）、クリプトンガス（Ｋｒ）、アルゴンガス（Ａｒ）、ネオンガス（Ｎｅ）、ヘリウムガス（Ｈｅ）、ハロゲンガス、Ｈ_２Ｏガス、Ｎ_２Ｏガス、Ｎ_２ガスおよびＮＨ_３ガスを含む群より選択される、請求項１７に記載の装置。
20. プロセスチャンバ内で、半導体基板を熱処理する装置であって、
    内部容積を画定するチャンバ本体と、
    前記チャンバ本体の前記内部容積に配置された前記基板支持体と、
    前記チャンバ本体を貫通して形成された窓を介して、前記基板支持体へ放射を向けるように位置決めされた放射加熱アセンブリと、
    前記放射加熱アセンブリと基板支持体との間に位置決めされ、前記チャンバ本体の前記内部容積に放射するようになっている誘電体バリア放電ランプアセンブリと、
    を備える装置。
21. 前記誘電体バリア放電ランプアセンブリが、
    第１の電極と、
    第２の電極と、
    前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置決めされた誘電体バリアと、
    前記誘電体バリアと前記第２の電極との間に画定された放電空間と、
    前記第１の電極と前記第２の電極との間に結合された回路構成と、
    をさらに備える、請求項２０に記載の装置。
22. 前記放射加熱アセンブリが、前記第１の電極である、請求項２１に記載の装置。
23. 前記第２の電極が、前記第２の電極が前記ガスを通させるようになっている、請求項２１に記載の装置。
24. 前記チャンバ本体が、
    前記第２の電極と前記窓との間に放電ガスを供給する第１の入口と、
    前記第２の電極と前記基板支持体との間にプロセスガスを供給する第２の入口と、
    をさらに備える、請求項２０に記載の装置。
25. 前記誘電体バリア放電ランプアセンブリが、前記誘電体バリアと前記第２の電極との間に配置された透明窓をさらに備える、請求項２０に記載の装置。
26. プロセスチャンバ内で半導体基板を熱処理する方法であって、
    基板を、プロセスチャンバ内の基板支持体上に位置決めするステップと、
    前記基板を、放射加熱アセンブリによって生成された放射エネルギに曝露させるステップと、
    前記基板を、誘電体バリア放電ランプアセンブリによって生成された第２の放射エネルギに曝露させるステップと、
    を備える方法。
27. 前記誘電体バリア放電ランプを活性化するステップが、前記放射加熱アセンブリを活性化して、前記ランプアセンブリへの放射を生成するステップをさらに備える、請求項２６に記載の方法。
28. 前記誘電体バリア放電ランプアセンブリが、
    第１の電極および第２の電極を前記ランプアセンブリ内に設けるステップと、
    前記第１の電極と前記第２の電極との間に誘電体バリアを配置し、前記第１の電極および第２の電極を離間関係に保つステップと、
    前記誘電体バリアと前記第２の電極との間に放電空間を画定するステップと、
    前記放電空間内に放電ガスを供給するステップと、
    をさらに備える、請求項２７に記載の方法。
29. 前記放電ガスを供給するステップが、前記第１および第２の電極に電圧を供給することによって、前記放電ガスを励起するステップをさらに備える、請求項２７に記載の方法。
30. 前記基板の表面上の前記プロセスチャンバの内部容積にプロセスガスを供給するステップをさらに備える、請求項２８に記載の方法。

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